JP2007149673A - 有機発光表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明の目的は、有機膜による有機発光部材の損傷を防止する有機発光表示装置を提供することにある。
【解決手段】本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、基板、基板上に形成される第１信号線、第１信号線と交差する第２信号線、基板上に形成され、第１電圧を伝達する駆動電圧線、第１信号線及び第２信号線と接続されている第１薄膜トランジスタ、第１薄膜トランジスタ及び駆動電圧線と接続されている第２薄膜トランジスタ、第１及び第２薄膜トランジスタ上に形成される保護膜、保護膜上に形成される遮断層、遮断層上に形成され、第２薄膜トランジスタと接続されている第１電極、第２電圧の印加を受けて第１電極と対向する第２電極、第１電極と第２電極との間に形成される発光部材を備えることを特徴とする。
【選択図】図４
【解決手段】本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、基板、基板上に形成される第１信号線、第１信号線と交差する第２信号線、基板上に形成され、第１電圧を伝達する駆動電圧線、第１信号線及び第２信号線と接続されている第１薄膜トランジスタ、第１薄膜トランジスタ及び駆動電圧線と接続されている第２薄膜トランジスタ、第１及び第２薄膜トランジスタ上に形成される保護膜、保護膜上に形成される遮断層、遮断層上に形成され、第２薄膜トランジスタと接続されている第１電極、第２電圧の印加を受けて第１電極と対向する第２電極、第１電極と第２電極との間に形成される発光部材を備えることを特徴とする。
【選択図】図４
Description
本発明は有機発光表示装置に関する。
最近、モニターまたはテレビなどの軽量化及び薄型化が要求されており、このような要求に応えて陰極線管（ＣＲＴ）が液晶表示装置（ＬＣＤ）で代替されている。
しかし、液晶表示装置は受発光素子として、別途のバックライトが必要であるだけでなく、応答速度及び視野角等において多くの問題点がある。最近、このような問題点を解決することができる表示装置として、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ）が注目されている。
しかし、液晶表示装置は受発光素子として、別途のバックライトが必要であるだけでなく、応答速度及び視野角等において多くの問題点がある。最近、このような問題点を解決することができる表示装置として、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ）が注目されている。
有機発光表示装置は、二つの電極とその間に位置する発光層とを有し、一つの電極から注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と、他の電極から注入された正孔（ｈｏｌｅ）とが、発光層で結合して励起子（ｅｘｉｔｏｎ）を形成し、励起子がエネルギーを放出しながら発光する。
有機発光表示装置は、自己発光型であって別の光源が不要であるので、消費電力の点から有利であるとともに、応答速度、視野角、及びコントラスト比（ｃｏｎｔｒａｓｔｒａｔｉｏ）にも優れている。
米国特許6,771,028号明細書
有機発光表示装置は、自己発光型であって別の光源が不要であるので、消費電力の点から有利であるとともに、応答速度、視野角、及びコントラスト比（ｃｏｎｔｒａｓｔｒａｔｉｏ）にも優れている。
有機発光表示装置は、薄膜トランジスタ上に平坦化のための保護膜が有機膜で形成され、保護膜上に有機発光部材が形成されている。この場合、有機膜が含有している水分によって有機発光部材が悪影響を受けることになる。そこで、本発明の目的は、有機膜による有機発光部材の損傷を防止する有機発光表示装置を提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明１の有機発光表示装置は、基板、前記基板上に形成される第１信号線、前記第１信号線と交差する第２信号線、前記基板上に形成され、第１電圧を伝達する駆動電圧線、前記第１信号線及び前記第２信号線と接続される第１薄膜トランジスタ、前記第１薄膜トランジスタ及び前記駆動電圧線と接続される第２薄膜トランジスタ、前記第１及び第２薄膜トランジスタ上に形成される保護膜、前記保護膜上に形成される遮断層、前記遮断層上に形成され、前記第２薄膜トランジスタと接続される第１電極、第２電圧の印加を受け、前記第１電極と対向する第２電極、前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材を備えていることを特徴とする。
有機膜からなる保護膜上に無機膜からなる遮断層を形成することによって発光部材に流入する水分を遮断することができる。
また、発明２は、発明１において、前記遮断層は無機膜で形成する。
発明３は、発明１において、
無機絶縁物及び有機絶縁物からなる混合薄膜で形成することができる。保護膜を無機膜で形成することにより、保護膜の水分含有量を最少化し、有機発光部材の寿命を向上させる。
また、発明２は、発明１において、前記遮断層は無機膜で形成する。
発明３は、発明１において、
無機絶縁物及び有機絶縁物からなる混合薄膜で形成することができる。保護膜を無機膜で形成することにより、保護膜の水分含有量を最少化し、有機発光部材の寿命を向上させる。
また、発明４は、発明１において、前記保護膜及び遮断層上に、さらに保護膜及び遮断層が交互に形成されることが望ましい。遮断層と保護膜とを交互に形成することで、発光部材に流入する水分をさらに遮断することができる。
また、発明５は、発明１において、前記発光部材を覆う隔壁をさらに有することが望ましい。
また、発明５は、発明１において、前記発光部材を覆う隔壁をさらに有することが望ましい。
また、本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、基板、前記基板上に形成される第１信号線、前記第１信号線と交差する第２信号線、前記基板上に形成され、第１電圧を伝達する駆動電圧線、前記第１信号線及び前記第２信号線と接続される第１薄膜トランジスタ、前記第１薄膜トランジスタ及び前記駆動電圧線と接続される第２薄膜トランジスタ、前記第１及び第２薄膜トランジスタ上に形成される遮断層、前記遮断層上に形成され、前記第２薄膜トランジスタと接続される第１電極、第２電圧の印加を受け、前記第１電極と対向する第２電極、前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材を備えており、前記遮断層は無機膜で形成することが望ましい。保護膜を無機膜で形成することにより、保護膜の水分含有量を最少化し、有機発光部材の寿命を向上させる。
本発明によれば、有機膜による有機発光部材の損傷を防止する有機発光表示装置を提供することができる。
次に、本発明に係る表示装置を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
まず、本発明の一実施形態による有機発光表示装置について図１を用いて詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の等価回路図である。
図１に示すように、本実施形態による有機発光表示装置は、複数の信号線１２１、１７１、１７２と、これらに接続されほぼ行列（ｍａｔｒｉｘ）状に配列されている複数の画素（ｐｉｘｅｌ）（ＰＸ）を有する。
図１は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の等価回路図である。
図１に示すように、本実施形態による有機発光表示装置は、複数の信号線１２１、１７１、１７２と、これらに接続されほぼ行列（ｍａｔｒｉｘ）状に配列されている複数の画素（ｐｉｘｅｌ）（ＰＸ）を有する。
信号線は、ゲート信号（または走査信号）を伝達する複数のゲート線１２１、データ信号を伝達する複数のデータ線１７１、及び駆動電圧を伝達する複数の駆動電圧線１７２を含む。ゲート線１２１はほぼ行方向に延び、互いにほぼ平行であり、データ線１７１と駆動電圧線１７２はほぼ列方向に延び、互いにほぼ平行である。
各画素（ＰＸ）は、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）、駆動トランジスタ（Ｑｄ）、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）、及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：
1164171261851_0
light-emitting diode）（ＬＤ）を有する。
各画素（ＰＸ）は、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）、駆動トランジスタ（Ｑｄ）、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）、及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：
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light-emitting diode）（ＬＤ）を有する。
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）は、制御端子、入力端子、及び出力端子を有し、制御端子はゲート線１２１に接続され、入力端子はデータ線１７１に接続され、出力端子は駆動トランジスタ（Ｑｄ）に接続されている。スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）は、ゲート線１２１に印加される走査信号に応答してデータ線１７１に印加されるデータ信号を駆動トランジスタ（Ｑｄ）に伝達する。
また、駆動トランジスタ（Ｑｄ）も同様に制御端子、入力端子、及び出力端子を有し、制御端子はスイッチングトランジスタ（Ｑｓ）に接続され、入力端子は駆動電圧線１７２に接続され、出力端子は有機発光ダイオード（ＬＤ）に接続されている。駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、制御端子と出力端子との間にかかる電圧によってその大きさが変わる出力電流（ＩＬＤ）を流す。
キャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子と入力端子との間に接続されている。このキャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に印加されるデータ信号を充電し、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）が非導通になって後にもそれを維持する。
有機発光ダイオード（ＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子に接続されているアノード（ａｎｏｄｅ）と、共通電圧（Ｖｓｓ）に接続されているカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）とを有する。有機発光ダイオード（ＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力電流（ＩＬＤ）によって異なる強さで発光することによって画像を表示する。
有機発光ダイオード（ＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子に接続されているアノード（ａｎｏｄｅ）と、共通電圧（Ｖｓｓ）に接続されているカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）とを有する。有機発光ダイオード（ＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力電流（ＩＬＤ）によって異なる強さで発光することによって画像を表示する。
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）及び駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、ｎ-チャネル電界効果トランジスタ（ｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＦＥＴ）である。しかし、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）と駆動トランジスタ（Ｑｄ）のうちの少なくとも一つは、ｐ-チャネル電界効果トランジスタであってもよい。また、トランジスタ（Ｑｓ、Ｑｄ）、キャパシタ（Ｃｓｔ）、及び有機発光ダイオード（ＬＤ）の接続関係が変更されてもよい。
次に、図１に示した有機発光表示装置の詳細構造について図２乃至図４を用いて詳細に説明する。
図２は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の配置図であり、図３及び図４は各々図２に示す有機発光表示装置のＩＩＩ-ＩＩＩ線及びＩＶ-ＩＶ線に沿った断面図である。
図２は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の配置図であり、図３及び図４は各々図２に示す有機発光表示装置のＩＩＩ-ＩＩＩ線及びＩＶ-ＩＶ線に沿った断面図である。
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、第１制御電極１２４ａを含む複数のゲート線１２１、及び複数の第２制御電極１２４ｂを含む複数のゲート導電体が形成されている。
ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、図２中、主に横方向に延びている。各ゲート線１２１は、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１２９を有し、第１制御電極１２４ａはゲート線１２１から上方に突出するように延びている。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１が延びてゲート駆動回路と直接接続されることができる。
ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、図２中、主に横方向に延びている。各ゲート線１２１は、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１２９を有し、第１制御電極１２４ａはゲート線１２１から上方に突出するように延びている。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１が延びてゲート駆動回路と直接接続されることができる。
第２制御電極１２４ｂは、ゲート線１２１と分離され、第２制御電極１２４ｂから下方向に延びて、右側にゲート線と平行な方向に屈曲して延在し、さらにデータ線１７１に沿って上方に長く延びる維持電極１２７を含む。
ゲート導電体１２１、１２４ｂは、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、及びチタニウム（Ｔｉ）などで形成できる。しかし、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することも可能である。このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）の低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで形成される。これとは異なり、もう一つの導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、チタニウム、タンタルなどで形成される。このような組み合わせの好適例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート導電体１２１、１２４ｂは、この他にも種々の金属または導電体で形成することができる。
ゲート導電体１２１、１２４ｂは、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、及びチタニウム（Ｔｉ）などで形成できる。しかし、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することも可能である。このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）の低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで形成される。これとは異なり、もう一つの導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、チタニウム、タンタルなどで形成される。このような組み合わせの好適例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート導電体１２１、１２４ｂは、この他にも種々の金属または導電体で形成することができる。
ゲート導電体１２１、１２４ｂの側面は、基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０゜乃至約８０゜であることが好ましい。
ゲート導電体１２１、１２４ｂ上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはａ-Ｓｉと略称する。）または多結晶シリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）などからなる複数の第１及び第２島状半導体１５４ａ、１５４ｂが形成されている。第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂは、各々第１及び第２制御電極１２４ａ、１２４ｂ上に位置している。
ゲート導電体１２１、１２４ｂ上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはａ-Ｓｉと略称する。）または多結晶シリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）などからなる複数の第１及び第２島状半導体１５４ａ、１５４ｂが形成されている。第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂは、各々第１及び第２制御電極１２４ａ、１２４ｂ上に位置している。
第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂ上には、各々複数対の第１オーミック接触部材（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）１６３ａ、１６５ａと複数対の第２オーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂが形成されている。オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂは島状であり、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ+水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）からなることができる。第１オーミック接触部材１６３ａ、１６５ａは、対をなして第１半導体１５４ａ上に配置されており、さらに、第２オーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂも対をなして第２半導体１５４ｂ上に配置されている。
オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数の駆動電圧線１７２と複数の第１及び第２出力電極１７５ａ、１７５ｂを含む複数のデータ導電体が形成されている。
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向に延びてゲート線１２１と交差している。各データ線１７１は、第１制御電極１２４ａに向かって延びている複数の第１入力電極１７３ａと、他の層または外部駆動回路との接続のために面積の広い端部１７９を含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）が基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１が延びてデータ駆動回路と直接接続されることができる。
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向に延びてゲート線１２１と交差している。各データ線１７１は、第１制御電極１２４ａに向かって延びている複数の第１入力電極１７３ａと、他の層または外部駆動回路との接続のために面積の広い端部１７９を含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）が基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１が延びてデータ駆動回路と直接接続されることができる。
駆動電圧線１７２は、駆動電圧を伝達し、主に縦方向に延びてゲート線１２１と交差している。各駆動電圧線１７２は、第２制御電極１２４ｂに向かって延びている複数の第２入力電極１７３ｂを含む。駆動電圧線１７２は、維持電極１２７と重畳し、互いに接続されることができる。
第１及び第２出力電極１７５ａ、１７５ｂは互いに分離され、データ線１７１及び駆動電圧線１７２とも分離されている。第１入力電極１７３ａと第１出力電極１７５ａは、第１制御電極１２４ａを中心として互いに対向し、第２入力電極１７３ｂと第２出力電極１７５ｂは、第２制御電極１２４ｂを中心として互いに対向している。
第１及び第２出力電極１７５ａ、１７５ｂは互いに分離され、データ線１７１及び駆動電圧線１７２とも分離されている。第１入力電極１７３ａと第１出力電極１７５ａは、第１制御電極１２４ａを中心として互いに対向し、第２入力電極１７３ｂと第２出力電極１７５ｂは、第２制御電極１２４ｂを中心として互いに対向している。
データ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂは、モリブデン、クロム、タンタル、及びチタニウムなどの耐火性金属、またはこれらの合金からなることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂは、この他にも種々の金属または導電体で形成することができる。
さらに、ゲート導電体１２１、１２４ｂと同様にデータ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂも、その側面が基板１１０面に対して３０゜乃至８０゜程度の傾斜角で傾斜していることが好ましい。
オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂは、その下の半導体１５４ａ、１５４ｂとその上のデータ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂとの間にのみ存在し接触抵抗を低くする。半導体１５４ａ、１５４ｂには、入力電極１７３ａ、１７３ｂと出力電極１７５ａ、１７５ｂとの間をはじめとして、データ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂで覆われず露出した部分がある。
オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂは、その下の半導体１５４ａ、１５４ｂとその上のデータ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂとの間にのみ存在し接触抵抗を低くする。半導体１５４ａ、１５４ｂには、入力電極１７３ａ、１７３ｂと出力電極１７５ａ、１７５ｂとの間をはじめとして、データ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂで覆われず露出した部分がある。
データ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂ及び露出した半導体１５４ａ、１５４ｂ部分上には、保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は平坦化特性を有する有機絶縁物で形成される。しかし、保護膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしつつ露出した半導体１５４ａ、１５４ｂの部分に害を及ぼさないように、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有することができる。
保護膜１８０上には遮断層１８６が形成されている。遮断層１８６は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）や酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などの無機膜で形成される。遮断層１８６は、有機膜からなる保護膜１８０で発生する水分が他の層に流出することを防止する。
また、遮断層１８６は、有機絶縁物及び無機絶縁物を混合した混合薄膜からなることができる。そして、水分遮断特性をさらに向上させるために、保護膜１８０及び遮断層１８６の二重構造上に、さらに保護膜及び遮断層を交互に形成してもよい。
また、遮断層１８６は、有機絶縁物及び無機絶縁物を混合した混合薄膜からなることができる。そして、水分遮断特性をさらに向上させるために、保護膜１８０及び遮断層１８６の二重構造上に、さらに保護膜及び遮断層を交互に形成してもよい。
保護膜１８０及び遮断層１８６には、データ線１７１の端部１７９と第１及び第２出力電極１７５ａ、１７５ｂを各々露出させる複数のコンタクトホール（接触孔）１８２、１８５ａ、１８５ｂが形成されており、保護膜１８０、遮断層１８６とゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１の端部１２９と第２入力電極１２４ｂを各々露出させる複数のコンタクトホール１８１、１８４が形成されている。
遮断層１８６上には、複数の画素電極１９０、複数の接続部材８５、及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀またはその合金などの反射性金属からなることができる。
画素電極１９０は、コンタクトホール１８５ｂを介して第２出力電極１７５ｂと物理的・電気的に接続されており、接続部材８５は、コンタクトホール１８４、１８５ａを介して第２制御電極１２４ｂ及び第１出力電極１７５ａと接続されている。
画素電極１９０は、コンタクトホール１８５ｂを介して第２出力電極１７５ｂと物理的・電気的に接続されており、接続部材８５は、コンタクトホール１８４、１８５ａを介して第２制御電極１２４ｂ及び第１出力電極１７５ａと接続されている。
接触補助部材８１、８２は、各々コンタクトホール１８１、１８２を介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と接続されている。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
遮断層１８６上には、隔壁３６１が形成されている。隔壁３６１は、画素電極１９０の周縁の周りを堤防（ｂａｎｋ）のように囲んで開口部（ｏｐｅｎｉｎｇ）３６５を定義し、有機絶縁物または無機絶縁物で形成される。さらに、隔壁３６１は、黒色顔料を含む感光剤で形成されることができるが、この場合、隔壁３６１は遮光部材の役割を果たし、その形成工程が簡単である。
遮断層１８６上には、隔壁３６１が形成されている。隔壁３６１は、画素電極１９０の周縁の周りを堤防（ｂａｎｋ）のように囲んで開口部（ｏｐｅｎｉｎｇ）３６５を定義し、有機絶縁物または無機絶縁物で形成される。さらに、隔壁３６１は、黒色顔料を含む感光剤で形成されることができるが、この場合、隔壁３６１は遮光部材の役割を果たし、その形成工程が簡単である。
隔壁３６１の定義する画素電極１９０上の開口部３６５内には、有機発光部材３７０が形成されている。有機発光部材３７０は、赤色、緑色、青色の三原色などの基本色のうちいずれか一つの光を固有に発光する有機物質で形成される。有機発光表示装置は、有機発光部材３７０が発光する基本色の色光の空間的な作用により所望の画像を表示する。
有機発光部材３７０は、発光する発光層（図示せず）以外に、発光層の発光効率を向上するための補助層（ａｕｘｉｌｉａｒｙ ｌａｙｅｒ）（図示せず）を含む多層構造を有することができる。補助層には、電子と正孔の均衡をとるための電子輸送層（図示せず）と正孔輸送層（図示せず）、電子と正孔の注入を強化するための電子注入層（図示せず）と正孔注入層（図示せず）などがある。
有機発光部材３７０は、発光する発光層（図示せず）以外に、発光層の発光効率を向上するための補助層（ａｕｘｉｌｉａｒｙ ｌａｙｅｒ）（図示せず）を含む多層構造を有することができる。補助層には、電子と正孔の均衡をとるための電子輸送層（図示せず）と正孔輸送層（図示せず）、電子と正孔の注入を強化するための電子注入層（図示せず）と正孔注入層（図示せず）などがある。
この時、有機発光部材３７０と保護膜１８０との間には、遮断層１８６が形成されているので、有機膜からなる保護膜１８０で発生する水分が有機発光部材３７０に流入することを防止する。したがって、有機発光部材３７０の寿命を向上させることができる。
有機発光部材３７０上には、共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は、共通電圧（Ｖｓｓ）の印加を受け、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム、銀などを含む反射性金属、またはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で形成される。
有機発光部材３７０上には、共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は、共通電圧（Ｖｓｓ）の印加を受け、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム、銀などを含む反射性金属、またはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で形成される。
このような有機発光表示装置において、ゲート線１２１に接続されている第１制御電極１２４ａ、データ線１７１に接続されている第１入力電極１７３ａ、及び第１出力電極１７５ａは、第１半導体１５４ａと共にスイッチング薄膜トランジスタ（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ＴＦＴ）（Ｑｓ）をなし、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）のチャネルは、第１入力電極１７３ａと第１出力電極１７５ａとの間の第１半導体１５４ａに形成される。第１出力電極１７５ａに接続されている第２制御電極１２４ｂ、駆動電圧線１７２に接続されている第２入力電極１７３ｂ、及び画素電極１９０に接続されている第２出力電極１７５ｂは、第２半導体１５４ｂと共に駆動薄膜トランジスタ（ｄｒｉｖｉｎｇ ＴＦＴ）（Ｑｄ）をなし、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャネルは、第２入力電極１７３ｂと第２出力電極１７５ｂとの間の第２半導体１５４ｂに形成される。画素電極１９０、有機発光部材３７０、及び共通電極２７０は、有機発光ダイオード（ＬＤ）をなし、画素電極１９０がアノード（ａｎｏｄｅ）、共通電極２７０がカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）となるか、反対に画素電極１９０がカソード、共通電極２７０がアノードとなる。互いに重畳する維持電極１２７と駆動電圧線１７２は、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）を構成する。
このような有機発光表示装置は、基板１１０の上または下に光を送って画像を表示する。不透明な画素電極１９０と透明な共通電極２７０は、基板１１０の上方向に画像を表示するトップエミッション（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の有機発光表示装置に適用し、透明な画素電極１９０と不透明な共通電極２７０は、基板１１０の下方向に画像を表示するボトムエミッション（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の有機発光表示装置に適用する。
一方、半導体１５４ａ、１５４ｂが多結晶シリコンである場合には、制御電極１２４ａ、１２４ｂと対向する真性領域（図示せず）と、その両側に位置した不純物領域（図示せず）を含む。不純物領域は、入力電極１７３ａ、１７３ｂ及び出力電極１７５ａ、１７５ｂと電気的に接続され、オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂは省略することができる。
また、制御電極１２４ａ、１２４ｂを半導体１５４ａ、１５４ｂの上においてもよく、この場合にも、ゲート絶縁膜１４０は半導体１５４ａ、１５４ｂと制御電極１２４ａ、１２４ｂとの間に位置する。この時、データ導電体１７１、１７２、１７３ｂ、１７５ｂはゲート絶縁膜１４０上に位置し、ゲート絶縁膜１４０に開いたコンタクトホール（図示せず）を介して半導体１５４ａ、１５４ｂと電気的に接続される。これとは異なり、データ導電体１７１、１７２、１７３ｂ、１７５ｂが半導体１５４ａ、１５４ｂ下に位置し、その上の半導体１５４ａ、１５４ｂと電気的に接触することができる。
一方、保護膜を平坦化特性を有する無機膜で直接形成することができる。図５及び図６には本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の断面図であって、図２に示す有機発光表示装置のＩＩＩ-ＩＩＩ線及びＩＶ-ＩＶ線に沿った断面図が示されている。
図５及び図６に示すように、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置とほぼ同様であり、保護膜１８０が平坦化特性を有する無機膜で形成され、別途の遮断層が形成されない点で異なっている。
図５及び図６に示すように、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置とほぼ同様であり、保護膜１８０が平坦化特性を有する無機膜で形成され、別途の遮断層が形成されない点で異なっている。
このような保護膜１８０は、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ２）などのような無機膜で形成される。また、保護膜１８０は、水分を吸収する性質を有する吸湿有機膜で形成することができる。
尚、本発明は、上述の実施例に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。よって、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
尚、本発明は、上述の実施例に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。よって、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
１１０…基板
１２１、１２９…ゲート線
１２４ａ…第１制御電極
１２４ｂ…第２制御電極
１２７…維持電極
１４０…ゲート絶縁膜
１５４ａ…第１島状半導体
１５４ｂ…第２島状半導体
１６３ａ、１６５ａ…第１オーミック接触部材
１６３ｂ、１６５ｂ…第２オーミック接触部材
１７１、１７９…データ線
１７２…駆動電圧線
１７３ａ…第１入力電極
１７３ｂ…第２入力電極
１７５ａ…第１出力電極
１７５ｂ…第２出力電極
１７５…ドレイン電極
１８０…保護膜
１８１、１８２、１８４、１８５ａ、１８５ｂ…コンタクトホール
１９０…画素電極
２７０…共通電極
３６１…隔壁
３６５…開口部
３７０…有機発光部材
８１、８２…接触補助部材
８５…接続部材
１２１、１２９…ゲート線
１２４ａ…第１制御電極
１２４ｂ…第２制御電極
１２７…維持電極
１４０…ゲート絶縁膜
１５４ａ…第１島状半導体
１５４ｂ…第２島状半導体
１６３ａ、１６５ａ…第１オーミック接触部材
１６３ｂ、１６５ｂ…第２オーミック接触部材
１７１、１７９…データ線
１７２…駆動電圧線
１７３ａ…第１入力電極
１７３ｂ…第２入力電極
１７５ａ…第１出力電極
１７５ｂ…第２出力電極
１７５…ドレイン電極
１８０…保護膜
１８１、１８２、１８４、１８５ａ、１８５ｂ…コンタクトホール
１９０…画素電極
２７０…共通電極
３６１…隔壁
３６５…開口部
３７０…有機発光部材
８１、８２…接触補助部材
８５…接続部材
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上に形成される第１信号線と、
前記第１信号線と交差する第２信号線と、
前記基板上に形成され、第１電圧を伝達する駆動電圧線と、
前記第１信号線及び前記第２信号線と接続される第１薄膜トランジスタと、
前記第１薄膜トランジスタ及び前記駆動電圧線と接続される第２薄膜トランジスタと、
前記第１及び第２薄膜トランジスタ上に形成される保護膜と、
前記保護膜上に形成される遮断層と、
前記遮断層上に形成され、前記第２薄膜トランジスタと接続される第１電極と、
第２電圧の印加を受けて前記第１電極と対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材とを備えることを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記遮断層は無機膜で形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 前記遮断層は無機絶縁物及び有機絶縁物からなる混合薄膜で形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 前記保護膜及び遮断層上に、さらに保護膜及び遮断層が交互に形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 前記発光部材を囲む隔壁をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 基板と、
前記基板上に形成される第１信号線と、
前記第１信号線と交差する第２信号線と、
前記基板上に形成され、第１電圧を伝達する駆動電圧線と、
前記第１信号線及び前記第２信号線と接続されている第１薄膜トランジスタと、
前記第１薄膜トランジスタ及び前記駆動電圧線と接続されている第２薄膜トランジスタと、
前記第１及び第２薄膜トランジスタ上に形成される遮断層と、
前記遮断層上に形成され、前記第２薄膜トランジスタと接続されている第１電極と、
第２電圧の印加を受け、前記第１電極と対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に形成される発光部材とを備え、前記遮断層は無機膜で形成されることを特徴とする有機発光表示装置。
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