JP2015159530A - 増幅回路 - Google Patents
増幅回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015159530A JP2015159530A JP2014150030A JP2014150030A JP2015159530A JP 2015159530 A JP2015159530 A JP 2015159530A JP 2014150030 A JP2014150030 A JP 2014150030A JP 2014150030 A JP2014150030 A JP 2014150030A JP 2015159530 A JP2015159530 A JP 2015159530A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- drain
- circuit
- voltage
- amplifier circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
- H03F1/523—Circuit arrangements for protecting such amplifiers for amplifiers using field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
- H03F1/223—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/441—Protection of an amplifier being implemented by clamping means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
Abstract
【解決手段】ドレイン耐圧の低いNMOSトランジスタのドレインに、ドレイン電圧を制限するクランプ回路を備えた。
【選択図】図1
Description
従来の増幅回路は、定電圧を出力する定電圧回路101と、NMOSトランジスタ103、104と、負荷102と、グラウンド端子100と、出力端子106と、入力端子105を備えている。
本発明は、上記課題に鑑みてなされ、入力信号電圧Vinがグラウンドレベルであっても、NMOSトランジスタのドレインが破壊されない増幅回路を提供する。
ゲートが入力端子に接続された第一のトランジスタと、ゲートが定電圧回路に接続され、ドレインが出力端子に接続され、ソースが第一のトランジスタのドレインに接続され、ドレイン耐圧が第一のトランジスタより高い第二のトランジスタと、第一のトランジスタのドレインに接続され、第一のトランジスタのドレイン電圧を制限するクランプ回路と、を備えた。
<第一の実施形態>
図1は、第一の実施形態の増幅回路の回路図である。
第一の実施形態の増幅回路は、定電圧回路101と、NMOSトランジスタ103、104と、負荷102と、グラウンド端子100と、出力端子106と、入力端子105と、クランプ回路110を備えている。
NMOSトランジスタ201から20nは、ゲートとドレインが接続され、グラウンド端子100と端子111の間に直列に接続される。
定電圧回路101は、定電圧V2を出力する。入力端子105には入力信号電圧Vinが入力され、出力端子106には出力信号電圧Voutが出力される。NMOSトランジスタ104のドレインの電圧振幅は小さいため、NMOSトランジスタ104の耐圧電圧は小さいものを使用し、トランスコンダクタンスgmの高くする。NMOSトランジスタ103は、トランスコンダクタンスgm が増幅回路全体の増幅率に殆ど寄与しないため、ドレイン耐圧の高い高耐圧MOSトランジスタにする。このような構成にすることで、出力信号電圧Voutの振幅が大きくなるように負荷102のインピーダンスを高く設定でき、増幅回路全体の利得を高くすることができる。
図3のクランプ回路では、定電圧回路302が出力する定電圧によってクランプ電圧V1を任意に調整することができる。
図5は、第二の実施形態の増幅回路の回路図である。
図1との違いは、NMOSトランジスタ103をNchデプレッショントランジスタ501に変更した点である。他は図1と同様である。
図6は、第三の実施形態の増幅回路の回路図である。
図5との違いは、Nchデプレッショントランジスタ501のゲートを入力端子105に接続し、定電圧回路101を削除した点である。他は図5と同様である。
図7は、第四の実施形態の増幅回路の回路図である。
図1との違いは、クランプ回路701を定電圧回路101の正極とNMOSトランジスタ104のドレインの間に接続した点である。他は図1と同様である。クランプ回路701は、例えば、ゲートとソースがNMOSトランジスタ104のドレインに接続され、ドレインが定電圧回路101の正極に接続されたNMOSトランジスタ701で構成される。
クランプ回路701は、以下のように動作をして、NMOSトランジスタ104のドレインの電圧をクランプすることが出来る。
図8は、第五の実施形態の増幅回路の回路図である。
第五の実施形態の増幅回路は、定電圧回路101と、PMOSトランジスタ803、804と、負荷102と、グラウンド端子100と、出力端子106と、入力端子105と、クランプ回路810を備えている。
クランプ回路801は、以下のように動作をして、PMOSトランジスタ803のドレインの電圧をクランプすることが出来る。
なお、本発明の増幅回路は、図示はしないが電源の関係を反転した回路構成であっても、同様にクランプ回路の効果を得ることが出来る。
101、302、410 定電圧回路
102 負荷
105 入力端子
106 出力端子
110、710,810 クランプ回路
Claims (10)
- 入力端子に入力された信号を増幅して、出力端子に出力する増幅回路であって、
ゲートが前記入力端子に接続された第一のトランジスタと、
ドレインが前記出力端子に接続され、ソースが前記第一のトランジスタのドレインに接続され、ドレイン耐圧が前記第一のトランジスタより高く、常に動作状態にある第二のトランジスタと、
前記第一のトランジスタのドレインに接続され、前記第一のトランジスタのドレイン電圧を制限するクランプ回路と、
を備えることを特徴とする増幅回路。 - 前記第二のトランジスタは、ゲートが定電圧回路に接続されエンハンスメントトランジスタで構成されたことを特徴とする請求項1記載の増幅回路。
- 前記第二のトランジスタは、デプレッショントランジスタで構成されることを特徴とする請求項1に記載の増幅回路。
- 前記第二のトランジスタは、ゲートが定電圧回路に接続されたことを特徴とする請求項3記載の増幅回路。
- 前記第二のトランジスタは、ゲートが前記入力端子に接続されたことを特徴とする請求項3記載の増幅回路。
- 前記クランプ回路は、
ダイオード接続された複数のトランジスタを直列接続して構成されたことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の増幅回路。 - 前記クランプ回路は、
ゲートが定電圧回路に接続されたトランジスタで構成されたことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の増幅回路。 - 前記クランプ回路は、
ゲートが定電圧回路に接続されたトランジスタと、ダイオード接続された複数のトランジスタと、を直列接続して構成されたことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の増幅回路。 - 前記クランプ回路は、
ゲートとソースが前記第一のトランジスタのドレインに接続され、ドレインが定電圧回路に接続されたトランジスタで構成されたことを特徴とする請求項1記載の増幅回路。 - 入力端子に入力された信号を増幅して、出力端子に出力する増幅回路であって、
ゲートが定電圧回路に接続され、ドレインが前記出力端子に接続され、ソースが電源端子に接続された第一のトランジスタと、
ゲートが前記入力端子に接続され、ドレインが接地端子に接続され、ソースが出力端子に接続され、ドレイン耐圧が前記第一のトランジスタより高い第二のトランジスタと、
ゲートとソースが前記第一のトランジスタのドレインに接続され、ドレインが入力端子に接続されたトランジスタで構成され、前記第一のトランジスタのドレイン電圧を制限するクランプ回路と、
を備えることを特徴とする増幅回路。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014150030A JP6376874B2 (ja) | 2014-01-21 | 2014-07-23 | 増幅回路 |
TW103144790A TWI639301B (zh) | 2014-01-21 | 2014-12-22 | 增幅電路 |
US14/594,773 US9543905B2 (en) | 2014-01-21 | 2015-01-12 | Amplifier circuit |
KR1020150005543A KR102304514B1 (ko) | 2014-01-21 | 2015-01-13 | 증폭 회로 |
CN201510023731.2A CN104796094B (zh) | 2014-01-21 | 2015-01-16 | 放大电路 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014008824 | 2014-01-21 | ||
JP2014008824 | 2014-01-21 | ||
JP2014150030A JP6376874B2 (ja) | 2014-01-21 | 2014-07-23 | 増幅回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015159530A true JP2015159530A (ja) | 2015-09-03 |
JP6376874B2 JP6376874B2 (ja) | 2018-08-22 |
Family
ID=53545713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014150030A Active JP6376874B2 (ja) | 2014-01-21 | 2014-07-23 | 増幅回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9543905B2 (ja) |
JP (1) | JP6376874B2 (ja) |
KR (1) | KR102304514B1 (ja) |
CN (1) | CN104796094B (ja) |
TW (1) | TWI639301B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017108355A (ja) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 増幅回路及びボルテージレギュレータ |
WO2018154647A1 (ja) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 三菱電機株式会社 | 高周波増幅器 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112865763A (zh) | 2019-11-28 | 2021-05-28 | 长鑫存储技术有限公司 | 比较器 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59183017U (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-06 | 株式会社ケンウッド | ソ−スフオロワ回路 |
JP2000022456A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-21 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路 |
JP2000512805A (ja) * | 1996-05-15 | 2000-09-26 | シリコニックス・インコーポレイテッド | シンクロナス整流器或いは電圧クランプ用の3端子パワーmosfetスイッチ |
JP2005311689A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Sharp Corp | 高耐圧力スコード型増幅回路 |
WO2006103977A1 (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ディスプレイ駆動回路 |
JP2006324839A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 複合型半導体装置 |
US20070046369A1 (en) * | 2005-07-22 | 2007-03-01 | Schober Robert C | High Sensitivity RFID TAG Integrated Circuits |
JP2013150229A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Sony Corp | ソースフォロワ回路 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4017850B2 (ja) | 2001-10-04 | 2007-12-05 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 電源回路 |
DE102005030565B3 (de) * | 2005-06-30 | 2006-10-12 | Infineon Technologies Ag | Leistungsausgangsstufe |
JP4800781B2 (ja) | 2006-01-31 | 2011-10-26 | セイコーインスツル株式会社 | 電圧レベルシフト回路、および半導体集積回路 |
JP2008015875A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電源回路 |
CN100488035C (zh) * | 2007-08-30 | 2009-05-13 | 李希强 | 晶体管串接单端直耦甲类功率放大电路 |
-
2014
- 2014-07-23 JP JP2014150030A patent/JP6376874B2/ja active Active
- 2014-12-22 TW TW103144790A patent/TWI639301B/zh active
-
2015
- 2015-01-12 US US14/594,773 patent/US9543905B2/en active Active
- 2015-01-13 KR KR1020150005543A patent/KR102304514B1/ko active IP Right Grant
- 2015-01-16 CN CN201510023731.2A patent/CN104796094B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59183017U (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-06 | 株式会社ケンウッド | ソ−スフオロワ回路 |
JP2000512805A (ja) * | 1996-05-15 | 2000-09-26 | シリコニックス・インコーポレイテッド | シンクロナス整流器或いは電圧クランプ用の3端子パワーmosfetスイッチ |
JP2000022456A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-21 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路 |
JP2005311689A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Sharp Corp | 高耐圧力スコード型増幅回路 |
WO2006103977A1 (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ディスプレイ駆動回路 |
JP2006324839A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 複合型半導体装置 |
US20070046369A1 (en) * | 2005-07-22 | 2007-03-01 | Schober Robert C | High Sensitivity RFID TAG Integrated Circuits |
JP2013150229A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Sony Corp | ソースフォロワ回路 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017108355A (ja) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 増幅回路及びボルテージレギュレータ |
WO2018154647A1 (ja) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 三菱電機株式会社 | 高周波増幅器 |
GB2572711A (en) * | 2017-02-22 | 2019-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | High frequency amplifier |
JPWO2018154647A1 (ja) * | 2017-02-22 | 2019-11-07 | 三菱電機株式会社 | 高周波増幅器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102304514B1 (ko) | 2021-09-23 |
JP6376874B2 (ja) | 2018-08-22 |
KR20150087111A (ko) | 2015-07-29 |
CN104796094A (zh) | 2015-07-22 |
TW201539976A (zh) | 2015-10-16 |
TWI639301B (zh) | 2018-10-21 |
CN104796094B (zh) | 2018-12-11 |
US9543905B2 (en) | 2017-01-10 |
US20150207468A1 (en) | 2015-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5306094B2 (ja) | 基準電圧回路及び電子機器 | |
CN106896856B (zh) | 放大电路及电压调节器 | |
JP2007266715A (ja) | カスコード回路および半導体装置 | |
JP6261349B2 (ja) | ボルテージレギュレータ | |
TW201603477A (zh) | Ab類推挽放大器之輸出電路保護裝置及方法 | |
CN107810421B (zh) | 电压监测器 | |
JP6376874B2 (ja) | 増幅回路 | |
US8638126B2 (en) | Rail-to-rail comparator | |
JP5833938B2 (ja) | ボルテージレギュレータ | |
US9467098B2 (en) | Slew rate control boost circuits and methods | |
US7786800B2 (en) | Class AB amplifier | |
US20150236635A1 (en) | Inverter output circuit | |
JP2017184122A (ja) | 差動増幅器 | |
US20210384870A1 (en) | Apparatus and methods for amplifier input-overvoltage protection with low leakage current | |
KR101783490B1 (ko) | 출력 회로 | |
US7816989B2 (en) | Differential amplifier | |
JP6672067B2 (ja) | 安定化電源回路 | |
KR100669074B1 (ko) | 클램핑 회로를 이용한 차동증폭기 | |
JP6336775B2 (ja) | 利得可変型増幅器 | |
JP2006352193A (ja) | 差動増幅器 | |
JP2021125830A (ja) | 差動増幅器 | |
JP2014075705A (ja) | 差動増幅回路 | |
JP2009301340A (ja) | 電流ミラー回路 | |
JP2018014677A (ja) | 入力装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20160112 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170517 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180605 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180704 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180717 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180724 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6376874 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |