KR20200099231A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
유기 발광 표시 장치는 개구 영역, 개구 영역을 둘러싸는 주변 영역 및 주변 영역을 둘러싸는 표시 영역을 포함하고, 주변 영역에 형성된 그루브 및 개구 영역에 형성된 개구를 갖는 기판, 기판 상의 표시 영역에 배치되는 발광 구조물, 기판의 그루브의 내부에 배치되며, 제1 폭을 갖는 희생 금속 패턴 및 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖는 적어도 하나의 절연층 패턴을 포함하는 언더컷 구조물 및 기판의 개구에 배치되는 기능성 모듈을 포함할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치는 주변 영역으로부터 표시 영역으로 수분, 습기 등이 반도체 소자 및 발광 구조물로 침투하는 것을 용이하게 차단할 수 있다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 표시 영역의 일부에 배치되는 기능성 모듈을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로써 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다.
상기 유기 발광 표시 장치는 이미지를 표시하는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸며 상기 이미지를 표시하지 않는 비표시 영역을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 표시 영역에는 복수의 발광 구조물이 배치될 수 있고, 상기 비표시 영역에는 게이트 구동부, 데이터 구동부, 복수의 배선들, 기능성 모듈(예를 들어, 카메라 모듈, 동작 감지 센서 등) 등이 배치될 수 있다. 최근, 상기 표시 영역의 일부에 개구를 형성하여 상기 개구에 상기 기능성 모듈이 배치되는 유기 발광 표시 장치가 개발되고 있다. 다만, 상기 개구를 통해 상기 기능성 모듈과 인접한 표시 영역에 배치되는 상기 발광 구조물로 수분, 습기 등이 침투하여 유기 발광 표시 장치의 불량이 발생되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 표시 영역의 일부에 배치되는 기능성 모듈을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 개구 영역, 상기 개구 영역을 둘러싸는 주변 영역 및 상기 주변 영역을 둘러싸는 표시 영역을 포함하고, 상기 주변 영역에 형성된 그루브 및 상기 개구 영역에 형성된 개구를 갖는 기판, 상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 발광 구조물, 상기 기판의 상기 그루브의 내부에 배치되며, 제1 폭을 갖는 희생 금속 패턴 및 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖는 적어도 하나의 절연층 패턴을 포함하는 언더컷 구조물 및 상기 기판의 상기 개구에 배치되는 기능성 모듈을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 언더컷 구조물은 상기 그루브의 내측벽으로부터 이격되어 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 그루브는 상기 기판의 상기 개구를 둘러싸는 속이 빈 원형의 평면 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 언더컷 구조물은 상기 그루브의 내부에서 상기 개구를 둘러싸는 속이 빈 원형의 평면 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판은 제1 유기 필름층, 상기 제1 유기층 상에 배치되는 제1 베리어층, 상기 제1 베리어층 상에 배치되고, 상기 주변 영역에서 제1 개구를 갖는 제2 유기 필름층 및 상기 제2 유기층 상에 배치되고, 상기 제1 개구와 중첩하여 위치하는 제2 개구를 갖는 제2 베리어층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 희생 금속 패턴은 상기 제1 베리어층 상에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 절연층 패턴은 상기 희생 금속 패턴 상에 배치되는 제1 절연층 패턴 및 상기 제1 절연층 패턴 상에 배치되는 제2 절연층 패턴을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 절연층 패턴은 상기 제2 유기 필름층과 동일한 층에 위치하고, 상기 제2 절연층 패턴은 상기 제2 베리어층과 동일한 층에 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 개구 및 상기 제2 개구가 상기 기판의 그루브로 정의될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판과 상기 발광 구조물 사이에 배치되는 반도체 소자를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반도체 소자는 상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 액티브층, 상기 기판 상의 상기 표시 영역에서 상기 액티브층을 덮고, 상기 주변 영역에서 상기 그루브를 노출시키는 제3 개구를 갖는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상의 상기 표시 영역에 배치되는 게이트 전극, 상기 게이트 절연층 상의 상기 표시 영역에서 상기 게이트 전극을 덮고, 상기 주변 영역에서 상기 제3 개구와 중첩하여 위치하는 제4 개구를 갖는 층간 절연층 및 상기 층간 절연층 상의 상기 표시 영역에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 절연층 패턴은 상기 희생 금속 패턴 상에 배치되고, 상기 제3 개구의 내부에 위치하는 제3 절연층 패턴 및 상기 제3 절연층 패턴 상에 배치되고, 상기 제4 개구의 내부에 위치하는 제4 절연층 패턴을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 절연층은 상기 게이트 절연층과 동일한 층에 위치하고, 상기 제4 절연층은 상기 층간 절연층과 동일한 층에 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광 구조물은 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층 및 상기 발광층 상에 배치되는 상부 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광층은 상기 기판 상에서 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로의 방향으로 연장되고, 상기 그루브가 형성된 부분에서 상기 언더컷 구조물에 의해 상기 발광층은 단락될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 전극은 상기 발광층 상에서 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로의 방향으로 연장되며, 상기 그루브가 형성된 부분에서 상기 언더컷 구조물에 의해 상기 상부 전극은 단락될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광층 및 상기 상부 전극은 상기 그루브의 내부의 적어도 일부에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광층 및 상기 상부 전극은 상기 언더컷 구조물 상의 적어도 일부에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광층 및 상기 상부 전극은 상기 희생 금속 패턴과 직접적으로 접촉하지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광 구조물 상에 배치되는 박막 봉지 구조물을 더 포함하고, 상기 박막 봉지 구조물은 상기 상부 전극 상에 배치되고, 가요성을 갖는 무기 물질을 포함하는 제1 박막 봉지층, 상기 제1 박막 봉지층 상에 배치되고, 가요성을 갖는 유기 물질을 포함하는 제2 박막 봉지층 및 상기 제2 박막 봉지층 상에 배치되고, 상기 가요성을 갖는 무기 물질을 포함하는 제3 박막 봉지층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 박막 봉지층 및 상기 제3 박막 봉지층 각각은 상기 상부 전극 상에서 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로의 방향으로 연장되며, 상기 그루브가 형성된 부분에서 연속적으로 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 기능성 모듈은 상기 주변 영역과 상기 개구 영역의 경계에서 상기 기판의 측면, 상기 발광층의 측면, 상기 상부 전극의 측면, 상기 제1 박막 봉지층의 측면 및 상기 제3 박막 봉지층의 측면과 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 희생 금속 패턴의 양측부는 상기 제1 박막 봉지층과 직접적으로 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판의 그루브는 상기 주변 영역에 위치하는 제1 그루브 및 상기 제1 그루브와 상기 기능성 모듈 사이에 위치하는 제2 그루브를 포함하고, 상기 제1 그루브는 상기 제2 그루브를 둘러쌀 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 언더컷 구조물은 상기 제1 그루브의 내부에 배치되는 제1 언더컷 구조물 및 상기 제2 그루브의 내부에 배치되는 제2 언더컷 구조물을 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치가 그루브의 내부에 배치되는 언더컷 구조물을 포함함으로써, 유기 발광 표시 장치는 주변 영역으로부터 표시 영역으로 수분, 습기 등이 반도체 소자 및 발광 구조물로 침투하는 것을 용이하게 차단할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 3 및 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 형성된 개구를 설명하기 위한 사시도들이다.
도 5는 도 2의 유기 발광 표시 장치의 "A"영역을 확대 도시한 부분 확대 평면도이다.
도 6은 도 5의 유기 발광 표시 장치를 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 7 내지 도 17은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 20은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 21은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 22는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 23은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 24는 도 23의 유기 발광 표시 장치에 포함된 터치 스크린 구조물을 설명하기 위한 평면도이다.
도 25는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 26은본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 3 및 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 형성된 개구를 설명하기 위한 사시도들이다.
도 5는 도 2의 유기 발광 표시 장치의 "A"영역을 확대 도시한 부분 확대 평면도이다.
도 6은 도 5의 유기 발광 표시 장치를 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 7 내지 도 17은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 20은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 21은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 22는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 23은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 24는 도 23의 유기 발광 표시 장치에 포함된 터치 스크린 구조물을 설명하기 위한 평면도이다.
도 25는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 26은본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 사시도이고, 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이며, 도 3 및 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 형성된 개구를 설명하기 위한 사시도들이다.
도 1, 2, 3 및 4를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 기능성 모듈(700) 등을 포함할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(100)는 영상을 표시하는 제1 면(S1) 및 제1 면(S1)과 반대되는 제2 면(S2)을 가질 수 있다. 기능성 모듈(700)은 유기 발광 표시 장치(100)의 일측에 배치될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100)는 표시 영역(10), 개구 영역(20), 주변 영역(30) 및 패드 영역(40)을 포함할 수 있다. 여기서, 주변 영역(30)은 개구 영역(20)을 실질적으로 둘러쌀 수 있고, 표시 영역(10)은 주변 영역(30)을 실질적으로 둘러쌀 수 있다. 선택적으로, 표시 영역(10)이 주변 영역(30)을 완전히 둘러싸지 않을 수도 있다. 도 3 및 4에 도시된 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100)는 개구 영역(20)에 형성된 개구(910)를 포함할 수 있다. 패드 영역(40)은 표시 영역(10)의 일측에 위치할 수 있다. 패드 영역(40)에는 복수의 패드 전극들이 배치될 수 있고, 상기 패드 전극들은 외부 장치와 전기적으로 연결될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 표시 장치(100)는 표시 영역(10)과 패드 영역(40) 사이에 위치하는 벤딩 영역을 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 벤딩 영역이 유기 발광 표시 장치(100)의 상면에 평행한 제1 방향(D1)을 축으로 벤딩될 수 있고, 패드 영역(40)이 유기 발광 표시 장치(100)의 저면 상에 위치할 수도 있다.
표시 영역(10)은 복수의 서브 화소 영역들(미도시)을 포함할 수 있다. 복수의 서브 화소 영역들은 매트릭스 형태로 표시 영역(10)에 전체적으로 배열될 수 있다. 표시 영역(10)의 서브 화소 영역들 각각에는 서브 화소 회로(예를 들어, 도 6의 반도체 소자(250))가 배치될 수 있고, 상기 서브 화소 회로 상에 유기 발광 다이오드들(예를 들어, 도 6의 발광 구조물(300)이 배치될 수 있다. 상기 서브 화소 회로 및 상기 유기 발광 다이오드를 통해 표시 영역(10)에 영상이 표시될 수 있다.
예를 들면, 상기 서브 화소 영역들에는 제1, 제2 및 제3 서브 화소 회로들이 배치될 수 있고, 제1 내지 제3 서브 화소 회로들 상에 제1, 제2 및 제3 유기 발광 다이오드들이 배치될 수 있다. 상기 제1 서브 화소 회로는 적색 광을 방출할 수 있는 제1 유기 발광 다이오드와 연결될 수 있고, 상기 제2 서브 화소 회로는 녹색 광을 방출할 수 있는 제2 유기 발광 다이오드와 연결될 수 있으며, 상기 제3 서브 화소 회로는 청색 광을 방출할 수 있는 제3 유기 발광 다이오드와 연결될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 유기 발광 다이오드는 제1 서브 화소 회로와 중첩하여 배치될 수 있고, 상기 제2 유기 발광 다이오드는 제2 서브 화소 회로와 중첩하여 배치될 수 있으며, 상기 제3 유기 발광 다이오드는 제3 서브 화소 회로와 중첩하여 배치될 수 있다. 선택적으로, 상기 제1 유기 발광 다이오드가 상기 제1 서브 화소 회로의 일부 및 상기 제1 서브 화소 회로와 다른 서브 화소 회로의 일부와 중첩하여 배치될 수도 있고, 상기 제2 유기 발광 다이오드가 상기 제2 서브 화소 회로의 일부 및 상기 제2 서브 화소 회로와 다른 서브 화소 회로의 일부와 중첩하여 배치될 수도 있으며, 상기 제3 유기 발광 다이오드가 상기 제3 서브 화소 회로의 일부 및 상기 제3 서브 화소 회로와 다른 서브 화소 회로의 일부와 중첩하여 배치될 수도 있다.
다시 말하면, 상기 제1 내지 제3 유기 발광 다이오드들은 같은 크기의 직사각형이 차례로 배열되는 RGB 스트라이프(RGB stripe) 방식, 상대적으로 넓은 면적을 갖는 청색 유기 발광 다이오드를 포함하는 S-스트라이프(s-stripe) 방식, 백색 유기 발광 다이오드를 더 포함하는 WRGB 방식, RG-GB 반복 형태로 나열된 펜타일 방식 등을 이용하여 배열될 수 있다.
또한, 복수의 서브 화소 영역들 각각에는 적어도 하나의 구동 트랜지스터, 적어도 하나의 스위칭 트랜지스터, 적어도 하나의 커패시터 등이 배치될 수 있다.
다만, 본 발명의 표시 영역(10)의 형상이 사각형의 평면 형상을 갖는 것으로 설명하였지만, 상기 형상이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 표시 영역(10)의 형상은 삼각형의 평면 형상, 마름모의 평면 형상, 다각형의 평면 형상, 원형의 평면 형상, 트랙형의 평면 형상 또는 타원형의 평면 형상을 가질 수도 있다.
기능성 모듈(700)은 개구(910)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 기능성 모듈(700)은 사물의 이미지를 촬영(또는 인식)할 수 있는 카메라 모듈, 사용자의 얼굴을 감지하기 위한 얼굴 인식 센서 모듈, 사용자의 눈동자를 감지하기 위한 동공 인식 센서 모듈, 유기 발광 표시 장치(100)의 움직임을 판단하는 가속도 센서 모듈 및 지자기 센서 모듈, 유기 발광 표시 장치(100) 앞의 근접 여부를 감지하기 위한 근접 센서 모듈 및 적외선 센서 모듈, 주머니 혹은 가방에 방치될 때 밝기의 정도를 측정하기 위한 조도 센서 모듈 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 착신 알람을 나타내는 진동 모듈, 음향을 출력하는 스피커 모듈 등이 개구(910)에 배치될 수도 있다.
다만, 본 발명의 개구 영역(20) 및 주변 영역(30) 각각의 형상이 원형의 평면 형상을 갖는 것으로 설명하였지만, 상기 형상이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 개구 영역(20) 및 주변 영역(30) 각각의 형상은 삼각형의 평면 형상, 마름모의 평면 형상, 다각형의 평면 형상, 사각형의 평면 형상, 트랙형의 평면 형상 또는 타원형의 평면 형상을 가질 수도 있다.
도 5는 도 2의 유기 발광 표시 장치의 "A"영역을 확대 도시한 부분 확대 평면도이고, 도 6은 도 5의 유기 발광 표시 장치를 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 5 및 6을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 언더컷 구조물(400), 반도체 소자(250), 평탄화층(270), 발광 구조물(200), 화소 정의막(310), 박막 봉지 구조물(450), 기능성 모듈(700) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(110)은 제1 유기 필름층(111), 제1 베리어층(112), 제2 유기 필름층(113) 및 제2 베리어층(114)을 포함할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(100)가 표시 영역(10), 개구 영역(20), 주변 영역(30) 및 패드 영역(40)을 가짐에 따라, 기판(110)도 표시 영역(10), 개구 영역(20), 주변 영역(30) 및 패드 영역(40)으로 구분될 수 있다. 또한, 언더컷 구조물(400)은 희생 금속 패턴(405), 제1 절연층 패턴(410), 제2 절연층 패턴(420), 제3 절연층 패턴(430) 및 제4 절연층 패턴(440)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있다. 더욱이, 발광 구조물(200)은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있고, 박막 봉지 구조물(450)은 제1 박막 봉지층(451), 제2 박막 봉지층(452) 및 제3 박막 봉지층(453)을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 기판(110)은 주변 영역(30)에 형성된 그루브(930)를 더 포함할 수 있고, 그루브(930)의 내부에 언더컷 구조물(400)이 그루브(930)의 내측벽으로부터 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 그루브(930)의 내부에서 발광층(330) 및 상부 전극(340) 각각이 언더컷 구조물(400)에 의해 이격될 수 있다. 다시 말하면, 발광층(330) 및 상부 전극(340) 각각이 그루브(930) 내부에서 언더컷 구조물(400)에 의해 단락될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(100)는 그루브(930)의 내부에서 언더컷 구조물(400)에 의해 단락된 발광층(330) 및 단락된 상부 전극(340)을 포함함으로써 수분, 습기 등이 반도체 소자(250) 및 발광 구조물(200)로 침투하는 것을 차단할 수 있다. 더욱이, 기판(110)은 개구 영역(20)에 형성된 개구(910)를 더 포함할 수 있고, 개구(910)에 기능성 모듈(700)이 배치될 수 있다(도 16 참조).
제1 유기 필름층(111)이 제공될 수 있다. 제1 유기 필름층(111)은 가요성을 갖는 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 유기 필름층(111)은 랜덤 공중합체(random copolymer) 또는 블록 공중합체(block copolymer)를 포함할 수 있다. 또한, 제1 유기 필름층(111)은 고투명성, 낮은 열팽창 계수(Coefficient of thermal expansion) 및 높은 유리 전이 온도를 가질 수 있다. 제1 유기 필름층(111)은 이미드기(imide)를 함유하기 때문에, 내열성, 내화학성, 내마모성 및 전기적 특성이 우수할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 유기 필름층(111)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
제1 유기 필름층(111) 상에 제1 베리어층(112)이 전체적으로 배치될 수 있다. 제1 베리어층(112)은 제1 유기 필름층(111)을 통해 침투하는 수분을 차단할 수 있다. 제1 베리어층(112)은 가요성을 갖는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 베리어층(112)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 베리어층(112)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy), 알루미늄 산화물(AlOx), 알루미늄 질화물(AlNx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx) 등을 포함할 수 있다.
제1 베리어층(112) 상에 제2 유기 필름층(113)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 유기 필름층(113)은 주변 영역(30)에서 제1 개구(701)를 가질 수 있다(도 11 참조). 예를 들면, 제1 개구(701)는 주변 영역(30)에 위치하는 제1 베리어층(112)의 상면을 노출시킬 수 있다. 제2 유기 필름층(113)은 가요성을 갖는 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 유기 필름층(113)은 랜덤 공중합체 또는 블록 공중합체를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 유기 필름층(113)은 폴리이미드를 포함할 수 있다. 선택적으로, 주변 영역(30)에 위치하는 제2 유기 필름층(113)의 일부가 부분적으로 제거되어 주변 영역(30)에 위치하는 제2 유기 필름층(113)에 트랜치가 형성될 수도 있다. 이러한 경우, 주변 영역(30)에 위치하는 제1 베리어층(112)의 상면이 노출되지 않을 수 있다.
제2 유기 필름층(113) 상에 제2 베리어층(114)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 베리어층(114)은 주변 영역(30)에서 제1 개구(701)와 중첩하는 제2 개구(702)를 가질 수 있다. 다시 말하면, 제2 베리어층(114)의 제2 개구(702)는 주변 영역(30)에 위치하는 제1 베리어층(112)의 상면을 노출시킬 수 있다. 제1 개구(701)및 제2 개구(702)가 기판(110)의 그루브(930)로 정의될 수 있다(도 11 참조). 예를 들면, 도 5에 도시된 바와 같이, 그루브(930)는 기판(110)의 개구(910)를 둘러싸는 속이 빈 원형의 평면 형상을 가질 수 있다.
제2 베리어층(114)은 제2 유기 필름층(113)을 통해 침투하는 수분을 차단할 수 있다. 제2 베리어층(114)은 가요성을 갖는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 베리어층(114)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물 등을 포함할 수 있다.
이에 따라, 제1 유기 필름층(111), 제1 베리어층(112), 제2 유기 필름층(113) 및 제2 베리어층(114)을 포함하는 기판(110)이 배치될 수 있다.
다만, 기판(110)이 4개의 층들을 갖는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 기판(110)은 단일층 또는 적어도 2개의 층들을 포함할 수도 있다.
기판(110)(예를 들어, 제2 베리어층(114)) 상에 버퍼층(미도시)이 배치될 수도 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층은 기판(110) 상에 표시 영역(10)및 주변 영역(30)에 전체적으로 배치될 수 있고, 기판(110)의 그루브(930)와 중첩하는 개구를 가질 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 반도체 소자(250) 및 발광 구조물(200)로 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층을 수득하게 할 수 있다. 또한, 버퍼층(115)은 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 기판(110)의 유형에 따라 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층들이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 배치되지 않을 수도 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다.
기판(110) 상의 표시 영역(10)에 액티브층(130)이 배치될 수 있다. 액티브층(130)은 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다. 액티브층(130)은 소스 및 드레인 영역들을 가질 수 있다.
액티브층(130) 상에는 게이트 절연층(150)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)에서 액티브층(130)을 덮을 수 있으며, 표시 영역(10)으로부터 개구 영역(20)으로의 방향(예를 들어, 제1 방향(D1))으로 연장될 수 있고, 기판(110) 상의 주변 영역(30)에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)은 주변 영역(30)에서 기판(110)의 그루브(930)와 중첩하여 위치하는 제3 개구(703)를 가질 수 있다. 즉, 게이트 절연층(150)은 제3 개구(703)를 통해 주변 영역(30)에 위치하는 제1 베리어층(112)의 상면을 노출시킬 수 있다(도 11 참조). 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)에서 액티브층(130)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(130)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(150)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)에서 액티브층(130)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(130)의 프로파일을 따라 배치될 수도 있다. 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(150)은 복수의 절연층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 절연층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에 게이트 전극(170)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 게이트 전극(170)은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 포함할 수 있다.
게이트 전극(170) 상에는 층간 절연층(190)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(190)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)에서 게이트 전극(170)을 덮을 수 있으며, 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있고, 기판(110) 상의 주변 영역(30)에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(190)은 주변 영역(30)에서 제3 개구(703)와 중첩하여 위치하는 제4 개구(704)를 가질 수 있다. 즉, 층간 절연층(190)은 제4 개구(704)를 통해 주변 영역(30)에 위치하는 제1 베리어층(112)의 상면을 노출시킬 수 있다(도 11 참조). 예를 들면, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에서 게이트 전극(170)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(170)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에서 게이트 전극(170)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(170)의 프로파일을 따라 배치될 수도 있다. 층간 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(190)은 복수의 절연층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 절연층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 배치될 수 있다. 소스 전극(210)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제1 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 액티브층(130)의 소스 영역에 접속될 수 있고, 드레인 전극(230)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제2 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 액티브층(130)의 드레인 영역에 접속될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 각각은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
이에 따라, 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 기판(110)과 발광 구조물(200) 사이에 배치될 수 있다.
다만, 반도체 소자(250)가 상부 게이트 구조를 갖는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 반도체 소자(250)는 하부 게이트 구조, 더블 게이트 구조 등을 가질 수도 있다.
또한, 유기 발광 표시 장치(100)가 하나의 반도체 소자를 포함하는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 유기 발광 표시 장치(100)는 적어도 하나의 반도체 소자, 적어도 하나의 스토리지 커패시터를 포함할 수도 있다.
기판(110)의 그루브(930)의 내부에 희생 금속 패턴(405)이 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제2 유기 필름층(113)의 제1 개구(701), 제2 베리어층(114)의 제2 개구(702), 게이트 절연층(150)의 제3 개구(703) 및 제1 층간 절연층(190)의 제4 개구(704)를 통해 노출된 제1 베리어층(112)의 상면에 희생 금속 패턴(405)이 배치될 수 있다. 선택적으로, 희생 금속 패턴(405)은 제1 유기 필름층(111), 제2 유기 필름층(113), 제2 베리어층(114) 또는 게이트 절연층(150) 상에 배치될 수도 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 희생 금속 패턴(405)은 제1 폭(W1)을 가질 수 있고, 그루브(930)의 내측벽으로부터 이격될 수 있다(도 11 참조). 또한, 그루브(930)(또는 주변 영역(30))에 배치되는 발광층(330) 및 상부 전극(340)과 이격될 수 있다. 즉, 희생 금속 패턴(405)은 발광층(330) 및 상부 전극(340)과 직접적으로 접촉하지 않을 수 있다. 더욱이, 희생 금속 패턴(405)의 상면은 제1 절연층 패턴(410)과 접촉할 수 있고, 희생 금속 패턴(405)의 저면은 제1 베리어층(112)과 접촉할 수 있으며, 희생 금속 패턴(405)의 양측면은 제1 박막 봉지층(451)과 직접적으로 접촉할 수 있다.
희생 금속 패턴(405)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 희생 금속 패턴(405)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄(Mo), 스칸듐(Sc), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuxOy), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 희생 금속 패턴(405)은 하부 전극(290)을 패터닝하기 위해 사용되는 식각액(예를 들어, 예비 하부 전극을 선택적으로 식각하여 하부 전극을 형성하는 과정에서 사용되는 식각액)에 의해 식각될 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 희생 금속 패턴(405)은 몰리브데늄으로 구성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 희생 금속 패턴(405)은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
희생 금속 패턴(405) 상에 제1 절연층 패턴(410)이 배치될 수 있다. 제1 절연층 패턴(410)은 그루브(930)의 내부에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 절연층 패턴(410)은 제1 폭(W1)보다 큰 제2 폭(W2)을 가질 수 있고, 그루브(930)의 내측벽으로부터 이격될 수 있다(도 11 참조). 또한, 제1 절연층 패턴(410)은 제2 유기 필름층(113)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 제1 절연층 패턴(410)은 가요성을 갖는 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 절연층 패턴(410)은 랜덤 공중합체 또는 블록 공중합체를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 절연층 패턴(410)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
제1 절연층 패턴(410)상에 제2 절연층 패턴(420)이 배치될 수 있다. 제2 절연층 패턴(420)은 그루브(930)의 내부에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 절연층 패턴(420)의 폭은 제1 폭(W1)보다 클 수 있고, 그루브(930)의 내측벽으로부터 이격될 수 있다(도 11 참조). 또한, 제2 절연층 패턴(420)은 제2 베리어층(114)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 선택적으로, 제2 절연층 패턴(420)의 폭이 제1 폭(W1)보다 같거나 작을 수도 있다. 제2 절연층 패턴(420)은 가요성을 갖는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 절연층 패턴(420)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물 등을 포함할 수 있다.
제2 절연층 패턴(420) 상에 제3 절연층 패턴(430)이 배치될 수 있다. 제3 절연층 패턴(430)은 제3 개구(703)의 내부에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제3 절연층 패턴(430)의 폭은 제1 폭(W1)보다 클 수 있고, 제3 개구(703)의 내측벽으로부터 이격될 수 있다(도 11 참조). 또한, 제3 절연층 패턴(430)은 게이트 절연층(150)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 선택적으로, 제3 절연층 패턴(430)의 폭이 제1 폭(W1)보다 같거나 작을 수도 있다. 제3 절연층 패턴(430)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
제3 절연층 패턴(430) 상에 제4 절연층 패턴(440)이 배치될 수 있다. 제4 절연층 패턴(440)은 제4 개구(704)의 내부에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제4 절연층 패턴(440)의 폭은 제1 폭(W1)보다 클 수 있고, 제4 개구(704)의 내측벽으로부터 이격될 수 있다(도 11 참조). 또한, 제4 절연층 패턴(440)은 층간 절연층(190)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 선택적으로, 제4 절연층 패턴(440)의 폭이 제1 폭(W1)보다 같거나 작을 수도 있다. 제4 절연층 패턴(440)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
이에 따라, 희생 금속 패턴(405), 제1 절연층 패턴(410), 제2 절연층 패턴(420), 제3 절연층 패턴(430) 및 제4 절연층 패턴(440)을 포함하는 언더컷 구조물(400)이 배치될 수 있다. 언더컷 구조물(400)이 그루브(930)의 내부에 배치됨에 따라 언더컷 구조물(400)도 개구(910)를 둘러싸는 속이 빈 원형의 평면 형상을 가질 수 있다(도 5 참조).
본 발명의 예시적인 실시예들에 있어서, 희생 금속 패턴(405)이 제1 절연층 패턴(410)보다 작은 폭을 가짐으로써 그루브(930)는 언더-컷 형상을 가질 수 있다. 그루브(930)(예를 들어, 제1 개구(701)및 제2 개구(702)), 제3 개구(703), 제4 개구(704) 및 언더컷 구조물(400)은 개구 영역(20)으로부터 표시 영역(10)으로 침투하는 수분 및/또는 습기를 차단할 수 있는 차단 패턴으로 기능할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 그루브(930)와 기능성 모듈(700) 사이에 복수의 상기 차단 패턴들이 형성될 수도 있고, 표시 영역(10)과 주변 영역(30)의 경계에 인접하여 위치하는 발광 구조물(200)과 그루브(930) 사이에 복수의 상기 차단 패턴들이 형성될 수도 있다.
층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에 평탄화층(270)이 배치될 수 있다. 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에서 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 덮을 수 있고, 주변 영역(30)에는 배치되지 않을 수 있다. 즉, 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에만 배치될 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(270)은 표시 영역(10)에서 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 선택적으로, 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에서 균일한 두께로 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)의 프로파일을 따라 배치될 수도 있다. 평탄화층(270)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 포토레지스트(photoresist), 폴리아크릴계 수지(polyacryl-based region), 폴리이미드계 수지(polyimide-based resin), 폴리아미드계 수지(polyamide-based resin), 실록산계 수지(siloxane-based resin), 아크릴계 수지(acryl-based resin), 에폭시계 수지(epoxy-based resin) 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다.
하부 전극(290)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에 배치될 수 있다. 하부 전극(290)은 평탄화층(270)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 드레인 전극(230)에 접속될 수 있고, 하부 전극(290)은 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 전극(290)은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 하부 전극(290)은 인듐 주석 산화물, 은 및 인듐 주석 산화물이 순서대로 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
화소 정의막(310)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에 배치될 수 있고, 주변 영역(30)에는 배치되지 않을 수 있다. 즉, 화소 정의막(310)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에만 배치될 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(310)은 하부 전극(290)의 양측부를 덮으며 하부 전극(290)의 상면의 일부를 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
발광층(330)은 표시 영역(10)에서 화소 정의막(310) 및 하부 전극(290) 상에 배치되며 제1 방향(D1)으로 연장할 수 있고, 기판(110) 상의 주변 영역(30)에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광층(330)은 그루브(930)의 내부에 부분적으로 배치될 수 있고, 그루브(930)가 위치하는 부분에서 깊이 방향(예를 들어, 제2 베리어층(114)으로부터 제1 유기 필름층(111)으로의 방향)으로 언더컷 구조물(400)의해 이격될 수 있다. 즉, 발광층(330)은 주변 영역(30)에서 언더컷 구조물(400)에 의해 단락될 수 있다. 다시 말하면, 발광층(330)은 그루브(930), 제3 개구(703), 제4 개구(704) 및 언더컷 구조물(400)에 의해 주변 영역(30)에서 분리될 수 있다.
예를 들면, 그루브(930)에서 제1 폭(W1)을 갖는 희생 금속 패턴(405)을 포함하는 언더컷 구조물(400)이 형성되지 않을 경우, 발광층(330)이 그루브(930)가 형성된 부분에서 연속적으로 배치될 수 있고, 발광층(330)은 수분 및/또는 습기의 투습 경로로 이용될 수 있다. 다시 말하면, 개구 영역(20)에서 발광층(330)의 일부(예를 들어, 발광층(330)의 측단부)가 노출될 수 있고, 발광층(330)의 상기 노출된 부분으로 상기 수분 및/또는 습기가 침투될 수 있다. 이러한 경우, 상기 수분 및/또는 습기에 의해 주변 영역(30)과 인접하여 위치하는 표시 영역(10)에 배치된 반도체 소자(250)및 발광 구조물(200)이 손상될 수 있다. 한편, 본 발명의 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 표시 장치(100)가 언더컷 구조물(400)을 포함하기 때문에, 그루브(930) 내부에서 발광층(330)이 분리될 수 있다. 즉, 그루브(930) 내부에서 발광층(330)이 이격됨으로써 발광층(330)의 상기 투습 경로가 차단될 수 있다. 이에 따라, 발광층(330)이 주변 영역(30)에 배치되더라도 유기 발광 표시 장치(100)의 화소 불량이 발생되지 않을 수 있다.
발광층(330)은 유기 발광층(organic light emission layer EML), 정공 주입층(hole injection layer HIL), 정공 수송층(hole transport layer HTL), 전자 수송층(electron transport layer ETL), 전자 주입층(electron injection layer EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광층(EML), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)이 주변 영역(30)에 배치될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광층(EML)을 제외한 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)이 주변 영역(30)에 배치될 수도 있다.
발광층(330)의 유기 발광층(EML)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(330)의 유기 발광층(EML)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다. 이러한 경우, 하부 전극(290) 상에 배치된 발광층(330) 상에 컬러 필터가 배치될 수도 있다. 상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 컬러 필터는 황색(Yellow) 컬러 필터, 청남색(Cyan) 컬러 필터 및 자주색(Magenta) 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지 또는 컬러 포토레지스트를 포함할 수 있다.
상부 전극(340)은 표시 영역(10)의 발광층(330) 상에서 중첩하여 배치되며 제1 방향(D1)으로 연장할 수 있고, 발광층(330) 상의 주변 영역(30)에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(340)은 그루브(930)의 내부에 부분적으로 배치될 수 있고, 그루브(930)가 위치하는 부분에서 상기 깊이 방향으로 이격될 수 있다. 즉, 상부 전극(340)의 주변 영역(30)에서 언더컷 구조물(400)에 의해 단락될 수 있다. 다시 말하면, 상부 전극(340)은 그루브(930), 제3 개구(703), 제4 개구(704) 및 언더컷 구조물(400)에 의해 주변 영역(30)에서 분리될 수 있다.
예를 들면, 그루브(930) 에서 제1 폭(W1)을 갖는 희생 금속 패턴(405)을 포함하는 언더컷 구조물(400)이 형성되지 않을 경우, 상부 전극(340)이 그루브(930)가 형성된 부분에서 연속적으로 배치될 수 있고, 상부 전극(340)은 수분 및/또는 습기의 투습 경로로 이용될 수 있다. 다시 말하면, 개구 영역(20)에서 상부 전극(340)의 일부(예를 들어, 상부 전극(340)의 측단부)가 노출될 수 있고, 상부 전극(340)의 상기 노출된 부분으로 상기 수분 및/또는 습기가 침투될 수 있다. 이러한 경우, 상기 수분 및/또는 습기에 의해 주변 영역(30)과 인접하여 위치하는 표시 영역(10)에 배치된 반도체 소자(250)및 발광 구조물(200)이 손상될 수 있다. 한편, 본 발명의 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 표시 장치(100)가 언더컷 구조물(400)을 포함하기 때문에, 그루브(930) 내부에서 상부 전극(340)이 분리될 수 있다. 즉, 그루브(930) 내부에서 상부 전극(340)이 이격됨으로써 상부 전극(340)의 상기 투습 경로가 차단될 수 있다. 이에 따라, 상부 전극(340)이 주변 영역(30)에 배치되더라도 유기 발광 표시 장치(100)의 화소 불량이 발생되지 않을 수 있다.
상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(340)은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
이에 따라, 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 발광 구조물(200)이 배치될 수 있다.
캡핑층(미도시)이 상부 전극(340) 상에 배치될 수도 있다. 상기 캡핑층은 표시 영역(10)의 상부 전극(340) 상에서 중첩하여 배치되며 제1 방향(D1)으로 연장할 수 있고, 상부 전극(340) 상의 주변 영역(30)에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 캡핑층은 그루브(930)의 내부에 부분적으로 배치될 수 있고, 그루브(930)가 위치하는 부분에서 상기 깊이 방향으로 이격될 수 있다. 즉, 상기 캡핑층은 주변 영역(30)에서 언더컷 구조물(400)에 의해 단락될 수 있다. 다시 말하면, 상기 캡핑층은 그루브(930), 제3 개구(703), 제4 개구(704) 및 언더컷 구조물(400)에 의해 주변 영역(30)에서 분리될 수 있다.
예를 들면, 그루브(930)가 제1 폭(W1)을 갖는 희생 금속 패턴(405)을 포함하는 언더컷 구조물(400)을 갖지 않을 경우, 상기 캡핑층이 그루브(930)가 형성된 부분에서 연속적으로 배치될 수 있고, 상기 캡핑층은 수분 및/또는 습기의 투습 경로로 이용될 수 있다. 다시 말하면, 개구 영역(20)에서 상기 캡핑층의 일부(예를 들어, 상기 캡핑층의 측단부)가 노출될 수 있고, 상기 캡핑층의 상기 노출된 부분으로 상기 수분 및/또는 습기가 침투될 수 있다. 이러한 경우, 상기 수분 및/또는 습기에 의해 주변 영역(30)과 인접하여 위치하는 표시 영역(10)에 배치된 반도체 소자(250) 및 발광 구조물(200)이 손상될 수 있다. 한편, 본 발명의 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 표시 장치(100)가 언더컷 구조물(400)을 포함하기 때문에, 그루브(930) 내부에서 상기 캡핑층이 분리될 수 있다. 즉, 그루브(930) 내부에서 상기 캡핑층이 이격됨으로써 상기 캡핑층의 상기 투습 경로가 차단될 수 있다. 이에 따라, 상기 캡핑층이 주변 영역(30)에 배치되더라도 유기 발광 표시 장치(100)의 화소 불량이 발생되지 않을 수 있다.
상기 캡핑층은 발광 구조물(200)을 보호할 수 있고, 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 캡핑층은 트리아민(triamine) 유도체, 아릴렌디아민(arylenediamine) 유도체, 4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl CBP), 트리스-8-히드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum Alq3) 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다.
상부 전극(340) 상의 표시 영역(10) 및 주변 영역(30)에 제1 박막 봉지층(451)이 배치될 수 있다. 제1 박막 봉지층(451)은 표시 영역(10)에서 상부 전극(340)을 덮으며 균일한 두께로 상부 전극(340)의 프로 파일을 따라 배치될 수 있고, 주변 영역(30)으로 연장될 수 있다. 주변 영역(30)에서 제1 박막 봉지층(451)은 상부 전극(340)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제1 박막 봉지층(451)은 그루브(930)가 형성된 부분에서 연속적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 박막 봉지층(451)은 그루브(930) 및 언더컷 구조물(400)을 완전히 커버할 수 있다. 다시 말하면, 제1 박막 봉지층(451)은 희생 금속 패턴(405)의 양측부와 직접적으로 접촉할 수 있다. 제1 박막 봉지층(451)은 발광 구조물(200)이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 박막 봉지층(451)은 외부의 충격으로부터 발광 구조물(200)을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제1 박막 봉지층(451)은 가요성을 갖는 무기 물질들을 포함할 수 있다.
제1 박막 봉지층(451) 상의 표시 영역(10)에 제2 박막 봉지층(452)이 배치될 수 있고, 주변 영역(30)에는 제2 박막 봉지층(452)이 배치되지 않을 수 있다. 즉, 제2 박막 봉지층(452)은 표시 영역(10)에만 배치될 수 있다. 선택적으로, 제2 박막 봉지층(452)이 주변 영역(30)의 일부에 배치될 수도 있다. 제2 박막 봉지층(452)은 유기 발광 표시 장치(100)의 평탄도를 향상시킬 수 있으며, 발광 구조물(200)을 보호할 수 있다. 제2 박막 봉지층(452)은 가요성을 갖는 유기 물질들을 포함할 수 있다.
제2 박막 봉지층(452) 상의 표시 영역(10) 및 제1 박막 봉지층(451) 상의 주변 영역(30)에 제3 박막 봉지층(453)이 배치될 수 있다. 제3 박막 봉지층(453)은 표시 영역(10)에서 제2 박막 봉지층(452)을 덮으며 균일한 두께로 제2 박막 봉지층(452)의 프로 파일을 따라 배치될 수 있고, 주변 영역(30)으로 연장될 수 있다. 주변 영역(30)에서 제3 박막 봉지층(453)은 균일한 두께로 제1 박막 봉지층(451)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제3 박막 봉지층(453)은 그루브(930)가 형성된 부분에서 연속적으로 배치될 수 있다. 제3 박막 봉지층(453)은 제1 박막 봉지층(451)과 함께 발광 구조물(200)이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제3 박막 봉지층(453)은 외부의 충격으로부터 제1 박막 봉지층(451) 및 제2 박막 봉지층(452)과 함께 발광 구조물(200)을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제3 박막 봉지층(453)은 가요성을 갖는 무기 물질들을 포함할 수 있다.
이에 따라, 제1 박막 봉지층(451), 제2 박막 봉지층(452) 및 제3 박막 봉지층(453)을 포함하는 박막 봉지 구조물(450)이 배치될 수 있다. 선택적으로, 박막 봉지 구조물(450)은 제1 내지 제5 박막 봉지층들로 적층된 5층 구조 또는 제1 내지 제7 박막 봉지층들로 적층된 7층 구조로 배치될 수도 있다.
기능성 모듈(700)이 개구 영역(20)에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 기능성 모듈(700)은 주변 영역(30)과 개구 영역(20)의 경계에서 기판(110)의 측면, 발광층(330)의 측면, 상부 전극(340)의 측면, 제1 박막 봉지층(451)의 측면 및 제3 박막 봉지층(453)의 측면과 접촉할 수 있다. 예를 들면, 기능성 모듈(700)은 카메라 모듈, 얼굴 인식 센서 모듈, 동공 인식 센서 모듈, 가속도 센서 모듈 및 지자기 센서 모듈, 근접 센서 모듈 및 적외선 센서 모듈, 조도 센서 모듈, 진동 모듈, 스피커 모듈 등을 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)가 그루브(930)의 내부에 배치되는 언더컷 구조물(400)을 포함함으로써, 유기 발광 표시 장치(100)는 주변 영역(30)으로부터 표시 영역(10)으로 수분, 습기 등이 반도체 소자(250) 및 발광 구조물(300)로 침투하는 것을 용이하게 차단할 수 있다.
도 7 내지 도 17은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 7을 참조하면, 경질의 유리 기판(105)이 제공될 수 있다. 유리 기판(105) 상에 제1 유기 필름층(111)이 형성될 수 있다. 제1 유기 필름층(111)은 유리 기판(105) 상에 전체적으로 형성될 수 있고, 폴리이미드 등과 같은 가요성을 갖는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 유기 필름층(111) 상에 제1 베리어층(112)이 전체적으로 형성될 수 있다. 제1 베리어층(112)은 제1 유기 필름층(111)을 통해 침투하는 수분을 차단할 수 있다. 제1 베리어층(112)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물 등과 같은 가요성을 갖는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 베리어층(112)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다.
제1 베리어층(112) 상의 주변 영역(30)에 예비 희생 금속 패턴(401)이 형성될 수 있다. 예비 희생 금속 패턴(401)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 예비 희생 금속 패턴(401)은 금, 은, 알루미늄, 텅스텐, 구리, 백금, 니켈, 티타늄, 팔라듐, 마그네슘, 칼슘, 리튬, 크롬, 탄탈륨, 몰리브데늄, 스칸듐, 네오디뮴, 이리듐, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 예비 희생 금속 패턴(401)은 이후 설명될 하부 전극을 패터닝하기 위해 사용되는 식각액(예를 들어, 예비 하부 전극을 선택적으로 식각하여 하부 전극을 형성하는 과정에서 사용되는 식각액)에 의해 식각될 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 예비 희생 금속 패턴(401)은 몰리브데늄으로 구성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 예비 희생 금속 패턴(401)은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
도 8을 참조하면, 제1 베리어층(112) 상에 제2 유기 필름층(113)이 형성될 수 있다. 제2 유기 필름층(113)은 제1 베리어층(112) 상에 전체적으로 형성될 수 있고, 폴리이미드 같은 가요성을 갖는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 유기 필름층(113)은 제1 베리어층(112) 상의 주변 영역(30)에서 예비 희생 금속 패턴(401)을 충분히 덮을 수 있으며, 예비 희생 금속 패턴(401)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 제2 유기 필름층(113)은 제1 베리어층(112) 상의 주변 영역(30)에서 예비 희생 금속 패턴(401)을 덮으며, 균일한 두께로 예비 희생 금속 패턴(401)의 프로파일을 따라 형성될 수도 있다.
제2 유기 필름층(113) 상에 제2 베리어층(114)이 전체적으로 형성될 수 있다. 제2 베리어층(114)은 제2 유기 필름층(113)을 통해 침투하는 수분을 차단할 수 있다. 제2 베리어층(114)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물 등과 같은 가요성을 갖는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
이에 따라, 제1 유기 필름층(111), 제1 베리어층(112), 제2 유기 필름층(113) 및 제2 베리어층(114)을 포함하는 기판(110)이 형성될 수 있다.
기판(110)이 얇고 연성을 갖기 때문에, 상부 구조물(예를 들어, 반도체 소자 및 발광 구조물 등)의 형성을 지원하기 위해 경질의 유리 기판(105) 상에 기판(110)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 기판(110) 상에 상기 상부 구조물을 형성한 후, 유리 기판(105)은 제거될 수 있다. 다시 말하면, 제1 유기 필름층(111), 제1 베리어층(112), 제2 유기 필름층(113) 및 제2 베리어층(114)의 플렉서블한 물성 때문에, 제1 유기 필름층(111), 제1 베리어층(112), 제2 유기 필름층(113) 및 제2 베리어층(114) 상에 상기 상부 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 유리 기판(105)을 이용하여 상기 상부 구조물을 형성한 다음, 유리 기판(105)을 제거함으로써, 제1 유기 필름층(111), 제1 베리어층(112), 제2 유기 필름층(113) 및 제2 베리어층(114)이 기판(110)으로 이용될 수 있다.
기판(110) 상에 버퍼층(미도시)이 형성될 수도 있다. 상기 버퍼층은 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층은 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 기판(110)의 유형에 따라 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 형성되지 않을 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층은 유기 물질 또는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
기판(110) 상의 표시 영역(10)에 액티브층(130) 형성될 수 있다. 액티브층(130)은 산화물 반도체, 무기물 반도체 또는 유기물 반도체 등을 사용하여 형성될 수 있다. 액티브층(130)은 소스 및 드레인 영역들을 가질 수 있다.
액티브층(130) 상에는 게이트 절연층(150)이 형성될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)에서 액티브층(130)을 덮을 수 있으며, 게이트 절연층(150) 상에서 표시 영역(10)으로부터 개구 영역(20)으로의 방향인 제1 방향(D1)으로 연장할 수 있다. 즉, 게이트 절연층(150)은 기판(110) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 기판(110) 상에서 액티브층(130)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(130)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(150)은 기판(110) 상에서 액티브층(130)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(130)의 프로파일을 따라 형성될 수도 있다. 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(150)은 복수의 절연층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 절연층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 절연 물질을 포함할 수 있다.
게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에 게이트 전극(170)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 게이트 전극(170)은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 포함할 수 있다.
게이트 전극(170) 상에는 층간 절연층(190)이 형성될 수 있다. 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에서 게이트 전극(170)을 덮을 수 있으며, 게이트 절연층(150) 상에서 제1 방향(D1)으로 연장할 수 있다. 즉, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 게이트 전극(170)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(170)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 게이트 전극(170)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(170)의 프로파일을 따라 형성될 수도 있다. 층간 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(190)은 복수의 절연층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 절연층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 절연 물질을 포함할 수 있다.
도 9를 참조하면, 표시 영역(10)에 있어서, 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제1 부분을 제거하여 액티브층(130)의 상기 소스 영역을 노출시키는 제1 콘택홀(212)이 형성될 수 있고, 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제2 부분을 제거하여 액티브층(130)의 상기 드레인 영역을 노출시키는 제2 콘택홀(232)이 형성될 수 있다. 또한, 주변 영역(30)에 있어서, 층간 절연층(190), 게이트 절연층(150), 제2 베리어층(114) 및 제2 유기 필름층(113)의 제1 부분을 제거하여 예비 희생 금속 패턴(401)의 제3 부분을 노출시키는 제3 콘택홀(222)이 형성될 수 있고, 층간 절연층(190), 게이트 절연층(150), 제2 베리어층(114) 및 제2 유기 필름층(113)의 제2 부분을 제거하여 예비 희생 금속 패턴(401)의 제4 부분을 노출시키는 제4 콘택홀(242)이 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 콘택홀(212), 제2 콘택홀(232), 제3 콘택홀(222) 및 제4 콘택홀(242)은 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(190) 상에 패턴된 포토레지스트(예를 들어, 높이가 서로 다른 포토레지스트)를 형성한 후, 식각 공정을 수행하여 제1 콘택홀(212), 제2 콘택홀(232), 제3 콘택홀(222) 및 제4 콘택홀(242)이 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 이와는 달리, 제1 콘택홀(212) 및 제2 콘택홀(232)을 형성하는 공정에서 상기 제3 및 제4 부분들에서 층간 절연층(190) 및 게이트 절연층(150)을 제거한 후, 추가적인 식각 공정을 수행하여 상기 제3 및 제4 부분들에서 제2 베리어층(114) 및 제2 유기 필름층(113)을 제거할 수 있고, 제3 콘택홀(222) 및 제4 콘택홀(242)이 동시에 형성될 수 있다.
제1 콘택홀(212), 제2 콘택홀(232), 제3 콘택홀(222) 및 제4 콘택홀(242)이 형성됨에 따라, 예비 희생 금속 패턴(401) 상에 제1 절연층 패턴(410), 제2 절연층 패턴(420), 제3 절연층 패턴(430)및 제4 절연층 패턴(440)이 정의될 수 있다. 여기서, 예비 희생 금속 패턴(401), 제1 절연층 패턴(410), 제2 절연층 패턴(420), 제3 절연층 패턴(430) 및 제4 절연층 패턴(440)을 제외했을 때, 제2 유기 필름층(113)에서 제3 콘택홀(222) 및 제4 콘택홀(242)을 통해 형성된 공간을 제1 개구(701)로 정의하고, 제2 베리어층(114)에서 제3 콘택홀(222) 및 제4 콘택홀(242)을 통해 형성된 공간을 제2 개구(702)로 정의하며, 게이트 절연층(150)에서 제3 콘택홀(222) 및 제4 콘택홀(242)을 통해 형성된 공간을 제3 개구(703)로 정의하고, 층간 절연층(190)에서 제3 콘택홀(222) 및 제4 콘택홀(242)을 통해 형성된 공간을 제4 개구(704)로 정의한다.
도 10을 참조하면, 제1 콘택홀(212)을 통해 액티브층(130)의 상기 소스 영역에 접속되도록 소스 전극(210)이 형성될 수 있고, 제2 콘택홀(232)을 통해 액티브층(130)의 상기 드레인 영역에 접속되도록 드레인 전극(230)이 형성될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 각각은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
이에 따라, 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 형성될 수 있다.
층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에 평탄화층(270)이 형성될 수 있다. 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에서 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 덮을 수 있고, 주변 영역(30)에는 형성되지 않을 수 있다. 즉, 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에만 형성될 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(270)은 표시 영역(10)에서 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 선택적으로, 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에서 균일한 두께로 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)의 프로파일을 따라 형성될 수도 있다. 평탄화층(270)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등과 같은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
하부 전극(290)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에 형성될 수 있다. 하부 전극(290)은 평탄화층(270)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 드레인 전극(230)에 접속될 수 있고, 하부 전극(290)은 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 하부 전극(290)은 인듐 주석 산화물, 은 및 인듐 주석 산화물이 순서대로 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들면, 하부 전극(290)을 형성하는 공정에 있어서, 기판(110) 상에 전체적으로 예비 전극층이 형성된 후, 상기 예비 전극층을 선택적으로 식각하여 하부 전극(290)이 형성될 수 있다. 이러한 식각 공정은 습식 식각 공정으로 진행될 수 있고, 상기 습식 식각 공정에서 사용되는 식각액은 인산, 아세트산 및 질산 등을 포함하는 혼합 용액일 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 식각액은 인질초산(phosphoric acetic nitric acid)으로 구성될 수 있다. 상기 식각액은 상기 예비 전극층을 식각함과 동시에 예비 희생 금속 패턴(401)의 일부(예를 들어, 예비 희생 금속 패턴(401)의 양측부)를 식각할 수 있다. 다시 말하면, 상기 식각액은 상기 예비 전극층과 예비 희생 금속 패턴(401)을 동시에 식각함으로써 하부 전극(290) 및 희생 금속 패턴(405)이 동시에 형성될 수 있다. 여기서, 제1 개구(701) 및 제2 개구(702)를 기판(110)의 그루브(930)로 정의한다.
상기 습식 식각 공정이 수행됨에 따라, 예비 희생 금속 패턴(401)의 폭보다 작은 제1 폭(W1)을 갖는 희생 금속 패턴(405)이 형성될 수 있고, 제1 폭(W1)보다 큰 제2 폭(W2)을 갖는 제1 절연층 패턴(410) 아래 희생 금속 패턴(405)이 형성됨으로써 언더컷 형상이 생성될 수 있다.
이에 따라, 희생 금속 패턴(405), 제1 절연층 패턴(410), 제2 절연층 패턴(420), 제3 절연층 패턴(430) 및 제4 절연층 패턴(440)을 포함하는 언더컷 구조물(400)이 형성될 수 있다.
그루브(930)(예를 들어, 제1 개구(701) 및 제2 개구(702)), 제3 개구(703), 제4 개구(704) 및 언더컷 구조물(400)은 개구 영역(20)으로부터 표시 영역(10)으로 침투하는 수분 및/또는 습기를 차단할 수 있는 차단 패턴으로 기능할 수 있다.
도 12를 참조하면, 화소 정의막(310)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에 형성될 수 있고, 주변 영역(30)에는 형성되지 않을 수 있다. 즉, 화소 정의막(310)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에만 형성될 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(310)은 하부 전극(290)의 양측부를 덮으며 하부 전극(290)의 상면의 일부를 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(310)은 화소 정의막(310)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
발광층(330)은 표시 영역(10)에서 화소 정의막(310) 및 하부 전극(290) 상에 형성되며 제1 방향(D1)으로 연장할 수 있고, 기판(110) 상의 주변 영역(30)에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광층(330)은 그루브(930)의 내부에 부분적으로 형성될 수 있고, 그루브(930)가 위치하는 부분에서 깊이 방향(예를 들어, 제2 베리어층(114)으로부터 제1 유기 필름층(111)으로의 방향)으로 언더컷 구조물(400)의해 이격될 수 있다. 즉, 발광층(330)은 주변 영역(30)에서 언더컷 구조물(400)에 의해 단락될 수 있다. 다시 말하면, 발광층(330)은 그루브(930), 제3 개구(703), 제4 개구(704) 및 언더컷 구조물(400)에 의해 주변 영역(30)에서 분리될 수 있다.
발광층(330)은 유기 발광층(EML), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광층(EML), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)이 주변 영역(30)에 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광층(EML)을 제외한 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)이 주변 영역(30)에 형성될 수도 있다.
발광층(330)의 유기 발광층(EML)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(330)의 유기 발광층(EML)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다. 이러한 경우, 하부 전극(290) 상에 배치된 발광층(330) 상에 컬러 필터가 형성될 수도 있다. 상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 컬러 필터는 황색 컬러 필터, 청남색 컬러 필터 및 자주색 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지 또는 컬러 포토레지스트를 사용하여 형성될 수 있다.
도 13을 참조하면, 상부 전극(340)은 표시 영역(10)의 발광층(330) 상에서 중첩하여 형성되며 제1 방향(D1)으로 연장할 수 있고, 발광층(330) 상의 주변 영역(30)에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(340)은 그루브(930)의 내부에 부분적으로 형성될 수 있고, 그루브(930)가 위치하는 부분에서 상기 깊이 방향으로 이격될 수 있다. 즉, 상부 전극(340)의 주변 영역(30)에서 언더컷 구조물(400)에 의해 단락될 수 있다. 다시 말하면, 상부 전극(340)은 그루브(930), 제3 개구(703), 제4 개구(704) 및 언더컷 구조물(400)에 의해 주변 영역(30)에서 분리될 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(340)은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
이에 따라, 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 발광 구조물(200)이 형성될 수 있다.
캡핑층(미도시)이 상부 전극(340) 상에 형성될 수도 있다. 상기 캡핑층은 표시 영역(10)의 상부 전극(340) 상에서 중첩하여 배치되며 제1 방향(D1)으로 연장할 수 있고, 상부 전극(340) 상의 주변 영역(30)에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 캡핑층은 그루브(930)의 내부에 부분적으로 형성될 수 있고, 그루브(930)가 위치하는 부분에서 상기 깊이 방향으로 이격될 수 있다. 즉, 상기 캡핑층은 주변 영역(30)에서 언더컷 구조물(400)에 의해 단락될 수 있다. 다시 말하면, 상기 캡핑층은 그루브(930), 제3 개구(703), 제4 개구(704) 및 언더컷 구조물(400)에 의해 주변 영역(30)에서 분리될 수 있다. 상기 캡핑층은 발광 구조물(200)을 보호할 수 있고, 트리아민 유도체, 아릴렌디아민 유도체, 4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐, 트리스-8-히드록시퀴놀린 알루미늄 등과 같은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 14를 참조하면, 상부 전극(340) 상의 표시 영역(10) 및 주변 영역(30)에 제1 박막 봉지층(451)이 형성될 수 있다. 제1 박막 봉지층(451)은 표시 영역(10)에서 상부 전극(340)을 덮으며 균일한 두께로 상부 전극(340)의 프로 파일을 따라 형성될 수 있고, 주변 영역(30)으로 연장될 수 있다. 주변 영역(30)에서 제1 박막 봉지층(451)은 상부 전극(340)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 다시 말하면, 제1 박막 봉지층(451)은 그루브(930)가 형성된 부분에서 연속적으로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 박막 봉지층(451)은 그루브(930) 및 언더컷 구조물(400)을 완전히 커버할 수 있다. 다시 말하면, 제1 박막 봉지층(451)은 희생 금속 패턴(405)의 양측부와 직접적으로 접촉할 수 있다. 제1 박막 봉지층(451)은 발광 구조물(200)이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 박막 봉지층(451)은 외부의 충격으로부터 발광 구조물(200)을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제1 박막 봉지층(451)은 가요성을 갖는 무기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 박막 봉지층(451) 상의 표시 영역(10)에 제2 박막 봉지층(452)이 형성될 수 있고, 주변 영역(30)에는 제2 박막 봉지층(452)이 형성되지 않을 수 있다. 즉, 제2 박막 봉지층(452)은 표시 영역(10)에만 형성될 수 있다. 선택적으로, 제2 박막 봉지층(452)이 주변 영역(30)의 일부에 형성될 수도 있다. 제2 박막 봉지층(452)은 유기 발광 표시 장치(100)의 평탄도를 향상시킬 수 있으며, 발광 구조물(200)을 보호할 수 있다. 제2 박막 봉지층(452)은 가요성을 갖는 유기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다.
도 15를 참조하면, 제2 박막 봉지층(452) 상의 표시 영역(10) 및 제1 박막 봉지층(451) 상의 주변 영역(30)에 제3 박막 봉지층(453)이 형성될 수 있다. 제3 박막 봉지층(453)은 표시 영역(10)에서 제2 박막 봉지층(452)을 덮으며 균일한 두께로 제2 박막 봉지층(452)의 프로 파일을 따라 형성될 수 있고, 주변 영역(30)으로 연장될 수 있다. 주변 영역(30)에서 제3 박막 봉지층(453)은 균일한 두께로 제1 박막 봉지층(451)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 다시 말하면, 제3 박막 봉지층(453)은 그루브(930)가 형성된 부분에서 연속적으로 형성될 수 있다. 제3 박막 봉지층(453)은 제1 박막 봉지층(451)과 함께 발광 구조물(200)이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제3 박막 봉지층(453)은 외부의 충격으로부터 제1 박막 봉지층(451) 및 제2 박막 봉지층(452)과 함께 발광 구조물(200)을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제3 박막 봉지층(453)은 가요성을 갖는 무기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다.
이에 따라, 제1 박막 봉지층(451), 제2 박막 봉지층(452) 및 제3 박막 봉지층(453)을 포함하는 박막 봉지 구조물(450)이 형성될 수 있다. 선택적으로, 박막 봉지 구조물(450)은 제1 내지 제5 박막 봉지층들로 적층된 5층 구조 또는 제1 내지 제7 박막 봉지층들로 적층된 7층 구조로 형성될 수도 있다.
박막 봉지 구조물(450)이 형성된 후, 제3 박막 봉지층(453) 상의 개구 영역(20)에 레이저가 조사될 수 있다. 선택적으로, 제3 박막 봉지층(453) 상의 개구 영역(20)을 노출시키기 위해 다른 식각 공정이 수행될 수도 있다.
도 16, 17 및 6을 참조하면, 상기 레이저 조사에 의해 개구 영역(20)에 개구(910)가 형성될 수 있고, 기능성 모듈(700)이 개구(910)에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 기능성 모듈(700)은 주변 영역(30)과 개구 영역(20)의 경계에서 기판(110)의 측면, 발광층(330)의 측면, 상부 전극(340)의 측면, 제1 박막 봉지층(451)의 측면 및 제3 박막 봉지층(453)의 측면과 접촉할 수 있다. 예를 들면, 기능성 모듈(700)은 카메라 모듈, 얼굴 인식 센서 모듈, 동공 인식 센서 모듈, 가속도 센서 모듈 및 지자기 센서 모듈, 근접 센서 모듈 및 적외선 센서 모듈, 조도 센서 모듈, 진동 모듈, 스피커 모듈 등을 포함할 수 있다. 기능성 모듈(700)이 형성된 후, 기판(110)으로부터 유리 기판(105)이 분리될 수 있다. 이에 따라, 도 6에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)가 제조될 수 있다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 7, 8 및 18을 참조하면, 게이트 절연층(150) 상에 층간 절연층(190)이 전체적으로 형성된 후, 표시 영역(10) 및 주변 영역(30)에 제1 콘택홀(1212), 제2 콘택홀(1232), 제3 콘택홀(1222) 및 제4 콘택홀(1242)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 도 18에 도시된 표시 영역(10)에 형성된 제1 콘택홀(1212) 및 제2 콘택홀(1232)은 도 9에 도시된 제1 콘택홀(212) 및 제2 콘택홀(232)과 실질적으로 동일할 수 있다. 반면, 도 9에 도시된 제3 콘택홀(222) 및 제4 콘택홀(242)과 비교했을 때, 도 18의 제3 콘택홀(1222) 및 제4 콘택홀(1242) 각각의 폭은 상대적으로 작을 수 있다. 다시 말하면, 도 9의 예비 희생 금속 패턴(401)의 양측부는 노출되지만, 도 18의 예비 희생 금속 패턴(402)의 양측부는 제2 베리어층(114)이 커버할 수 있다.
도 19를 참조하면, 하부 전극(290)을 형성하는 공정에 있어서, 기판(110) 상에 전체적으로 예비 전극층이 형성된 후, 상기 예비 전극층을 선택적으로 식각하여 하부 전극(290)이 형성될 수 있다. 이러한 식각 공정은 습식 식각 공정으로 진행될 수 있고, 상기 습식 식각 공정에서 사용되는 식각액은 인산, 아세트산 및 질산 등을 포함하는 혼합 용액일 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 식각액은 인질초산으로 구성될 수 있다. 상기 식각액은 상기 예비 전극층을 식각함과 동시에 예비 희생 금속 패턴(402)의 일부(예를 들어, 예비 희생 금속 패턴(402)의 양측부)를 식각할 수 있다. 다시 말하면, 상기 식각액은 상기 예비 전극층과 예비 희생 금속 패턴(401)을 동시에 식각함으로써 하부 전극(290) 및 희생 금속 패턴(405)이 동시에 형성될 수 있다. 여기서, 제1 개구(701) 및 제2 개구(702)를 기판(110)의 그루브(930)로 정의한다. 예비 희생 금속 패턴(402)의 일부가 제2 베리어층(114)의 일부와 중첩하여 형성됨에 따라 제2 베리어층(114)은 하부가 확장된 형상을 가질 수 있다. 즉, 그루브(930)는 하부가 확장된 언더컷 형상을 가질 수 있다.
도 20은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 20에 예시한 유기 발광 표시 장치(500)는 언더컷 구조물(1400)을 제외하면 도 1 내지 6을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 20에 있어서, 도 1 내지 6을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 20을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(500)는 기판(110), 언더컷 구조물(1400), 제1 배선(510), 제2 배선(520), 제3 배선(530), 반도체 소자(250), 제1 서브 언더컷 구조물(515), 제2 서브 언더컷 구조물(525), 평탄화층(270), 발광 구조물(200), 화소 정의막(310), 박막 봉지 구조물(450), 기능성 모듈(700) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(110)은 제1 유기 필름층(111), 제1 베리어층(112), 제2 유기 필름층(113) 및 제2 베리어층(114)을 포함할 수 있다. 또한, 언더컷 구조물(1400)은 제1 희생 금속 패턴(405), 제1 절연층 패턴(410), 제2 절연층 패턴(420), 제3 절연층 패턴(430), 제2 희생 금속 패턴(415), 제4 절연층 패턴(440), 제5 절연층 패턴(460)을 포함할 수 있고, 제1 서브 언더컷 구조물(515)은 제1 서브 희생 금속 패턴(461) 및 제1 서브 절연층 패턴(411)을 포함할 수 있으며, 제2 서브 언더컷 구조물(525)은 제2 서브 희생 금속 패턴(462) 및 제2 서브 절연층 패턴(412)을 포함할 수 있다. 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 제1 게이트 전극(170), 제2 게이트 전극(175), 제1 층간 절연층(190), 제2 층간 절연층(195), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있다. 더욱이, 발광 구조물(200)은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있고, 박막 봉지 구조물(450)은 제1 박막 봉지층(451), 제2 박막 봉지층(452) 및 제3 박막 봉지층(453)을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 기판(110)은 주변 영역(30)에 형성된 그루브(930)를 더 포함할 수 있고, 그루브(930)의 내부에 언더컷 구조물(1400)이 그루브(930)의 내측벽으로부터 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 그루브(930)의 내부에서 발광층(330) 및 상부 전극(340) 각각이 언더컷 구조물(1400)에 의해 이격될 수 있다. 다시 말하면, 발광층(330) 및 상부 전극(340) 각각이 그루브(930) 내부에서 언더컷 구조물(1400)에 의해 단락될 수 있다. 또한, 그루브(930)의 외부(예를 들어, 제1 층간 절연층(190) 상면)에서 제1 서브 언더컷 구조물(515) 및 제2 서브 언더컷 구조물(525)이 배치됨으로써 발광층(330) 및 상부 전극(340) 각각이 단락될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(500)는 그루브(930)의 내부 및 외부에서 언더컷 구조물(1400) 및 제1 및 제2 서브 언더컷 구조물들(515, 525)에 의해 단락된 발광층(330) 및 단락된 상부 전극(340)을 포함함으로써 수분, 습기 등이 반도체 소자(250)및 발광 구조물(200)로 침투하는 것을 차단할 수 있다. 더욱이, 기판(110)은 개구 영역(20)에 형성된 개구(910)를 더 포함할 수 있고, 개구(910)에 기능성 모듈(700)이 배치될 수 있다.
게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에 제1 게이트 전극(170)이 배치될 수 있다. 제1 게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 제1 게이트 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예를 들면, 제1 게이트 전극(170)은 몰리브데늄으로 구성될 수 있다. 선택적으로, 제1 게이트 전극(170)은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 포함할 수 있다.
제1 게이트 전극(170) 상에는 제1 층간 절연층(190)이 배치될 수 있다. 제1 층간 절연층(190)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)에서 제1 게이트 전극(170)을 덮을 수 있으며, 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있고, 기판(110) 상의 주변 영역(30)에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 층간 절연층(190)은 주변 영역(30)에서 제3 개구(703)와 중첩하여 위치하는 제4 개구(704)를 가질 수 있다. 즉, 제1 층간 절연층(190)은 제4 개구(704)를 통해 주변 영역(30)에 위치하는 제1 베리어층(112)의 상면을 노출시킬 수 있다. 예를 들면, 제1 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에서 제1 게이트 전극(170)을 충분히 덮을 수 있으며, 제1 게이트 전극(170)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 제1 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에서 제1 게이트 전극(170)을 덮으며, 균일한 두께로 제1 게이트 전극(170)의 프로파일을 따라 배치될 수도 있다. 제1 층간 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(190)은 복수의 절연층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 절연층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
제1 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에 제2 게이트 전극(175)이 배치될 수 있다. 제2 게이트 전극(175)은 제1 층간 절연층(190) 중에서 하부에 제1 게이트 전극(170)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 제2 게이트 전극(175)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예를 들면, 제2 게이트 전극(175)은 몰리브데늄으로 구성될 수 있다. 선택적으로, 제2 게이트 전극(175)은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 포함할 수 있다.
제2 게이트 전극(175) 상에는 제2 층간 절연층(195)이 배치될 수 있다. 제2 층간 절연층(195)은 기판(110) 상의 표시 영역(10)에서 제2 게이트 전극(175)을 덮을 수 있으며, 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있고, 기판(110) 상의 주변 영역(30)에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 층간 절연층(195)은 주변 영역(30)에서 제4 개구(704)와 중첩하여 위치하는 제5 개구를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제5 개구의 폭은 제4 개구(704)의 폭보다 클 수 있고, 상기 제5 개구를 통해 주변 영역(30)에 위치하는 제1 층간 절연층(190)의 상면의 일부 및 제1 베리어층(112)의 상면의 일부가 노출될 수 있다. 예를 들면, 제2 층간 절연층(195)은 제1 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에서 제2 게이트 전극(175)을 충분히 덮을 수 있으며, 제2 게이트 전극(175)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 제2 층간 절연층(195)은 제1 층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에서 제2 게이트 전극(175)을 덮으며, 균일한 두께로 제2 게이트 전극(175)의 프로파일을 따라 배치될 수도 있다. 제2 층간 절연층(195)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 제2 층간 절연층(195)은 복수의 절연층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 절연층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
제2 층간 절연층(195) 상의 표시 영역(10)에 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 배치될 수 있다. 소스 전극(210)은 게이트 절연층(150), 제1 층간 절연층(190) 및 제2 층간 절연층(195)의 제1 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 액티브층(130)의 소스 영역에 접속될 수 있고, 드레인 전극(230)은 게이트 절연층(150), 제1 층간 절연층(190) 및 제2 층간 절연층(195)의 제2 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 액티브층(130)의 드레인 영역에 접속될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 각각은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
이에 따라, 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 제1 게이트 전극(170), 제1 층간 절연층(190), 제2 게이트 전극(175), 제2 층간 절연층(195), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 기판(110)과 발광 구조물(200) 사이에 배치될 수 있다.
기판(110)의 그루브(930)의 내부에 제1 희생 금속 패턴(405)이 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제1 베리어층(112)의 상면에 제1 희생 금속 패턴(405)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 희생 금속 패턴(405)은 제1 폭(W1)을 가질 수 있고, 그루브(930)의 내측벽으로부터 이격될 수 있다. 또한, 그루브(930)(또는 주변 영역(30))에 배치되는 발광층(330) 및 상부 전극(340)과 이격될 수 있다. 즉, 제1 희생 금속 패턴(405)은 발광층(330) 및 상부 전극(340)과 직접적으로 접촉하지 않을 수 있다. 제1 희생 금속 패턴(405)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 희생 금속 패턴(405)은 하부 전극(290)을 패터닝하기 위해 사용되는 식각액에 의해 식각될 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 희생 금속 패턴(405)은 몰리브데늄으로 구성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 희생 금속 패턴(405)은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
제1 희생 금속 패턴(405) 상에 제1 절연층 패턴(410)이 배치될 수 있다. 제1 절연층 패턴(410)은 그루브(930)의 내부에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 절연층 패턴(410)은 제1 폭(W1)보다 큰 제2 폭(W2)을 가질 수 있고, 그루브(930)의 내측벽으로부터 이격될 수 있다. 또한, 제1 절연층 패턴(410)은 제2 유기 필름층(113)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 제1 절연층 패턴(410)은 가요성을 갖는 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 절연층 패턴(410)은 랜덤 공중합체 또는 블록 공중합체를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 절연층 패턴(410)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
제1 절연층 패턴(410)상에 제2 절연층 패턴(420)이 배치될 수 있다. 제2 절연층 패턴(420)은 그루브(930)의 내부에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 절연층 패턴(420)의 폭은 제1 폭(W1)보다 클 수 있고, 그루브(930)의 내측벽으로부터 이격될 수 있다. 또한, 제2 절연층 패턴(420)은 제2 베리어층(114)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 선택적으로, 제2 절연층 패턴(420)의 폭이 제1 폭(W1)보다 같거나 작을 수도 있다. 제2 절연층 패턴(420)은 가요성을 갖는 무기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 절연층 패턴(420)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물 등을 포함할 수 있다.
제2 절연층 패턴(420) 상에 제3 절연층 패턴(430)이 배치될 수 있다. 제3 절연층 패턴(430)은 제3 개구(703)의 내부에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제3 절연층 패턴(430)의 폭은 제1 폭(W1)보다 클 수 있고, 제3 개구(703)의 내측벽으로부터 이격될 수 있다. 또한, 제3 절연층 패턴(430)은 게이트 절연층(150)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 선택적으로, 제3 절연층 패턴(430)의 폭이 제1 폭(W1)보다 같거나 작을 수도 있다. 제3 절연층 패턴(430)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
제1 층간 절연층(190)의 제4 개구(704)의 내부에 제2 희생 금속 패턴(415)이 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제3 절연층 패턴(430)의 상면에 제2 희생 금속 패턴(415)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 희생 금속 패턴(415)의 폭은 제1 폭(W1)보다 작을 수 있고, 제4 개구(704)의 내측벽으로부터 이격될 수 있다. 또한, 그루브(930)(또는 주변 영역(30))에 배치되는 발광층(330) 및 상부 전극(340)과 이격될 수 있다. 즉, 제2 희생 금속 패턴(415)은 발광층(330) 및 상부 전극(340)과 직접적으로 접촉하지 않을 수 있다. 제2 희생 금속 패턴(415)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 희생 금속 패턴(415)은 하부 전극(290)을 패터닝하기 위해 사용되는 식각액에 의해 식각될 수 있는 물질을 포함할 수 있고, 제1 게이트 전극(170)과 동일한 층에서 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 희생 금속 패턴(405)은 몰리브데늄으로 구성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 희생 금속 패턴(415)은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
제2 희생 금속 패턴(415) 상에 제4 절연층 패턴(440)이 배치될 수 있다. 제4 절연층 패턴(440)은 제4 개구(704)의 내부에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제4 절연층 패턴(440)의 폭은 제2 희생 금속 패턴(415)의 폭보다 클 수 있고, 제4 개구(704)의 내측벽으로부터 이격될 수 있다. 또한, 제4 절연층 패턴(440)은 제1 층간 절연층(190)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 제4 절연층 패턴(440)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
제4 절연층 패턴(440) 상에 제5 절연층 패턴(460)이 배치될 수 있다. 제5 절연층 패턴(460)은 상기 제5 개구의 내부에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제5 절연층 패턴(460)의 폭은 제2 희생 금속 패턴(415)의 폭보다 클 수 있고, 상기 제5 개구의 내측벽으로부터 이격될 수 있다. 또한, 제5 절연층 패턴(460)은 제2 층간 절연층(195)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 제5 절연층 패턴(460)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
이에 따라, 제1 희생 금속 패턴(405), 제2 희생 금속 패턴(415), 제1 절연층 패턴(410), 제2 절연층 패턴(420), 제3 절연층 패턴(430), 제4 절연층 패턴(440) 및 제5 절연층 패턴(460)을 포함하는 언더컷 구조물(1400)이 배치될 수 있다.
제2 층간 절연층(195)의 상기 제5 개구에 의해 노출된 주변 영역(30)에 위치하는 제1 층간 절연층(190)의 상면에 제1 서브 언더컷 구조물(515) 및 제2 서브 언더컷 구조물(525)이 배치될 수 있다. 다시 말하면, 언더컷 구조물(1400)의 양측부와 이격하여 제1 서브 언더컷 구조물(515) 및 제2 서브 언더컷 구조물(525)이 위치할 수 있다.
예를 들면, 언더컷 구조물(1400)의 좌측에 제1 서브 언더컷 구조물(515)이 배치될 수 있다. 상기 제5 개구에 의해 노출된 제1 층간 절연층(190)의 상기 상면 상에 제1 서브 희생 금속 패턴(461)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 서브 희생 금속 패턴(461)의 폭은 제1 서브 절연층 패턴(411)의 폭보다 작을 수 있다. 제1 서브 희생 금속 패턴(461)은 주변 영역(30)에 배치된 발광층(330) 및 상부 전극(340)과 접촉하지 않을 수 있고, 제1 서브 희생 금속 패턴(461)의 양측부는 제1 박막 봉지층(451)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 제1 서브 희생 금속 패턴(461)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 서브 희생 금속 패턴(461)은 하부 전극(290)을 패터닝하기 위해 사용되는 식각액에 의해 식각될 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 서브 희생 금속 패턴(461)은 제2 게이트 전극(175)과 동일한 층에서 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있고, 몰리브데늄으로 구성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 서브 희생 금속 패턴(461)은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
제1 서브 희생 금속 패턴(461) 상에 제1 서브 절연층 패턴(411)이 배치될 수 있다. 제1 서브 절연층 패턴(411)은 상기 제5 개구의 내부에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 서브 절연층 패턴(411)의 폭은 제1 서브 희생 금속 패턴(461)의 폭보다 클 수 있고, 상기 제5 개구의 내측벽으로부터 이격될 수 있다. 또한, 제1 서브 절연층 패턴(411)은 제2 층간 절연층(195)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 제1 서브 절연층 패턴(411)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
또한, 언더컷 구조물(1400)의 우측에 제2 서브 언더컷 구조물(525)이 배치될 수 있다. 상기 제5 개구에 의해 노출된 제1 층간 절연층(190)의 상기 상면 상에 제2 서브 희생 금속 패턴(462)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 서브 희생 금속 패턴(462)의 폭은 제2 서브 절연층 패턴(412)의 폭보다 작을 수 있다. 제2 서브 희생 금속 패턴(462)은 주변 영역(30)에 배치된 발광층(330) 및 상부 전극(340)과 접촉하지 않을 수 있고, 제2 서브 희생 금속 패턴(462)의 양측부는 제1 박막 봉지층(451)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 제2 서브 희생 금속 패턴(462)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 서브 희생 금속 패턴(462)은 하부 전극(290)을 패터닝하기 위해 사용되는 식각액에 의해 식각될 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 서브 희생 금속 패턴(462)은 제2 게이트 전극(175)과 동일한 층에서 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있고, 몰리브데늄으로 구성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 서브 희생 금속 패턴(462)은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
제2 서브 희생 금속 패턴(462) 상에 제2 서브 절연층 패턴(412)이 배치될 수 있다. 제2 서브 절연층 패턴(412)은 상기 제5 개구의 내부에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 서브 절연층 패턴(412)의 폭은 제2 서브 희생 금속 패턴(462)의 폭보다 클 수 있고, 상기 제5 개구의 내측벽으로부터 이격될 수 있다. 또한, 제2 서브 절연층 패턴(412)은 제2 층간 절연층(195)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 제2 서브 절연층 패턴(412)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 언더컷 구조물(1400)을 기준으로 제1 서브 언더컷 구조물(515)과 제2 서브 언더컷 구조물(525)은 대칭일 수 있다.
제1 배선(510)이 제2 유기 필름층(113) 상의 주변 영역(30)에 배치될 수 있다. 제1 배선(510)은 제1 희생 금속 패턴(405)과 이격되어 위치할 수 있고, 동일한 층에서 제1 희생 금속 패턴(405)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
제2 배선(520)이 게이트 절연층(150) 상의 주변 영역(30)에 배치될 수 있다. 제2 배선(520)은 제2 희생 금속 패턴(415)과 이격되어 위치할 수 있고, 동일한 층에서 제1 게이트 전극(170) 및 제2 희생 금속 패턴(415)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
제3 배선(530)이 제1 층간 절연층(190) 상의 주변 영역(30)에 배치될 수 있다. 제3 배선(530)은 제1 서브 희생 금속 패턴(461)과 이격되어 위치할 수 있고, 동일한 층에서 제2 게이트 전극(175) 및 제1 서브 희생 금속 패턴(461)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
제1 내지 제3 배선들(510, 520, 530)은 데이터 신호 배선, 게이트 신호 배선, 발광 제어 신호 배선, 게이트 초기화 신호 배선, 초기화 전압 배선, 전원 전압 배선 등을 포함할 수 있고, 데이터 신호, 게이트 신호, 발광 제어 신호, 게이트 초기화 신호, 초기화 전압, 전원 전압을 반도체 소자(250) 및/또는 발광 구조물(200)에 전달할 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 배선(510), 제2 배선(520) 및 제3 배선(530)이 언더컷 구조물(1400)과 기능성 모듈(700) 사이에 배치될 수도 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(500)가 주변 영역(30)에서 언더컷 구조물(1400), 제1 서브 언더컷 구조물(515) 및 제2 서브 언더컷 구조물(525)을 포함함으로써, 유기 발광 표시 장치(500)는 주변 영역(30)으로부터 표시 영역(10)으로 수분, 습기 등이 반도체 소자(250) 및 발광 구조물(300)로 침투하는 것을 용이하게 차단할 수 있다.
또한, 유기 발광 표시 장치(500)가 주변 영역(30)에 배치된 제1 내지 제3 배선들(510, 520, 530)을 포함함으로써 표시 영역(10)의 외곽(예를 들어, 비표시 영역)에 배치되는 신호 및 전압 배선의 개수를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(500)는 표시 영역(10)의 외곽의 폭(예를 들어, 데드 스페이스)을 감소시킬 수 있다.
도 21은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 21에 예시한 유기 발광 표시 장치(600)는 언더컷 구조물(1400)의 형상 및 차광 패턴(610)을 제외하면 도 20을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(500)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 21에 있어서, 도 20을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 21을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(600)는 기판(110), 언더컷 구조물(1400), 차광 패턴(610), 제1 배선(510), 제2 배선(520), 제3 배선(530), 반도체 소자(250), 제1 서브 언더컷 구조물(515), 제2 서브 언더컷 구조물(525), 평탄화층(270), 발광 구조물(200), 화소 정의막(310), 박막 봉지 구조물(450), 기능성 모듈(700) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(110)은 제1 유기 필름층(111), 제1 베리어층(112), 제2 유기 필름층(113) 및 제2 베리어층(114)을 포함할 수 있다. 또한, 언더컷 구조물(1400)은 제1 희생 금속 패턴(405), 제1 절연층 패턴(410), 제2 절연층 패턴(420), 제3 절연층 패턴(430), 제2 희생 금속 패턴(415), 제4 절연층 패턴(440), 제5 절연층 패턴(460)을 포함할 수 있고, 제1 서브 언더컷 구조물(515)은 제1 서브 희생 금속 패턴(461) 및 제1 서브 절연층 패턴(411)을 포함할 수 있으며, 제2 서브 언더컷 구조물(525)은 제2 서브 희생 금속 패턴(462) 및 제2 서브 절연층 패턴(412)을 포함할 수 있다.
도 20의 언더컷 구조물(1400)과 비교했을 때, 도 21의 언더컷 구조물(1400)의 제2 희생 금속 패턴(415), 제4 절연층 패턴(440) 및 제5 절연층 패턴(460) 각각의 폭이 상대적으로 작게 배치될 수도 있다. 이러한 경우, 제3 절연층 패턴(430)과 제4 절연층 패턴(440)의 단차가 상대적으로 증가될 수 있고, 주변 영역(30)에 배치되는 발광층(330) 및 상부 전극(340)이 더 용이하게 단락될 수 있다.
차광 패턴(610)이 제1 베리어층(112) 상의 표시 영역(10)에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 차광 패턴(610)이 반도체 소자(250)와 중첩하여 액티브층(130) 아래에 배치될 수 있다.
차광 패턴(610)에는 기설정된 전압이 인가될 수 있다. 차광 패턴(610)에 상기 전압이 인가됨으로써 기판(110)에 포함된 전하들이 반도체 소자(250)의 구동을 방해하는 것을 차광 패턴(610)이 상대적으로 감소시킬 수 있다. 선택적으로, 차광 패턴(610)이 유기 발광 표시 장치(600)의 외곽에서 접지(ground)될 수도 있다. 이러한 경우, 기판(110)에 포함된 전하들이 차광 패턴(610)을 통해 외부로 빠져나갈 수 있다. 즉, 차광 패턴(610)이 접지됨으로써 기판(110)에 포함된 전하들이 반도체 소자(250)의 구동을 방해하는 것을 차광 패턴(610)이 상대적으로 감소시킬 수 있다. 또한, 차광 패턴(610)은 반도체 소자(250)의 백게이트에 해당될 수도 있다. 더욱이, 차광 패턴(610)은 외부로부터 입사하는 외광을 차단하는 차광 패턴으로 기능할 수도 있다. 차광 패턴(610)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 차광 패턴(610)은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 포함할 수도 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 차광 패턴(610), 제1 배선(510) 및 제1 희생 금속 패턴(405)은 동일한 층에서 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
도 22는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 22에 예시한 유기 발광 표시 장치(800)는 제1 배선(510) 및 제2 배선(520)을 제외하면 도 1 내지 6을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 22에 있어서, 도 1 내지 6을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 22를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(800)는 기판(110), 언더컷 구조물(400), 제1 배선(510), 제2 배선(520), 반도체 소자(250), 평탄화층(270), 발광 구조물(200), 화소 정의막(310), 박막 봉지 구조물(450), 기능성 모듈(700) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(110)은 제1 유기 필름층(111), 제1 베리어층(112), 제2 유기 필름층(113) 및 제2 베리어층(114)을 포함할 수 있다. 또한, 언더컷 구조물(400)은 희생 금속 패턴(405), 제1 절연층 패턴(410), 제2 절연층 패턴(420), 제3 절연층 패턴(430) 및 제4 절연층 패턴(440)을 포함할 수 있다.
제1 배선(510)이 제2 유기 필름층(113) 상의 주변 영역(30)에 배치될 수 있다. 제1 배선(510)은 희생 금속 패턴(405)과 이격되어 위치할 수 있고, 동일한 층에서 희생 금속 패턴(405)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
제2 배선(520)이 게이트 절연층(150) 상의 주변 영역(30)에 배치될 수 있다. 제2 배선(520)은 동일한 층에서 제1 게이트 전극(170)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
제1 및 제2 배선들(510, 520)은 데이터 신호 배선, 게이트 신호 배선, 발광 제어 신호 배선, 게이트 초기화 신호 배선, 초기화 전압 배선, 전원 전압 배선 등을 포함할 수 있고, 데이터 신호, 게이트 신호, 발광 제어 신호, 게이트 초기화 신호, 초기화 전압, 전원 전압을 반도체 소자(250) 및/또는 발광 구조물(200)에 전달할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(800)가 주변 영역(30)에 배치된 제1 및 제2 배선들(510, 520)을 포함함으로써 표시 영역(10)의 외곽(예를 들어, 비표시 영역)에 배치되는 신호 및 전압 배선의 개수를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(800)는 데드 스페이스를 감소시킬 수 있다.
도 23은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이고, 도 24는 도 23의 유기 발광 표시 장치에 포함된 터치 스크린 구조물을 설명하기 위한 평면도이다. 도 23에 예시한 유기 발광 표시 장치(900)는 터치 스크린 구조물(380) 및 광차단 구조물(880)을 제외하면 도 1 내지 6을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 23에 있어서, 도 1 내지 6을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 23 및 24를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(900)는 기판(110), 언더컷 구조물(400), 반도체 소자(250), 평탄화층(270), 발광 구조물(200), 화소 정의막(310), 박막 봉지 구조물(450), 터치 스크린 구조물(380), 광차단 구조물(880), 기능성 모듈(700) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(110)은 제1 유기 필름층(111), 제1 베리어층(112), 제2 유기 필름층(113) 및 제2 베리어층(114)을 포함할 수 있다. 또한, 언더컷 구조물(400)은 희생 금속 패턴(405), 제1 절연층 패턴(410), 제2 절연층 패턴(420), 제3 절연층 패턴(430) 및 제4 절연층 패턴(440)을 포함할 수 있고, 터치 스크린 구조물(380)은 복수의 제1 터치 스크린 전극들(382), 복수의 제2 터치 스크린 전극들(384), 복수의 터치 스크린 연결 전극들(386), 제1 절연층(395) 및 제2 절연층(398)을 포함할 수 있다. 더욱이, 광차단 구조물(880)은 제1 광차단 패턴(810), 제2 광차단 패턴(820), 제3 광차단 패턴(830), 제4 광차단 패턴(840) 및 제5 광차단 패턴(850)을 포함할 수 있고, 박막 봉지 구조물(450)은 제1 박막 봉지층(451), 제2 박막 봉지층(452) 및 제3 박막 봉지층(453)을 포함할 수 있다.
제3 박막 봉지층(453) 상의 표시 영역(10)에 제1 터치 스크린 전극들(382) 및 제2 터치 스크린 전극들(384)이 배치될 수 있다. 도 24에 도시된 바와 같이, 제1 터치 스크린 전극들(382) 각각은 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있고, 제1 방향(D1)으로 서로 이격하여 배치될 수 있다. 제2 터치 스크린 전극들(384)은 제1 터치 스크린 전극들(382) 중 인접한 두 개의 제1 터치 스크린 전극들(382) 사이에서 제2 방향(D2)으로 서로 이격하여 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 터치 스크린 전극들(382, 384) 각각은 탄소 나노 튜브(carbon nano tube CNT), 투명 도전 산화물(transparent conductive oxide), 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide ITO), 인듐 갈륨 아연 산화물(indium gallium zinc oxide IGZO), 아연 산화물(zinc oxide ZnO), 그래핀(graphene), 은 나노와이어(Ag nanowire AgNW), 구리(Cu), 크롬(Cr) 등을 포함할 수 있다.
제3 박막 봉지층(453), 제1 터치 스크린 전극들(382) 및 제2 터치 스크린 전극들(384) 상의 표시 영역(10)에 제1 절연층(395)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(395)은 표시 영역(10)에서 제1 및 제2 터치 스크린 전극들(382, 384)을 덮으며 균일한 두께로 제1 및 제2 터치 스크린 전극들(382, 384)의 프로 파일을 따라 배치될 수 있고, 주변 영역(30)으로 연장될 수 있다. 주변 영역(30)에서 제1 절연층(395)은 제3 박막 봉지층(453)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 제1 절연층(395)은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 선택적으로, 제1 절연층(395)은 복수의 절연층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들면, 상기 절연층들은 두께가 서로 다르거나 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
제1 절연층(395) 상의 표시 영역(10)에 터치 스크린 연결 전극들(386)이 배치될 수 있다. 도 24에 도시된 바와 같이, 터치 스크린 연결 전극들(386)은 제2 터치 스크린 전극들(384) 중 제1 방향(D1)으로 인접한 두 개의 제2 터치 스크린 전극들(384)을 콘택홀을 통해 전기적으로 연결시킬 수 있다. 예를 들면, 터치 스크린 연결 전극들(386) 및 제1 및 제2 터치 스크린 전극들(382, 384)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 선택적으로, 터치 스크린 연결 전극들(386)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수도 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 절연층(395) 및 터치 스크린 연결 전극들(386) 상의 표시 영역(10) 및 주변 영역(30)에 제2 절연층(398)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(398)이 제1 절연층(395) 상의 표시 영역(10) 및 주변 영역(30)에서 균일한 두께로 터치 스크린 연결 전극들(386)을 덮으며 터치 스크린 연결 전극들(386)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로, 제2 절연층(398)은 제1 절연층(395) 상에서 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 제2 절연층(398)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 제2 절연층(398)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다.
제1 베리어층(112) 상의 주변 영역(30)에 제1 광차단 패턴(810)이 배치될 수 있다. 제1 광차단 패턴(810)은 언더컷 구조물(400)과 기능성 모듈(700) 사이에 배치될 수 있다. 제1 광차단 패턴(810)은 희생 금속 패턴(405)과 동일한 층에서 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
제1 층간 절연층(190) 상의 주변 영역(30)에 제2 광차단 패턴(820)이 배치될 수 있다. 제2 광차단 패턴(820)은 언더컷 구조물(400)과 기능성 모듈(700) 사이에 배치될 수 있다. 제2 광차단 패턴(820)은 제2 유기 필름층(113), 제2 베리어층(114), 게이트 절연층(150) 및 제1 층간 절연층(190)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제1 광차단 패턴(810)의 상면에 접속될 수 있다. 제2 광차단 패턴(820)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)과 동일한 층에서 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
제3 박막 봉지층(453) 상의 주변 영역(30)에 제3 광차단 패턴(830)이 배치될 수 있다. 제3 광차단 패턴(830)은 제2 광차단 패턴(820) 및 제1 광차단 패턴(810)과 중첩하여 위치할 수 있다. 제3 광차단 패턴(830)은 발광층(330), 상부 전극(340), 제1 박막 봉지층(451) 및 제3 박막 봉지층(453)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제2 광차단 패턴(820)의 상면에 접속될 수 있다. 제3 광차단 패턴(830)은 동일한 층에서 제1 터치 스크린 전극들(382)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
제1 절연층(395) 상의 주변 영역(30)에 제4 광차단 패턴(840)이 배치될 수 있다. 제4 광차단 패턴(840)은 제3 광차단 패턴(830), 제2 광차단 패턴(820)및 제1 광차단 패턴(810)과 중첩하여 위치할 수 있다. 제4 광차단 패턴(840)은 제1 절연층(395)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제3 광차단 패턴(830)의 상면에 접속될 수 있다. 제4 광차단 패턴(840)은 동일한 층에서 터치 스크린 연결 전극들(386)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
제2 절연층(398) 상의 주변 영역(30)에 제5 광차단 패턴(850)이 배치될 수 있다. 제5 광차단 패턴(850)은 제4 광차단 패턴(840), 제3 광차단 패턴(830), 제2 광차단 패턴(820) 및 제1 광차단 패턴(810)과 중첩하여 위치할 수 있다. 제5 광차단 패턴(850)은 제2 절연층(398)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제4 광차단 패턴(840)의 상면에 접속될 수 있다. 제5 광차단 패턴(850)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실롯산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다. 제5 광차단 패턴(850)은 실질적으로 불투명할 수 있다. 예를 들면, 제5 광차단 패턴(850)은 외광을 흡수하기 위해 차광 재료를 더 포함할 수 있다. 상기 차광 재료는 카본 블랙(carbon black), 산질화 티타늄(titanium nitride oxide), 티타늄 블랙(titanium black), 페닐렌 블랙(phenylene black), 아닐린 블랙(aniline black), 시아닌 블랙(cyanine black), 니그로신산 블랙(nigrosine acid black), 블랙 수지(black resin) 등을 포함할 수 있다.
예를 들면, 발광 구조물(200)로부터 방출된 광의 일부가 기판(110) 상에 배치되는 무기층 및 유기층을 통해 표시 영역(10)으로부터 개구 영역(20)으로 방출될 수 있다. 다시 말하면, 상기 무기층 및 상기 유기층과 기능성 모듈(700)이 접촉하는 면으로 빛샘 현상이 발생될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(900)는 광차단 구조물(880)을 포함함으로써, 상기 무기층 및 상기 유기층을 통해 방출되는 상기 광을 차단할 수 있다.
도 25는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 25에 예시한 유기 발광 표시 장치(1000)는 터치 스크린 구조물(380) 및 발광층(330) 및 상부 전극(340) 각각의 형상을 제외하면 도 1 내지 6을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 25에 있어서, 도 1 내지 6을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 25를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(1000)는 기판(110), 언더컷 구조물(400), 반도체 소자(250), 평탄화층(270), 발광 구조물(200), 화소 정의막(310), 박막 봉지 구조물(450), 터치 스크린 구조물(380), 기능성 모듈(700) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(110)은 제1 유기 필름층(111), 제1 베리어층(112), 제2 유기 필름층(113) 및 제2 베리어층(114)을 포함할 수 있다. 또한, 언더컷 구조물(400)은 희생 금속 패턴(405), 제1 절연층 패턴(410), 제2 절연층 패턴(420), 제3 절연층 패턴(430) 및 제4 절연층 패턴(440)을 포함할 수 있고, 터치 스크린 구조물(380)은 복수의 제1 터치 스크린 전극들(382), 복수의 제2 터치 스크린 전극들(384), 복수의 터치 스크린 연결 전극들(386), 제1 절연층(395) 및 제2 절연층(398)을 포함할 수 있다. 더욱이, 박막 봉지 구조물(450)은 제1 박막 봉지층(451), 제2 박막 봉지층(452) 및 제3 박막 봉지층(453)을 포함할 수 있다.
발광층(330)은 표시 영역(10)에서 화소 정의막(310) 및 하부 전극(290) 상에 배치되며 제1 방향(D1)으로 연장할 수 있고, 기판(110) 상의 주변 영역(30)에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 주변 영역(30)에서 발광층(330)의 측면이 기능성 모듈(700)과 직접적으로 접촉하지 않을 수 있다. 다시 말하면, 주변 영역(30)에서 발광층(330)이 기능성 모듈(700)과 소정의 거리로 이격될 수 있다.
상부 전극(340)은 표시 영역(10)의 발광층(330) 상에서 중첩하여 배치되며 제1 방향(D1)으로 연장할 수 있고, 발광층(330) 상의 주변 영역(30)에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 주변 영역(30)에서 상부 전극(340)의 측면이 기능성 모듈(700)과 직접적으로 접촉하지 않을 수 있다. 다시 말하면, 주변 영역(30)에서 상부 전극(340)이 기능성 모듈(700)과 소정의 거리로 이격될 수 있다.
상부 전극(340) 상의 표시 영역(10) 및 주변 영역(30)에 제1 박막 봉지층(451)이 배치될 수 있다. 제1 박막 봉지층(451)은 표시 영역(10)에서 상부 전극(340)을 덮으며 균일한 두께로 상부 전극(340)의 프로 파일을 따라 배치될 수 있고, 주변 영역(30)으로 연장될 수 있다. 주변 영역(30)에서 제1 박막 봉지층(451)은 상부 전극(340)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 주변 영역(30)에서 제1 박막 봉지층(451)의 측면이 기능성 모듈(700)과 직접적으로 접촉하지 않을 수 있다. 다시 말하면, 주변 영역(30)에서 제1 박막 봉지층(451)이 기능성 모듈(700)과 소정의 거리로 이격될 수 있다.
제2 박막 봉지층(452) 상의 표시 영역(10) 및 제1 박막 봉지층(451) 상의 주변 영역(30)에 제3 박막 봉지층(453)이 배치될 수 있다. 제3 박막 봉지층(453)은 표시 영역(10)에서 제2 박막 봉지층(452)을 덮으며 균일한 두께로 제2 박막 봉지층(452)의 프로 파일을 따라 배치될 수 있고, 주변 영역(30)으로 연장될 수 있다. 주변 영역(30)에서 제3 박막 봉지층(453)은 균일한 두께로 제1 박막 봉지층(451)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 주변 영역(30)에서 제3 박막 봉지층(453)의 측면이 기능성 모듈(700)과 직접적으로 접촉하지 않을 수 있다. 다시 말하면, 주변 영역(30)에서 제3 박막 봉지층(453)이 기능성 모듈(700)과 소정의 거리로 이격될 수 있다.
제3 박막 봉지층(453), 제1 터치 스크린 전극들(382) 및 제2 터치 스크린 전극들(384) 상의 표시 영역(10)에 제1 절연층(395)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(395)은 표시 영역(10)에서 제1 및 제2 터치 스크린 전극들(382, 384)을 덮으며 균일한 두께로 제1 및 제2 터치 스크린 전극들(382, 384)의 프로 파일을 따라 배치될 수 있고, 주변 영역(30)으로 연장될 수 있다. 주변 영역(30)에서 제1 절연층(395)은 제3 박막 봉지층(453)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 주변 영역(30)에서 제1 절연층(395)의 측면이 기능성 모듈(700)과 직접적으로 접촉하지 않을 수 있다. 다시 말하면, 주변 영역(30)에서 제1 절연층(395)이 기능성 모듈(700)과 소정의 거리로 이격될 수 있다.
제1 절연층(395) 및 터치 스크린 연결 전극들(386) 상의 표시 영역(10) 및 주변 영역(30)에 제2 절연층(398)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(398)이 제1 절연층(395) 상의 표시 영역(10) 및 주변 영역(30)에서 균일한 두께로 터치 스크린 연결 전극들(386)을 덮으며 터치 스크린 연결 전극들(386)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 주변 영역(30)에서 제2 절연층(398)이 발광층(330)의 측벽, 상부 전극(340)의 측벽, 제1 박막 봉지층(451)의 측벽, 제3 박막 봉지층(453)의 측벽 및 제1 절연층(395)의 측벽을 커버하며 제2 절연층(398)의 측벽이 기능성 모듈(700)과 직접적으로 접촉할 수 있다.
예를 들면, 언더컷 구조물(400)에 의해 주변 영역(30)에 위치하는 발광층(330) 및 상부 전극(340)이 단락될 수 있다. 또한, 터치 스크린 구조물(380)을 형성하는 공정에서 언더컷 구조물(400)과 기능성 모듈(700) 사이에 위치하는 발광층(330) 및 상부 전극(340) 각각의 일부를 제거하여 기능성 모듈(700)로부터 발광층(330) 및 상부 전극(340) 각각을 이격(또는 단락)시킬 수 있고, 발광층(330)의 측면 및 상부 전극(340)의 측면을 제2 절연층(398)으로 커버함으로써 수분 및/또는 습기가 발광층(330)의 측면 및 상부 전극(340)의 측면으로 침투하는 것을 막을 수 있다. 이러한 경우, 제2 절연층(398)은 무기 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(1000)에 있어서, 주변 영역(30)에 위치하는 발광층(330) 및 상부 전극(340) 각각이 기능성 모듈(700)로부터 이격되고, 발광층(330)의 측면 및 상부 전극(340)의 측면이 제2 절연층(398)에 의해 커버됨으로써 유기 발광 표시 장치(1000)는 수분 및/또는 습기가 발광층(330)의 측면 및 상부 전극(340)의 측면으로 침투하는 것을 더욱 방지할 수 있다.
도 26은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 26에 예시한 유기 발광 표시 장치(1100)는 제2 언더컷 구조물(2400)을 제외하면 도 1 내지 6을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 26에 있어서, 도 1 내지 6을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 25를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(1100)는 기판(110), 제1 언더컷 구조물(400), 제2 언더컷 구조물(2400), 반도체 소자(250), 평탄화층(270), 발광 구조물(200), 화소 정의막(310), 박막 봉지 구조물(450), 기능성 모듈(700) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(110)은 제1 유기 필름층(111), 제1 베리어층(112), 제2 유기 필름층(113) 및 제2 베리어층(114)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 언더컷 구조물(400)은 제1 희생 금속 패턴(405), 제1 절연층 패턴(410), 제2 절연층 패턴(420), 제3 절연층 패턴(430) 및 제4 절연층 패턴(440)을 포함할 수 있고, 제2 언더컷 구조물(2400)은 제2 희생 금속 패턴(1405), 제5 절연층 패턴(1410), 제6 절연층 패턴(1420), 제7 절연층 패턴(1430) 및 제8 절연층 패턴(1440)을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 기판(110)은 주변 영역(30)에 형성된 제1 그루브(930) 및 제2 그루브(935)를 더 포함할 수 있다. 제1 그루브(930)와 기능성 모듈(700) 사이에 제2 그루브(935)가 위치할 수 있고, 제1 그루브(930)는 제2 그루브(935)를 둘러쌀 수 있다.
제1 그루브(930)의 내부에 제1 언더컷 구조물(400)이 제1 그루브(930)의 내측벽으로부터 이격되어 배치될 수 있고, 제2 그루브(935)의 내부에 제2 언더컷 구조물(2400)이 제2 그루브(935)의 내측벽으로부터 이격되어 배치될 수 있다.
또한, 제1 및 제2 그루브들(930, 935) 각각의 내부에서 발광층(330) 및 상부 전극(340) 각각이 제1 및 제2 언더컷 구조물들(400, 2400) 각각에 의해 이격될 수 있다. 다시 말하면, 발광층(330) 및 상부 전극(340) 각각이 제1 및 제2 그루브들(930, 935) 각각의 내부에서 제1 및 제2 언더컷 구조물들(400, 2400) 각각에 의해 단락될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(1100)는 제1 및 제2 그루브들(930, 935) 각각의 내부에서 제1 및 제2 언더컷 구조물들(400, 2400) 각각에 의해 단락된 발광층(330) 및 단락된 상부 전극(340)을 포함함으로써 수분, 습기 등이 반도체 소자(250) 및 발광 구조물(200)로 침투하는 것을 차단할 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 수많은 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
10: 표시 영역
20: 개구 영역
30: 주변 영역 40: 패드 영역
100, 500, 600, 800, 900, 1000, 1100: 유기 발광 표시 장치
105: 유리 기판 110: 기판
111: 제1 유기 필름층 112: 제1 베리어층
113: 제2 유기 필름층 114: 제2 베리어층
130: 액티브층 150: 게이트 절연층
170: 게이트 전극 175: 제2 게이트 전극
190: 층간 절연층 195: 제2 층간 절연층
210: 소스 전극 230: 드레인 전극
250: 반도체 소자 270: 평탄화층
290: 하부 전극 300: 발광 구조물
310: 화소 정의막 330: 발광층
340: 상부 전극 380: 터치 스크린 구조물
382: 제1 터치 스크린 전극들 384: 제2 터치 스크린 전극들
386: 터치 스크린 연결 전극들 395: 제1 절연층
398: 제2 절연층 401: 예비 희생 금속 패턴
400, 1400, 2400: 언더컷 구조물 405: 희생 금속 패턴
410, 420, 430, 440, 460: 제1 내지 제5 절연층 패턴들
411, 412: 제1 및 제2 서브 절연층 패턴들
450: 박막 봉지 구조물
451, 452, 453: 제1 내지 제3 박막 봉지층들
461, 462: 제1 및 제2 서브 희생 금속 패턴들
510, 520, 530: 제1 내지 제3 배선들
515: 제1 서브 언더컷 구조물 525: 제2 서브 언더컷 구조물
610: 차광 패턴 700: 기능성 모듈
701, 702, 703, 704: 제1 내지 제4 개구들
810, 820, 830, 840, 850: 제1 내지 제5 광차단 패턴들
880: 광차단 구조물 910: 개구
930: 제1 그루브 935: 제2 그루브
30: 주변 영역 40: 패드 영역
100, 500, 600, 800, 900, 1000, 1100: 유기 발광 표시 장치
105: 유리 기판 110: 기판
111: 제1 유기 필름층 112: 제1 베리어층
113: 제2 유기 필름층 114: 제2 베리어층
130: 액티브층 150: 게이트 절연층
170: 게이트 전극 175: 제2 게이트 전극
190: 층간 절연층 195: 제2 층간 절연층
210: 소스 전극 230: 드레인 전극
250: 반도체 소자 270: 평탄화층
290: 하부 전극 300: 발광 구조물
310: 화소 정의막 330: 발광층
340: 상부 전극 380: 터치 스크린 구조물
382: 제1 터치 스크린 전극들 384: 제2 터치 스크린 전극들
386: 터치 스크린 연결 전극들 395: 제1 절연층
398: 제2 절연층 401: 예비 희생 금속 패턴
400, 1400, 2400: 언더컷 구조물 405: 희생 금속 패턴
410, 420, 430, 440, 460: 제1 내지 제5 절연층 패턴들
411, 412: 제1 및 제2 서브 절연층 패턴들
450: 박막 봉지 구조물
451, 452, 453: 제1 내지 제3 박막 봉지층들
461, 462: 제1 및 제2 서브 희생 금속 패턴들
510, 520, 530: 제1 내지 제3 배선들
515: 제1 서브 언더컷 구조물 525: 제2 서브 언더컷 구조물
610: 차광 패턴 700: 기능성 모듈
701, 702, 703, 704: 제1 내지 제4 개구들
810, 820, 830, 840, 850: 제1 내지 제5 광차단 패턴들
880: 광차단 구조물 910: 개구
930: 제1 그루브 935: 제2 그루브
Claims (25)
- 개구 영역, 상기 개구 영역을 둘러싸는 주변 영역 및 상기 주변 영역을 둘러싸는 표시 영역을 포함하고, 상기 주변 영역에 형성된 그루브 및 상기 개구 영역에 형성된 개구를 갖는 기판;
상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 발광 구조물;
상기 기판의 상기 그루브의 내부에 배치되며,
제1 폭을 갖는 희생 금속 패턴; 및
상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖는 적어도 하나의 절연층 패턴을 포함하는 언더컷 구조물; 및
상기 기판의 상기 개구에 배치되는 기능성 모듈을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 언더컷 구조물은 상기 그루브의 내측벽으로부터 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 그루브는 상기 기판의 상기 개구를 둘러싸는 속이 빈 원형의 평면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 언더컷 구조물은 상기 그루브의 내부에서 상기 개구를 둘러싸는 속이 빈 원형의 평면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판은,
제1 유기 필름층;
상기 제1 유기층 상에 배치되는 제1 베리어층;
상기 제1 베리어층 상에 배치되고, 상기 주변 영역에서 제1 개구를 갖는 제2 유기 필름층; 및
상기 제2 유기층 상에 배치되고, 상기 제1 개구와 중첩하여 위치하는 제2 개구를 갖는 제2 베리어층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 5 항에 있어서, 상기 희생 금속 패턴은 상기 제1 베리어층 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 5 항에 있어서, 상기 절연층 패턴은,
상기 희생 금속 패턴 상에 배치되는 제1 절연층 패턴; 및
상기 제1 절연층 패턴 상에 배치되는 제2 절연층 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 7 항에 있어서, 상기 제1 절연층 패턴은 상기 제2 유기 필름층과 동일한 층에 위치하고, 상기 제2 절연층 패턴은 상기 제2 베리어층과 동일한 층에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 5 항에 있어서, 상기 제1 개구 및 상기 제2 개구가 상기 기판의 그루브로 정의되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 기판과 상기 발광 구조물 사이에 배치되는 반도체 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 10 항에 있어서, 상기 반도체 소자는,
상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 액티브층;
상기 기판 상의 상기 표시 영역에서 상기 액티브층을 덮고, 상기 주변 영역에서 상기 그루브를 노출시키는 제3 개구를 갖는 게이트 절연층;
상기 게이트 절연층 상의 상기 표시 영역에 배치되는 게이트 전극;
상기 게이트 절연층 상의 상기 표시 영역에서 상기 게이트 전극을 덮고, 상기 주변 영역에서 상기 제3 개구와 중첩하여 위치하는 제4 개구를 갖는 층간 절연층; 및
상기 층간 절연층 상의 상기 표시 영역에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 11 항에 있어서, 상기 절연층 패턴은,
상기 희생 금속 패턴 상에 배치되고, 상기 제3 개구의 내부에 위치하는 제3 절연층 패턴; 및
상기 제3 절연층 패턴 상에 배치되고, 상기 제4 개구의 내부에 위치하는 제4 절연층 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 12 항에 있어서, 상기 제3 절연층은 상기 게이트 절연층과 동일한 층에 위치하고, 상기 제4 절연층은 상기 층간 절연층과 동일한 층에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 발광 구조물은,
하부 전극;
상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층; 및
상기 발광층 상에 배치되는 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 14 항에 있어서, 상기 발광층은 상기 기판 상에서 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로의 방향으로 연장되고, 상기 그루브가 형성된 부분에서 상기 언더컷 구조물에 의해 상기 발광층은 단락되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 14 항에 있어서, 상기 상부 전극은 상기 발광층 상에서 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로의 방향으로 연장되며, 상기 그루브가 형성된 부분에서 상기 언더컷 구조물에 의해 상기 상부 전극은 단락되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 14 항에 있어서, 상기 발광층 및 상기 상부 전극은 상기 그루브의 내부의 적어도 일부에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 14 항에 있어서, 상기 발광층 및 상기 상부 전극은 상기 언더컷 구조물 상의 적어도 일부에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 14 항에 있어서, 상기 발광층 및 상기 상부 전극은 상기 희생 금속 패턴과 직접적으로 접촉하지 않는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 14 항에 있어서,
상기 발광 구조물 상에 배치되는 박막 봉지 구조물을 더 포함하고, 상기 박막 봉지 구조물은,
상기 상부 전극 상에 배치되고, 가요성을 갖는 무기 물질을 포함하는 제1 박막 봉지층;
상기 제1 박막 봉지층 상에 배치되고, 가요성을 갖는 유기 물질을 포함하는 제2 박막 봉지층; 및
상기 제2 박막 봉지층 상에 배치되고, 상기 가요성을 갖는 무기 물질을 포함하는 제3 박막 봉지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 20 항에 있어서, 상기 제1 박막 봉지층 및 상기 제3 박막 봉지층 각각은 상기 상부 전극 상에서 상기 표시 영역으로부터 상기 주변 영역으로의 방향으로 연장되며, 상기 그루브가 형성된 부분에서 연속적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 20 항에 있어서, 기능성 모듈은 상기 주변 영역과 상기 개구 영역의 경계에서 상기 기판의 측면, 상기 발광층의 측면, 상기 상부 전극의 측면, 상기 제1 박막 봉지층의 측면 및 상기 제3 박막 봉지층의 측면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 20 항에 있어서, 상기 희생 금속 패턴의 양측부는 상기 제1 박막 봉지층과 직접적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판의 그루브는,
상기 주변 영역에 위치하는 제1 그루브; 및
상기 제1 그루브와 상기 기능성 모듈 사이에 위치하는 제2 그루브를 포함하고,
상기 제1 그루브는 상기 제2 그루브를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 24 항에 있어서, 상기 언더컷 구조물은,
상기 제1 그루브의 내부에 배치되는 제1 언더컷 구조물; 및
상기 제2 그루브의 내부에 배치되는 제2 언더컷 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
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