JP7393448B2 - モリブデンオキシクロライド及びその製造方法 - Google Patents
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Description
2)純度5N以上であることを特徴とする上記1)記載のモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライド。
3)原料である酸化モリブデン又は酸化タングステンを400℃以上800℃以下で脱水処理した後、熱処理後の前記原料を塩素ガスと反応させて、モリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドを合成することを特徴とするモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドの製造方法。
4)前記熱処理時間を3時間以上とすることを特徴とする上記3)記載のモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドの製造方法。
水分量を十分に低減することができない。一方、800℃超であると、酸化モリブデンや酸化タングステンが溶融又は一部昇華してしまうため、好ましくない。より好ましくは、500℃以上、750℃以下である。
(水分量)
まず、X線回折装置(XRD)を用いて、目的外の低級塩化物(例えば、MoO2ClやMoOCl4)が無いことを確認する。次に、熱重量・質量分析装置(TG-MS)を用いて重量変化を測定し、残渣重量比から、これが水和物であると仮定して水分量を計算で求める。さらに、ICP発光分光分析装置(ICP-OES)で主成分であるモリブデン又はタングステンの量を測り、理論値からの差分から水分量を計算する。
但し、いずれの手法も仮定を伴い、不確定性を完全に排除することは困難であることから、TG-MSとICP-OESのそれぞれ異なる手法で求めた水分量が同様の値を示すことを確認することで、測定水分量の信頼性を高めることができる。
本開示における純度は、モリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドに不純物として含まれることが想定される元素について分析し、検出限界以上の含有量で現出された元素の含有量の合計を100wt%から差し引いた値として定義される。こ
こで、不純物元素は、Be、Mg、Al、K、Ga、Ge、As、Sr、Ba、W、Ti、U、Ag、Na、Co、Fe、In、Mn、Ni、Pb、Zn、Cu、Cr、Tl、Li、Th、Sc、Se、Hf、Ta、およびBiであり、これらのうちKについては原子吸光分析(AAS)法、K以外の元素については誘導結合プラズマ質量分析(ICP-MS)法によって分析する。本発明の分析における検出限界の含有量は、NiおよびSeについては0.5wtppm、これら以外の上記各元素については0.1wtppmである。なお、測定限界未満の含有量の不純物元素については、実質的に含まれないものとみなして純度を算出する。
MoO3原料490gを環状炉内(φ150cm)に載置し、流量0.5L/分の条件でArガス導入しながら、550℃で、20時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したMoO3原料を反応容器に載置し、反応容器にCl2ガスとキャリアガスとなるN2ガスを導入し、720℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたモリブデンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたモリブデンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、0.1wt%であり、低水分量のものが得られた。また、純度は99.999%以上と、高純度のものが得られた。
MoO3原料490gを環状炉内(φ150cm)に載置し、流量5L/分の条件でArガス導入しながら、550℃で、20時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したMoO3原料を反応容器に載置し、反応容器にCl2ガスとキャリアガスとなるN2ガスを導入し、720℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたモリブデンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたモリブデンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、0.01wt%であり、低水分量のものが得られた。また、純度は99.999%以上と、高純度のものが得られた。
WO3原料490gを環状炉内(φ150cm)に載置し、流量0.5L/分の条件でArガス導入しながら、550℃で、20時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したWO3原料を反応容器に載置し、反応容器にCl2ガスとキャリアガスとなるN2ガスを導入し、720℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたタングステンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたタングステンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、0.1wt%であり、低水分量のものが得られた。また、純度は99.999%以上と、高純度のものが得られた。
WO3原料490gを環状炉内(φ150cm)に載置し、流量5L/分の条件でArガス導入しながら、550℃で、20時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したWO3原料を反応容器に載置し、反応容器にCl2ガスとキャリアガスとなるN2ガスを導入し、720℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたタングステンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたタングステンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、0.01wt%であり、低水分量のものが得られた。また、純度は99.999%以上と、高純度のものが得られた。
MoO3原料490gを環状炉内(φ150cm)に載置し、流量0.5L/分の条件でArガス導入しながら、200℃で、20時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したMoO3原料を反応容器に載置し、反応容器にCl2ガスとキャリアガスとなるN2ガスを導入し、720℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたモリブデンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたモリブデンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、5wt%であり、水分量の低減効果が不十分であった。
MoO3原料490gを環状炉内(φ150cm)に載置し、流量0.5L/分の条件でArガス導入しながら、550℃で、1時間加熱して、脱水処理を行った。その後脱水処理したMoO3原料を反応容器に載置し、反応容器にCl2ガスとキャリアガスとなるN2ガスを導入し、720℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたモリブデンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたモリブデンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、2wt%であり、水分量の低減効果が不十分であった。
WO3原料490gを環状炉内(φ150cm)に載置し、流量0.5L/分の条件でArガス導入しながら、200℃で、20時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したWO3原料を反応容器に載置し、反応容器にCl2ガスとキャリアガスとなるN2ガスを導入し、720℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたタングステンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたタングステンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、4wt%であり、水分量の低減効果が不十分であった。
WO3原料490gを環状炉内(φ150cm)に載置し、流量0.5L/分の条件でArガス導入しながら、550℃で、1時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したWO3原料を反応容器に載置し、反応容器にCl2ガスとキャリアガスとなるN2ガスを導入し、720℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたタングステンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたタングステンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果2wt%であり、水分量の低減効果が不十分であった。
Claims (1)
- 原料であるMoO3を、不活性ガス、或いは不活性ガスに酸素を混合したガス、或いは空気(O2+N2)を流しながら、400℃以上800℃以下、3時間以上加熱して脱水処理した後、脱水処理後の前記原料を塩素ガスと反応させて、モリブデンオキシクロライドを合成することを特徴とするモリブデンオキシクロライドの製造方法。
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KR20240055305A (ko) | 2022-10-20 | 2024-04-29 | 에스케이트리켐 주식회사 | 고순도의 이염화이산화몰리브덴 및 이의 제조방법. |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3254945A (en) * | 1962-07-10 | 1966-06-07 | Maurice G Mcgrath | Process for producing a novel form of tungstic oxide |
JP2941079B2 (ja) | 1991-04-10 | 1999-08-25 | セントラル硝子株式会社 | 堆積物回収装置を備えた成膜装置 |
JPH0693314A (ja) * | 1991-06-05 | 1994-04-05 | Toshiba Corp | 高純度のタングステンまたはモリブデン粉末の製造方法 |
GB9822338D0 (en) | 1998-10-13 | 1998-12-09 | Glaverbel | Solar control coated glass |
JP4114854B2 (ja) | 2002-01-31 | 2008-07-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 高速断続切削で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆超硬合金製スローアウエイチップ |
FR2907445B1 (fr) * | 2006-10-20 | 2010-09-03 | Rhodia Recherches & Tech | Composition a acidite elevee a base d'oxyde de zirconium, d'oxyde de titane et d'oxyde de tungstene,procede de preparation et utilisation dans le traitement des gaz d'echappement |
CN102632245B (zh) * | 2012-05-10 | 2014-08-06 | 湖南顶立科技有限公司 | 一种高纯钼粉的制备方法 |
EA201201076A1 (ru) * | 2012-06-28 | 2013-12-30 | Ооо "Редметпром" | Способ получения высокочистой трёхокиси молибдена |
JP6437324B2 (ja) | 2014-03-25 | 2018-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | タングステン膜の成膜方法および半導体装置の製造方法 |
US10100406B2 (en) * | 2015-04-17 | 2018-10-16 | Versum Materials Us, Llc | High purity tungsten hexachloride and method for making same |
KR101913757B1 (ko) * | 2015-04-21 | 2018-10-31 | 주식회사 엘지화학 | 산화 텅스텐의 제조 방법 |
US10287177B1 (en) * | 2018-05-08 | 2019-05-14 | Robert Ten | Method and apparatus for extracting high-purity molybdenum oxide powders and nanopowders from low-grade concentrates |
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Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
GRAHAM, R. L. and HEPLER, L. G.,HEATS OF FORMATION OF MOLYBDENUM OXYCHLORIDES,J. Phys. Chem.,米国,American Chemical Society,1959年05月01日,Vol. 63,pp.723-724 |
SCHROCK, R. R. et al.,Synthesis of Molybdenum Imido Alkylidene Complexes and Some Reactions Involving Acyclic Olefines,J. Am. Chem. Soc.,米国,American Chemical Society,1990年05月01日,Vol. 112, No. 10,pp. 3875-3886 |
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