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Claims (20)
- 基板上に複数の磁性層からなる記録層が設けられ、
前記記録層を構成する最上層の磁性層は、膜厚が0よりも大きく1nm以下である副層を3層以上含み、Co,Fe,Niからなる群の少なくとも一種の元素を主たる元素として50%以上含む第1の副層と前記第1の副層の主たる元素とは異なる元素を主たる元素とする第2の副層とで積層単位層を構成し、副層の組成もしくは膜厚の異なる複数の積層単位層を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 請求項1記載の垂直磁気記録媒体において、
前記最上層の磁性層の中で、最も媒体表面側の積層単位の垂直磁気異方性磁界Hkが、最も高いことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 請求項1記載の垂直磁気記録媒体において、
前記副層は、Si,Ta,Ti,Zr,Hfからなる第1の群の元素から選ばれた少なくとも一種の元素を含む酸化物、窒化物、炭化物、硼化物、もしくはこれらの混合物からなる非磁性材料を少なくとも1体積%以上、35体積%以下含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 請求項1記載の垂直磁気記録媒体において、
前記副層の組はCo,Ni又はFeをそれぞれ50at%以上含むCo基合金、Ni基合金又はFe基合金から選ばれた少なくとも2種の副層で構成されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 請求項1記載の垂直磁気記録媒体において、
前記磁性層の積層単位は下記(1)又は(2)からなる副層を積層して構成されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
(1)Co,Ni又はFeをそれぞれ50at%以上含むCo基合金、Ni基合金又はFe基合金から選ばれる少なくとも一種の材料から構成される薄膜
(2)Ru,Os,Rh,Ir,Pd,Pt,Ag,Auからなる第3の群の元素の少なくとも一種を50%以上含む材料から構成される薄膜 - 請求項1記載の垂直磁気記録媒体において、
前記複数の積層単位層は、積層単位層間で少なくとも1層の副層の組成が異なることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 請求項1記載の垂直磁気記録媒体において、
前記複数の積層単位層は、積層単位層間で少なくとも1層の副層の膜厚が異なることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 請求項1記載の垂直磁気記録媒体において、
前記記録層の最下部の磁性層に接する下地膜が、Ru,Os,Rh,Ir,Pd,Pt,Ag,Auからなる第3の群の元素の少なくとも一種50%以上と、下記の(1)の材料又は(1)の材料と(2)の材料を含み、fcc構造で(111)配向した薄膜であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
(1)Au,Cr,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Ru,Os,Pd,Pt,Rh,Irからなる第2の群の元素から選ばれた前記第3の群の元素と重複しない少なくとも一種の元素を合計で0.1at%以上、単独で25%以下含む材料
(2)Si,Ta,Ti,Zr,Hfからなる第1の群の元素の酸化物、窒化物、炭化物、硼化物、もしくはこれらの混合物からなる非磁性材料を少なくとも1体積%以上、35体積%以下含む材料 - 請求項1記載の垂直磁気記録媒体において、
前記記録層の最下部の磁性層は、前記第1の群の元素から選ばれた少なくとも一種の元素の酸化物、窒化物、炭化物、硼化物、もしくはこれらの混合物を含み、その規則度が0.4以上0.6以下のL11型Co0.5Pt0.5基規則合金、もしくはm−D019型Co0.8Pt0.2からなる薄膜であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 請求項1記載の垂直磁気記録媒体において、
前記記録層の中間部の磁性層もしくは最下部の磁性層が、Si,Ta,Ti,Zr,Hfからなる第1の群の元素から選ばれた少なくとも一種の元素の酸化物、窒化物、炭化物、硼化物、もしくは混合物を1体積%以上35体積%以下含むCo基合金グラニュラー構造の薄膜で構成されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 請求項1記載の垂直磁気記録媒体において、
前記記録層の複数の磁性層はいずれも副層の組で構成される磁性人工格子薄膜で構成されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体に情報を書き込むための記録磁界を発生する記録磁極と、前記記録磁極近傍に設けられた高周波磁界発振素子と、前記磁気記録媒体から情報を読み取る磁気再生素子を備える磁気ヘッドと、
前記記録磁極と前記高周波磁界発振素子による記録動作及び前記磁気再生素子による再生動作を制御する制御部とを備え、
前記磁気記録媒体は、基板上に複数の磁性層が設けられ、最上層の磁性層は、膜厚が0よりも大きく1nm以下である副層を3層以上含み、Co,Fe,Niからなる群の少なくとも一種の元素を主たる元素として50%以上含む第1の副層と、前記第1の副層の主たる元素とは異なる元素を主たる元素とする第2の副層とで積層単位層を構成し、副層の組成もしくは膜厚の異なる少なくとも2種の積層単位層を有することを特徴とする磁気記憶装置。 - 請求項12記載の磁気記憶装置において、
前記高周波磁界発振素子は高周波磁界発生層とスピン注入層を備え、
前記高周波磁界発生層は高さが幅の1.5倍以上あり、
前記スピン注入層は、互いの磁化が反平行となるように非磁性中間層介して積層された2層の磁性層から構成されていることを特徴とする磁気記憶装置。 - 請求項13記載の磁気記憶装置において、
前記磁気記録媒体は軟磁性下地層を備え、前記軟磁性下地層と前記記録層の間に配向性制御用磁性中間層を設けたことを特徴とする磁気記憶装置。 - 請求項12記載の磁気記憶装置において、
前記高周波磁界発振素子は、スピン注入層、高周波磁界発生層、及び前記スピン注入層と前記高周波磁界発生層の間に配置された中間層を備え、
前記中間層は膜厚が4nmよりも大きく、20nm以下であることを特徴とする磁気記憶装置。 - 請求項12記載の磁気記憶装置において、
前記高周波発振素子は、膜面に垂直方向に磁気異方性軸を有するスピン注入層、実効的に膜面に磁化容易面を有する高周波磁界発生層、及び前記スピン注入層と前記高周波磁界発生層の間に配置された非磁性中間層を備え、
前記非磁性中間層は膜厚が4nmよりも大きく、20nm以下であり、
前記高周波磁界発生層から前記スピン注入層側に電流を流すことを特徴とする磁気記憶装置。 - 請求項12記載の磁気記憶装置において、
前記垂直磁気記録媒体は、前記記録磁極からの記録磁界だけでは十分な記録ができないことを特徴とする磁気記憶装置。 - 請求項12記載の磁気記憶装置において、
装置内に温度センサを有し、装置の温度環境の変化に応じて前記記録磁極を励磁する記録電流及び前記高周波発振素子の駆動電流の値を再調整することを特徴とする磁気記憶装置。 - 基板上に複数の磁性層からなる記録層が設けられ、前記記録層を構成する最上層の磁性層は、膜厚が0よりも大きく1nm以下である副層を3層以上含み、Co,Fe,Niからなる群の少なくとも一種の元素を主たる元素として50%以上含む第1の副層と前記第1の副層の主たる元素とは異なる元素を主たる元素とする第2の副層とで積層単位層を構成し、副層の組成もしくは膜厚の異なる複数の積層単位層を有する垂直磁気記録媒体の製造方法において、
第1の多元スパッタリングターゲットを用いて前記第1の副層を製膜する工程と、
第2の多元スパッタリングターゲットを用いて前記第2の副層を製膜する工程とを有し、
前記第1の副層を製膜する工程の終了時間と前記第2の副層を製膜する工程の開始時間の間隔を、前記第1の副層の製膜時間と前記第2の副層の製膜時間のうち短い方の製膜時間の0.5%以上とすることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 基板上に複数の磁性層からなる記録層が設けられ、前記記録層を構成する最上層の磁性層は、膜厚が0よりも大きく1nm以下である副層を3層以上含み、Co,Fe,Niからなる群の少なくとも一種の元素を主たる元素として50%以上含む第1の副層と前記第1の副層の主たる元素とは異なる元素を主たる元素とする第2の副層とで積層単位層を構成し、副層の組成もしくは膜厚の異なる複数の積層単位層を有する垂直磁気記録媒体の製造方法において、
前記第1の副層の主たる元素を主たる成分とする第1のスパッタリング用ターゲットと、Si,Ta,Ti,Zr,Hfからなる群から選択された少なくとも一種の元素の酸化物、窒化物、炭化物、硼化物、もしくはこれらの混合物からなる非磁性材料を含む第2のスパッタリング用ターゲットの共スパッタによって前記第1の副層を製膜する工程と、
前記第2の副層の主たる元素を主たる成分とする第3のスパッタリング用ターゲットと、前記第2のスパッタリング用ターゲットの共スパッタによって前記第2の副層を製膜する工程とを有し、
前記第1の副層を製膜する工程では、前記第2のスパッタリング用ターゲットによる製膜開始時間を前記第1のスパッタリング用ターゲットによる製膜開始時間より遅く、前記第2のスパッタリング用ターゲットによる製膜終了時間を前記第1のスパッタリング用ターゲットによる製膜終了時間より早く設定し、
前記第2の副層を製膜する工程では、前記第2のスパッタリング用ターゲットによる製膜開始時間を前記第3のスパッタリング用ターゲットによる製膜開始時間より遅く、前記第2のスパッタリング用ターゲットによる製膜終了時間を前記第3のスパッタリング用ターゲットによる製膜終了時間より早く設定すること
を特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
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