JP2022175716A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 表示品位の向上が可能な表示装置を提供する。【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、基材と、表示素子と、隔壁と、第１無機層と、第２無機層と、樹脂層と、第３無機層と、を備えている。前記表示素子は、第１電極、前記第１電極に対向する第２電極、および、前記第１電極と前記第２電極の間に位置する発光層を備え、前記基材の上方に配置されている。前記隔壁は、隣り合う前記表示素子の間に位置している。前記第１無機層は、無機材料により形成され、前記表示素子および前記隔壁を覆っている。前記第２無機層は、無機材料により形成され、前記第１無機層を覆っている。前記樹脂層は、樹脂により形成され、前記第２無機層を覆っている。前記第３無機層は、無機材料により形成され、前記樹脂層を覆っている。【選択図】 図５

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、第１電極と、第２電極と、これら電極の間に配置された有機層とを備えている。有機層は、第１電極と第２電極の間の電圧に応じて発光する発光層を含む。

一般に、有機層は水分への耐性が低い。何らかの原因で有機層に水分が到達すると、発光時における表示素子の輝度低下など、表示品位の低下を招く一因となり得る。

特開２００８－１３５３２５号公報 特開２０００－１９５６７７号公報

本発明の目的は、表示品位の向上が可能な表示装置を提供することにある。

一実施形態に係る表示装置は、基材と、表示素子と、隔壁と、第１無機層と、第２無機層と、樹脂層と、第３無機層と、を備えている。前記表示素子は、第１電極、前記第１電極に対向する第２電極、および、前記第１電極と前記第２電極の間に位置する発光層を備え、前記基材の上方に配置されている。前記隔壁は、隣り合う前記表示素子の間に位置している。前記第１無機層は、無機材料により形成され、前記表示素子および前記隔壁を覆っている。前記第２無機層は、無機材料により形成され、前記第１無機層を覆っている。前記樹脂層は、樹脂により形成され、前記第２無機層を覆っている。前記第３無機層は、無機材料により形成され、前記樹脂層を覆っている。

他の実施形態に係る表示装置は、基材と、表示素子と、リブと、第１無機層と、第２無機層と、樹脂層と、第３無機層と、を備えている。前記表示素子は、第１電極、前記第１電極に対向する第２電極、および、前記第１電極と前記第２電極の間に位置する発光層を備え、前記基材の上方に配置されている。前記リブは、隣り合う前記表示素子の間に位置するトレンチを有している。前記第１無機層は、無機材料で形成され、前記表示素子および前記トレンチの内面を覆っている。前記第２無機層は、無機材料により形成され、前記第１無機層を覆っている。前記樹脂層は、樹脂により形成され、前記第２無機層を覆っている。前記第３無機層は、無機材料により形成され、前記樹脂層を覆っている。

図１は、第１実施形態に係る表示装置の一構成例を示す図である。 図２は、第１実施形態に係る副画素のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２のIII－III線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図４は、第１実施形態に係る有機層に適用し得る層構成の一例を示す断面図である。 図５は、図３における隔壁の近傍を拡大した概略的な断面図である。 図６は、図１におけるVI－VI線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図７は、第１実施形態に係る表示装置に適用し得る他の例を示す概略的な断面図である。 図８は、第１実施形態に係る表示装置に適用し得るさらに他の例を示す概略的な断面図である。 図９は、第１実施形態に係る表示装置に適用し得るさらに他の例を示す概略的な断面図である。 図１０は、第２実施形態に係る表示装置の一部の概略的な断面図である。 図１１は、第２実施形態に係る表示装置の全体の概略的な断面図である。 図１２は、第２実施形態に係る表示装置に適用し得る他の例を示す概略的な断面図である。 図１３は、第２実施形態に係る表示装置に適用し得るさらに他の例を示す概略的な断面図である。 図１４は、第３実施形態に係る表示装置の一部の概略的な断面図である。 図１５は、第３実施形態に係る表示装置に適用し得る他の例を示す概略的な断面図である。

以下、いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。Ｘ軸およびＹ軸によって規定される面をＸ－Ｙ平面と称し、Ｘ軸およびＺ軸によって規定される面をＸ－Ｚ平面と称する。Ｘ－Ｙ平面を見ることを平面視という。

本実施形態に係る表示装置ＤＳＰは、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基材１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基材１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基材１０の形状が長方形である。ただし、基材１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを備えている。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および青色の副画素ＳＰ３を備えている。なお、画素ＰＸは、上記の３色の副画素の他に、白色などの他の色の副画素を加えた４個以上の副画素を備えてもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２において、ゲート電極は走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。表示素子２０のカソードは、共通電圧が印加された給電線ＦＬに接続されている。なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。

図２は、副画素ＳＰ（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３）のレイアウトの一例を示す図である。ここでは、４個の画素ＰＸに着目する。それぞれの画素ＰＸにおいて、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３はこの順で第１方向Ｘに並んでいる。すなわち、表示領域ＤＡにおいて、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ１により構成される列と、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ２により構成される列と、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ３により構成される列とが、第１方向Ｘにおいて交互に配置されている。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の境界には、リブ１４が配置されている。図２の例において、リブ１４は、第１方向Ｘに隣り合う副画素ＳＰの間に位置する部分と、第２方向Ｙに隣り合う副画素ＳＰの間に位置する部分とを有した格子状である。リブ１４は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のそれぞれにおいて開口ＯＰを形成する。

リブ１４の上には、複数の隔壁ＰＴが配置されている。図２の例において、複数の隔壁ＰＴは、第２方向Ｙと平行な複数の隔壁ＰＴ１と、第１方向Ｘと平行な複数の隔壁ＰＴ２とを含む。

隔壁ＰＴ１は、第１方向Ｘに隣り合う副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間、第１方向Ｘに隣り合う副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間、および、第１方向Ｘに隣り合う副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間にそれぞれ位置している。すなわち、隔壁ＰＴ１は、異なる色の副画素ＳＰの境界に位置している。

隔壁ＰＴ２は、第２方向Ｙに隣り合う２つの副画素ＳＰ１の間、第２方向Ｙに隣り合う２つの副画素ＳＰ２の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの副画素ＳＰ３の間にそれぞれ位置している。すなわち、隔壁ＰＴ２は、同じ色の副画素ＳＰの境界に位置している。なお、同じ色の副画素ＳＰにおいては混色が生じないため、隔壁ＰＴ２が省略されてもよい。

図３は、図２のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図３においては、主に副画素ＳＰ２の断面構造を示すが、副画素ＳＰ１，ＳＰ３も同様の断面構造を有している。なお、副画素ＳＰ２に配置される素子として駆動トランジスタ３および表示素子２０を示し、その他の素子の図示を省略している。

表示装置ＤＳＰは、上述の基材１０、リブ１４、隔壁ＰＴ１および給電線ＦＬに加え、絶縁層１１，１２，１３と、第１無機層ＩＬ１と、第２無機層ＩＬ２と、第３無機層ＩＬ３と、樹脂層ＲＬとを備えている。

絶縁層１１，１２，１３は、基材１０の上において第３方向Ｚに積層されている。絶縁層１１，１２は、例えば無機材料で形成されている。絶縁層１３は、例えば有機材料で形成されている。

駆動トランジスタ３は、半導体層３０と、電極３１，３２，３３とを備えている。電極３１は、ゲート電極に相当する。電極３２，３３の一方はソース電極に相当し、他方はドレイン電極に相当する。半導体層３０は、基材１０と絶縁層１１の間に配置されている。電極３１は、絶縁層１１，１２の間に配置されている。電極３２，３３は、絶縁層１２，１３の間に配置され、絶縁層１１，１２を貫通するコンタクトホールを通じて半導体層３０に接触している。

表示素子２０は、第１電極Ｅ１と、有機層ＯＲと、第２電極Ｅ２とを備えている。第１電極Ｅ１は、副画素ＳＰ毎に配置された電極であり、画素電極、下部電極またはアノードと称される場合がある。第２電極Ｅ２は、複数の副画素ＳＰに対して共通に配置された電極であり、共通電極、上部電極またはカソードと称される場合がある。

リブ１４は、絶縁層１３の上に配置されている。リブ１４は、有機材料で形成することができる。第１電極Ｅ１は、絶縁層１３の上に配置され、開口ＯＰと重なっている。第１電極Ｅ１の周縁部は、リブ１４により覆われている。第１電極Ｅ１は、絶縁層１３を貫通するコンタクトホールを通じて電極３３と電気的に接続されている。第１電極Ｅ１は、金属材料で形成されている。ただし、第１電極Ｅ１は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料で形成されてもよいし、透明導電材料と金属材料の積層体であってもよい。

有機層ＯＲは、開口ＯＰを通じて第１電極Ｅ１に接触している。有機層ＯＲの一部は、リブ１４の上に位置している。第２電極Ｅ２は、有機層ＯＲを覆っている。第２電極Ｅ２は、例えば金属材料で形成されている。ただし、第２電極Ｅ２は、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料で形成されてもよい。

隔壁ＰＴ１は、リブ１４の上に配置されている。図２に示した隔壁ＰＴ２もリブ１４の上に配置されている。隔壁ＰＴ１，ＰＴ２は、例えば有機材料で形成されている。

給電線ＦＬは、金属材料で形成され、リブ１４の上に配置されている。図３の例においては、リブ１４の上に２本の給電線ＦＬが配置され、これら給電線ＦＬの間に隔壁ＰＴ１が配置されている。給電線ＦＬは、例えば図２に示した隔壁ＰＴ２の下を通り、第２方向Ｙに延びている。給電線ＦＬは、隔壁ＰＴ１の直下に配置されてもよい。また、隔壁ＰＴ２に沿って第１方向Ｘに延びる給電線ＦＬがさらに配置されてもよい。

第１無機層ＩＬ１は、第２電極Ｅ２、リブ１４および隔壁ＰＴ１，ＰＴ２を覆っている。第２無機層ＩＬ２は、第１無機層ＩＬ１を覆っている。樹脂層ＲＬは、第２無機層ＩＬ２を覆っている。樹脂層ＲＬは、例えば有機材料（樹脂）によって形成されている。樹脂層ＲＬは、絶縁層１１，１２，１３、リブ１４、第１無機層ＩＬ１、第２無機層ＩＬ２、第３無機層ＩＬ３および隔壁ＰＴ１，ＰＴ２よりも厚く、リブ１４や隔壁ＰＴ１，ＰＴ２により生じる凹凸を平坦化している。第３無機層ＩＬ３は、樹脂層ＲＬを覆っている。

第１無機層ＩＬ１、第２無機層ＩＬ２および第３無機層ＩＬ３は、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮｘ）、金属、金属酸化物などの無機材料で形成されている。第１無機層ＩＬ１および第２無機層ＩＬ２は、両者の密着性の観点からは、同じ無機材料で形成されることが好ましい。また、例えば第１無機層ＩＬ１および第２無機層ＩＬ２の一方がシリコン酸化物であり、他方がシリコン窒化物である場合のように、第１無機層ＩＬ１および第２無機層ＩＬ２の双方がシリコン系の無機材料で形成されてもよい。さらに、第１無機層ＩＬ１および第２無機層ＩＬ２は、シリコン系以外の同系統の無機材料で形成されてもよい。これらの場合であっても、第１無機層ＩＬ１および第２無機層ＩＬ２の密着性を向上させることができる。第３無機層ＩＬ３に関しても、第１無機層ＩＬ１および第２無機層ＩＬ２と同じ無機材料で形成されてもよいし、第１無機層ＩＬ１および第２無機層ＩＬ２と同系統の無機材料で形成されてもよい。

本実施形態においては、後述するように第１無機層ＩＬ１および第２無機層ＩＬ２を異なる成膜条件で蒸着により形成する。そのため、仮に第１無機層ＩＬ１および第２無機層ＩＬ２を同じ材料で形成した場合であっても、第１無機層ＩＬ１および第２無機層ＩＬ２の膜密度や組成比が異なり得る。第１無機層ＩＬ１、第２無機層ＩＬ２、樹脂層ＲＬおよび第３無機層ＩＬ３は、有機層ＯＲを水分などから保護する封止層として機能する。

図４は、有機層ＯＲに適用し得る層構成の一例を示す断面図である。例えば、有機層ＯＲは、第１電極Ｅ１から第２電極Ｅ２に向けて順に積層された第１機能層Ｆ１、発光層ＥＬおよび第２機能層Ｆ２を含んでいる。

第１電極Ｅ１の電位が第２電極Ｅ２の電位よりも相対的に高い場合、第１電極Ｅ１がアノードに相当し、第２電極Ｅ２がカソードに相当する。また、第２電極Ｅ２の電位が第１電極Ｅ１の電位よりも相対的に高い場合、第２電極Ｅ２がアノードに相当し、第１電極Ｅ１がカソードに相当する。

一例として、第１電極Ｅ１がアノードに相当する場合、第１機能層Ｆ１は正孔注入層、正孔輸送層および電子ブロッキング層の少なくとも１つを含み、第２機能層Ｆ２は電子輸送層、電子注入層および正孔ブロッキング層の少なくとも１つを含む。

第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２の間に電位差が形成されると、発光層ＥＬが発光する。本実施形態においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の有機層ＯＲに含まれる発光層ＥＬがいずれも同一色（例えば白色）の光を放つ場合を想定する。この場合において、例えば樹脂層ＲＬの上方に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の色に応じたカラーフィルタが配置されてもよい。また、発光層ＥＬが放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層が副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に配置されてもよい。なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の発光層ＥＬは、それぞれ副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色を放つものであってもよい。

図５は、図３において副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間に位置する隔壁ＰＴ１の近傍を拡大した概略的な断面図である。隔壁ＰＴ１は、第１部分Ｐ１と、第１部分Ｐ１の下方に位置する第２部分Ｐ２とを有している。図５の例においては、第２部分Ｐ２がリブ１４の上面１４ａに接触している。

第１部分Ｐ１は、第１幅Ｗ１ａを有している。第２部分Ｐ２は、第２幅Ｗ２ａを有している。第２幅Ｗ２ａは、第１幅Ｗ１よりも小さい（Ｗ１ａ＞Ｗ２ａ）。

図５の例において、第１部分Ｐ１の一対の側面ＳＦ１は、これら側面ＳＦ１の間の距離が第１部分Ｐ１の上端から下端に向けて小さくなるように傾斜している。すなわち、第１部分Ｐ１の幅は、第３方向Ｚにおいて一定ではない。第１幅Ｗ１ａは、第１部分Ｐ１の最大幅に相当し、図示した例においては第１部分Ｐ１の上端の幅である。なお、一対の側面ＳＦ１は、第３方向Ｚと平行であってもよい。また、一対の側面ＳＦ１は、これら側面ＳＦ１の間の距離が第１部分Ｐ１の上端から下端に向けて大きくなるように傾斜していてもよい。図５の例において、第２部分Ｐ２の一対の側面ＳＦ２は、第３方向Ｚと平行である。ただし、一対の側面ＳＦ２は、第３方向Ｚに対して傾斜していてもよい。

第１部分Ｐ１は、側面ＳＦ１と側面ＳＦ２を繋ぐ一対の下面ＢＦを有している。これら下面ＢＦは、リブ１４の上面１４ａと対向している。このような形状の第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２を有する隔壁ＰＴ１の形状は、例えばオーバーハング形状と呼ぶことができる。隔壁ＰＴ１の形状は、図５に示す例に限られない。例えば、隔壁ＰＴ１は、下面ＢＦに相当する部分を有さない形状（逆テーパー形状）を有してもよい。

隔壁ＰＴ１（第１部分Ｐ１）の上には、有機層ＯＲａと、有機層ＯＲａを覆う導電層Ｅ２ａとが配置されている。有機層ＯＲａは、有機層ＯＲと同じ材料で形成されている。導電層Ｅ２ａは、第２電極Ｅ２と同じ材料で形成されている。有機層ＯＲａは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２に配置された有機層ＯＲと離間している。導電層Ｅ２ａは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２に配置された第２電極Ｅ２と離間している。

有機層ＯＲおよび第２電極Ｅ２は、例えば真空蒸着により表示領域ＤＡの全面に形成される。このとき、隔壁ＰＴ１の上面に蒸着源からの材料が付着することにより、有機層ＯＲａおよび導電層Ｅ２ａが形成される。一方、側面ＳＦ１，ＳＦ２には蒸着源からの材料が付着しにくい。これにより、有機層ＯＲと有機層ＯＲａが分断され、第２電極Ｅ２と導電層Ｅ２ａが分断される。

有機層ＯＲは、リブ１４の上面１４ａにおいて第１端部ＥＤ１を有している。第２電極Ｅ２は、上面１４ａにおいて第２端部ＥＤ２を有している。第１端部ＥＤ１および第２端部ＥＤ２は、いずれも第２部分Ｐ２と離間している。第２端部ＥＤ２は、第１方向Ｘにおいて第１端部ＥＤ１と第２部分Ｐ２の間に位置している。第１端部ＥＤ１は、第２電極Ｅ２により覆われている。

給電線ＦＬは、上面１４ａにおいて第１端部ＥＤ１と第２部分Ｐ２の間に位置している。第２電極Ｅ２は、給電線ＦＬと接触している。図５の例においては、給電線ＦＬの全体が第２電極Ｅ２により覆われており、第２端部ＥＤ２が給電線ＦＬと第２部分Ｐ２の間に位置している。ただし、給電線ＦＬの一部が第２電極Ｅ２により覆われていなくてもよい。

第１無機層ＩＬ１は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の第２電極Ｅ２、上面１４ａ、一対の側面ＳＦ１、一対の側面ＳＦ２、一対の下面ＢＦおよび導電層Ｅ２ａを連続的に覆っている。第２無機層ＩＬ２は、第１無機層ＩＬ１の上面を連続的に覆っている。

なお、図５においては副画素ＳＰ１，ＳＰ２の境界付近の構造を示したが、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の境界付近や副画素ＳＰ１，ＳＰ３の境界付近にも同様の構造を適用できる。図２に示した隔壁ＰＴ２には隔壁ＰＴ１と同様の形状を適用できる。図５に示した構造は、第２方向Ｙに並ぶ２つの副画素ＳＰ１の境界付近、第２方向Ｙに並ぶ２つの副画素ＳＰ２の境界付近、第２方向Ｙに並ぶ２つの副画素ＳＰ３の境界付近の断面構造にも適用できる。

第１無機層ＩＬ１は、第２電極Ｅ２が形成された後に、例えば化学蒸着法（ＣＶＤ）などの蒸着により形成される。第１無機層ＩＬ１を蒸着により形成するときに、大きな角度をなす２つの面で構成される角の近傍においては、一方の面から無機層が成長するとともに、他方の面からも無機層が成長してくる。これら無機層が接近すると、その間の部分へのガスの流入が抑制され、クレバス状のボイド（隙間）やシームが形成されることがある。ボイドには樹脂層ＲＬが入り込みにくいため、ボイド内に大気が残留し得る。

図５の例においては、側面ＳＦ２と下面ＢＦの角付近においてボイドＶが形成されている。このボイドＶに代えて、側面ＳＦ２と下面ＢＦの角付近にシームが形成される可能性もある。また、第２部分Ｐ２の根本付近にボイドやシームが形成される可能性もある。

従来、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の封止層としては、下層の無機層、樹脂層、上層の無機層が順に積層された３層封止構造が一般的である。このような３層封止構造を本実施形態のように隔壁ＰＴ１，ＰＴ２を有する表示装置に適用すると、下層の無機層にボイドやシームが生じた場合、表示素子への水分浸入を十分に抑制できない可能性がある。すなわち、例えば樹脂層が当初より水分を含んでいたとしたら、この水分がボイドやシームを通じて表示素子に到達し得る。また、上層の無機層にクラックが生じた場合、このクラック、樹脂層、下層の無機層のボイドやシームを順に通って表示素子に水分が浸入し得る。水分が表示素子（特に有機層ＯＲ）に到達すると、表示素子の輝度低下（ダークスポットの発生）などの表示不良の一因となり得る。

これに対し、本実施形態においては第１無機層ＩＬ１の上に第２無機層ＩＬ２が積層されている。そのため、第１無機層ＩＬ１にボイドやシームが発生した場合であっても、これらボイドやシームは第２無機層ＩＬ２により覆われるため、表示素子２０に水分が浸入しにくい。これにより、表示装置ＤＳＰの表示品位を向上させることが可能となる。

第２無機層ＩＬ２は、第１無機層ＩＬ１と同じく蒸着により形成される。第２無機層ＩＬ２は、第１無機層ＩＬ１においてボイドやシームが発生し得る箇所も連続的に覆う必要があることから、第１無機層ＩＬ１の成膜条件よりも回り込み特性が良好な成膜条件で形成されることが好ましい。

良好な回り込み特性は、蒸着装置の構造を工夫することによっても実現できる。例えば、蒸着装置が備えるシャワープレートの形状を調整してもよい。具体的には、第２無機層ＩＬ２の成膜時に使用するシャワープレートに設けられた複数の開口を、ワークに近づくに連れて径が大きくなるテーパー形状としてもよい。

また、ホローカソード方式の蒸着装置を利用する場合、アノードの開口をカソードの開口に対して大きくしてもよいし、アノードの開口をワークに近づくに連れて径が大きくなるテーパー形状としてもよい。

第１無機層ＩＬ１は、各副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３やこれらの境界において全体的に下層への水分浸入を良好に抑制する必要があることから、ある程度の厚さを有する必要がある。これに対し、第２無機層ＩＬ２は、ボイドやシームが生じないように、遅い成長速度で緻密に形成する必要がある。

このような観点から、本実施形態においては、第１無機層ＩＬ１の厚さｔ１が第２無機層ＩＬ２の厚さｔ２よりも大きい。すなわち、第２無機層ＩＬ２は第１無機層ＩＬ１よりも薄く形成されている。第３無機層ＩＬ３の厚さｔ３は、例えば厚さｔ１と同等である。一例として、厚さｔ２は、厚さｔ１の１／２以下である。厚さｔ２は、厚さｔ１の１／１０以下であってもよい。

なお、側面ＳＦ２と下面ＢＦの角付近や第２部分Ｐ２の根本付近の凹凸は、第１無機層ＩＬ１により緩和される。そのため、第２無機層ＩＬ２にはこれら角付近や根本付近においてボイドやシームが生じにくい。

なお、第１無機層ＩＬ１と第２無機層ＩＬ２を別々のプロセスにて成膜する場合、第１無機層ＩＬ１と第２無機層ＩＬ２の間には明確な界面が形成される。一方、第１無機層ＩＬ１を成膜するプロセスの終盤から徐々に成膜条件を変えて第２絶縁層ＩＬ２を成膜することもできる。この場合には、第１無機層ＩＬ１と第２無機層ＩＬ２の境界がグラデーションとなり、両者の間に明確な界面が形成されない。
ここでは図５のように隔壁ＰＴ１を含む断面に基づき本実施形態が奏する効果の一例を説明したが、隔壁ＰＴ２付近においても同様の効果を得ることができる。

図６は、図１におけるVI－VI線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。この図においては、基材１０の上に配置される絶縁層１１，１２，１３、リブ１４、隔壁ＰＴ１，ＰＴ２、画素回路１および表示素子２０等の要素を回路層４０として簡略化している。

回路層４０、第１無機層ＩＬ１、第２無機層ＩＬ２、第３無機層ＩＬ３および樹脂層ＲＬは、表示領域ＤＡの全体に形成されるとともに、周辺領域ＳＡにも及んでいる。すなわち、回路層４０の端部ＥＤ４０、第１無機層ＩＬ１の端部ＥＤｉ１、第２無機層ＩＬ２の端部ＥＤｉ２、第３無機層ＩＬ３の端部ＥＤｉ３および樹脂層ＲＬの端部ＥＤｒは、いずれも周辺領域ＳＡに位置している。

図６の例においては、端部ＥＤｉ１，ＥＤｉ２，ＥＤｉ３および基材１０の端部ＥＤ１０が揃っている。一方で、端部ＥＤ４０，ＥＤｒが端部ＥＤｉ１，ＥＤｉ２，ＥＤｉ３よりも表示領域ＤＡ寄りに位置している。端部ＥＤ１０は、端部ＥＤｉ１，ＥＤｉ２，ＥＤｉ３より突出してもよい。すなわち、端部ＥＤｉ１，ＥＤｉ２，ＥＤｉ３は、周辺領域ＳＡにおいて端部ＥＤ１０と端部ＥＤｒ，ＥＤ４０の間に位置してもよい。

第１無機層ＩＬ１は、周辺領域ＳＡにおいて基材１０に接触している。第３無機層ＩＬ３は、周辺領域ＳＡにおいて第２無機層ＩＬ２に接触している。回路層４０の端部ＥＤ４０は、第１無機層ＩＬ１により覆われている。樹脂層ＲＬの端部ＥＤｒは、第３無機層ＩＬ３により覆われている。

このような構成であれば、表示装置ＤＳＰの周縁部から回路層４０や樹脂層ＲＬへの水分浸入を第１無機層ＩＬ１、第２無機層ＩＬ２および第３無機層ＩＬ３により良好に抑制できる。

図７は、表示装置ＤＳＰに適用し得る他の例を示す概略的な断面図である。この例では、第２無機層ＩＬ２の端部ＥＤｉ２が第３無機層ＩＬ３の端部ＥＤｉ３よりも表示領域ＤＡ寄りに位置している。端部ＥＤｉ２は、第３無機層ＩＬ３により覆われている。第３無機層ＩＬ３は、周辺領域ＳＡにおいて第１無機層ＩＬ１と接触している。図７の例においては端部ＥＤ１０，ＥＤｉ１，ＥＤｉ３が揃っているが、端部ＥＤ１０は端部ＥＤｉ１，ＥＤｉ３より突出してもよい。すなわち、端部ＥＤｉ１，ＥＤｉ３は、周辺領域ＳＡにおいて端部ＥＤ１０と端部ＥＤｉ２，ＥＤｒ，ＥＤ４０の間に位置してもよい。

例えば、第３無機層ＩＬ３を第１無機層ＩＬ１と同様の成膜条件と材料で形成した場合、第３無機層ＩＬ３は第２無機層ＩＬ２に比べ第１無機層ＩＬ１に対する高い密着性を発揮し得る。このような場合、図７のように第３無機層ＩＬ３と第１無機層ＩＬ１が周辺領域ＳＡにおいて接触していれば、回路層４０や樹脂層ＲＬへの水分浸入を良好に抑制できる。

図８は、表示装置ＤＳＰに適用し得るさらに他の例を示す概略的な断面図である。この例では、第１無機層ＩＬ１の端部ＥＤｉ１および第２無機層ＩＬ２の端部ＥＤｉ２が、第３無機層ＩＬ３の端部ＥＤｉ３よりも表示領域ＤＡ寄りに位置している。端部ＥＤｉ１，ＥＤｉ２は、第３無機層ＩＬ３により覆われている。第３無機層ＩＬ３は、周辺領域ＳＡにおいて基材１０と接触している。図８の例においては端部ＥＤ１０，ＥＤｉ３が揃っているが、端部ＥＤ１０は端部ＥＤｉ３より突出してもよい。すなわち、端部ＥＤｉ３は、周辺領域ＳＡにおいて端部ＥＤ１０と端部ＥＤｉ１，ＥＤｉ２，ＥＤｒ，ＥＤ４０の間に位置してもよい。

図８のような構成であれば、回路層４０の端部ＥＤ４０が第１無機層ＩＬ１および第３無機層ＩＬ３によって２重に覆われる。また、表示装置ＤＳＰの周縁部においては、回路層４０に向けた水分浸入の経路が基材１０と第３無機層ＩＬ３の境界に限られる。これらにより、回路層４０への水分浸入を良好に抑制できる。

図９は、表示装置ＤＳＰに適用し得るさらに他の例を示す概略的な断面図である。この例では、第２無機層ＩＬ２の端部ＥＤｉ２が樹脂層ＲＬの端部ＥＤｒよりも表示領域ＤＡ寄りに位置している。その他の構造は、図８の例と同様である。図９の例においては端部ＥＤ１０，ＥＤｉ３が揃っているが、端部ＥＤ１０は端部ＥＤｉ３より突出してもよい。すなわち、端部ＥＤｉ３は、周辺領域ＳＡにおいて端部ＥＤ１０と端部ＥＤｉ１，ＥＤｉ２，ＥＤｒ，ＥＤ４０の間に位置してもよい。

なお、図６乃至図９においては第１方向Ｘに沿う表示装置ＤＳＰの断面を示したが、第２方向Ｙに沿う表示装置ＤＳＰの断面にも図６乃至図９と同様の構造を適用できる。

以上説明した本実施形態によれば、第１無機層ＩＬ１にボイドやシームが形成された場合であっても、これらボイドやシームを通じた水分浸入を抑制し、表示装置ＤＳＰの表示品位を高めることができる。

［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。本実施形態において特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。

図１０は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一部の概略的な断面図である。図１０においては、図５と同じく副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間に位置する隔壁ＰＴ１の近傍を拡大して示している。

本実施形態において、表示装置ＤＳＰは、第２無機層ＩＬ２と樹脂層ＲＬの間に位置する第４無機層ＩＬ４をさらに備えている。第４無機層ＩＬ４は、第２無機層ＩＬ２を全体的に覆っている。樹脂層ＲＬは、第４無機層ＩＬ４を全体的に覆っている。第１無機層ＩＬ１、第２無機層ＩＬ２、第３無機層ＩＬ３、第４無機層ＩＬ４および樹脂層ＲＬは、本実施形態における封止層を構成する。

第４無機層ＩＬ４は、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮｘ）、金属、金属酸化物などの無機材料で形成されている。第２無機層ＩＬ２に加えて第４無機層ＩＬ４を設けることにより、第１無機層ＩＬ１に形成され得るボイドＶやシームを通じた表示素子２０への水分浸入をより良好に抑制することができる。

第４無機層ＩＬ４を第１無機層ＩＬ１と同じ材料かつ同じ成膜条件で形成すると、第１無機層ＩＬ１および第４無機層ＩＬ４の同じ位置にボイドやシームが形成され得る。そこで、第４無機層ＩＬ４は、第１無機層ＩＬ１と異なる材料または異なる成膜条件で形成されることが好ましい。

例えば、第４無機層ＩＬ４は、第２無機層ＩＬ２のように回り込み特性が良好な成膜条件で形成されてもよい。また、例えば第１無機層ＩＬ１がシリコン酸化物、シリコン窒化物またはシリコン酸窒化物により形成され、第４無機層ＩＬ４が金属または金属酸化物により形成されてもよい。

図１１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの全体の概略的な断面図である。この図においては、図６と同じく、基材１０の上に配置される絶縁層１１，１２，１３、リブ１４、隔壁ＰＴ１，ＰＴ２、画素回路１および表示素子２０等の要素を回路層４０として簡略化している。

回路層４０、第１無機層ＩＬ１、第２無機層ＩＬ２、第３無機層ＩＬ３、第４無機層ＩＬ４および樹脂層ＲＬは、表示領域ＤＡの全体に形成されるとともに、周辺領域ＳＡにも及んでいる。すなわち、回路層４０の端部ＥＤ４０、第１無機層ＩＬ１の端部ＥＤｉ１、第２無機層ＩＬ２の端部ＥＤｉ２、第３無機層ＩＬ３の端部ＥＤｉ３、第４無機層ＩＬ４の端部ＥＤｉ４および樹脂層ＲＬの端部ＥＤｒは、いずれも周辺領域ＳＡに位置している。

図１１の例においては、端部ＥＤｉ１，ＥＤｉ３，ＥＤｉ４および基材１０の端部ＥＤ１０が揃っている。一方で、端部ＥＤ４０，ＥＤｒ，ＥＤｉ２が端部ＥＤｉ１，ＥＤｉ３，ＥＤｉ４よりも表示領域ＤＡ寄りに位置している。端部ＥＤ１０は、端部ＥＤｉ１，ＥＤｉ３，ＥＤｉ４より突出してもよい。すなわち、端部ＥＤｉ１，ＥＤｉ３，ＥＤｉ４は、周辺領域ＳＡにおいて端部ＥＤ１０と端部ＥＤｉ２，ＥＤｒ，ＥＤ４０の間に位置してもよい。

第１無機層ＩＬ１は、周辺領域ＳＡにおいて基材１０に接触している。第３無機層ＩＬ３は、周辺領域ＳＡにおいて第４無機層ＩＬ４に接触している。第４無機層ＩＬ４は、周辺領域ＳＡにおいて第１無機層ＩＬ１に接触している。回路層４０の端部ＥＤ４０は、第１無機層ＩＬ１により覆われている。樹脂層ＲＬの端部ＥＤｒは、第３無機層ＩＬ３により覆われている。第２無機層ＩＬ２の端部ＥＤｉ２は、第４無機層ＩＬ４により覆われている。

このように第４無機層ＩＬ４が周辺領域ＳＡにおいて第１無機層ＩＬ１および第３無機層ＩＬ３と接触した構成であれば、これら無機層ＩＬ１，ＩＬ３，ＩＬ４により、表示装置ＤＳＰの周縁部から表示領域ＤＡに向けた水分浸入を良好に抑制できる。

図１２は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰに適用し得る他の例を示す概略的な断面図である。この例では、第１無機層ＩＬ１の端部ＥＤｉ１が第４無機層ＩＬ４の端部ＥＤｉ４よりも表示領域ＤＡ寄りに位置している。端部ＥＤｉ１は、第４無機層ＩＬ４により覆われている。第４無機層ＩＬ４は、周辺領域ＳＡにおいて基材１０と接触している。図１２の例においては端部ＥＤ１０，ＥＤｉ３，ＥＤｉ４が揃っているが、端部ＥＤ１０は端部ＥＤｉ３，ＥＤｉ４より突出してもよい。すなわち、端部ＥＤｉ３，ＥＤｉ４は、周辺領域ＳＡにおいて端部ＥＤ１０と端部ＥＤｉ１，ＥＤｉ２，ＥＤｒ，ＥＤ４０の間に位置してもよい。

図１２のような構成であれば、回路層４０の端部ＥＤ４０が第１無機層ＩＬ１および第４無機層ＩＬ４によって２重に覆われる。これにより、回路層４０への水分浸入を良好に抑制できる。

図１３は、表示装置ＤＳＰに適用し得るさらに他の例を示す概略的な断面図である。この例では、第１無機層ＩＬ１の端部ＥＤｉ１、第２無機層ＩＬ２の端部ＥＤｉ２、第４無機層ＩＬ４の端部ＥＤｉ４がいずれも第３無機層ＩＬ３の端部ＥＤｉ３よりも表示領域ＤＡ寄りに位置している。端部ＥＤｉ１，ＥＤｉ２，ＥＤｉ４は、第３無機層ＩＬ３により覆われている。図１３の例においては端部ＥＤ１０，ＥＤｉ３が揃っているが、端部ＥＤ１０は端部ＥＤｉ３より突出してもよい。すなわち、端部ＥＤｉ３は、周辺領域ＳＡにおいて端部ＥＤ１０と端部ＥＤｉ１，ＥＤｉ２，ＥＤｉ４，ＥＤｒ，ＥＤ４０の間に位置してもよい。

図１３のような構成であれば、表示装置ＤＳＰの周縁部から回路層４０に向けた水分浸入の経路が基材１０と第３無機層ＩＬ３の境界に限られる。これにより、回路層４０への水分浸入を良好に抑制できる。

なお、図１１乃至図１３においては第１方向Ｘに沿う表示装置ＤＳＰの断面を示したが、第２方向Ｙに沿う表示装置ＤＳＰの断面にも図１１乃至図１３と同様の構造を適用できる。

［第３実施形態］
第３実施形態について説明する。本実施形態において特に言及しない構成は上述の各実施形態と同様である。

上述の各実施形態においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の境界に隔壁ＰＴ１，ＰＴ２が配置され、これにより有機層ＯＲおよび第２電極Ｅ２が分断される構造を例示した。本実施形態においては、有機層ＯＲおよび第２電極Ｅ２を分断するための他の構造を例示する。

図１４は、第３実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一部の概略的な断面図である。図１４においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の境界の構造を示している。本実施形態においては、リブ１４の上に隔壁ＰＴが配置されておらず、リブ１４がトレンチＴＲを有している。図１４の例においてはトレンチＴＲがリブ１４を貫通していないが、トレンチＴＲはリブ１４を貫通してもよい。この場合において、トレンチＴＲは、リブ１４の下方の層（図３に示した絶縁層１３）に及んでもよい。

トレンチＴＲは、例えば図２に示した隔壁ＰＴ（ＰＴ１，ＰＴ２）と同じく格子状に形成されている。図１４に例示するトレンチＴＲにおいては、上部の幅Ｗ１ｂが下部の幅Ｗ２ｂよりも小さい。トレンチＴＲの幅は、下方に向けて漸次増加している。トレンチＴＲが有する一対の内面ＳＦｂは、第３方向Ｚに対して傾斜している。

トレンチＴＲの底には、有機層ＯＲｂと、有機層ＯＲｂを覆う導電層Ｅ２ｂとが配置されている。有機層ＯＲｂは、有機層ＯＲと同じ材料で形成されている。導電層Ｅ２ｂは、第２電極Ｅ２と同じ材料で形成されている。有機層ＯＲｂは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２に配置された有機層ＯＲと離間している。導電層Ｅ２ｂは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２に配置された第２電極Ｅ２と離間している。

有機層ＯＲおよび第２電極Ｅ２は、例えば真空蒸着により表示領域ＤＡの全面に形成される。このとき、トレンチＴＲの底に蒸着源からの材料が付着することにより、有機層ＯＲｂおよび導電層Ｅ２ｂが形成される。一方、トレンチＴＲの一対の内面ＳＦｂには蒸着源からの材料が付着しにくい。これにより、有機層ＯＲと有機層ＯＲｂが分断され、第２電極Ｅ２と導電層Ｅ２ｂが分断される。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２の第２電極Ｅ２、トレンチＴＲの一対の内面ＳＦｂおよび導電層Ｅ２ｂは、第１無機層ＩＬ１によって連続的に覆われている。第１無機層ＩＬ１は、第２無機層ＩＬ２によって覆われている。第２無機層ＩＬ２は、樹脂層ＲＬによって覆われている。樹脂層ＲＬは、第３無機層ＩＬ３によって覆われている。

本実施形態の構造においても、例えばトレンチＴＲの内部においてボイドやシームが形成され得る。図１４の例においては、一対の内面ＳＦｂの下端部近傍にボイドＶが形成されている。

第１無機層ＩＬ１にボイドやシームが形成された場合であっても、これらボイドやシームは第２無機層ＩＬ２により覆われる。そのため、上述の各実施形態と同様に、ボイドやシームを通じた水分浸入を抑制できる。

図１５は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰに適用し得る構造の他の例を示す概略的な断面図である。図１５の例においては、第２実施形態と同じく、第２無機層ＩＬ２が第４無機層ＩＬ４によって覆われている。このような構成であれば、第１無機層ＩＬ１に形成され得るボイドやシームを通じた水分浸入をより良好に抑制できる。

なお、図１４および図１５においては副画素ＳＰ１，ＳＰ２の境界付近の構造を示したが、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の境界付近、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の境界付近、第２方向Ｙに並ぶ２つの副画素ＳＰ１の境界付近、第２方向Ｙに並ぶ２つの副画素ＳＰ２の境界付近、第２方向Ｙに並ぶ２つの副画素ＳＰ３の境界付近にも同様の断面構造を適用できる。

図１４に示した表示装置ＤＳＰにおいて、第１無機層ＩＬ１、第２無機層ＩＬ２、第３無機層ＩＬ３および樹脂層ＲＬの端部の構造には、図６乃至図９と同様の構造を適用できる。また、図１５に示した表示装置ＤＳＰにおいて、第１無機層ＩＬ１、第２無機層ＩＬ２、第３無機層ＩＬ３、第４無機層ＩＬ４および樹脂層ＲＬの端部の構造には、図１１乃至図１３と同様の構造を適用できる。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置、ＰＸ…画素、ＳＰ…副画素、Ｅ１…第１電極、Ｅ２…第２電極、ＯＲ…有機層、ＰＴ１，ＰＴ２…隔壁、ＴＲ…トレンチ、ＩＬ１…第１無機層、ＩＬ２…第２無機層、ＩＬ３…第３無機層、ＩＬ４…第４無機層、ＲＬ…樹脂層、１０…基材、１４…リブ。

Claims (12)

1. 基材と、
   第１電極、前記第１電極に対向する第２電極、および、前記第１電極と前記第２電極の間に位置する発光層を備え、前記基材の上方に配置された複数の表示素子と、
   隣り合う前記表示素子の間に位置する隔壁と、
   無機材料により形成され、前記表示素子および前記隔壁を覆う第１無機層と、
   無機材料により形成され、前記第１無機層を覆う第２無機層と、
   樹脂により形成され、前記第２無機層を覆う樹脂層と、
   無機材料により形成され、前記樹脂層を覆う第３無機層と、
   を備える表示装置。
2. 前記第２無機層は、前記第１無機層よりも薄い、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記隔壁は、
   第１幅の第１部分と、
   前記第１部分の下方に位置し、前記第１幅よりも小さい第２幅の第２部分と、
   を有し、
   前記第１無機層は、前記第１部分および前記第２部分を覆っている、
   請求項１または２に記載の表示装置。
4. 前記複数の表示素子を含む表示領域と、
   前記表示領域の周辺の周辺領域と、を備え、
   前記第１無機層、前記第２無機層、前記第３無機層および前記樹脂層は、少なくとも前記表示領域と重なっている、
   請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
5. 前記周辺領域において、前記第１無機層と前記第３無機層が接触している、
   請求項４に記載の表示装置。
6. 前記周辺領域において、前記第３無機層と前記基材が接触している、
   請求項４に記載の表示装置。
7. 無機材料により形成され、前記第２無機層と前記樹脂層の間に位置する第４無機層をさらに備える、
   請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記複数の表示素子を含む表示領域と、
   前記表示領域の周辺の周辺領域と、を備え、
   前記第１無機層、前記第２無機層、前記第３無機層、前記第４無機層および前記樹脂層は、少なくとも前記表示領域と重なっている、
   請求項７に記載の表示装置。
9. 前記周辺領域において、前記第１無機層と前記第４無機層が接触している、
   請求項８に記載の表示装置。
10. 前記周辺領域において、前記第４無機層が前記基材と接触している、
    請求項８に記載の表示装置。
11. 基材と、
    第１電極、前記第１電極に対向する第２電極、および、前記第１電極と前記第２電極の間に位置する発光層を備え、前記基材の上方に配置された複数の表示素子と、
    隣り合う前記表示素子の間に位置するトレンチを有するリブと、
    無機材料で形成され、前記表示素子および前記トレンチの内面を覆う第１無機層と、
    無機材料により形成され、前記第１無機層を覆う第２無機層と、
    樹脂により形成され、前記第２無機層を覆う樹脂層と、
    無機材料により形成され、前記樹脂層を覆う第３無機層と、
    を備える表示装置。
12. 無機材料により形成され、前記第２無機層と前記樹脂層の間に位置する第４無機層をさらに備える、
    請求項１１に記載の表示装置。

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