JP2015118796A - 有機el素子構造、その製造方法及び発光パネル - Google Patents
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Abstract
Description
11 素子駆動回路層
12 素子積層部
14 封止膜
15 アノード膜
16 発光部
17 カソード膜
24 封止薄膜
27、39、40 溝
Claims (22)
- 素子駆動回路を有する素子駆動回路層上において順に積層された第1の電極、有機化合物を含む発光部及び第2の電極からなる素子積層部を有する有機EL素子構造において、
前記素子駆動回路層及び前記素子積層部の間に封止膜が配されることを特徴とする有機EL素子構造。 - 前記素子駆動回路層は、前記素子駆動回路と前記素子積層部との間に有機絶縁膜層をさらに有することを特徴とする請求項1記載の有機EL素子構造。
- 前記封止膜はALD法によって成膜されることを特徴とする請求項1又は2記載の有機EL素子構造。
- 前記素子積層部を覆う他の封止膜をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機EL素子構造。
- 前記他の封止膜はALD法によって成膜されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の有機EL素子構造。
- 前記他の封止膜は前記封止膜と前記素子積層部の周囲で接合して当該素子積層部を他の前記素子積層部から区画することを特徴とする請求項5記載の有機EL素子構造。
- 前記第2の電極を、前記発光部を囲む溝で分断して他の前記素子積層部の前記第2の電極から独立させることを特徴とする請求項5記載の有機EL素子構造。
- 前記溝は垂直に形成されることを特徴とする請求項7記載の有機EL素子構造。
- 前記溝は下方に向かって逆テーパに形成されることを特徴とする請求項7記載の有機EL素子構造。
- 1つの前記素子積層部が1つのサブピクセルを構成し、前記溝は1つの前記サブピクセルを囲むことを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の有機EL素子構造。
- 1つの前記素子積層部が1つのサブピクセルを構成し、前記溝は複数の前記サブピクセルを囲むことを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の有機EL素子構造。
- 前記素子積層部と前記他の封止膜との間にALD法又はMOCVD法によって成膜された透明導電膜をさらに有することを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の有機EL素子構造。
- 前記第1の電極、及び前記第2の電極は、前記封止膜を介して前記素子駆動回路層へ接続されることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の有機EL素子構造。
- 素子駆動回路層上に、封止膜、第1の電極、有機化合物を含む発光部及び第2の電極をこの順に形成することを特徴とする有機EL素子構造の製造方法。
- 前記発光部を囲む溝を形成し、前記第2の電極を構成する導電膜を蒸着で形成することを特徴とする請求項14記載の有機EL素子構造の製造方法。
- 前記第2の電極を形成した後、前記第2の電極を覆うように、ALD法によって他の封止膜を形成することを特徴とする請求項15記載の有機EL素子構造の製造方法。
- 前記溝は垂直に形成されることを特徴とする請求項16記載の有機EL素子構造の製造方法。
- 前記溝は下方に向かって逆テーパに形成されることを特徴とする請求項16記載の有機EL素子構造の製造方法。
- 素子駆動回路層上において順に積層された第1の電極、有機化合物を含む発光部及び第2の電極からなる素子積層部を有する有機EL素子構造を備える発光パネルにおいて、
前記素子駆動回路層及び前記素子積層部の間に封止膜が配されることを特徴とする発光パネル。 - 前記有機EL素子構造は前記素子積層部を覆う他の封止膜をさらに有し、前記他の封止膜は前記封止膜と前記素子積層部の周囲で接合して当該素子積層部を他の前記素子積層部から区画することを特徴とする請求項19記載の発光パネル。
- 前記有機EL素子構造では、前記第2の電極を、前記発光部を囲む溝で分断して他の前記素子積層部の前記第2の電極から独立させることを特徴とする請求項19記載の発光パネル。
- 前記素子積層部と前記他の封止膜との間にALD法又はMOCVD法により成膜された透明導電膜をさらに有することを特徴とする請求項19記載の発光パネル。
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