JP7269228B2 - モリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライド及びそれらの製造方法 - Google Patents
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Description
2)純度5N以上であることを特徴とする上記1)記載のモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライド。
3)原料である酸化モリブデン又は酸化タングステンを400℃以上800℃以下で脱水処理した後、熱処理後の前記原料を塩素ガスと反応させて、モリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドを合成することを特徴とするモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドの製造方法。
4)前記熱処理時間を3時間以上とすることを特徴とする上記3)記載のモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドの製造方法。
(水分量)
まず、X線回折装置(XRD)を用いて、目的外の低級塩化物(例えば、MoO2ClやMoOCl4)が無いことを確認する。次に、熱重量・質量分析装置(TG-MS)を用いて重量変化を測定し、残渣重量比から、これが水和物であると仮定して水分量を計算で求める。さらに、ICP発光分光分析装置(ICP-OES)で主成分であるモリブデン又はタングステンの量を測り、理論値からの差分から水分量を計算する。
但し、いずれの手法も仮定を伴い、不確定性を完全に排除することは困難であることから、TG-MSとICP-OESのそれぞれ異なる手法で求めた水分量が同様の値を示すことを確認することで、測定水分量の信頼性を高めることができる。
本開示における純度は、モリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドに不純物として含まれることが想定される元素について分析し、検出限界以上の含有量で現出された元素の含有量の合計を100wt%から差し引いた値として定義される。ここで、不純物元素は、Be、Mg、Al、K、Ga、Ge、As、Sr、Ba、W、Ti、U、Ag、Na、Co、Fe、In、Mn、Ni、Pb、Zn、Cu、Cr、Tl、Li、Th、Sc、Se、Hf、Ta、およびBiであり、これらのうちKについては原子吸光分析(AAS)法、K以外の元素については誘導結合プラズマ質量分析(ICP-MS)法によって分析する。本発明の分析における検出限界の含有量は、NiおよびSeについては0.5wtppm、これら以外の上記各元素については0.1wtppmである。なお、測定限界未満の含有量の不純物元素については、実質的に含まれないものとみなして純度を算出する。
MoO3原料490gを環状炉内(φ150cm)に載置し、流量0.5L/分の条件でArガス導入しながら、550℃で、20時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したMoO3原料を反応容器に載置し、反応容器にCl2ガスとキャリアガスとなるN2ガスを導入し、720℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたモリブデンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたモリブデンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、0.1wt%であり、低水分量のものが得られた。また、純度は99.999%以上と、高純度のものが得られた。
MoO3原料490gを環状炉内(φ150cm)に載置し、流量5L/分の条件でArガス導入しながら、550℃で、20時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したMoO3原料を反応容器に載置し、反応容器にCl2ガスとキャリアガスとなるN2ガスを導入し、720℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたモリブデンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたモリブデンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、0.01wt%であり、低水分量のものが得られた。また、純度は99.999%以上と、高純度のものが得られた。
WO3原料490gを環状炉内(φ150cm)に載置し、流量0.5L/分の条件でArガス導入しながら、550℃で、20時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したWO3原料を反応容器に載置し、反応容器にCl2ガスとキャリアガスとなるN2ガスを導入し、720℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたタングステンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたタングステンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、0.1wt%であり、低水分量のものが得られた。また、純度は99.999%以上と、高純度のものが得られた。
WO3原料490gを環状炉内(φ150cm)に載置し、流量5L/分の条件でArガス導入しながら、550℃で、20時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したWO3原料を反応容器に載置し、反応容器にCl2ガスとキャリアガスとなるN2ガスを導入し、720℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたタングステンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたタングステンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、0.01wt%であり、低水分量のものが得られた。また、純度は99.999%以上と、高純度のものが得られた。
MoO3原料490gを環状炉内(φ150cm)に載置し、流量0.5L/分の条件でArガス導入しながら、200℃で、20時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したMoO3原料を反応容器に載置し、反応容器にCl2ガスとキャリアガスとなるN2ガスを導入し、720℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたモリブデンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたモリブデンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、5wt%であり、水分量の低減効果が不十分であった。
MoO3原料490gを環状炉内(φ150cm)に載置し、流量0.5L/分の条件でArガス導入しながら、550℃で、1時間加熱して、脱水処理を行った。その後脱水処理したMoO3原料を反応容器に載置し、反応容器にCl2ガスとキャリアガスとなるN2ガスを導入し、720℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたモリブデンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたモリブデンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、2wt%であり、水分量の低減効果が不十分であった。
WO3原料490gを環状炉内(φ150cm)に載置し、流量0.5L/分の条件でArガス導入しながら、200℃で、20時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したWO3原料を反応容器に載置し、反応容器にCl2ガスとキャリアガスとなるN2ガスを導入し、720℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたタングステンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたタングステンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、4wt%であり、水分量の低減効果が不十分であった。
WO3原料490gを環状炉内(φ150cm)に載置し、流量0.5L/分の条件でArガス導入しながら、550℃で、1時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したWO3原料を反応容器に載置し、反応容器にCl2ガスとキャリアガスとなるN2ガスを導入し、720℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたタングステンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたタングステンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果2wt%であり、水分量の低減効果が不十分であった。
Claims (3)
- 水分量が0.1wt%以下であることを特徴とするWO 2 Cl 2 又はWOCl 4 。
- 純度5N以上であることを特徴とする請求項1記載のWO 2 Cl 2 又はWOCl 4 。
- 原料である酸化タングステンを、不活性ガス、或いは不活性ガスに酸素を混合したガス、或いは空気(O2+N2)を流しながら、400℃以上800℃以下、3時間以上加熱して脱水処理した後、脱水処理後の前記原料を塩素ガスと反応させて、WO 2 Cl 2 又はWOCl 4 を合成することを特徴とするWO 2 Cl 2 又はWOCl 4 の製造方法。
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