JP2015130223A5 - 磁気スタック - Google Patents

Claims (17)

1. 基板と、
   結晶性分離体によって分離された磁性粒状体を含む柱状構造を有する磁気記録層と、
   前記基板と前記磁気記録層の間に配置された中間層とを備え、前記中間層はＴｉＮ−Ｘ層またはＭｇＯ−Ｙ層であり、Ｘは、ＭｇＯ、ＴｉＣ、ＴｉＯ、ＴｉＯ ₂ 、ＺｒＮ、ＺｒＣ、ＺｒＯ、ＺｒＯ ₂ 、ＨｆＮ、ＨｆＣ、ＨｆＯ、およびＨｆＯ ₂ のうちの少なくとも１つを含むドーパントであり、Ｙは、Ｎｉ、Ｔｉ、およびＺｒのうちの少なくとも１つを含むドーパントである、スタック。
2. 前記磁性粒状体はＦｅＰｔを含む、請求項１に記載のスタック。
3. 前記結晶性分離体は、ＭｇＯ、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、およびＴｉＣのうちの少なくとも１つである、請求項１または請求項２に記載のスタック。
4. 前記結晶性分離体はＺｒＯ₂である、請求項１または請求項２に記載のスタック。
5. 前記磁気記録層は、約５体積％と約５０体積％の間の量のＺｒＯ₂を含む、請求項４に記載のスタック。
6. 前記結晶性分離体は５０％以上の結晶構造を含む、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のスタック。
7. 前記磁気記録層は、前記磁性粒状体と前記結晶性分離体の間に配置された非晶質分離体をさらに含む、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のスタック。
8. 前記非晶質分離体は、酸化物および窒化物のうちの少なくとも１つである、請求項７に記載のスタック。
9. 前記非晶質分離体は、Ｃ、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＷＯ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、およびＢＮのうちの少なくとも１つである、請求項７に記載のスタック。
10. 前記磁気記録層の厚さは、約５ｎｍと約３０ｎｍの間である、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のスタック。
11. 前記ＦｅＰｔの粒状体は、約１以上の高さ／直径のアスペクト比を有する、請求項２に記載のスタック。
12. Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、およびＷのうちの少なくとも１つを含む合金を含むヒートシンク層をさらに備え、前記ヒートシンク層は前記中間層と前記基板の間に配置される、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載のスタック。
13. ＣｒＲｕおよびＭｇＯのうちの１つ以上を含む下地層をさらに備え、前記下地層は前記中間層と前記基板の間に配置される、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載のスタック。
14. 基板と、
    結晶性分離体と非晶質分離体によって互いに分離された磁性粒状体を含む柱状構造を有する磁気記録層とを備え、前記磁性粒状体はＦｅＰｔを含み、前記結晶性分離体はＺｒＯ ₂ を含み、前記非晶質分離体はＣを含み、さらに、
    前記基板と前記磁気記録層の間に配置された中間層を備える、スタック。
15. 前記磁気記録層は、約５体積％と約５０体積％の間の量のＺｒＯ₂と、約５〜５０体積％の量のＣとを含む、請求項１４に記載のスタック。
16. 前記磁気記録層は、約２０体積％と約４５体積％の間の量のＺｒＯ₂と、約５〜２０体積％の量のＣとを含む、請求項１４に記載のスタック。
17. 前記磁性粒状体は、高さ／直径のアスペクト比が１以上であり、ＦｅＰｔを含む、請求項１４から請求項１６のいずれか１項に記載のスタック。