JP2015216328A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】画素分離膜の、画素分離膜に隣接する層から剥離による不良発生を防止することを目的とする。【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置1aは、複数の画素Pがマトリクス状に配置された基板10と、有機絶縁膜13と下部電極32とを有する下地層15と、前記下地層上に突出するように設けられた画素分離膜14と、前記下地層上および前記画素分離膜上を覆う、少なくとも発光層を含む有機層33と、を備え、前記下地層上と前記画素分離膜の間、もしくは、前記画素分離膜と前記有機層の間の少なくとも一部に、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、シリコン、ガリウム、ゲルマニウム、グラファイト酸化物及び炭化ケイ素からなる群より選ばれた一種以上の物質からなる第1の接着膜60が形成されている、ことを特徴とする。【選択図】図3

Description

本発明は有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
薄型で軽量な発光源として、有機エレクトロルミネッセンス発光(organic electro luminescent)素子が注目を集めており、多数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置が開発されている。
このような有機エレクトロルミネッセンス表示装置としては、例えば特許文献1において、薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板上に、画素を区画する画素分離膜(第2絶縁膜)と、各画素に形成された第1電極(下部電極)と、下部電極と画素分離膜上を覆う有機膜と、有機膜上を覆う第2電極(上部電極)と、上部電極上に配置された対向基板と、を有する構成が開示されている。
特開2012−216338号公報
近年、湾曲可能な基板を有するフレキシブルな有機エレクトロルミネッセンス表示装置が開発されているが、特許文献1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置に湾曲可能な基板を適用すると、基板が湾曲した際に画素分離膜の周囲に応力が加わりやすい。
このため、基板の湾曲により、画素分離膜に接する有機膜や下部電極が画素分離膜から剥離するおそれがある。このため、フレキシブルな有機エレクトロルミネッセンス表示装置においては、有機膜や下部電極の剥離による不良発生の問題があった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、画素分離膜の、画素分離膜に隣接する層から剥離による不良発生を防止可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置の実現を目的とする。
本出願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
(1)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、複数の画素がマトリクス状に配置された基板と、前記基板上に形成された有機絶縁膜と前記有機絶縁膜上に前記画素毎に形成された下部電極とを有する下地層と、前記下部電極の外端を覆い、前記下地層上に突出するように設けられた、前記画素を区画する画素分離膜と、前記下地層上および前記画素分離膜上を覆う、少なくとも発光層を含む有機層と、を備え、前記下地層上と前記画素分離膜の間、もしくは、前記画素分離膜と前記有機層の間の少なくとも一部に、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、シリコン、ガリウム、ゲルマニウム、グラファイト酸化物及び炭化ケイ素からなる群より選ばれた一種以上の物質からなる第1の接着膜が形成されている、ことを特徴とする。
(2)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、(1)において、前記第1の接着膜が前記下部電極の上面を覆っていていてもよい。
(3)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、(2)において、前記第1の接着膜が前記下部電極の上面と前記画素分離膜の下面との間に形成されていてもよい。
(4)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、(1)乃至(3)のいずれかにおいて、前記有機層を覆う上部電極と、前記上部電極を覆う第2の接着膜と、前記第2の接着膜を覆う封止膜と、を有してもよい。
(5)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、(2)乃至(4)のいずれか一項において、前記第1の接着膜が、前記画素分離膜の下面と前記有機絶縁膜の上面の間に形成されていてもよい。
(6)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、(2)乃至(5)のいずれかにおいて、第3の接着膜が、前記第1の接着膜の少なくとも一部と前記画素分離膜の上面を覆うように形成されていてもよい。
(7)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、(6)において、前記第1の接着膜と前記第3の接着膜が、前記下部電極の発光領域を避けて形成されていてもよい。
本発明によれば、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、第1の接着膜が配される領域における画素分離膜と、画素分離膜に隣接する層との間の接着性が向上するため、接着膜が配される領域における画素分離膜の剥離による不良発生を防止することができる。
本発明の第1の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略平面図である。 図2は図1に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のII−II切断線における概略断面図である。 図3は第2の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を図2と同様の視野において示す概略断面図である。 図4は第3の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を図2と同様の視野において示す概略断面図である。 図5は第4の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を図2と同様の視野において示す概略断面図である。 図6は第5の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を図2と同様の視野において示す概略断面図である。 図7は第6の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を図2と同様の視野において示す概略断面図である。
以下、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置について、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1aを例として図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。
図1は本発明の第1の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1aの概略平面図であり、図2は図1に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置1aのII−II切断線における概略断面図である。なお、本実施形態においては説明の便宜上、各構成の位置関係をY軸(Y1方向、Y2方向)、Z軸(Z1方向、Z2方向)の座標を用いて説明する。
図1に示す通り、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1aは、矩形の表示領域Dを有する基板(薄膜トランジスタ基板)10と、対向基板50と、を有している。薄膜トランジスタ基板10の平面視形状は対向基板50の平面視形状よりも小さく、その一部(Y2方向側の部分)の上面10aは、対向基板50に覆われずに露出している。上面10aには、フレキシブル配線基板2やドライバIC(Integrated Circuit)3が接続される。
次に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1aの表示領域Dの構成について、その詳細を説明する。図2に示すように、表示領域Dの薄膜トランジスタ基板10は、複数の画素Pがマトリクス状に配置されている。
薄膜トランジスタ基板10は、絶縁基板8と、薄膜トランジスタ11及び電気配線15が形成された回路層12と、平坦化膜(有機絶縁膜)13と、を有している。また、薄膜トランジスタ基板10上には、下地層15と、有機エレクトロルミネッセンス発光素子30と、封止膜40と、カラーフィルタCFと、充填剤45と、対向基板50とが設けられている。
回路層12は、絶縁基板8上に形成された、有機エレクトロルミネッセンス発光素子30を駆動するための層である。回路層12は、薄膜トランジスタ11、パッシベーション膜11f及び図示しない電気配線が形成されている。
薄膜トランジスタ11は基板10上に画素Pごとに設けられている。薄膜トランジスタ11は、具体的には例えば、ポリシリコン半導体層11a、ゲート絶縁層11b、ゲート電極11c、ソース・ドレイン電極11d、第1の絶縁膜11eから構成されている。薄膜トランジスタ11上は、薄膜トランジスタ11を保護する絶縁膜であるパッシベーション膜11fによって覆われている。
下地層15は、有機絶縁膜13と後述する下部電極32とを有している。有機絶縁膜13は絶縁性を有する有機材料からなる層であり、回路層12(薄膜トランジスタ11)の上を覆うように形成されている。有機絶縁膜13は、例えばアクリル、ポリイミド等の材料からなる。
有機絶縁膜13上の各画素Pに対応する領域には、金属膜からなる図示しない反射膜が形成されていてもよい。反射膜が設けられることにより、有機エレクトロルミネッセンス発光素子30から出射した光は対向基板50側へ向けて反射される。
有機絶縁膜13上には、複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子30が画素P毎に形成されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子30は下部電極32と、少なくとも発光層を含む有機層33と、有機層33上を覆うように形成された上部電極34とを有することにより、下部電極32と有機層33と上部電極34とが重なる領域が、発光領域Lとして機能する。
下部電極32は、有機層33に駆動電流を注入する電極であり、画素P毎に形成されている。下部電極32はコンタクトホール32aに接続していることにより、薄膜トランジスタ11に電気的に接続されて駆動電流を供給される。
下部電極32は導電性を有する材料からなる。下部電極32の材料は、具体的には例えば、ITO(Indium Tin Oxide)であることが好ましいが、IZO(インジウム亜鉛複合酸化物)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アルミニウム複合酸化物等の透光性及び導電性を有する材料でもよい。なお、反射膜が銀等の金属からなり、かつ、下部電極32に接触するものであれば、下部電極32は透光性を有していてもよい。このような構成の場合、反射膜は下部電極32の一部となる。
各下部電極32同士の間には、隣接する画素P同士の間を区分するように画素分離膜14が形成されている。画素分離膜14は下部電極32の外端32bを覆い、下部電極32のうち、発光領域Lに対応する部分を露出させている。画素分離膜14は下地層15上から対向基板50側(図中のZ1方向側)に向けて突出し、画素P同士の境界Bに沿って形成されている。
画素分離膜14は、隣接する下部電極32同士の接触と、下部電極32と上部電極34の間の漏れ電流を防止する機能を有している。画素分離膜14は絶縁材料からなり、具体的には例えば、感光性の樹脂組成物からなる。画素分離膜14の材料は、絶縁性を有するものであれば有機材料でも無機材料であってもかまわない。
本発明における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1aは、下地層15上(図中のZ1方向側)と画素分離膜14の間、もしくは、画素分離膜14の上面14a(Z1方向側の面)と有機層33の間の少なくとも一部に第1の接着膜60が形成されている。
図2に示す例においては、画素分離膜14の上面14aと、下部電極32の上面32cのうち発光領域Lに対応する面32c1とに接するように、第1の接着膜60が形成されている。
第1の接着膜60は、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、シリコン、ガリウム、ゲルマニウム、グラファイト酸化物及び炭化ケイ素からなる群より選ばれた一種以上の物質からなる。
なお、ダイヤモンドライクカーボンは、部分的ないし一様に窒素がドープされたものであってもよい。また、シリコンはアモルファスシリコンであってもよく、シリコン、ガリウムまたはゲルマニウムは、酸化物であってもよい。第1の接着膜60は、これらの材料のうちの一種類からなる膜であってもよいし、複数種類の膜が組み合わさったものであってもよい。本実施形態においては、アモルファスカーボンからなる第1の接着膜60が形成された例について説明する。
第1の接着膜60の厚みは、画素分離膜14の構成や、第1の接着膜60の材料に応じて適宜調整することができるが、5nm以下であることが好ましい。第1の接着膜60の膜厚が5nm以下であることにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1aの透過率の低下が抑えられる。本実施形態においては、第1の接着膜60として、1〜5nmの膜厚のアモルファスカーボン膜が形成された例について説明する。
露出した下部電極32上(下部電極32の、発光領域Lに対応する領域)及び画素分離膜14上には、第1の接着膜60を介して有機層33が形成されている。このため、有機層33は、第1の接着膜60の上面(Z1方向側の面)に接触している。
有機層33は少なくとも発光層を含む、有機材料により形成された層である。有機層33は、例えば、下部電極32側から順に、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されてなる。なお、有機層33の積層構造はここに挙げたものに限られず、発光層を含むものであれば、その積層構造は特定されない。なお、本実施形態における発光層の発光色は白色であるが、その他の色であってもよい。
発光層は、例えば、正孔と電子とが結合することによって発光する有機エレクトロルミネッセンス物質から構成されている。このような有機エレクトロルミネッセンス物質としては例えば、一般に有機発光材料として用いられているものが用いられる。
上部電極34は、有機層33上を覆うように形成されている。上部電極34は、画素P毎に独立しておらず、表示領域Dの画素Pの配置されている領域全面を覆うように形成される。このような構成を有することにより、上部電極34は複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子30の有機層33に共通に接触する。
上部電極34は透光性及び導電性を有する材料からなる。上部電極34の材料は、具体的には例えば、ITOであることが好ましいが、ITOやInZnO等の導電性金属酸化物に銀やマグネシウム等の金属を混入したもの、あるいは銀やマグネシウム等の金属薄膜と導電性金属酸化物を積層したものであってもよい。
上部電極34の上面は、複数の画素Pにわたって封止膜40により覆われている。封止膜40は、有機層33をはじめとする各層への酸素や水分の侵入を防ぐために形成されている。封止膜40の材料は、絶縁性を有する透明の材料であれば特に限定されない。
封止膜40上は、例えば充填剤45を介して対向基板50によって覆われている。対向基板50としては例えばカラーフィルタ基板が用いられる。
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1aは、下地層15上と画素分離膜14の間、もしくは、画素分離膜14と有機層33の間の少なくとも一部に第1の接着膜60が形成されていることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて、第1の接着膜60が配される領域においては、画素分離膜14と下地層15あるいは有機層33の少なくとも一方が、第1の接着膜60により互いに強く接着される。
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1aにおいては、第1の接着膜60が画素分離膜14の上面14aと有機層33の間に配置されているため、有機層33から画素分離膜14が剥離することが抑えられる。
このため、薄膜トランジスタ基板10の湾曲などにより画素分離膜14に応力が加わっても、第1の接着膜60が配される領域においては、画素分離膜14の剥離が防がれる。このため、画素分離膜14の剥離による不良発生を防止することができる。
また、第1の接着膜60は、無機材料からなる膜と有機材料からなる膜との間に配されることにより、これらの接着性を高めることができる。このため、無機材料からなる画素分離膜14であっても、画素分離膜14と有機層33との間に第1の接着膜60が配されることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて、画素分離膜14と有機層33との接着性を高めることができる。
このため、図2に示す例においては、画素分離膜14が無機材料からなる場合であっても、画素分離膜14と有機層33との接着性の低下と、画素分離膜14の有機層33からの剥離による不良発生を抑えることができる。
このため、画素分離膜14を無機材料から形成することにより、有機材料からなる画素分離膜と比べて、微細で薄膜トランジスタ基板10からの高さ(Z方向の高さ)の小さい画素分離膜14を実現することができる。これにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1aの薄型化と高微細化を実現することができる。
また、図2に示す例のように、第1の接着膜60が無機材料からなる下部電極32と有機材料からなる有機層33の間に配置されることにより、有機層33からの下部電極32の剥離を抑えることができる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1aの不良発生を抑えることができる。
また、第1の接着膜60は、絶縁性を有するため、隣接する画素P間における導通に影響を与えることがない。また、本実施形態における第1の接着膜60はガスや水分の浸透を抑える機能を有するため、薄膜トランジスタ基板10側からのガスや水分の浸透による有機層33の劣化を防ぐことができる。
なお、本発明においては、画素分離膜14と画素分離膜14に隣接する層との間の少なくとも一部に第1の接着膜60が形成されているのであれば、第1の接着膜60の配置される箇所は上述の箇所に限られない。以下、第1の接着膜60の配置される箇所を変えた例について説明する。
図3は第2の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1bを図2と同様の視野において示す概略断面図である。以下、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1bの構成について説明するが、上述した有機エレクトロルミネッセンス表示装置1aと同様の構成については説明を省略する。
第2の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1bにおいては、第1の接着膜160aが下部電極32の上面と画素分離膜14の下面14bとの間(下部電極32の発光領域Lに対応する面32c1の外側の面32c2と、画素分離膜14の下面14b2の間)に形成されている点が、第1の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1aと異なっている。
このように、下部電極32上を覆う第1の接着膜160aは、下部電極の材料が成膜された薄膜トランジスタ基板10上に、第1の接着膜160aの材料を蒸着または塗布した後に、下部電極32とともに第1の接着膜160aの材料をパターニングすることにより形成される。
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1bは、第1の接着膜160aが下部電極32の発光領域Lに対応する面32c1の外側(面32c2)にまで形成されていることにより、画素分離膜14の下面14bのうち、下部電極32に接する部分である面14b2と下部電極32の面32c2との間にも第1の接着膜160aが配される。
このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、特に応力が加わりやすい画素分離膜14の下面14bのX方向の端部14b1周辺における、画素分離膜14と下部電極32の接着性が高まる。これにより、下部電極32からの画素分離膜14の剥がれを防ぐことができる。
また、下部電極32の上面が第1の接着膜160aで覆われることにより、下部電極32へのガスや水分の接触が防がれる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1bの高信頼化と長寿命化を実現することができる。
また、下部電極32と有機層33の間に第1の接着膜160aが配されることにより、第1の接着膜160aはホール注入特性を有する膜として機能する。このため、有機エレクトロルミネッセンス発光素子30のホール注入特性を向上させることができる。
次いで、第3の実施形態について説明する。図4は第3の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1cを図2と同様の視野において示す概略断面図である。第3の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1cにおいては、第1の接着膜160aの他に、第1の接着膜160bが画素分離膜14の下面14bと、有機絶縁膜13の上面13aの間に形成されている点が、第2の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1bと異なっている。
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1cは、第1の接着膜160bが画素分離膜14の下面14bと、有機絶縁膜13の上面13aの間に形成されていることにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、画素分離膜14と有機絶縁膜13との接着性を高めることができる。
特に、画素分離膜14が無機材料からなるものであっても、画素分離膜14と有機絶縁膜13との接着性を保つことができるため、第2の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1bの有する効果に加え、微細で、高さ(Z方向の高さ)の低い画素分離膜14を実現することができる。以上により、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1cの薄型化と高微細化を実現することができる。
また、第1の接着膜160bが形成されることにより、有機絶縁膜13から生じるガスが、有機エレクトロルミネッセンス発光素子30側(Z1方向側)に抜けることが防がれるため、有機層33(発光層)の劣化を防ぐことができる。
次いで、第4の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1dについて説明する。図5は第4の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1dを図2と同様の視野において示す概略断面図である。
第4の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1dにおいては、第2の接着膜260が、上部電極34上を覆うように形成され、封止膜40が第2の接着膜260上を覆うように形成されている点が、第3の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1cと異なっている。
なお、第2の接着膜260は、第1の接着膜60,160と同様にアモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、シリコン、ガリウム、ゲルマニウム、グラファイト酸化物及び炭化ケイ素からなる群より選ばれた一種以上の物質からなる。この場合、導電性の高い材料を選択するかイオンドープなどの処理を行うことで、第2の接着膜260を上部電極の補助電極層として機能させることができ、より高画質の有機エレクトロルミネッセンス表示装置を実現することができる。
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1dは、このような構成を有することにより、上部電極34と封止膜40の接着性を高めることができる。このため、封止膜40が上部電極34から剥離することが防がれ、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス表示装置1dを実現することができる。
また、第2の接着膜260が上部電極34上を覆うように形成されることにより、第2の接着膜260は、封止膜として機能する。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて、有機エレクトロルミネッセンス発光素子30への外部からからの水分やガスの浸透が防がれ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1dの信頼性向上と長寿命化を実現することができる。
次いで、第5の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1eについて説明する。図6は第5の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1eを図2と同様の視野において示す概略断面図である。
第5の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1eにおいては、第3の接着膜360が、第1の接着膜160aの少なくとも一部と画素分離膜14の上面14aを覆うように形成されている点が、第3の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1cと異なっている。
なお、第3の接着膜360は、第1の接着膜60,160と同様にアモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、シリコン、ガリウム、ゲルマニウム、グラファイト酸化物及び炭化ケイ素からなる群より選ばれた一種以上の物質からなる。
本実施形態においては、第3の接着膜360のうち、第1の接着膜160a上を覆う部分を第3の接着膜360aとし、画素分離膜14の上面14aを覆う部分を第3の接着膜360bとする。本実施形態における第3の接着膜360は、第1の接着膜160aのうち発光領域Lに対応する領域を覆っている。
第3の接着膜360aは、このように第1の接着膜160a上を覆うことにより、発光領域Lにおける第1の接着膜160aと一体化した状態で、下部電極32と有機層33との間に配置される。
このような有機エレクトロルミネッセンス表示装置1eは、接着膜160を下部電極32上と有機絶縁膜13の上面13aに成膜した後、画素分離膜14と第3の接着膜360を順次成膜することにより形成される。
このように、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1eは、画素分離膜14の下面14bを覆う第1の接着膜160aと画素分離膜14の上面14aを覆う第3の接着膜360bが形成されることにより、画素分離膜14の端部14b1が上下方向(Z方向)において第1の接着膜160aと第3の接着膜360bにより挟まれた構成となる。
このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、特に応力が加わりやすい端部14b1周辺における、画素分離膜14と下部電極32の接着性、および、画素分離膜14と有機層33の接着性が高まる。これにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1cが有する効果に加え、下部電極32からの画素分離膜14の剥がれや、有機層33からの画素分離膜14の剥がれを防ぐことができる。
なお、画素分離膜14の端部14b1は、第1の接着膜160aと第3の接着膜360bにより上下方向において挟まれることが好ましいが、端部14b1が挟まれる構成は、図6に示す例に限られない。図7は第6の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1fを図2と同様の視野において示す概略断面図である。
第6の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1fにおいては、第1の接着膜160aと第3の接着膜360aが、下部電極32の上面32c1のうち発光領域Lを避けて形成されている点が、第5の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1eと異なっている。
図7に示すように、端部14b1が第1の接着膜160aと第3の接着膜360bにより挟まれているのであれば、下部電極32の発光領域Lに対応する部分は第1の接着膜160aおよび第3の接着膜360aに覆われていなくてもよい。
このような有機エレクトロルミネッセンス表示装置1fは、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1eのように第3の接着膜360を成膜した後に発光領域Lにおける第3の接着膜360aと第1の接着膜160aをエッチングすることにより形成される。
実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1fは、このような構成を有することにより、発光領域Lにおける視認性を低下させることなく、下部電極32からの画素分離膜14の剥がれや、有機層33からの画素分離膜14の剥がれを防ぐことができる。
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。
1 有機エレクトロルミネッセンス表示装置、2 フレキシブル回路基板、3 ドライバIC、10 基板、10a 上面、11 薄膜トランジスタ、12 回路層、13 有機絶縁膜、13a 上面、14 画素分離膜、14b 下面、14b1 端部、15 下地層、30 有機エレクトロルミネッセンス発光素子、32 下部電極、32a コンタクトホール、32b 外端、32c 上面、32c1 面、33 有機層、34 上部電極、40 封止膜、50 対向基板、60,160 第1の接着膜、260 第2の接着膜、360 第3の接着膜、B 境界、D 表示領域、E 非表示領域、L 発光領域、P 画素。

Claims (7)

  1. 複数の画素がマトリクス状に配置された基板と、
    前記基板上に形成された有機絶縁膜と前記有機絶縁膜上に前記画素毎に形成された下部電極とを有する下地層と、
    前記下部電極の外端を覆い、前記下地層上に突出するように設けられた、前記画素を区画する画素分離膜と、
    前記下地層上および前記画素分離膜上を覆う、少なくとも発光層を含む有機層と、
    を備え、
    前記下地層上と前記画素分離膜の間、もしくは、前記画素分離膜と前記有機層の間の少なくとも一部に、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、シリコン、ガリウム、ゲルマニウム、グラファイト酸化物及び炭化ケイ素からなる群より選ばれた一種以上の物質からなる第1の接着膜が形成されている、
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  2. 請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
    前記第1の接着膜が前記下部電極の上面を覆っている、
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  3. 請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
    前記第1の接着膜が前記下部電極の上面と前記画素分離膜の下面との間に形成されている、
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  4. 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
    前記有機層を覆う上部電極と、
    前記上部電極を覆う第2の接着膜と、
    前記第2の接着膜を覆う封止膜と、
    を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  5. 請求項2乃至4のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
    前記第1の接着膜が、前記画素分離膜の下面と前記有機絶縁膜の上面の間に形成されている、
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  6. 請求項2乃至5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
    第3の接着膜が、前記第1の接着膜の少なくとも一部と前記画素分離膜の上面を覆うように形成されている、
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  7. 請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
    前記第1の接着膜と前記第3の接着膜が、前記下部電極の発光領域を避けて形成されている、
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6397654B2 (ja) * 2014-05-13 2018-09-26 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el発光装置
CN105977164A (zh) * 2016-06-28 2016-09-28 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板
JP2019046175A (ja) * 2017-09-01 2019-03-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102546293B1 (ko) 2017-12-28 2023-06-20 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
US20200058715A1 (en) * 2018-08-16 2020-02-20 Int Tech Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
KR20200100899A (ko) * 2019-02-18 2020-08-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110828520B (zh) * 2019-11-15 2022-09-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005142119A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP2006221916A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法
JP2009212012A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Seiko Epson Corp 発光装置の製造方法、発光装置および電子機器
JP2010021162A (ja) * 2007-12-10 2010-01-28 Panasonic Corp 有機elデバイスおよびelディスプレイパネル、ならびにそれらの製造方法
US20140027729A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3913534B2 (ja) * 2001-11-30 2007-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びこれを用いた表示システム
US6815723B2 (en) * 2001-12-28 2004-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
JP3823981B2 (ja) * 2003-05-12 2006-09-20 セイコーエプソン株式会社 パターンと配線パターン形成方法、デバイスとその製造方法、電気光学装置、電子機器及びアクティブマトリクス基板の製造方法
SE0400783D0 (sv) * 2004-03-24 2004-03-24 Peter Aasberg Mönstringsmetod för biosensorapplikationer
KR100714011B1 (ko) * 2005-11-30 2007-05-04 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그 제조방법
KR20070082685A (ko) * 2006-02-17 2007-08-22 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5207670B2 (ja) * 2006-07-19 2013-06-12 キヤノン株式会社 表示装置
JP5119865B2 (ja) * 2007-11-02 2013-01-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器
KR101588576B1 (ko) * 2008-07-10 2016-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
JP2011003522A (ja) * 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
KR101348408B1 (ko) * 2008-12-02 2014-01-07 엘지디스플레이 주식회사 상부발광 방식 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
EP2640163A4 (en) * 2010-12-20 2013-10-09 Panasonic Corp ORGANIC EL DISPLAY BOARD AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
JP5708152B2 (ja) 2011-03-31 2015-04-30 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法
KR101980768B1 (ko) * 2012-12-28 2019-05-21 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시 장치
KR20140143631A (ko) * 2013-06-07 2014-12-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102111563B1 (ko) * 2013-10-29 2020-05-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102136790B1 (ko) * 2013-11-15 2020-07-23 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005142119A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP2006221916A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法
JP2010021162A (ja) * 2007-12-10 2010-01-28 Panasonic Corp 有機elデバイスおよびelディスプレイパネル、ならびにそれらの製造方法
JP2009212012A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Seiko Epson Corp 発光装置の製造方法、発光装置および電子機器
US20140027729A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof

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