JP2015146461A - 酸素不含ケイ素系膜及びその形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸素不含ケイ素系膜は>50原子%のケイ素を含む。1つの態様において、ケイ素系膜はSixCyNz(式中、XPSにより測定してxは約51〜100、yは0〜49、そしてzは0〜50原子質量(wt.)パーセント(%)である)の組成を有する。1つの態様において、酸素不含ケイ素系膜は、ケイ素原子の間に少なくとも1つのC2−3結合を有する、少なくとも2つのSiH3基を有する少なくとも1種のオルガノケイ素前駆体、例えば、1,4−ジシラブタンを用いて堆積された。
【選択図】なし
Description
本出願は2012年7月30日に出願された先の米国仮特許出願第61/677.267号の優先権を主張する。
基材の少なくとも1つの表面を反応チャンバー中に提供すること、
ケイ素原子の間に少なくとも1つのC2-3結合を有する、少なくとも2つのSiH3基を有する少なくとも1種のオルガノケイ素前駆体を反応チャンバー中に提供すること、及び、
化学蒸着(CVD)、低圧化学蒸着(LPCVD)、プラズマ強化化学蒸着(PECVD)、サイクリック化学蒸着(CCVD)、プラズマ強化サイクリック化学蒸着(PECCVD)、原子層堆積(ALD)及びプラズマ強化原子層堆積(PEALD)からなる群より選ばれる堆積法により少なくとも1つの表面上に酸素不含ケイ素系膜を形成することを含み、
ここで、酸素不含ケイ素系膜はXPSにより測定して約51〜約99原子質量%のケイ素を含む。1つの態様において、堆積法はLPCVDを含む。別の態様において、堆積法はPECVDを含む。
ケイ素原子の間に少なくとも1つのC2-3結合を有する、少なくとも2つのSiH3基を有する少なくとも1種のオルガノケイ素前駆体を反応チャンバー中に提供すること、及び、
場合により、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン及びそれらの混合物からなる群より選ばれる窒素含有前駆体を反応チャンバー中に提供すること、
低圧化学蒸着(LPCVD)を含む堆積法により少なくとも1つの表面上に酸素不含ケイ素系膜を形成することを含む。特定の実施形態において、LPCVD堆積は約200〜約600℃の範囲の1つ以上の温度で行われる。これら又はその他の実施形態において、酸素不含ケイ素系膜中の炭素及び窒素の原子wt.%は、温度などのLPCVD堆積条件を変更し、窒素含有前駆体を添加し、又は、それらの組み合わせにより調節されうる。窒素含有前駆体を使用する実施形態において、窒素含有前駆体の量/少なくとの1種のオルガノケイ素前駆体の量の流量比(R)は0.25〜20LPCVDプロセスの範囲である。
基材の少なくとも1つの表面を反応チャンバー中に提供すること、
ケイ素原子の間に少なくとも1つのC2-3結合を有する、少なくとも2つのSiH3基を有する少なくとも1種のオルガノケイ素前駆体を反応チャンバー中に提供すること、
場合により、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン及びそれらの混合物からなる群より選ばれる窒素含有前駆体を反応チャンバー中に提供すること、及び、
プラズマ強化化学蒸着(PECVD)を含む堆積法により少なくとも1つの表面上に酸素不含ケイ素系膜を形成することを含み、ここで、酸素不含ケイ素系膜はXPSにより測定して約51〜約99原子質量%のケイ素を含む。窒素含有前駆体を使用する実施形態において、窒素含有前駆体の量/少なくとの1種のオルガノケイ素前駆体の量の流量比(R)は0.25〜20LPCVDの範囲であり、又は、Rは1以下である。
ドイツのATV Inc社製のLPCVDファーネスを用いて、1,4−ジシラブタンを用いてケイ素系膜を様々な温度で堆積し、ニートの前駆体として、又は、アンモニアの存在下でファーネス内に導入した。すべてのケイ素含有膜は、中程度の抵抗率(8〜12Ωcm)の単結晶シリコンウエハ基板上に堆積させた。各膜堆積のためのデータを表1及び表2に要約した。表中、「ND」は検出されないことを意味する。以下の実施例で、厚さ及び648nmでの膜の屈折率などの光学特性の測定を、標準的な反射光測定又はFilmTek 2000SEエリプソメーターなどエリプソメトリ測定システムを用いて、周知のデータフィッティング技術を用いて行った。上記のすべての分析のための典型的な膜厚は約20〜約150ナノメートル(膜厚が膜組成分析を行うには小さすぎる試験16及び17を例外とした)であった。膜の化学組成の特性化はマルチチャンネルプレート検出器(MCD)及びAl単色X線源が装備されているPhysical Electronics 5000VersaProbe XPS分光計を用いて行われる。XPSデータをAlkα X線励起(25mA及び15kV)を用いて収集される。表1中のすべての密度及び結晶性の測定は、X線反射率(XRR)を用いて得られた。
ケイ素含有膜を中程度の抵抗率(8〜12Ωcm)の単結晶シリコンウエハ基板上に堆積させた。すべての堆積はシラン又はTEOSプロセスキットのいずれかを用いて、Astron EXリモートプラズマ発生器を備えた200mmDXZチャンバー中でApplied Materials Precision 5000システム上で行った。PECVDチャンバーは直接液体注入送達能力を備えていた。シランを除いて、すべての前駆体は前駆体の沸点に応じた送達温度で液体であった。典型的な液体前駆体の流速は100〜800mg/分の範囲であり、プラズマ出力密度は0.75〜2.5W/cm2の範囲であり、圧力は0.75〜8トルの範囲であった。 632nmで厚さ及び屈折率(RI)を反射率計により測定した。典型的な膜厚は100〜1000nmの範囲であった。ケイ素含有膜の結合特性水素含有分(Si−H、C−H及びN−H)を、ニコレットトランスミッションフーリエ変換赤外分光法(FTIR)手段によって測定しそして分析した。すべての密度測定は、X線反射率(XRR)を用いて行った。X線光電子分光法(XPS)及びラザフォード後方散乱分光法(RBS)分析を行い、膜の元素組成を決定した。ウェットエッチング速度(WER)を10:1の緩衝酸化物エッチング(BOE)溶液及び希釈HF(5%以下)溶液中で測定した。水銀プローブを、誘電率、漏れ電流及び絶縁破壊電界を含む電気的特性のために採用した。
Claims (21)
- 基材の少なくとも1つの表面上に酸素不含ケイ素系膜を形成するための方法であって、該方法は、
基材の少なくとも1つの表面を反応チャンバー中に提供すること、
ケイ素原子の間に少なくとも1つのC2−3結合を有する、少なくとも2つのSiH3基を有する少なくとも1種のオルガノケイ素前駆体を反応チャンバー中に提供すること、及び、
化学蒸着(CVD)、低圧化学蒸着(LPCVD)、プラズマ強化化学蒸着(PECVD)、サイクリック化学蒸着(CCVD)、プラズマ強化サイクリック化学蒸着(PECCVD)、原子層堆積(ALD)及びプラズマ強化原子層堆積(PEALD)からなる群より選ばれる堆積法により前記少なくとも1つの表面上に酸素不含ケイ素系膜を形成することを含み、
ここで、前記酸素不含ケイ素系膜はX線光電子分光法(XPS)により測定して約51〜約99原子質量%のケイ素を含む、方法。 - 少なくとも1種のケイ素前駆体は1,4−ジシラブタンである、請求項2に記載の方法。
- 堆積工程は約100℃〜650℃の範囲の1つ以上の温度で行われる、請求項1に記載の方法。
- 酸素不含ケイ素系膜は炭化ケイ素膜、窒化ケイ素膜及び炭窒化ケイ素膜からなる群より選ばれる、請求項1に記載の方法。
- 堆積プロセスはLPCVDを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記1つ以上の温度を変更することにより、酸素不含ケイ素系膜中の炭素の原子%を調節する工程をさらに含む、請求項6に記載の方法。
- 酸素不含ケイ素系膜は非晶性ケイ素リッチ膜である、請求項6に記載の方法。
- 堆積工程はPECVDを含む、請求項1に記載の方法。
- 窒素含有前駆体を提供することをさらに含み、該窒素含有前駆体の量/少なくとも1種のオルガノケイ素前駆体の量の比が約0.25〜約1の範囲にある、請求項9に記載の方法。
- 式SixCyHz(式中、XPSにより測定してxは約51〜100、yは0〜50、そしてzは0〜50原子質量%(wt.%)である)を有する酸素不含ケイ素系膜を基材の少なくとも1つの表面上に形成するための方法であって、該方法は、
基材の少なくとも1つの表面を反応チャンバー中に提供すること、
ケイ素原子の間に少なくとも1つのC2−3結合を有する、少なくとも2つのSiH3基を有する少なくとも1種のオルガノケイ素前駆体を反応チャンバー中に提供すること、及び、
場合により、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン及びそれらの混合物からなる群より選ばれる窒素含有前駆体を反応チャンバー中に提供すること、及び、
低圧化学蒸着(LPCVD)を含む堆積法により前記少なくとも1つの表面上に酸素不含ケイ素系膜を形成することを含む、方法。 - 少なくとも1種のケイ素前駆体は1,4−ジシラブタンである、請求項12に記載の方法。
- 堆積工程は約100℃〜650℃の範囲の1つ以上の温度で行われる、請求項11に記載の方法。
- 窒素含有前駆体を提供することをさらに含み、該窒素含有前駆体の量/少なくとも1種のオルガノケイ素前駆体の量の比が約0.25〜約20の範囲にある、請求項11に記載の方法。
- 酸素不含ケイ素系膜は炭化ケイ素、窒化ケイ素及び炭窒化ケイ素からなる群より選ばれる、請求項11に記載の方法。
- 酸素不含ケイ素系膜は非晶性ケイ素リッチ膜である、請求項11に記載の方法。
- アニーリング工程をさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 酸素不含ケイ素系膜を基材の少なくとも1種の表面上に形成するための方法であって、該方法は、
基材の少なくとも1つの表面を反応チャンバー中に提供すること、
ケイ素原子の間に少なくとも1つのC2−3結合を有する、少なくとも2つのSiH3基を有する少なくとも1種のオルガノケイ素前駆体を反応チャンバー中に提供すること、 場合により、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン及びそれらの混合物からなる群より選ばれる窒素含有前駆体を反応チャンバー中に提供すること、及び、
プラズマ強化化学蒸着(PECVD)を含む堆積法により前記少なくとも1つの表面上に酸素不含ケイ素系膜を形成することを含み、
ここで、前記酸素不含ケイ素系膜はXPSにより測定して約51〜約99原子質量%のケイ素を含む、方法。 - 反応チャンバー中の反応温度は約100℃〜650℃の範囲にある、請求項19に記載の方法。
- 窒素含有前駆体を提供することを含み、該窒素含有前駆体の量/少なくとも1種のオルガノケイ素前駆体の量の比が約0〜約1の範囲にある、請求項19に記載の方法。
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SG11201807211XA (en) * | 2016-02-26 | 2018-09-27 | Versum Materials Us Llc | Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film |
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KR102378021B1 (ko) | 2016-05-06 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 박막의 형성 |
US10157736B2 (en) * | 2016-05-06 | 2018-12-18 | Lam Research Corporation | Methods of encapsulation |
US20180033614A1 (en) * | 2016-07-27 | 2018-02-01 | Versum Materials Us, Llc | Compositions and Methods Using Same for Carbon Doped Silicon Containing Films |
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US10453678B2 (en) * | 2017-04-13 | 2019-10-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for deposition of low-k films |
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TWI633201B (zh) * | 2017-10-24 | 2018-08-21 | 國立交通大學 | 非晶碳薄膜、其製造方法與包含其之光學系統 |
US10991573B2 (en) | 2017-12-04 | 2021-04-27 | Asm Ip Holding B.V. | Uniform deposition of SiOC on dielectric and metal surfaces |
US11239420B2 (en) | 2018-08-24 | 2022-02-01 | Lam Research Corporation | Conformal damage-free encapsulation of chalcogenide materials |
WO2020242868A1 (en) * | 2019-05-24 | 2020-12-03 | Versum Materials Us, Llc | Organosilicon precursors for deposition of silicon-containing films |
TWI819257B (zh) * | 2019-12-20 | 2023-10-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有可調整碳含量之碳氮化矽間隙填充 |
US11499014B2 (en) | 2019-12-31 | 2022-11-15 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Cureable formulations for forming low-k dielectric silicon-containing films using polycarbosilazane |
US20210225633A1 (en) * | 2020-01-17 | 2021-07-22 | Asm Ip Holding B.V. | FORMATION OF SiOCN THIN FILMS |
US20210225634A1 (en) * | 2020-01-17 | 2021-07-22 | Asm Ip Holding B.V. | FORMATION OF SiCN THIN FILMS |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007533171A (ja) * | 2004-04-19 | 2007-11-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 低k誘電体と導電材料との接着改善 |
JP2009170872A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-07-30 | Applied Materials Inc | 優勢エッチング抵抗性を具備する低k誘電バリアを得る方法 |
US20100143609A1 (en) * | 2008-12-09 | 2010-06-10 | Asm Japan K.K. | Method for forming low-carbon cvd film for filling trenches |
WO2011038995A1 (en) * | 2009-09-29 | 2011-04-07 | International Business Machines Corporation | Patternable low-k dielectric interconnect structure with a graded cap layer and method of fabrication |
JP2012025733A (ja) * | 2010-06-02 | 2012-02-09 | Air Products & Chemicals Inc | 有機アミノシラン前駆体及びこれを含む膜の堆積方法 |
JP2013102130A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4863755A (en) * | 1987-10-16 | 1989-09-05 | The Regents Of The University Of California | Plasma enhanced chemical vapor deposition of thin films of silicon nitride from cyclic organosilicon nitrogen precursors |
US4923716A (en) | 1988-09-26 | 1990-05-08 | Hughes Aircraft Company | Chemical vapor desposition of silicon carbide |
US5204141A (en) | 1991-09-18 | 1993-04-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | Deposition of silicon dioxide films at temperatures as low as 100 degree c. by lpcvd using organodisilane sources |
JPH073822A (ja) | 1993-06-19 | 1995-01-06 | Kyushu Sefutei:Kk | 柱または壁用孔付コンクリート製品およびその型枠 |
KR960012710B1 (ko) * | 1993-10-11 | 1996-09-24 | 한국화학연구소 | 단일 유기규소 화합물을 이용한 탄화규소 막의 제조 |
TW285753B (ja) | 1995-01-04 | 1996-09-11 | Air Prod & Chem | |
EP1607493B1 (en) * | 1998-02-11 | 2008-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
US6054379A (en) | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
US6245690B1 (en) | 1998-11-04 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Method of improving moisture resistance of low dielectric constant films |
US6838393B2 (en) | 2001-12-14 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Method for producing semiconductor including forming a layer containing at least silicon carbide and forming a second layer containing at least silicon oxygen carbide |
US20030194496A1 (en) | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing dielectric material |
US6858548B2 (en) | 2002-04-18 | 2005-02-22 | Applied Materials, Inc. | Application of carbon doped silicon oxide film to flat panel industry |
WO2005057630A2 (en) | 2003-08-01 | 2005-06-23 | The Regents Of The University Of California | Manufacturable low-temperature silicon carbide deposition technology |
US20050233555A1 (en) * | 2004-04-19 | 2005-10-20 | Nagarajan Rajagopalan | Adhesion improvement for low k dielectrics to conductive materials |
US7875556B2 (en) | 2005-05-16 | 2011-01-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Precursors for CVD silicon carbo-nitride and silicon nitride films |
FR2887252A1 (fr) | 2005-06-21 | 2006-12-22 | Air Liquide | Procede de formation d'un film dielectrique et nouveaux precurseurs pour la mise en oeuvre de ce procede |
US8530361B2 (en) * | 2006-05-23 | 2013-09-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for producing silicon and oxide films from organoaminosilane precursors |
US8703624B2 (en) | 2009-03-13 | 2014-04-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Dielectric films comprising silicon and methods for making same |
JP2013531899A (ja) | 2010-07-02 | 2013-08-08 | マシスン トライ−ガス インコーポレイテッド | Si−含有材料および置換的にドーピングされた結晶性si−含有材料の選択エピタキシー |
US8771807B2 (en) * | 2011-05-24 | 2014-07-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organoaminosilane precursors and methods for making and using same |
US8921014B2 (en) * | 2011-10-14 | 2014-12-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography mask and method of forming a lithography mask |
-
2013
- 2013-07-24 US US13/949,420 patent/US9243324B2/en active Active
- 2013-07-29 TW TW102127178A patent/TWI504775B/zh active
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-
2015
- 2015-04-27 JP JP2015090579A patent/JP6356630B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007533171A (ja) * | 2004-04-19 | 2007-11-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 低k誘電体と導電材料との接着改善 |
JP2009170872A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-07-30 | Applied Materials Inc | 優勢エッチング抵抗性を具備する低k誘電バリアを得る方法 |
US20100143609A1 (en) * | 2008-12-09 | 2010-06-10 | Asm Japan K.K. | Method for forming low-carbon cvd film for filling trenches |
WO2011038995A1 (en) * | 2009-09-29 | 2011-04-07 | International Business Machines Corporation | Patternable low-k dielectric interconnect structure with a graded cap layer and method of fabrication |
JP2012025733A (ja) * | 2010-06-02 | 2012-02-09 | Air Products & Chemicals Inc | 有機アミノシラン前駆体及びこれを含む膜の堆積方法 |
JP2013102130A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
ELVIRA A VOLNINA ET AL: "Si/C phases from the IR laser-induced decomposition of 1,4-disilabutane", JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY, vol. 7, no. 4, JPN6017021703, 1997, XP055082850, ISSN: 0003579048, DOI: 10.1039/a606524d * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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