TW201535707A - 有機電致發光元件構造、其製造方法及發光面板 - Google Patents

Abstract

本發明的課題在於提供可以防止有機物構成的發光部之有機化合物的劣化之有機EL元件構造。 本發明之解決手段之有機EL元件構造(10)，於元件驅動電路層(11)上具有依序被層積的陽極膜(15)、包含有機化合物的發光部(16)及陰極膜(17)所構成的元件層積部(12)，元件驅動電路層(11)及元件層積部(12)間配設有密封膜(14)。

Description

有機電致發光元件構造、其製造方法及發光面板

本發明係關於有機電致發光元件構造、其製造方法及發光面板。

作為個人電腦或行動機器的顯示器，近年來替代LCD(Liquid Crystal Display)，開始使用具有有機EL(Organic Electro-Luminescence，有機電致發光)元件構造的顯示器(以下稱為有機EL顯示器)。

在有機EL元件構造，被施加電壓的發光部之有機化合物(二胺類等有機化合物)自身進行發光，所以不需要LCD所必須的背光，此外，有機EL元件構造對於電壓施加的發光回應速度很快，因為構造簡單化而呈現柔軟性，所以有機EL顯示器，特別適合於智慧型手機等行動機器的顯示器。

然而，有機EL元件構造的有機化合物會吸濕而劣化，最壞的場合下即使施加電壓也變成不再發光，所以在有機EL元件構造有必要密封有機化合物所構成的發光部隔離外界。因此，從前，使用了藉由玻璃使有機EL 元件構造與外界遮斷之玻璃密封或者罐式密封等密封手法，但是這些密封手法不適於薄膜化，而且會有水分由密封用玻璃與有機EL元件構造之間的接著層侵入的問題，此外因為欠缺柔軟性所以還有要對應可撓基板實有困難等問題。

對應於此，替代玻璃密封或罐式密封等密封手法，使用著在有機EL元件構造把使用TFT的元件驅動電路層之上被層積的陽極、發光部、陰極所構成的元件層積部以密封膜密封隔離氛圍的手法。作為密封膜使用可藉由CVD法形成的氮化矽(SiN)膜或氧氮化矽(SiON)膜等(例如參照專利文獻1、2)，但藉由CVD法成膜的話覆蓋率低，所以元件層積部之各層，例如做為最上層之陰極之上存在微少的微粒的場合，無法以密封膜完全覆蓋該微粒，結果，密封膜會部分中斷，而有無法防止發光部的吸濕之虞。

在此，近年來藉由覆蓋率高的ALD(Atomic Layer Deposition)法成膜來形成密封膜的方法被提出來(例如參照專利文獻3)。在ALD法，例如使三甲基鋁(TMA)氣體，與H₂O或O₃等氧化劑，與氧電漿反應而形成氧化鋁(Al₂O₃)膜時，藉由不具指向性地運動的TMA分子與氧化劑的分子，反覆進行往被成膜物之TMA分子的吸附與氧化，藉以1層1層堆積氧化鋁的分子，所以可無關於被成膜面的朝向而向同性地形成非常薄的密封膜，例如，可以完全覆蓋存在於陰極上的微少微粒之全 面。

〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕

[專利文獻1]日本特開2010-129334號公報

[專利文獻2]日本特開2007-157374號公報

[專利文獻3]日本特開2013-97917號公報

然而，陽極、發光部、陰極直接被層積於元件驅動電路層之上，所以例如會有通過元件驅動電路層的有機絕緣膜，或者是由有機絕緣膜放出的水分或有機物到達發光部，而使該發光部的有機化合物劣化之虞。

本發明的目的在於提供可以防止水分或有機物導致發光部的有機化合物的劣化之有機EL元件構造，其製造方法以及發光面板。

為了達成前述目的，根據本發明之有機電致發光(EL)元件構造的話，係於具有元件驅動電路的元件驅動電路層上具有依序被層積的第1電極、包含有機化合物的發光部以及第2電極所構成的元件層積部之有機EL元件構造，其特徵為，前述元件驅動電路層及前述元件層 積部之間被配置密封膜。

此外，為了達成前述目的，本發明之有機EL元件構造之製造方法，特徵為在元件驅動電路層上，依序形成密封膜、第1電極、包含有機化合物的發光部及第2電極所構成的元件層積部。

進而，為了達成前述目的，本發明之發光面板，係具備在元件驅動電路層上具有依序被層積的第1電極、包含有機化合物的發光部以及第2電極所構成的元件層積部之有機EL元件構造的發光面板，其特徵為，前述元件驅動電路層及前述元件層積部之間被配置密封膜。

根據本發明的話，於元件驅動電路層上具有依序被層積的第1電極、包含有機化合物的發光部以及第2電極所構成的元件層積部之有機EL元件構造之中，在元件驅動電路層及元件層積部之間被配置密封膜，所以密封膜防止由元件驅動電路層的有機絕緣膜所放出的水分或有機物到達元件層積部的發光部，結果，可以防止有機物導致發光部的有機化合物的劣化。

10、21、26‧‧‧有機EL元件構造

11‧‧‧元件驅動電路層

12‧‧‧元件層積部

14‧‧‧密封膜

15‧‧‧陽極膜

16‧‧‧發光部

17‧‧‧陰極膜

24‧‧‧密封薄膜

27、39、40‧‧‧溝

圖1係概略說明相關於本發明之第1實施型態的有機EL元件構造的構成之剖面圖。

圖2係顯示圖1之發光部的層積構造之擴大部分剖面圖。

圖3係概略說明相關於本發明之第2實施型態的有機EL元件構造的構成之剖面圖。

圖4係概略說明相關於本發明之第3實施型態的有機EL元件構造的構成之剖面圖。

圖5係顯示圖4之有機EL元件構造之陰極膜及溝的配置之平面圖。

圖6係顯示圖4之有機EL元件構造之溝、陰極膜及密封薄膜的形成之工程圖。

圖7係顯示圖4之有機EL元件構造之溝的第1變形例之剖面圖。

圖8係顯示圖4之有機EL元件構造之溝的第2變形例之剖面圖。

圖9係顯示圖8之溝的形成、以及在溝內部的陰極膜及密封薄膜的形成之工程圖。

圖10係說明使用圖4之有機EL元件構造的發光面板之製造方法之工程圖。

圖11係供說明圖5之包圍發光部的溝之變形例之平面圖。

圖12係供概略說明相關於本發明之第4實施型態的有機EL元件構造的構成之剖面圖。

圖13係供概略說明由圖12之有機EL元件構造省略接觸孔的變形例的構成之剖面圖。

以下，參照圖式同時說明本發明之實施型態。

首先，說明相關於本發明的第1實施型態的有機EL元件構造。相關於本實施型態的有機EL元件構造，於發光面板被配置多數個，藉由各有機EL元件構造個別地發光，該發光面板作為顯示器或照明器具發揮機能。

圖1係概略說明相關於本實施型態的有機EL元件構造的構成之剖面圖。

於圖1，有機EL元件構造10，具有被形成於具有使用了TFT的元件驅動電路的元件驅動電路層11之上的元件層積部12，以覆蓋該元件層積部12的方式形成的密封部13，被配置於元件驅動電路層11及元件層積部12之間，以覆蓋元件驅動電路層11的全面的方式形成的密封膜14。此外，元件驅動電路層11，具有被層積於元件驅動電路11a上的絕緣膜11b，作為該絕緣膜11b，例如使用有機絕緣膜。

元件層積部12，係由從元件驅動電路層11側起依序被層積的陽極膜15(第1電極)，例如，包含二胺類等有機化合物的發光部16，及陰極膜17(第2電極)所構成，發光部16的有機化合物因從陽極膜15或陰極膜17注入的正電孔或電子的再結合而發光。

陽極膜15，例如係由藉著濺鍍成膜法形成的ITO(氧化銦錫)之薄膜所構成，陰極膜17藉由框緣遮罩蒸鍍法形成的工作函數小而容易氧化的金屬構成的薄膜，例如鋁或銀/鎂合金等的薄膜所構成，發光部16藉由FMM(Fine Metal Mask，精細金屬光罩)蒸鍍法形成的有機化合物之膜所構成。發光部16之有機化合物以發出紅色、綠色、藍色之任一種的光的方式被進行調整，所以元件層積部12發出紅色、綠色、藍色之任一種光。通常發出紅色、綠色、藍色之任一種光的一個元件層積部12被稱為次畫素，鄰接配置的分別發出紅色、綠色、藍色光的3個元件層積部12所構成的群稱為畫素。

發光部16，如圖2所示，詳細地說，係由從陽極膜15側起依序形成的正電孔注入層16a、正電孔輸送層16b、有機化合物構成的發光層16c、電子輸送層16d、電子注入層16e所構成。從前，在一個發光部16，會使正電孔注入層16a、正電孔輸送層16b、電子輸送層16d、電子注入層16e之任一與其它發光部16共有，例如，於1個畫素中複數元件層積部12之各發光部16，會共有正電孔注入層16a、正電孔輸送層16b、電子輸送層16d、電子注入層16e之某一個，但是在本實施型態，一個發光部16，與其他發光部16，不共有正電孔注入層16a、正電孔輸送層16b、電子輸送層16d、電子注入層16e。又，作為在1個畫素中存在複數個元件層積部12的具體例，可以舉出以紅、綠、藍3個次畫素構成1個畫素 的場合，或是以紅、綠、藍、白4個次畫素構成1個畫素的場合等。

元件層積部12具有以包圍發光部16的方式形成的例如由樹脂構成的堤狀之堤(bank)18。堤18規定發光部16的位置，同時於發光部16的周圍絕緣陽極膜15及陰極膜17。

密封部13，例如由CVD氮化矽所構成，密封部13之中覆蓋被形成於元件驅動電路層11的被連接於TFT之閘極電極(未圖示)或源極電極(未圖示)的閘極連接電極19或源極連接電極20的部分13b，13c，藉由蝕刻被除去，使閘極連接電極19或源極連接電極20暴露，但密封部13之中覆蓋元件層積部12的部分13a未被除去，密封元件層積部12。

密封膜14，在水份透過的比例之指標的WVTR(Water Vapor Transmission Rate)，於防止水份侵入的觀點來看為良好，由不容易使水分透過的材質所構成，例如，使用藉由CVD法形成的SiN膜或藉由ALD法形成的Al₂O₃膜。Al₂O₃為難蝕刻性，因此以Al₂O₃膜構成密封膜14的場合，密封膜14於密封部13b，13c的蝕刻作為蝕刻停止膜而發揮機能。

在有機EL元件構造10，陽極膜15或陰極膜17中介著密封膜14，具體而言，具有貫通密封膜14的部分，藉由該部分往元件驅動電路層11連接。

又，在有機EL元件構造10，於元件驅動電 路層11之上，依序被形成密封膜14、陽極膜15、堤18、發光部16、陰極膜17及密封部13。

根據圖1之有機EL元件構造10的話，在元件驅動電路層11及元件層積部12之間被配置密封膜14，密封膜14，會防止由元件驅動電路層11的有機絕緣膜11b放出的水分或有機物到達元件層積部12之發光部16，結果可以防止有機物導致發光部16的有機化合物的劣化。

在圖1之有機EL元件構造10，於元件層積部12，由元件驅動電路層11起依序被形成陽極膜15、發光部16及陰極膜17，但由元件驅動電路層11起依序形成陰極膜17、發光部16及陽極膜15亦可。

此外，在圖1的有機EL元件構造10，以覆蓋元件驅動電路層11的全面的方式形成密封膜14，但密封膜14亦可被形成一部分，例如，藉由陰影遮罩法僅形成於元件驅動電路層11與元件層積部12之間亦可。

其次，說明相關於本發明的第2實施型態的有機EL元件構造。

本實施型態，其構成或作用與前述之第1實施型態基本相同，除了元件層積部12不是以CVD氮化矽構成的密封層13而是以ALD法形成的密封薄膜來覆蓋這一點與前述第1實施型態不同。亦即，對於重複的構成、作用省略其說明，以下針對不同的構成、作用進行說明。

圖3係概略說明相關於本實施型態的有機EL 元件構造的構成之剖面圖。

於圖3，有機EL元件構造21，具有覆蓋閘極連接電極19或源極連接電極20的例如由樹脂所構成的堤18、22、23，與覆蓋元件層積部12或堤18、22、23的密封薄膜24(其他密封膜)。於密封薄膜24使用由ALD法形成的Al₂O₃膜，該密封薄膜24密封元件層積部12。

在有機EL元件構造21，覆蓋閘極連接電極19或源極連接電極20的密封薄膜24或堤22、23最後藉由蝕刻除去。具體而言，密封薄膜24藉由氯系氣體，例如氯氣(Cl₂)或氯化硼(BCl₃)等含氯(Cl)的氣體之電漿來蝕刻，藉由除去密封薄膜24而露出的堤22，23，藉由氧氣(O₂)或氟系氣體，例如四氟化碳(CF₄)氣體，或者這些的混合氣體，或者含有氧(O)或氟(F)的氣體的電漿來進行蝕刻。

根據圖3之有機EL元件構造21的話，密封薄膜24藉由ALD法形成，但ALD法覆蓋率高，所以即使元件層積部12及包含彼的周邊的構造的形狀很複雜也可以確實藉由密封薄膜24覆蓋，可以確實密封元件層積部12。

進而，在圖3之有機EL元件構造21，在閘極電極19與源極電極20與密封薄膜24之間中介著堤22，23，但樹脂因蝕刻的控制性高，在使閘極電極19或源極電極20露出時，使用氟系氣體蝕刻堤22，23，所以密封膜14、對於閘極電極19或源極電極20可以選擇性 佳地進行蝕刻，沒有因為過度蝕刻而損傷閘極電極19或源極電極20之虞。

其次，說明相關於本發明的第3實施型態的有機EL元件構造。

本實施型態，其構成或作用與前述之第2實施型態基本相同，在溝被形成於堤18的頂部，該溝包圍1個元件層積部12這一點與前述之第2實施型態不同。亦即，對於重複的構成、作用省略其說明，以下針對不同的構成、作用進行說明。

圖4，係概略說明相關於本實施型態的有機EL元件構造之構成的剖面圖，圖5係顯示圖4之有機EL元件構造之陰極膜以及溝的配置之平面圖。

於圖4及圖5，於有機EL元件構造26的元件層積部12，在包圍發光部16的堤18的頂部被形成溝27，該溝27包圍發光部16。

溝27，具有對元件驅動電路層11垂直延伸的矩形的剖面形狀。在有機EL元件構造26，陰極膜17(構成第2電極的導電膜)也是藉由框緣遮罩蒸鍍法形成，所以基本上不僅1個元件層積部12，鄰接於該1個元件層積部12的複數其他的元件層積部12也會覆蓋，但根據框緣遮罩蒸鍍法之膜的形成為向異性，在本實施型態，具有僅在對元件驅動電路層11的垂直方向增加膜的厚度之向異性，所以陰極膜17不會被形成於溝27的側面。因此，溝27的底部的陰極膜17與堤18的頂部之陰極膜17是斷 絕的。亦即，溝27係以包圍1個發光部16的方式將陰極膜17斷開。具體而言，一個元件層積部12的陰極膜17藉由溝27而從其他的元件層積部12之陰極膜17斷開，與其他的元件層積部12的陰極膜17各自獨立。換句話說，溝27係以次畫素單位斷開陰極膜17，使一個次畫素之陰極膜17與其他次畫素之陰極膜17各自獨立。

另一方面，密封薄膜24藉由覆蓋率高的ALD法形成，所以不僅形成在溝27的底面也被形成於側面，密封薄膜24不僅覆蓋陰極膜17，也覆蓋在未以陰極膜17覆蓋的溝27的側面。亦即，密封薄膜24覆蓋有機EL元件構造26的露出部分的全部。

此外，如圖4所示，於元件驅動電路層11內，被配置由閘極28、汲極29、源極30及通道31構成的TFT32，於汲極29中介著插頭33和陽極膜15連接。此外，陰極膜17沿著被形成於堤18的錐形孔34的側面朝向元件驅動電路層11落入，中介著導電膜35及插頭36往元件驅動電路層11內的配線37連接。

圖6係顯示圖4之有機EL元件構造之溝、陰極膜及密封薄膜的形成之工程圖。

首先，以插頭33，36的頂部露出的方式以蝕刻除去元件驅動電路層11的一部分，以覆蓋插頭36、插頭33的頂部的方式，藉由濺鍍成膜法形成導電膜35、陽極膜15，進而以露出導電膜35或陽極膜15的平坦部的方式形成堤18。此時，堤18的開口部(錐形孔34或陽 極膜15上的空間38)呈現錐形狀(圖6(A))。

其次，藉由蝕刻往堤18的頂部形成溝27。在此場合，利用向異性強的蝕刻把溝27設於對元件驅動電路層11垂直的方向(圖6(B))。又，在本實施型態，設置溝27時，在該溝27到達密封膜14之前停止蝕刻，但密封膜14係藉由ALD法形成的Al₂O₃的薄膜所構成的場合，亦可以繼續蝕刻直到溝27到達密封膜14為止，把密封膜14作為蝕刻停止膜來利用，控制溝27的深度。

接著，藉由FMM蒸鍍法在陽極膜15上的空間38形成發光部16，進而藉由框緣遮罩蒸鍍法全面地形成陰極膜17。在此場合，如前所述，於陰極膜17的形成有向異性，僅在對元件驅動電路層11垂直的方向增加陰極膜17的厚度，所以於溝27，陰極膜17不被形成於溝27的側面，僅被形成於溝27的底部。另一方面，錐形孔34的側面對元件驅動電路層11未成垂直，所以在錐形孔34的側面形成陰極膜17(圖6(C))。

接著，藉由ALD法把Al₂O₃構成的密封薄膜24往陰極膜17上全面形成，在此場合，如前所述，密封薄膜24不僅被形成在溝27的底面也被形成於側面，當然，密封薄膜24也被形成於錐形孔34的側面。結果，密封薄膜24覆蓋有機EL元件構造26的露出部分的全部(圖6(D))。

根據圖4之有機EL元件構造26的話，把陰極膜17，以包圍一個元件層積部12之發光部16的溝27 切斷而與其他元件層積部12的陰極膜17各自獨立，所以即使在1個元件層積部12密封膜24產生密封的不良情形，或者是因某種不良情形而使水、氧氣或有機物侵入而產生污染，也可以防止污染往其他的元件層積部12擴展等影響所及。此外，由於溝27會使有機EL元件構造26的剛性降低，可以提高被配置多數該有機EL元件構造26的發光面板的柔軟性。

在圖4之有機EL元件構造26，包圍元件層積部12的溝27被形成為對元件驅動電路層11垂直，所以藉框緣遮罩蒸鍍法形成的陰極膜17不被形成於溝27的側面，另一方面，以ALD法形成的密封薄膜24也會被形成於溝27的側面。結果，於有機EL元件構造26，可以實現陰極膜17的分斷與元件層積部12的密封之兼顧。

在前述之圖4的有機EL元件構造26，溝27係對元件驅動電路層11垂直，被形成於堤18的包圍發光部16的溝，只要是於該溝的內部陰極膜17成為不連續的溝即可，例如，如圖7所示，朝向圖中下方的逆錐狀的溝39被形成於堤18的頂部亦可，或者，如圖8所示，藉由堤18的帽檐部使傾斜的側面被覆蓋，其側面無法由圖中上方視覺確認的錐狀的溝40被形成於堤18的頂部亦可。

例如，在圖7之有機EL元件構造，藉由使溝39的剖面形狀為逆錐狀，能夠以密封膜24與密封膜14包圍1個次畫素。此外，於圖4之有機EL元件構造26之垂直狀的溝27，也藉由使堤18以WVTR良好的氮化矽形 成，而使1個次畫素由WVTR良好的，也就是水分難以通過的膜所包圍。

如前所述，藉由框緣遮罩蒸鍍法全面形成陰極膜17時，僅在對元件驅動電路層11垂直的方向增加陰極膜17的厚度，所以於溝39或溝40，都僅有朝向圖中上方暴露的底面的一部分被形成陰極膜17。另一方面，藉由ALD法將Al₂O₃構成的密封薄膜24全面往陰極膜17上形成時，密封薄膜24不僅在溝39或溝40的底面，也被形成於側面。結果，可以兼顧陰極膜17的分斷與元件層積部12的密封。

圖9係顯示圖8之溝的形成、以及在溝內部的陰極膜及密封薄膜的形成之工程圖。

首先，對應於形成溝40的位置把具有開口部41的光阻膜42形成於堤18上。此時，堤18具有2層構造，係由比較容易被蝕刻的樹脂或氮化矽構成的下層18a，與比較難以蝕刻的樹脂或氮化矽構成的上層18b所構成(圖9(A))。

接著，把光阻膜42作為遮罩於開口部41使暴露的堤18利用向同性強的蝕刻來除去，形成溝40。此時，於堤18，下層18a的除去(蝕刻)比上層18b更快進行，所以除去進行之下層18a被形成錐狀的溝40，同時除去速度較慢的上層18b構成對溝40進行過度疊放的帽檐部18c。堤18的蝕刻繼續進行直到溝40到達密封膜14為止(圖9(B))，密封膜14係藉由ALD法形成的 Al₂O₃膜所構成的場合，該密封膜14作為蝕刻停止膜發揮機能，溝40到達密封膜14之後該溝40停止往圖中下方成長。

接著，除去光阻膜42之後，藉由框緣遮罩蒸鍍法全面形成陰極膜17，但如前所述，陰極膜17的形成為向異性，僅在對元件驅動電路層11垂直的方向增加陰極膜17的厚度，所以在溝40的內部，於底部僅有未被帽檐部18c所覆蓋到的部分被形成陰極膜17(圖9(C))。

接著，藉由覆蓋率良好的ALD法形成由Al₂O₃構成的密封薄膜24，不僅溝40的底面連溝40的側面也以密封薄膜24覆蓋(圖9(D))。

又，溝40只要可以分斷陰極膜17即可，如圖9(E)所示，未到達密封膜14亦可(圖9(E))。

藉由把前述有機EL元件構造10、21、26多數個配置於基板上，可以構成發光面板，例如，如圖10(A)所示，藉由在玻璃基板43上配置多數有機EL元件構造26構成發光面板44亦可，或者，首先如圖10(B)所示，於玻璃基板45上形成具有柔軟性的樹脂基板46，於該樹脂基板46上配置多數有機EL元件構造26，其後，如圖10(C)所示，藉由除去玻璃基板45而構成發光面板47亦可。在此場合，藉由樹脂基板46的柔軟性以及起因於有機EL元件構造26的溝27之柔軟性的加乘效果，可以提高發光面板47的柔軟性。此外，在發光面板 47，水、氧或有機物(參照圖中的白箭頭)，由樹脂基板46產生，或者由外部透過，密封膜14因為阻止水、氧或有機物往元件層積部12進入，所以可防止發光部16劣化。

其次，說明相關於本發明的第4實施型態的有機EL元件構造。

圖12係概略說明相關於本實施型態的有機EL元件構造的構成之剖面圖。本實施型態，其構成或作用與前述第3實施型態基本相同，在密封薄膜24之下跨全面以ALD法形成透明導電膜48這一點不同。亦即，對於重複的構成、作用省略其說明，以下針對不同的構成、作用進行說明。

在前述之第1實施型態至第3實施型態，以把各次畫素分塗為紅色、綠色、藍色各色為前提，所以有區分各元件層積部12的必要，作為區分的結果，可以由下層側往各元件層積部12的陰極電極(陰極膜17)連接。另一方面，在本實施型態，因為不分塗各次畫素，所以於元件層積部中，在陰極電極之下必定存在著OLED層，要由下層側往陰極電極連接會變得困難。

對應於此，在本實施型態，如圖12所示，於密封薄膜24之下跨全面以ALD法形成透明導電膜48。藉此，陰極電極(陰極膜17)的全面可以與透明導電膜48連接。此外，於本實施型態，陰極膜17自身也被區分，所以與前述第1實施型態至第3實施型態同樣，於本實施 型態也可以發揮本發明的效果。

本實施型態，特別適合適用於不分塗為紅色、綠色、藍色的白色OLED，在白色OLED，沒有必要分塗為紅色、綠色、藍色，所以可不使用FMM蒸鍍法，而以框緣蒸鍍法形成發光部16，可以簡易地進行形成步驟。作為透明導電膜48，例如可以使用IZO。為了形成被適用本實施型態的有機EL元件構造，在相關於第3實施型態的有機EL元件構造26之形成方法中之圖6的(C)步驟之後，藉由ALD法或MOCVD法全面形成透明導電膜48，其後，以與圖6(D)同樣的步驟形成密封薄膜24即可。

在本實施型態，如圖12所示，藉由接觸孔49使透明導電膜48透過陽極膜15連接於元件驅動電路11a。此外，如圖13所示，利用溝51把透明導電膜48透過陽極膜15連接於元件驅動電路11a的話，可以省略接觸孔49。

以上，針對本發明，使用前述各實施型態加以說明，但是本發明並不以前述各實施型態為限。

此外，在前述之第3實施型態，於有機EL元件構造26，溝27包圍1個發光部16，將陰極膜17以次畫素單位進行分斷，但溝27所包圍的發光部的數目不限於1個，例如，如圖11所示，溝27包圍3個發光部16亦可，3個發光部16的有機化合物發出紅色、綠色、藍色之任一種光的場合，包圍該3個發光部16的溝27變成 以畫素單位分斷陰極膜17。

又，溝27所包圍的發光部16的數目不限於3個，因應於用途不同，在表現2色的組合的場合，發光部16的數目可以為2個，此外為了對3色的組合加上色的補正而使發光部16的數目為4個以上亦可。

10‧‧‧有機EL元件構造

11‧‧‧元件驅動電路層

11a‧‧‧驅動電路

11b‧‧‧絕緣膜

12‧‧‧元件層積部

13‧‧‧密封部

13a、13b，13c‧‧‧部分

14‧‧‧密封膜

15‧‧‧陽極膜

16‧‧‧發光部

17‧‧‧陰極膜

18‧‧‧堤

19‧‧‧閘極連接電極

20‧‧‧源極連接電極

Claims (22)

1. 一種有機電致發光(EL)元件構造，該構造係於具有元件驅動電路的元件驅動電路層上具有依序被層積的第1電極、包含有機化合物的發光部以及第2電極所構成的元件層積部之有機EL元件構造，其特徵為，前述元件驅動電路層及前述元件層積部之間被配置密封膜。
2. 如申請專利範圍第1項之有機EL元件構造，其中前述元件驅動電路層，在前述元件驅動電路與前述元件層積部之間進而具有有機絕緣膜層。
3. 如申請專利範圍第1或2項之有機EL元件構造，其中前述密封膜係藉由ALD法成膜。
4. 如申請專利範圍第1或2項之有機EL元件構造，其中進而具備覆蓋前述元件層積部的其他密封膜。
5. 如申請專利範圍第1或2項之有機EL元件構造，其中前述其他密封膜係藉由ALD法成膜。
6. 如申請專利範圍第5項之有機EL元件構造，其中前述其他密封膜係在前述密封膜與前述元件層積部的周圍接合而把該元件層積部與其他前述元件層積部區隔開。
7. 如申請專利範圍第5項之有機EL元件構造，其中 以包圍前述發光部的溝分斷前述第2電極，使與其他前述元件層積部之前述第2電極獨立。
8. 如申請專利範圍第7項之有機EL元件構造，其中前述溝係垂直地形成。
9. 如申請專利範圍第7項之有機EL元件構造，其中前述溝係朝向下方形成為逆錐形。
10. 如申請專利範圍第7項之有機EL元件構造，其中一個前述元件層積部構成一個次像素，前述溝包圍一個前述次像素。
11. 如申請專利範圍第7項之有機EL元件構造，其中一個前述元件層積部構成一個次像素，前述溝包圍複數個前述次像素。
12. 如申請專利範圍第7至9項之任一項之有機EL元件構造，其中前述元件層積部與前述其他密封膜之間進而具有藉由ALD法或MOCVD法成膜的透明導電膜。
13. 如申請專利範圍第1或2項之有機EL元件構造，其中前述第1電極、及前述第2電極，中介著前述密封膜往前述元件驅動電路層連接。
14. 一種有機EL元件構造之製造方法，其特徵為在元件驅動電路層上，依序形成密封膜、第1電極、 包含有機化合物的發光部及第2電極。
15. 如申請專利範圍第14項之有機EL元件構造之製造方法，其中形成包圍前述發光部的溝，並以蒸鍍形成構成前述第2電極的導電膜。
16. 如申請專利範圍第15項之有機EL元件構造之製造方法，其中形成前述第2電極之後，以覆蓋前述第2電極的方式，藉由ALD法形成其他密封膜。
17. 如申請專利範圍第16項之有機EL元件構造之製造方法，其中前述溝係垂直地形成。
18. 如申請專利範圍第16項之有機EL元件構造之製造方法，其中前述溝係朝向下方形成為逆錐形。
19. 一種發光面板，該發光面板係具備在元件驅動電路層上具有依序被層積的第1電極、包含有機化合物的發光部以及第2電極所構成的元件層積部之有機EL元件構造的發光面板，其特徵為，前述元件驅動電路層及前述元件層積部之間被配置密封膜。
20. 如申請專利範圍第19項之發光面板，其中前述有機EL元件構造進而具有覆蓋前述元件層積部的其他密封膜，前述其他密封膜係在前述密封膜與前述元 件層積部的周圍接合而把該元件層積部與其他前述元件層積部區隔開。
21. 如申請專利範圍第19項之發光面板，其中在前述有機EL元件構造，以包圍前述發光部的溝分斷前述第2電極，使與其他前述元件層積部之前述第2電極獨立。
22. 如申請專利範圍第19項之發光面板，其中前述元件層積部與前述其他密封膜之間進而具有藉由ALD法或MOCVD法成膜的透明導電膜。