JP5436254B2 - 磁気センサ - Google Patents
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Description
基板上に、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層が積層されて成る磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子と電気的に接続された固定抵抗素子とを有し、
前記固定抵抗素子は、Fe単層と、前記Fe単層よりも抵抗温度係数(TCR)が低い非磁性層とを積層して構成され、前記磁気抵抗効果素子よりも積層数が少ないことを特徴とするものである。
前記固定抵抗素子は、Co100-yFey(yは、30at%〜70at%)層と、前記Co100-yFey層よりも抵抗温度係数(TCR)が低い非磁性層とを積層して構成され、前記磁気抵抗効果素子よりも積層数が少ないことを特徴とするものである。
上記により磁気抵抗効果素子10及び固定抵抗素子20の電気抵抗値Rsを約21.7(Ω/□)にでき、抵抗温度係数(TCR)を約1125.8(ppm/℃)に出来ることがわかった。
2 基板
10 磁気抵抗効果素子
11、41、51 シード層
12 反強磁性層
13 固定磁性層
14 非磁性材料層
15 フリー磁性層
16、23、44、64 保護層
17 電気接続層
20、40、50 固定抵抗素子
21、43、53 非磁性層
22、42 Fe単層
30 出力端子
31 入力端子
32 グランド端子
52 Co100-yFey層
Claims (13)
- 基板上に、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層が積層されて成る磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子と電気的に接続された固定抵抗素子とを有し、
前記固定抵抗素子は、Fe単層と、前記Fe単層よりも抵抗温度係数(TCR)が低い非磁性層とを積層して構成され、前記磁気抵抗効果素子よりも積層数が少ないことを特徴とする磁気センサ。 - 前記磁気抵抗効果素子には、前記反強磁性層の下にシード層が形成されており、前記固定抵抗素子は、下から、前記シード層、前記Fe単層、前記非磁性層、及び保護層の順で積層される請求項1記載の磁気センサ。
- 前記非磁性層に代えて、印加磁場範囲内にて、実質的に抵抗変化しない磁性材料層が形成される請求項1記載の磁気センサ。
- 前記非磁性層に代えて、Co100-xFex(xは、30at%〜70at%)層が形成される請求項1ないし3のいずれか1項に記載の磁気センサ。
- 前記固定抵抗素子は、下から前記非磁性層、前記Fe単層、及び保護層の順で積層される請求項1記載の磁気センサ。
- 前記磁気抵抗効果素子には、前記反強磁性層の下にシード層が形成されており、前記非磁性層は前記シード層と同じ材料の層で形成されるとともに前記シード層よりも厚い膜厚で形成される請求項5記載の磁気センサ。
- CoFeにおけるFeの含有量が、50at%〜70at%の範囲内である請求項4に記載の磁気センサ。
- 前記非磁性層は、NiFeCr、あるいは、Cu、Ta、IrMn、PtMn、Ruの少なくともいずれか1種で形成される請求項1、2、5、6のいずれか1項に記載の磁気センサ。
- 前記非磁性層は、前記磁気抵抗効果素子を構成する各層のいずれかと同じ材料の層で形成される請求項1、2、5、6、8のいずれか1項に記載の磁気センサ。
- 基板上に、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層が積層されて成る磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子と電気的に接続された固定抵抗素子とを有し、
前記固定抵抗素子は、Co100-yFey(yは、30at%〜70at%)層と、前記Co100-yFey層よりも抵抗温度係数(TCR)が低い非磁性層とを積層して構成され、前記磁気抵抗効果素子よりも積層数が少ないことを特徴とする磁気センサ。 - CoFeにおけるFeの含有量が、50at%〜70at%の範囲内である請求項10に記載の磁気センサ。
- 前記非磁性層は、NiFeCr、あるいは、Cu、Ta、IrMn、PtMn、Ruの少なくともいずれか1種で形成される請求項10または11に記載の磁気センサ。
- 前記非磁性層は、前記磁気抵抗効果素子を構成する各層のいずれかと同じ材料の層で形成される請求項10ないし12のいずれか1項に記載の磁気センサ。
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JP2010028519A JP5436254B2 (ja) | 2010-02-12 | 2010-02-12 | 磁気センサ |
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JP2011163996A JP2011163996A (ja) | 2011-08-25 |
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JP2010028519A Active JP5436254B2 (ja) | 2010-02-12 | 2010-02-12 | 磁気センサ |
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2010
- 2010-02-12 JP JP2010028519A patent/JP5436254B2/ja active Active
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