JP2013064829A - パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【効果】本発明のレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。
【選択図】図1
Description
即ち、ポジ型レジスト組成物のX、Yラインのダブルダイポールの2回露光によりドットパターンを作製し、この上にLPCVDでSiO2膜を形成し、O2−RIEでドットをホールに反転させる方法、加熱によってアルカリ可溶で溶剤不溶になる特性のレジスト組成物を用いて同じ方法でドットパターンを形成し、この上にフェノール系のオーバーコート膜を塗布してアルカリ現像によって画像反転させてホールパターンを形成する方法、ポジ型レジスト組成物を用いてダブルダイポール露光、有機溶剤現像による画像反転によってホールを形成する方法である。
有機溶剤現像プロセスにおいて、レジスト膜上に保護膜を適用するパターン形成方法としては、特許文献4(特許第4590431号公報)に公開されている。
有機溶剤現像プロセスにおいて、レジスト組成物としてスピンコート後のレジスト膜表面に配向して撥水性を向上させる添加剤を用いて、トップコートを用いないパターン形成方法としては、特許文献5(特開2008−309879号公報)に示されている。
ネガティブ現像でホールを形成しようとする場合、ホールの外側は光が当たっており、酸が過剰に発生している。酸がホールの内側に拡散してくるとホールが開口しなくなるため、酸拡散の制御も重要である。
請求項1:
ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得、その上に置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子及び/又は芳香族基を有する架橋剤を含む溶液を塗布し、ベークによってネガパターン表面で架橋することにより、ネガパターンのスペース部分の寸法を縮小させることを特徴とするパターン形成方法。
請求項2:
酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含む高分子化合物が、下記一般式(1)に示される繰り返し単位a1及び/又はa2を有するものであることを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。
請求項3:
前記一般式(1)で示される酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に保護膜を形成し、高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて保護膜と未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得、その上に置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子を有する架橋剤を含む溶液を塗布し、ベークによってネガパターン表面で架橋することにより、ネガパターンのスペース部分の寸法を縮小させることを特徴とする請求項2記載のパターン形成方法。
請求項4:
置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子を有する架橋剤が、メチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル基から選ばれる少なくとも一つの基で置換されたメラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物又はウレア化合物から選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のパターン形成方法。
請求項5:
置換又は非置換のメチロール基と結合する芳香族基を有する架橋剤が、メチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル基から選ばれる少なくとも一つの基で置換された芳香族基を含有する樹脂であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のパターン形成方法。
請求項6:
上記架橋剤を含む溶液が、置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子及び/又は芳香族基を有する架橋剤と、ベース樹脂として水溶性樹脂又はフェノール性樹脂と、これらの成分を溶解させるが、上記ネガ型パターンを溶解させない溶剤とを含むシュリンク剤組成物であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のパターン形成方法。
請求項7:
現像液が、2−オクタノン、2−ノナノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸フェニル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸アミル、蟻酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2−ヒドロキシイソ酪酸メチル、2−ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2−フェニルエチルから選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のパターン形成方法。
請求項8:
高エネルギー線による露光が、波長193nmのArFエキシマレーザーによる液浸リソグラフィー、波長13.5nmのEUVリソグラフィー、又は電子ビームであることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載のパターン形成方法。
請求項9:
波長193nmのArFエキシマレーザーによる液浸リソグラフィーにおいて、ドットのシフターパターンが配置されたハーフトーン位相シフトマスクを用い、ドット部分に現像後のホールパターンを形成することを特徴とする請求項8記載のパターン形成方法。
請求項10:
ハーフトーン位相シフトマスクを用い、交差する2つのラインの2回の露光を行い、ラインの交点に現像後のホールパターンを形成することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項記載のパターン形成方法。
請求項11:
ハーフトーン位相シフトマスクを用い、格子状のシフター格子の交点に現像後のホールパターンを形成することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項記載のパターン形成方法。
請求項12:
請求項1乃至11のいずれか1項記載のパターン形成方法において、酸発生剤を含有させる代わりに、下記一般式で示されるスルホニウム塩(d1)〜(d3)のいずれかの繰り返し単位を前記高分子化合物に共重合した高分子化合物を用いることを特徴とするパターン形成方法。
ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を含む高分子化合物をベース樹脂とするフォトレジスト組成物の場合、ネガティブ現像で形成された膜は、ヒドロキシ基が残っている。脱保護によってヒドロキシ基が生じる場合、架橋剤による架橋反応が効率よく進行する。現像後のパターン上に架橋剤を含有するシュリンク剤を塗布することによってレジストパターン上での架橋が進行し、ホールパターンをシュリンクさせることができることが判明した。
R55、R56、R57はそれぞれ炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基等の1価炭化水素基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素等のヘテロ原子を含んでもよい。あるいはR55とR56、R55とR57、又はR56とR57はそれぞれ結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3〜20、好ましくは4〜16の環、特に脂環を形成してもよい。
この場合、好ましくはAは2〜4価の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルカントリイル基、アルカンテトライル基、又は炭素数6〜30のアリーレン基であり、これらの基は酸素、硫黄、窒素等のヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、アシル基又はハロゲン原子によって置換されていてもよい。また、c5は好ましくは1〜3の整数である。
繰り返し単位cを得るためのモノマーとしては、具体的に下記に挙げることができる。
オキシラン環、オキセタン環を有する繰り返し単位fは、具体的には下記に例示される。なお、下記例中、R9は水素原子又はメチル基である。
酸不安定基が酸に対して特に敏感なアセタールである場合は、保護基を脱離させるための酸は必ずしもα位がフッ素化されたスルホン酸、イミド酸、メチド酸でなくてもよく、α位がフッ素化されていないスルホン酸でも脱保護反応が進行する場合がある。このときのクエンチャーとしてはカルボン酸のオニウム塩を用いることが好ましい。
また、溶解制御剤、界面活性剤、アセチレンアルコール類の配合量は、その配合目的に応じて適宜選定し得る。
なお、基板10としては、シリコン基板が一般的に用いられる。被加工基板20としては、SiO2、SiN、SiON、SiOC、p−Si、α−Si、TiN、WSi、BPSG、SOG、Cr、CrO、CrON、MoSi、低誘電膜及びそのエッチングストッパー膜が挙げられる。中間介在層30としては、SiO2、SiN、SiON、p−Si等のハードマスク、カーボン膜による下層膜と珪素含有中間膜、有機反射防止膜等が挙げられる。
アミノ基を有する化合物としては、フォトレジスト組成物に添加される特開2008−111103号公報の段落[0146]〜[0164]に記載のアミン化合物を用いることができる。
アミン塩を有する化合物としては、前記アミン化合物のカルボン酸塩又はスルホン酸塩を用いることができる。
炭素数8〜12のエーテル系溶剤としては、ジ−n−ブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジ−sec−ブチルエーテル、ジ−n−ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ−sec−ペンチルエーテル、ジ−tert−アミルエーテル、ジ−n−ヘキシルエーテルを挙げることができる。
炭素数8〜12のエーテル化合物としては、ジ−n−ブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジ−sec−ブチルエーテル、ジ−n−ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ−sec−ペンチルエーテル、ジ−tert−アミルエーテル、ジ−n−ヘキシルエーテルから選ばれる1種以上の溶剤が挙げられる。
前述の溶剤に加えてトルエン、キシレン、エチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、tert−ブチルベンゼン、メシチレン等の芳香族系の溶剤を用いることもできる。
以下、更に詳述する。
図3は、波長193nmのArFエキシマレーザーを用いたNA1.3レンズ、ダイポール照明、6%ハーフトーン位相シフトマスク、s偏光でのピッチ90nm、ラインサイズ45nmのY方向ラインの光学像を示す。色が濃い方が遮光部分、白い方が光の強い領域であり、白と黒のコントラスト差がはっきりしており、特に強い遮光部分が存在することが示されている。
図4は、Y方向ラインにX方向ラインの光学像を重ねたコントラストイメージである。XとYのラインの組み合わせで格子状のイメージができ上がるように思われるがそうではなく、光の弱い黒い部分のパターンは円形である。円形のサイズが大きい場合は菱形形状で隣のパターンとつながり易いが、円のサイズが小さいほど円形度合いが向上し、強く遮光された小さな円が存在することが示されている。
マスクを1枚で済ませるために、格子状のパターンのマスクを用いてX、Y方向のそれぞれのダイポール照明で2回露光する方法が提案されている(前述非特許文献1)。この方法では、前述の2枚のマスクを用いる方法に比べると光学コントラストが若干低下するが、1枚のマスクを用いることができるためにスループットが向上する。前述の非特許文献1では、格子状のパターンのマスクを用いてX方向のダイポール照明によってX方向のラインを形成し、光照射によってX方向のラインを不溶化し、この上にもう一度フォトレジスト膜を塗布し、Y方向のダイポール照明によってY方向のラインを形成し、X方向のラインとY方向のラインの隙間にホールパターンを形成している。この方法では、マスクは1枚で済むが、2回の露光の間に1回目のフォトレジストパターンの不溶化処理と2回目のフォトレジスト膜の塗布と現像のプロセスが入るために、2回の露光間にウエハーが露光ステージから離れ、この時にアライメントエラーが大きくなる問題が生じる。2回の露光間のアライメントエラーを最小にするためには、ウエハーを露光ステージから離さずに連続して2回の露光を行う必要がある。
格子状のパターンのマスクを用いてX方向(水平方向)のラインを形成するためのダイポールのアパチャー形状は図16に示される。Y方向(垂直方向)のラインを形成するためのダイポールのアパチャー形状は図17に示される。ダイポール照明にs偏光照明を加えると更にコントラストが向上するので好ましく用いられる。格子状のマスクを用いてX方向のラインとY方向のラインを形成する2回の露光を重ねて行ってネガティブトーンの現像を行うと、ホールパターンが形成される。
格子状のマスクを用いて1回の露光でホールパターンを形成する場合は、図18に示されるアパチャー形状の4重極照明(クロスポール照明)を用いる。これにX−Y偏光照明あるいは円形偏光のAzimuthally偏光照明を組み合わせてコントラストを向上させる。
1枚のマスクを用いて、露光面積を縮小することなく2回の露光を行うためには、マスクパターンとしては、図5に示される格子状のパターンを用いる場合、図7に示されるドットパターンを用いる場合、図11に示されるドットパターンと格子状パターンを組み合わせる場合がある。
格子状のパターンを用いる方が最も光のコントラストが向上するが、光の強度が低下するためにレジスト膜の感度が低下する欠点がある。一方ドットパターンを用いる方法は光のコントラストが低下するが、レジスト膜の感度が向上するメリットがある。
ホールパターンが水平と垂直方向に配列されている場合は前記の照明とマスクパターンを用いるが、これ以外の角度例えば45度の方向に配列している場合は、45度に配列しているパターンのマスクとダイポール照明あるいはクロスポール照明を組み合わせる。
2回の露光を行う場合はX方向ラインのコントラストを高めるダイポール照明に偏光照明を組み合わせた露光と、Y方向ラインのコントラストを高めるダイポール照明に偏光照明を組み合わせた2回の露光を行う。1枚のマスクを用いてX方向とY方向のコントラストを強調した2回の連続した露光は、現在の市販のスキャナーで行うことが可能である。
格子状のパターンのマスクを使って、X、Yの偏光照明とクロスポール照明を組み合わせる方法は、2回のダイポール照明の露光に比べると若干光のコントラストが低下するものの1回の露光でホールパターンを形成することができ、かなりのスループットの向上が見込まれるし、2回露光によるアライメントずれの問題は回避される。このようなマスクと照明を用いれば、実用的なコストで40nmクラスのホールパターンを形成することが可能になる。
ピッチ90nmで、20nmラインの格子状パターン上に、図9に示すようにドットを形成したい部分に十字の太い交差ラインを配置する。色の黒い部分がハーフトーンのシフター部分である。孤立性の所ほど太いライン(図9では幅40nm)、密集部分では幅30nmのラインが配置されている。密集パターンよりも孤立パターンの方が光の強度が弱くなるために、太いラインが用いられる。密集パターンの端の部分も光の強度がやや低下するために、密集部分の中心よりもやや幅広の32nmのラインが宛われている。
図9のマスクの光学像のコントラストイメージが図10に示される。黒い遮光部分にポジネガ反転によってホールが形成される。ホールが形成されるべき場所以外にも黒点が見られるが、黒点のサイズは小さいために、実際には殆ど転写されない。不必要な部分の格子ラインの幅を狭くしたりするなどの更なる最適化によって、不必要なホールの転写を防止することが可能である。
ベース樹脂としてポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミン、ポリエチレンオキシド、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、スチレンマレイン酸共重合物、ポリN−ビニルホルムアミド、ポリオキサゾリン、メラミン樹脂、尿素樹脂、アルキッド樹脂、スルホンアミド、カルボンアミドなどを主成分とする水溶性樹脂あるいはフェノール性樹脂を用い、前記架橋剤を水やアルコールに溶解させた組成物をシュリンク剤として用いる。
前記架橋剤の具体例のうち、エポキシ化合物を例示すると、トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌレート、トリメチロールメタントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、トリエチロールエタントリグリシジルエーテルなどが例示される。
イソシアネート化合物としては、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、シクロヘキサンジイソシアネート等が挙げられ、アジド化合物としては、1,1’−ビフェニル−4,4’−ビスアジド、4,4’−メチリデンビスアジド、4,4’−オキシビスアジドが挙げられる。
アルケニルエーテル基を含む化合物としては、エチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、1,2−プロパンジオールジビニルエーテル、1,4−ブタンジオールジビニルエーテル、テトラメチレングリコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、1,4−シクロヘキサンジオールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ソルビトールテトラビニルエーテル、ソルビトールペンタビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテルなどが挙げられる。
レジスト組成物に用いる高分子化合物として、各々のモノマーを組み合わせてTHF溶剤下で共重合反応を行い、メタノールに晶出し、更にヘキサンで洗浄を繰り返した後に単離、乾燥して、以下に示す組成の高分子化合物(レジストポリマー1〜16、比較レジストポリマー1、ブレンドレジストポリマー1,2)を得た。得られた高分子化合物の組成は1H−NMR、分子量及び分散度はゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより確認した。
分子量(Mw)=8,600
分散度(Mw/Mn)=1.87
分子量(Mw)=8,600
分散度(Mw/Mn)=1.87
分子量(Mw)=8,100
分散度(Mw/Mn)=1.66
分子量(Mw)=8,900
分散度(Mw/Mn)=1.89
分子量(Mw)=7,300
分散度(Mw/Mn)=1.88
分子量(Mw)=7,800
分散度(Mw/Mn)=1.78
分子量(Mw)=8,600
分散度(Mw/Mn)=1.83
分子量(Mw)=8,100
分散度(Mw/Mn)=1.55
分子量(Mw)=7,400
分散度(Mw/Mn)=1.88
分子量(Mw)=8,300
分散度(Mw/Mn)=1.83
分子量(Mw)=10,800
分散度(Mw/Mn)=1.88
分子量(Mw)=8,400
分散度(Mw/Mn)=1.87
分子量(Mw)=8,400
分散度(Mw/Mn)=1.87
分子量(Mw)=8,800
分散度(Mw/Mn)=1.88
分子量(Mw)=8,300
分散度(Mw/Mn)=1.84
分子量(Mw)=9,100
分散度(Mw/Mn)=1.93
分子量(Mw)=8,600
分散度(Mw/Mn)=1.76
分子量(Mw)=8,700
分散度(Mw/Mn)=1.78
分子量(Mw)=6,700
分散度(Mw/Mn)=1.59
上記合成例で得た高分子化合物(レジストポリマー1〜16、比較レジストポリマー1、ブレンドレジストポリマー1,2)を用いて下記表1に示す組成で溶解させた溶液及び下記に示す保護膜用ポリマーを用いて下記表2に示す組成で溶解させた保護膜形成用組成物溶液をそれぞれ0.2μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過して各溶液を調製した。また、シュリンク剤溶液も同様に調製した。
酸発生剤:PAG1〜7(下記構造式参照)
分子量(Mw)=9,200
分散度(Mw/Mn)=1.72
分子量(Mw)=7,700
分散度(Mw/Mn)=1.77
CyH(シクロヘキサノン)
分子量(Mw)=5,300
分散度(Mw/Mn)=1.57
分子量(Mw)=6,800
分散度(Mw/Mn)=1.77
分子量(Mw)=8,700
分散度(Mw/Mn)=1.89
分子量(Mw)=5,600
分散度(Mw/Mn)=1.77
分子量(Mw)=8,300
分散度(Mw/Mn)=1.85
ArF露光パターニング評価
表4に示すレジスト組成物を、シリコンウエハーに信越化学工業(株)製スピンオンカーボン膜ODL−50(カーボンの含有量が80質量%)を200nm、その上に珪素含有スピンオンハードマスクSHB−A940(珪素の含有量が43質量%)を35nmの膜厚で成膜したトライレイヤープロセス用の基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベークし、レジスト膜の厚みを100nmにした。その上に、場合によって表2に示す保護膜形成用組成物(保護膜1)をスピンコーティングし、90℃で60秒間ベークし、保護膜の厚みを50nmにした。
これをArFエキシマレーザー液浸スキャナー((株)ニコン製、NSR−610C、NA1.30、σ0.98/0.78、クロスポール開口20度、Azimuthally偏光照明、6%ハーフトーン位相シフトマスク、ウエハー上寸法がピッチ90nm、ライン幅30nmの図15に示されるレイアウトの格子状マスク)を用いて露光量を変化させながら露光を行い、露光後表4に示す温度で60秒間ベーク(PEB)し、現像ノズルから酢酸ブチルを3秒間30rpmで回転させながら吐出させ、その後静止パドル現像を27秒間行い、ジイソアミルエーテルでリンス後スピンドライし、100℃で20秒間ベークしてリンス溶剤を蒸発させ、ホールパターンを形成した。
その上に表3に示すシュリンク剤を塗布し、130℃で30秒間ベークし、表4に示す剥離液でシュリンク剤の剥離を行い、1,500rpmで30秒間スピンドライし、100℃で30秒間ベークした。表4中の剥離剤として、TMAHは2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、4M2Pは4−メチル−2−ペンタノールを示す。
溶剤現像のイメージ反転されたホールパターンの寸法とシュリンク後の寸法を(株)日立ハイテクノロジーズ製TDSEM(S−9380)で測定した。結果を表4に示す。
20 被加工基板
30 レジスト膜
40 シュリンク剤膜
Claims (12)
- ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得、その上に置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子及び/又は芳香族基を有する架橋剤を含む溶液を塗布し、ベークによってネガパターン表面で架橋することにより、ネガパターンのスペース部分の寸法を縮小させることを特徴とするパターン形成方法。
- 酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含む高分子化合物が、下記一般式(1)に示される繰り返し単位a1及び/又はa2を有するものであることを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。
- 前記一般式(1)で示される酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に保護膜を形成し、高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて保護膜と未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得、その上に置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子を有する架橋剤を含む溶液を塗布し、ベークによってネガパターン表面で架橋することにより、ネガパターンのスペース部分の寸法を縮小させることを特徴とする請求項2記載のパターン形成方法。
- 置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子を有する架橋剤が、メチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル基から選ばれる少なくとも一つの基で置換されたメラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物又はウレア化合物から選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のパターン形成方法。
- 置換又は非置換のメチロール基と結合する芳香族基を有する架橋剤が、メチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル基から選ばれる少なくとも一つの基で置換された芳香族基を含有する樹脂であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のパターン形成方法。
- 上記架橋剤を含む溶液が、置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子及び/又は芳香族基を有する架橋剤と、ベース樹脂として水溶性樹脂又はフェノール性樹脂と、これらの成分を溶解させるが、上記ネガ型パターンを溶解させない溶剤とを含むシュリンク剤組成物であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のパターン形成方法。
- 現像液が、2−オクタノン、2−ノナノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸フェニル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸アミル、蟻酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2−ヒドロキシイソ酪酸メチル、2−ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2−フェニルエチルから選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のパターン形成方法。
- 高エネルギー線による露光が、波長193nmのArFエキシマレーザーによる液浸リソグラフィー、波長13.5nmのEUVリソグラフィー、又は電子ビームであることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載のパターン形成方法。
- 波長193nmのArFエキシマレーザーによる液浸リソグラフィーにおいて、ドットのシフターパターンが配置されたハーフトーン位相シフトマスクを用い、ドット部分に現像後のホールパターンを形成することを特徴とする請求項8記載のパターン形成方法。
- ハーフトーン位相シフトマスクを用い、交差する2つのラインの2回の露光を行い、ラインの交点に現像後のホールパターンを形成することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項記載のパターン形成方法。
- ハーフトーン位相シフトマスクを用い、格子状のシフター格子の交点に現像後のホールパターンを形成することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項記載のパターン形成方法。
- 請求項1乃至11のいずれか1項記載のパターン形成方法において、酸発生剤を含有させる代わりに、下記一般式で示されるスルホニウム塩(d1)〜(d3)のいずれかの繰り返し単位を前記高分子化合物に共重合した高分子化合物を用いることを特徴とするパターン形成方法。
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