JP2015061059A5 - - Google Patents
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Description
磁気結合層13は、第2磁化固定層12と第1磁化固定層11との間において、反強磁性結合を生じさせる。磁気結合層13として、例えば、Ruが用いられる。第1磁化固定層11と第2磁化固定層12との間に十分な反強磁性結合を生じさせる材料であれば、磁気結合層13としてRu以外の材料を用いても良い。磁気結合層13として、例えば、0.9nmの厚さのRuが用いられる。これにより、高信頼性の結合がより安定して得られる。
中間層30は、例えば、第1磁性層10と第2磁性層20との磁気的な結合を分断する。中間層30には、例えば、金属または絶縁体または半導体が用いられる。この金属としては、例えば、Cu、AuまたはAg等が用いられる。中間層30として金属を用いる場合、中間層30の厚さは、例えば、1nm以上7nm以下程度である。この絶縁体または半導体としては、例えば、マグネシウム酸化物(Mg−O等)、アルミニウム酸化物(Al2O3等)、チタン酸化物(Ti−O等)、亜鉛酸化物(Zn−O等)、または、ガリウム酸化物(Ga−O)などが用いられる。中間層30として絶縁体または半導体を用いる場合は、中間層30の厚さは、例えば0.6nm以上2.5nm以下程度である。中間層30として、例えば、CCP(Current-Confined-Path)スペーサ層を用いても良い中間層30としてCCPスペーサ層を用いる場合には、例えば、酸化アルミニウム(Al2O3)の絶縁層中に銅(Cu)メタルパスが形成された構造が用いられる。例えば、中間層30として、1.5nmの厚さのMgO層が用いられる。
非磁性層40には、例えば、酸化物、窒化物および酸窒化物の少なくともいずれかが用いられる。非磁性層40は、例えば、マグネシウム(Mg)、アルミニウム(Al)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、錫(Sn)、カドミウム(Cd)及びガリウム(Ga)よりなる第1群から選択された少なくともいずれかの酸化物、及び、上記の第1群から選択された少なくともいずれかの窒化物の少なくともいずれかを含む。
図5(a)は、実施形態に係る歪検知素子において、MR変化率と鉄の原子量比aとの関係の例を表す。図5(b)は、実施形態に係る歪検知素子において、保磁力Hcと鉄の原子量比aとの関係の例を表す。図5(c)は、ゲージファクターB(GFB)と鉄の原子量比aとの関係の例を表す。
なお、本検討においては、ホウ素の原子量比yは、0.1≦y<0.3である。
なお、本検討においては、ホウ素の原子量比yは、0.1≦y<0.3である。
図9(a)および図9(b)の実験結果の例における実施形態に係る歪検知素子100の第2磁性層20は、Fe1−yByを含む。
図9(c)および図9(d)の実験結果の例における比較例に係る歪検知素子の第2磁性層20は、Co40Fe40B20を含む。
図9(c)および図9(d)の実験結果の例における比較例に係る歪検知素子の第2磁性層20は、Co40Fe40B20を含む。
Claims (30)
- 変形可能な基板の上に設けられる歪検知素子であって、
第1磁性層と、
Fe1−yBy(0<y≦0.3)を含み前記基板の変形に応じて磁化が変化する第2磁性層と、
前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた中間層と、
を備えた歪検知素子。 - 前記Fe1−yBy(0<y≦0.3)は、前記第2磁性層のうちで前記第2磁性層と前記中間層との間の境界面を含む領域に設けられた請求項1記載の歪検知素子。
- 前記Fe1−yBy(0<y≦0.3)の厚さは、2ナノメートル以上12ナノメートル以下である請求項1または2に記載の歪検知素子。
- 前記第2磁性層は、(FeaCo1−a)1−yBy(0.8≦a<1、0<y≦0.3)をさらに含み、
前記(FeaCo1−a)1−yBy(0.8≦a<1、0<y≦0.3)は、前記第2磁性層のうちで前記第2磁性層と前記中間層との間の境界面を含む領域に設けられた請求項1記載の歪検知素子。 - 前記第2磁性層は、Co40Fe40B20をさらに含み、
前記Co40Fe40B20は、前記第2磁性層のうちで前記第2磁性層と前記中間層との間の境界面を含む領域に設けられた請求項1記載の歪検知素子。 - 変形可能な基板の上に設けられる歪検知素子であって、
第1磁性層と、
(FeaX1−a)1−yBy(X=CoまたはNi、0.8≦a<1、0<y≦0.3)を含み前記基板の変形に応じて磁化が変化する第2磁性層と、
前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた中間層と、
を備えた歪検知素子。 - 前記(FeaX1−a)1−yBy(X=CoまたはNi、0.8≦a<1、0<y≦0.3)は、前記第2磁性層のうちで前記第2磁性層と前記中間層との間の境界面を含む領域に設けられた請求項6記載の歪検知素子。
- 前記(FeaX1−a)1−yBy(X=CoまたはNi、0.8≦a<1、0<y≦0.3)の厚さは、2ナノメートル以上12ナノメートル以下である請求項6または7に記載の歪検知素子。
- 前記第2磁性層は、Fe1−yBy(0<y≦0.3)をさらに含む請求項6〜8のいずれか1つに記載の歪検知素子。
- 前記Xは、Niであり、
前記第2磁性層は、Co40Fe40B20をさらに含み、
前記Co40Fe40B20は、前記第2磁性層のうちで前記第2磁性層と前記中間層との間の境界面を含む領域に設けられた請求項6〜8のいずれか1つに記載の歪検知素子。 - 前記Fe1−yBy(0<y≦0.3)は、アモルファス部分を含む請求項1〜5および9のいずれか1つに記載の歪検知素子。
- 前記(FeaX1−a)1−yBy(X=CoまたはNi、0.8≦a<1、0<y≦0.3)は、アモルファス部分を含む請求項6〜9のいずれか1つに記載の歪検知素子。
- 前記第1磁性層は、Fe1−yBy(0<y≦0.3)を含み、
前記第1磁性層の磁化は、前記基板の変形に応じて変化する請求項1〜12のいずれか1つに記載の歪検知素子。 - 前記第1磁性層の前記Fe1−yBy(0<y≦0.3)は、前記第1磁性層のうちで前記第1磁性層と前記中間層との間の境界面を含む領域に設けられた請求項13記載の歪検知素子。
- 前記第1磁性層の前記Fe1−yBy(0<y≦0.3)の厚さは、2ナノメートル以上12ナノメートル以下である請求項13または14に記載の歪検知素子。
- 前記第1磁性層は、(FeaX1−a)1−yBy(X=CoまたはNi、0.8≦a<1、0<y≦0.3)をさらに含み、
前記第1磁性層の前記(FeaX1−a)1−yBy(X=CoまたはNi、0.8≦a<1、0<y≦0.3)は、前記第1磁性層のうちで前記第1磁性層と前記中間層との間の境界面を含む領域に設けられた請求項13記載の歪検知素子。 - 前記第1磁性層は、(FeaX1−a)1−yBy(X=CoまたはNi、0.8≦a<1、0<y≦0.3)を含み、
前記第1磁性層の磁化は、前記基板の変形に応じて変化する請求項1〜12のいずれか1つに記載の歪検知素子。 - 前記第1磁性層の前記(FeaX1−a)1−yBy(X=CoまたはNi、0.8≦a<1、0<y≦0.3)は、前記第1磁性層のうちで前記第1磁性層と前記中間層との間の境界面を含む領域に設けられた請求項17記載の歪検知素子。
- 前記第1磁性層の前記(FeaX1−a)1−yBy(X=CoまたはNi、0.8≦a<1、0<y≦0.3)の厚さは、2ナノメートル以上12ナノメートル以下である請求項17または18に記載の歪検知素子。
- 前記第1磁性層は、Fe1−yBy(0<y≦0.3)をさらに含む請求項17〜19のいずれか1つに記載の歪検知素子。
- 前記第1磁性層の前記Fe1−yBy(0<y≦0.3)は、アモルファス部分を含む請求項13〜16および20のいずれか1つに記載の歪検知素子。
- 前記第1磁性層の前記(FeaX1−a)1−yBy(X=CoまたはNi、0.8≦a<1、0<y≦0.3)は、アモルファス部分を含む請求項16〜20のいずれか1つに記載の歪検知素子。
- 非磁性層をさらに備え、
前記第2磁性層は、前記中間層と前記非磁性層との間に配置され、
前記非磁性層は、マグネシウム(Mg)、アルミニウム(Al)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、錫(Sn)、カドミウム(Cd)及びガリウム(Ga)よりなる群から選択された少なくともいずれかの酸化物、及び、前記群から選択された少なくともいずれかの窒化物、の少なくともいずれかを含む、請求項1〜22のいずれか1つに記載の歪検知素子。 - MgOを含む層をさらに備え、
前記第2磁性層は、前記中間層と前記MgOを含む前記層との間に配置された、請求項1〜22のいずれか1つに記載の歪検知素子。 - ハードバイアス層をさらに備えた、請求項1〜24のいずれか1つに記載の歪検知素子。
- 支持部と、
前記支持部に支持され変形可能な基板と、
前記基板の上に設けられた請求項1〜25のいずれか1つに記載の歪検知素子と、
を備えた圧力センサ。 - 前記歪検知素子は、前記基板の上に複数設けられた、請求項26記載の圧力センサ。
- 請求項26または27に記載の圧力センサを備えたマイクロフォン。
- 請求項26または27に記載の圧力センサを備えた血圧センサ。
- 請求項26または27に記載の圧力センサを備えたタッチパネル。
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