JP2015132679A - 化学増幅型ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
下記一般式(0−1)で示されるオニウム塩、酸の作用によりアルカリ不溶性となる樹脂、酸発生剤を含有する化学増幅型ネガ型レジスト組成物を提供する。
被加工体上に前記化学増幅型ネガ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜に高エネルギー線を照射する工程、該照射後のレジスト膜をアルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程を含むパターン形成方法を提供する。
さらに、前記被加工体としてフォトマスクブランクを用いることが好ましい。
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、カルボン酸オニウム塩の適切な位置にフッ素原子又はトリフルオロメチル基を導入したオニウム塩をネガ型レジスト組成物に導入した場合、LERの小さなパターンが得られることを知見し、本発明をなすに至った。
尚、以下の説明中、化学式で表される構造によっては不斉炭素が存在し、エナンチオ異性体(enantiomer)やジアステレオ異性体(diastereomer)が存在し得るものがあるが、その場合は一つの式でそれら異性体を代表して表す。それらの異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。
本発明は、
下記一般式(0−1)で示されるオニウム塩、酸の作用によりアルカリ不溶性となる樹脂、酸発生剤を含有する化学増幅型ネガ型レジスト組成物である。
好ましいアルキレン基の例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、及び分岐又は環構造を持つ炭素骨格の構造異性体等が挙げられ、エーテル結合を含む場合には、一般式(3)中のPが1である場合には、エステル酸素に対してα位の炭素とβ位の炭素の間を除くいずれの箇所に入ってもよい。また、Pが0である場合には、主鎖と結合する原子がエーテル性酸素となり、該エーテル性酸素に対してα位の炭素とβ位の炭素の間を除くいずれの箇所に第2のエーテル結合が入ってもよい。なお、上記アルキレン基の炭素数が10以下であれば、アルカリ性現像液に対する溶解性を十分に得ることができるため好ましい。
更に、sは0〜2の整数を表し、0の場合はベンゼン骨格、1の場合はナフタレン骨格、2の場合はアントラセン骨格をそれぞれ示す。
また、Pが1である場合、つまりリンカーとしてエステル骨格を有する場合の繰り返し単位は、(メタ)アクリル酸エステルに代表される、カルボニル基が置換したビニルモノマー単位である。
好ましいアルキレン基の例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、及び分岐又は環構造を持つ炭素骨格の構造異性体等が挙げられ、エーテル結合を含む場合には、一般式(4)中のQが1である場合には、エステル酸素に対してα位の炭素とβ位の炭素の間を除くいずれの箇所に入ってもよい。また、Qが0である場合には、主鎖と結合する原子がエーテル性酸素となり、該エーテル性酸素に対してα位の炭素とβ位の炭素の間を除くいずれの箇所に第2のエーテル結合が入ってもよい。なお、上記アルキレン基の炭素数が10以下であれば、アルカリ性現像液に対する溶解性を十分に得ることができるため好ましい。
更に、tは0〜2の整数を表し、0の場合はベンゼン骨格、1の場合はナフタレン骨格、2の場合はアントラセン骨格をそれぞれ示す。
また、Qが1である場合、つまりリンカーとしてエステル骨格を有する場合の繰り返し単位は、(メタ)アクリル酸エステルに代表される、カルボニル基が置換したビニルモノマー単位である。
尚、GPC測定は一般的に用いられるテトラヒドロフラン(THF)溶媒を用いて行うことができる。
酸発生剤の具体例としては、特開2008−111103号公報の段落[0122]〜[0142]に記載されている。
o−ジメチルアミノ安息香酸、p−ジメチルアミノ安息香酸、m−ジメチルアミノ安息香酸、p−ジエチルアミノ安息香酸、p−ジプロピルアミノ安息香酸、p−ジイソプロピルアミノ安息香酸、p−ジブチルアミノ安息香酸、p−ジペンチルアミノ安息香酸、p−ジヘキシルアミノ安息香酸、p−ジエタノールアミノ安息香酸、p−ジイソプロパノールアミノ安息香酸、p−ジメタノールアミノ安息香酸、2−メチル−4−ジエチルアミノ安息香酸、2−メトキシ−4−ジエチルアミノ安息香酸、3−ジメチルアミノ−2−ナフタレン酸、3−ジエチルアミノ−2−ナフタレン酸、2−ジメチルアミノ−5−ブロモ安息香酸、2−ジメチルアミノ−5−クロロ安息香酸、2−ジメチルアミノ−5−ヨード安息香酸、2−ジメチルアミノ−5−ヒドロキシ安息香酸、4−ジメチルアミノフェニル酢酸、4−ジメチルアミノフェニルプロピオン酸、4−ジメチルアミノフェニル酪酸、4−ジメチルアミノフェニルリンゴ酸、4−ジメチルアミノフェニルピルビン酸、4−ジメチルアミノフェニル乳酸、2−(4−ジメチルアミノフェニル)安息香酸、2−(4−(ジブチルアミノ)−2−ヒドロキシベンゾイル)安息香酸。
1−ピペリジンプロピオン酸、1−ピペリジン酪酸、1−ピペリジンリンゴ酸、1−ピペリジンピルビン酸、1−ピペリジン乳酸。
有機溶剤の配合量としては、ベース樹脂100質量部に対して200〜3,000質量部が好ましく、特に400〜2,500質量部が好適である。
界面活性剤の添加量としては、化学増幅型レジスト組成物中のベースポリマー100質量部に対して2質量部以下、好ましくは1質量部以下であり、0.01質量部以上とすることが好ましい。
さらに、本発明は、
被加工体上に上述の化学増幅型ネガ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜に高エネルギー線を照射する工程、該照射後のレジスト膜をアルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程を含むパターン形成方法を提供する。
本発明の化学増幅型ネガ型レジスト組成物に含有されるオニウム塩を以下に示す処方で合成した。なお、合成したオニウム塩(Q−1〜Q−4)の構造、及び比較例で使用するオニウム塩(比較Q−1〜Q−4)の構造は、後述の表5に示した。
(合成実施例1−1−1)
2−トリフルオロメチルビシクロ[2,2,1]ヘプタ−5−エン−2−カルボン酸(20)の合成
シクロペンタジエン(18)22.7gと、トリフルオロメチルアクリル酸(19)40.0gをベンゼン40g中、室温で終夜撹拌した。ヘキサン20gを反応液に注ぎ白色固体を析出させ、ろ過する事でカルボン酸(20)を45.6g(収率77%)で得た。
2−トリフルオロメチルビシクロ[2,2,1]ヘプタ−5−エン−2−カルボン酸ナトリウム(21)の合成
(合成実施例1−1−1)で得たカルボン酸(20)5.0gを塩化メチレン10.0gに溶解し、炭酸水素ナトリウム2.0gと水10gを加えて終夜撹拌した。塩化メチレンと水を減圧下留去し、カルボン酸ナトリウム(21)を得た。このものはこれ以上の精製をせず、次の反応に用いた。
2−トリフルオロメチルビシクロ[2,2,1]ヘプタ−5−エン−2−カルボン酸トリフェニルスルホニウム(Q−1)の合成
(合成実施例1−1−2)で得たカルボン酸ナトリウム(21)を塩化メチレン20gに溶解し、トリフェニルスルホニウムクロリド(22)の水溶液40gを加え、30分撹拌した。有機層を分液後、水層をCH2Cl2で抽出し、あわせた有機層をH2Oで3回洗浄した。溶媒を減圧下で留去し、目的物であるオニウム塩(Q−1)を4.6g得た(収率40%)。
合成実施例1−1のQ−1の合成におけるシクロペンタジエンをフランに変えた以外は同様な手順で合成をおこない、Q−2を3.8g(3段階収率29%)得た。
合成実施例1−1−1で得た2−トリフルオロメチルビシクロ[2,2,1]ヘプタ−5−エン−2−カルボン酸(20)を、トルエン溶媒中5%Pd/C触媒存在下、室温で水素雰囲気下で撹拌することで2−トリフルオロメチルビシクロ[2,2,1]ヘプタン−2−カルボン酸を得た。このカルボン酸を原料とした以外は、合成実施例1−1−2から1−1−3と同様な合成手順を経て、Q−3を3.9g(4段階収率32%)得た。
合成実施例(1−1−2)におけるカルボン酸(20)を下記式(23)で表されるカルボン酸に変えた以外は、合成実施例1−1−2から1−1−3と同様な合成手順を経て、Q−4を2.8g(2段階収率33%)得た。
本発明のレジスト組成物に用いたベース樹脂(ポリマー)を以下の処方で合成した。合成した各ポリマーの組成比は表1に、繰り返し単位の構造は、表2〜表4に示した。
3Lのフラスコにアセトキシスチレン238.0g、4−クロロスチレン22.6g、インデン189.4g、溶媒としてトルエンを675g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)(和光純薬製V−65)を40.5g加え、45℃まで昇温後20時間反応させ、次に55℃まで昇温後、更に20時間反応させた。この反応溶液を1/2まで濃縮し、メタノール15.0L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、40℃で減圧乾燥し、白色重合体311gを得た。
共重合組成比(モル比)
ヒドロキシスチレン:4−クロロスチレン:インデン=78.0:11.0:11.0
重量平均分子量(Mw)=4500
分子量分布(Mw/Mn)=1.65
窒素雰囲気下、3Lの滴下シリンダーに、4−アセトキシスチレンを380.0g、4−クロロスチレンを70.0g、アセナフチレンを50.1g、ジメチル−2,2’−アゾビス−(2−メチルプロピオネート)(和光純薬工業(株)製、商品名V601)を59g、及び溶媒としてトルエンを900g添加した溶液を調製した。更に窒素雰囲気下とした別の3L重合用フラスコに、トルエンを300.0g加え、80℃に加温した状態で、上記で調製した溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合温度を80℃に維持しながら18時間攪拌を続け、次いで室温まで冷却した。得られた重合液を10kgのヘキサンに滴下し、析出した共重合体を濾別した。濾別した共重合体をヘキサン:トルエン=10:1の混合液2000gで2回洗浄した。得られた共重合体を窒素雰囲気下で、3Lフラスコ中、テトラヒドロフラン1260gとメタノール420gとの混合溶剤に溶解し、エタノールアミン180gを加え、60℃で3時間攪拌した。この反応溶液を減圧濃縮し、得られた濃縮物を3000gの酢酸エチルと水800gとの混合溶剤に溶解させ、得られた溶液を分液ロートに移し、酢酸90gを加え、分液操作を行った。下層を留去し、得られた有機層に水800g及びピリジン121gを加え、分液操作を行った。下層を留去し、更に得られた有機層に水800gを添加して水洗分液を行った(水洗分液は計5回)。各分液工程毎の静置時に、アセトンを150g加えて少し攪拌すると、分離性よく分液ができた。
共重合組成比(モル比)
ヒドロキシスチレン:4−クロロスチレン:アセナフチレン=75.0:15.0:10.0
重量平均分子量(Mw)=4100
分子量分布(Mw/Mn)=1.72
各単量体の種類、配合比を変えた以外は、ポリマー合成例1、2の処方を基本とした手順により、表1に示した樹脂を製造した。
表1中に記載の各単位の構造を表2〜4に示す。なお、下記表1において、導入比はモル比を示す。
上記で合成したオニウム塩(Q−1〜Q−4)、比較用オニウム塩(比較Q−1〜比較Q−4)、ポリマー(ポリマー1〜10)、下記に構造を示す光酸発生剤、塩基性化合物、架橋剤を表6に示す組成で有機溶剤中に溶解してレジスト組成物を調合し、更に各組成物を0.2μmサイズのフィルターもしくは0.02μmサイズのナイロン又はUPEフィルターで濾過することにより、ネガ型レジスト組成物の溶液をそれぞれ調製した。酸発生剤は下記PAG−1、PAG−2で表される構造、塩基成分は下記Base−1のものを使用した。また、使用したオニウム塩の構造を下記の表5に示した。
上記調製したネガ型レジスト組成物(実施例1〜24、比較例1〜5)をACT−M(東京エレクトロン(株)製)152mm角の最表面が酸化窒化クロム膜であるマスクブランク上にスピンコーティングし、ホットプレート上で110℃で600秒間プリベークして90nmのレジスト膜を作製した。得られたレジスト膜の膜厚測定は、光学式測定器ナノスペック(ナノメトリックス社製)を用いて行った。測定はブランク外周から10mm内側までの外縁部分を除くブランク基板の面内81箇所で行い、膜厚平均値と膜厚範囲を算出した。
上記調製したネガ型レジスト組成物(実施例25、26、比較例6、7)をヘキサメチルジシラザン(HMDS)ベーパープライム処理した直径4インチのSi基板上にスピンコートし、ホットプレート上で105℃で60秒間プリベークして50nmのレジスト膜を作製した。これに、NA0.3、ダイポール照明でEUV露光を行った。
露光後直ちにホットプレート上で60秒間ポストエクスポジュアーベーク(PEB)を行い2.38質量%のTMAH水溶液で80秒間パドル現像を行い、ポジ型のパターンを得た。
得られたレジストパターンを次のように評価した。100nmのラインアンドスペースを1:1で解像する露光量における最小の寸法を解像力(限界解像性)とし、100nmLSのエッジラフネス(LER)をSEMで測定した。パターン形状については、矩形か否かを目視にて判定した。EUV描画における本発明のレジスト組成物及び比較用のレジスト組成物の評価結果を表8に示す。
Claims (10)
- 前記樹脂が下記一般式(3)で示される繰り返し単位又は下記一般式(4)で示される繰り返し単位、もしくはその両方を含むものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の化学増幅型ネガ型レジスト組成物。
- 前記樹脂が、下記一般式(5)で示される繰り返し単位又は(6)で示される繰り返し単位、もしくはその両方を含むものであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の化学増幅型ネガ型レジスト組成物。
- さらに、架橋剤を含有するものであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の化学増幅型ネガ型レジスト組成物。
- さらに、下記一般式(7)〜(9)で示される塩基性化合物のいずれか1つ以上を含有するものであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の化学増幅型ネガ型レジスト組成物。
- 被加工体上に請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の化学増幅型ネガ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜に高エネルギー線を照射する工程、該照射後のレジスト膜をアルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
- 前記高エネルギー線として、EUV又は電子線を用いることを特徴とする請求項7に記載のパターン形成方法。
- 前記被加工体として、最表面にクロムを含む層を有する基板を用いることを特徴とする請求項7又は請求項8に記載のパターン形成方法。
- 前記被加工体としてフォトマスクブランクを用いることを特徴とする請求項7から請求項9のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
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KR (1) | KR101809320B1 (ja) |
TW (1) | TWI506361B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017203885A (ja) * | 2016-05-11 | 2017-11-16 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、酸拡散制御剤の製造方法及び感放射線性樹脂組成物の製造方法 |
JP2020064305A (ja) * | 2019-11-27 | 2020-04-23 | Jsr株式会社 | 酸拡散制御剤及び化合物 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10377842B2 (en) * | 2016-06-08 | 2019-08-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer, negative resist composition, and pattern forming process |
WO2019241402A1 (en) * | 2018-06-13 | 2019-12-19 | Brewer Science, Inc. | Adhesion layers for euv lithography |
JP7334684B2 (ja) * | 2019-08-02 | 2023-08-29 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001328964A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 新規多環式不飽和炭化水素誘導体及びその製造方法 |
JP2002278068A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線又はx線用ネガ型レジスト組成物 |
JP2003195503A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | ネガ型レジスト組成物 |
JP2003302760A (ja) * | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Jsr Corp | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
JP2008308691A (ja) * | 2001-07-12 | 2008-12-25 | Daikin Ind Ltd | 含フッ素ノルボルネン誘導体単位を有する含フッ素重合体 |
WO2012117949A1 (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | Jsr株式会社 | 多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成組成物及びパターン形成方法 |
JP2013064829A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法 |
JP2013092723A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法及びレジスト組成物 |
JP2014002359A (ja) * | 2012-05-21 | 2014-01-09 | Fujifilm Corp | 化学増幅型レジスト組成物、ネガ型化学増幅型レジスト組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスク及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3955384B2 (ja) | 1998-04-08 | 2007-08-08 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物 |
JPH11327143A (ja) | 1998-05-13 | 1999-11-26 | Fujitsu Ltd | レジスト及びレジストパターンの形成方法 |
US6235447B1 (en) * | 1998-10-17 | 2001-05-22 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Photoresist monomers, polymers thereof, and photoresist compositions containing the same |
TWI224713B (en) | 2000-01-27 | 2004-12-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positive photoresist composition |
JP4231622B2 (ja) | 2000-01-27 | 2009-03-04 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JP4226803B2 (ja) | 2000-08-08 | 2009-02-18 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
EP1179750B1 (en) | 2000-08-08 | 2012-07-25 | FUJIFILM Corporation | Positive photosensitive composition and method for producing a precision integrated circuit element using the same |
JP4701231B2 (ja) | 2002-02-13 | 2011-06-15 | 富士フイルム株式会社 | 電子線、euv又はx線用ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP4116340B2 (ja) | 2002-06-21 | 2008-07-09 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
JP4025162B2 (ja) | 2002-09-25 | 2007-12-19 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
JP4088784B2 (ja) | 2003-06-19 | 2008-05-21 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物の製造方法及びレジスト材料 |
JP4448730B2 (ja) * | 2004-04-20 | 2010-04-14 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物、該感光性組成物に用いられる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
JP4396849B2 (ja) | 2005-01-21 | 2010-01-13 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4478589B2 (ja) | 2005-02-02 | 2010-06-09 | 富士フイルム株式会社 | ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
KR101337766B1 (ko) | 2005-05-11 | 2013-12-06 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 신규 화합물 및 중합체, 및 감방사선성 수지 조성물 |
JP4858714B2 (ja) | 2006-10-04 | 2012-01-18 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
KR101116963B1 (ko) | 2006-10-04 | 2012-03-14 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 고분자 화합물, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법 |
JP4784760B2 (ja) | 2006-10-20 | 2011-10-05 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4678383B2 (ja) | 2007-03-29 | 2011-04-27 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP4466881B2 (ja) | 2007-06-06 | 2010-05-26 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、レジストパターンの形成方法、及びフォトマスクの製造方法 |
JP5007846B2 (ja) | 2010-02-26 | 2012-08-22 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP5741521B2 (ja) | 2011-05-11 | 2015-07-01 | 信越化学工業株式会社 | レジスト組成物及びパターン形成法 |
JP5411893B2 (ja) * | 2011-05-30 | 2014-02-12 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム塩、高分子化合物、該高分子化合物を用いた化学増幅型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
-
2014
- 2014-01-10 JP JP2014003245A patent/JP6010564B2/ja active Active
- 2014-12-30 US US14/586,120 patent/US9329476B2/en active Active
-
2015
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- 2015-01-07 KR KR1020150001821A patent/KR101809320B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001328964A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 新規多環式不飽和炭化水素誘導体及びその製造方法 |
JP2002278068A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線又はx線用ネガ型レジスト組成物 |
JP2008308691A (ja) * | 2001-07-12 | 2008-12-25 | Daikin Ind Ltd | 含フッ素ノルボルネン誘導体単位を有する含フッ素重合体 |
JP2003195503A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | ネガ型レジスト組成物 |
JP2003302760A (ja) * | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Jsr Corp | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
WO2012117949A1 (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | Jsr株式会社 | 多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成組成物及びパターン形成方法 |
JP2013064829A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法 |
JP2013092723A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法及びレジスト組成物 |
JP2014002359A (ja) * | 2012-05-21 | 2014-01-09 | Fujifilm Corp | 化学増幅型レジスト組成物、ネガ型化学増幅型レジスト組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスク及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017203885A (ja) * | 2016-05-11 | 2017-11-16 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、酸拡散制御剤の製造方法及び感放射線性樹脂組成物の製造方法 |
JP2020064305A (ja) * | 2019-11-27 | 2020-04-23 | Jsr株式会社 | 酸拡散制御剤及び化合物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150198877A1 (en) | 2015-07-16 |
TW201533527A (zh) | 2015-09-01 |
KR101809320B1 (ko) | 2017-12-14 |
US9329476B2 (en) | 2016-05-03 |
JP6010564B2 (ja) | 2016-10-19 |
TWI506361B (zh) | 2015-11-01 |
KR20150083788A (ko) | 2015-07-20 |
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