JP2015061070A5 - - Google Patents
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Description
実施形態によれば、変形可能な基板の上に設けられる歪検知素子であって、第1層と、第2層と、中間層と、第3層と、を備えた歪検知素子が提供される。前記第1層は、第1磁化を有する。前記第2層は、第2磁化を有し、前記第2磁化は、前記基板の変形に応じて変化する。前記中間層は、前記第1層と前記第2層との間に設けられる。前記第2層は、前記中間層と前記第3層との間に設けられる。前記第3層は、Ir−Mn、Pt−Mn、Pd−Pt−Mn及びRu−Rh−Mnよりなる群から選択された少なくともいずれかの第1材料、並びに、CoPt(Coの比率は、50at.%以上85at.%以下)、(Co x Pt 100−x ) 100−y Cr y (xは50at.%以上85at.%以下、yは0at.%以上40at.%以下)、及び、FePt(Ptの比率は40at.%以上60at.%以下)の少なくともいずれかの第2材料、の少なくともいずれかを含む。
分離層43には、例えば、非磁性材料が用いられる。分離層43は、例えば、Cu、Ru、Rh、Ir、V、Cr、Nb、Mo、Ta、W、Rr、Au、Ag、Pt、Pd、Ti、Zr、及び、Hfの群から選択された少なくとも一つの元素を含む層を用いることができる。例えば、分離層43として、5nmのCuが用いられる。
一方で、図11(e)に示すように、外部磁界が5Oeのときにおいては、−0.8(%0)から0.8(%0)へ掃引させ、続いて、0.8(%0)から−0.8(%0)へ掃引させるときの電気抵抗の変化は、非可逆である。この結果より、第1の比較例では、バイアス磁界が7.5Oeの場合に、最大ゲージファクター(2087)が得られる。
上部第2バイアス磁性層121bは、例えば、磁性材料によって形成され、その磁化121bmの方向は、上部バイアスピニング層42bによって一方向に固定される。一方向に磁化が固定された上部第2バイアス磁性層121bと上部第1バイアス磁性層121aは、上部磁気結合層124aを介して反平行に磁気結合し、上部第1バイアス磁性層121aから上部磁性層20(第2磁化自由層)に交換結合などの磁気的結合によって、上部磁性層20(第2磁化自由層)にバイアス20pが加えられる。
下部分離層43aおよび上部分離層43bのそれぞれには、例えば、非磁性材料を用いることができる。下部分離層43aおよび上部分離層43bのそれぞれとして、Cu、Ru、Rh、Ir、V、Cr、Nb、Mo、Ta、W、Rr、Au、Ag、Pt、Pd、Ti、Zr、及び、Hfの群から選択された少なくとも一つの元素を含む層を用いることができる。例えば、下部分離層43aおよび上部分離層43bのそれぞれとして、5nmのCuを用いることができる。
図24(b)は、第2の実施形態の別のバイアス層を示す模式的斜視図である。
図24(b)に表した下部バイアス層110bは、下部バイアスピニング層42aと、下部第3バイアス磁性層111cと、下部第2磁気結合層114b(第2磁気結合層)と、下部第2バイアス磁性層111b(第4バイアス磁性層)と、下部第1磁気結合層114aと、下部第1バイアス磁性層111aと、下部分離層43aと、を含む。下部バイアスピニング層42aと下部分離層43aとの間に、下部第3バイアス磁性層111cが設けられる。下部第3バイアス磁性層111cと下部分離層43aとの間に、下部第2磁気結合層114bが設けられる。下部第2磁気結合層114bと下部分離層43aとの間に、下部第2バイアス磁性層111bが設けられる。下部第2バイアス磁性層111bと下部分離層43aとの間に、下部第1磁気結合層114aが設けられる。下部第1磁気結合層114aと下部分離層43aとの間に、下部第1バイアス磁性層111aが設けられる。
図24(b)に表した下部バイアス層110bは、下部バイアスピニング層42aと、下部第3バイアス磁性層111cと、下部第2磁気結合層114b(第2磁気結合層)と、下部第2バイアス磁性層111b(第4バイアス磁性層)と、下部第1磁気結合層114aと、下部第1バイアス磁性層111aと、下部分離層43aと、を含む。下部バイアスピニング層42aと下部分離層43aとの間に、下部第3バイアス磁性層111cが設けられる。下部第3バイアス磁性層111cと下部分離層43aとの間に、下部第2磁気結合層114bが設けられる。下部第2磁気結合層114bと下部分離層43aとの間に、下部第2バイアス磁性層111bが設けられる。下部第2バイアス磁性層111bと下部分離層43aとの間に、下部第1磁気結合層114aが設けられる。下部第1磁気結合層114aと下部分離層43aとの間に、下部第1バイアス磁性層111aが設けられる。
Claims (27)
- 変形可能な基板の上に設けられる歪検知素子であって、
第1磁化を有する第1層と、
第2磁化を有し前記第2磁化は前記基板の変形に応じて変化する第2層と、
前記第1層と前記第2層との間に設けられた中間層と、
第3層と、
を備え、
前記中間層と前記第3層との間に前記第2層が設けられ、
前記第3層は、
Ir−Mn、Pt−Mn、Pd−Pt−Mn及びRu−Rh−Mnよりなる群から選択された少なくともいずれかの第1材料、並びに、
CoPt(Coの比率は、50at.%以上85at.%以下)、(CoxPt100−x)100−yCry(xは50at.%以上85at.%以下、yは0at.%以上40at.%以下)、及び、FePt(Ptの比率は40at.%以上60at.%以下)の少なくともいずれかの第2材料、
の少なくともいずれかを含むた歪検知素子。 - 前記第1磁化は、固定されている請求項1記載の歪検知素子。
- 前記第3層と前記第2層との間に設けられ磁性を有する第4層と、
前記第4層と前記第2層との間に設けられた非磁性の第5層と、
をさらに備えた請求項1または2に記載の歪検知素子。 - 前記第4層は、Co、Fe及びNiよりなる群から選択された少なくともいずれかを含み、
前記第5層は、Cu、Ru、Rh、Ir、V、Cr、Nb、Mo、Ta、W、Rr、Au、Ag、Pt、Pd、Ti、Zr、及び、Hfよりなる群から選択された少なくとも1つを含む、請求項3記載の歪検知素子。 - 前記第3層と前記第4層との間に設けられた磁性を有する第6層と、
前記第6層と前記第4層との間に設けられた第7層と、
をさらに備え、
前記第4層の磁化と、前記第6層の磁化と、の間の相対角度は、180°である請求項3または4に記載の歪検知素子。 - 前記第5は、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、クロム(Cr)、ルテニウム(Ru)、及び、イリジウム(Ir)よりなる群から選択された少なくとも一つの元素を含む請求項3〜5のいずれか1つに記載の歪検知素子。
- 前記第3層は、前記第2層に磁気バイアスを加え、
前記第2層における前記磁気バイアスの方向と、前記第1磁化と、の間の相対角度は、180°である請求項1〜6のいずれか1つに記載の歪検知素子。 - 前記第3層は、前記第2層に磁気バイアスを加え、
前記第2層における前記磁気バイアスの方向と、前記第1磁化と、の間の相対角度は、90°以上270°以下である請求項1〜6のいずれか1つに記載の歪検知素子。 - 前記第2層の保磁力は、10エルステッド以下である請求項1〜8のいずれか1つに記載の歪検知素子。
- 前記第1層および前記第2層の少なくともいずれかの少なくとも一部は、アモルファスである請求項1〜9のいずれか1つに記載の歪検知素子。
- 前記第1層および前記第2層の少なくともいずれかは、ホウ素を含む請求項1〜10のいずれか1つに記載の歪検知素子。
- 第8層をさらに備え、
前記第1層は、前記第8層と前記中間層との間に設けられ、
前記第1磁化は、前記基板の前記変形に応じて変化し、
前記第8層は、
Ir−Mn、Pt−Mn、Pd−Pt−Mn及びRu−Rh−Mnよりなる群から選択された少なくともいずれかの第3材料、並びに、
CoPt(Coの比率は、50at.%以上85at.%以下)、(CoxPt100−x)100−yCry(xは50at.%以上85at.%以下、yは0at.%以上40at.%以下)、及び、FePt(Ptの比率は40at.%以上60at.%以下)の少なくともいずれかの第4材料、
の少なくともいずれかを含む、請求項1〜11のいずれか1つに記載の歪検知素子。 - 前記第8層と前記第1層との間に設けられた磁性を有する第9層と、
前記第9層と前記第1層との間に設けられた非磁性の第10層と、
をさらに備えた、の歪検知素子。 - 前記第9層は、Co、Fe及びNiよりなる群から選択された少なくともいずれかを含み、
前記第10層は、Cu、Ru、Rh、Ir、V、Cr、Nb、Mo、Ta、W、Rr、Au、Ag、Pt、Pd、Ti、Zr、及び、Hfよりなる群から選択された少なくとも1つを含む、請求項13記載の歪検知素子。 - 前記第8層と前記第9層との間に設けられた磁性を有する第11層と、
前記第11層と前記第8層との間に設けられた第12層と、
をさらに備え、
前記第9層の磁化と、前記第11層の磁化と、の間の相対角度は、180°である請求項13または14記載の歪検知素子。 - 前記第3層が前記第2層に加える磁気バイアスの前記第2層における方向とと、前記第8層が前記第1層に加える磁気バイアスの前記第1層における方向と、の間の相対角度は、180°である請求項12〜15のいずれか1つに記載の歪検知素子。
- 前記第1層の保磁力は、10エルステッド以下である、請求項12〜16のいずれか1つに記載の歪検知素子。
- 支持部と、
前記支持部に支持され変形可能な基板と、
前記基板の上に設けられた請求項1記載の歪検知素子と、
を備えた圧力センサ。 - 前記第3層と前記第2層との間に設けられ磁性を有する第4層と、
前記第4層と前記第2層との間に設けられた非磁性の第5層と、
をさらに備え、
前記第4層の磁化と、前記基板の外縁と前記歪検知素子の重心とを最短距離で結ぶ第1直線と、のなす第1角度が、0°以上15°以下、または75°以上105°以下である請求項18記載の圧力センサ。 - 前記第3層と前記第2層との間に設けられ磁性を有する第4層と、
前記第4層と前記第2層との間に設けられた非磁性の第5層と、
をさらに備え、
前記第4層の磁化と、前記基板の重心と前記歪検知素子の重心とを最短距離で結ぶ第2直線と、のなす第2角度が、0°以上15°以下、または75°以上105°以下である請求項18記載の圧力センサ。 - 前記歪検知素子は、前記基板の上に複数設けられた請求項18〜20のいずれか1つに記載の圧力センサ。
- 前記複数の歪検知素子のうちの少なくとも2つは、電気的に直列に接続された請求項21記載の圧力センサ。
- 前記電気的に直列に接続された歪検知素子の端子間に印加される電圧は、1ボルト以上10ボルト以下である請求項22記載の圧力センサ。
- 前記電気的に直列に接続された歪検知素子の数は、6以上200以下である請求項22または23に記載の圧力センサ。
- 請求項18〜24のいずれか1つに記載の圧力センサを備えたマイクロフォン。
- 請求項18〜24のいずれか1つに記載の圧力センサを備えた血圧センサ。
- 請求項18〜24のいずれか1つに記載の圧力センサを備えたタッチパネル。
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