JP2015095658A - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2015095658A
JP2015095658A JP2014230596A JP2014230596A JP2015095658A JP 2015095658 A JP2015095658 A JP 2015095658A JP 2014230596 A JP2014230596 A JP 2014230596A JP 2014230596 A JP2014230596 A JP 2014230596A JP 2015095658 A JP2015095658 A JP 2015095658A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
component
emitting device
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014230596A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015095658A5 (ja
Inventor
チェン−リアン，リュウ
Chien-Liang Liu
ミン−チ，シュ
Ming-Chi Hsu
シィ−アン，リャオ
Shih-An Liao
ジェン−チェ，ユ
Jen-Chieh Yu
ミン−シュン，シエ
Min-Hsun Hsieh
ジア−テイ，クオ
Jia-Tay Kuo
ユ−ヒズ，サン
Yu-His Sung
ポ−チャン，チェン
Po-Chang Chen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epistar Corp
Original Assignee
Epistar Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epistar Corp filed Critical Epistar Corp
Publication of JP2015095658A publication Critical patent/JP2015095658A/ja
Publication of JP2015095658A5 publication Critical patent/JP2015095658A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

【課題】本発明は発光装置に関する。
【解決手段】本発明の発光装置は、半導体発光部品、透明支持部品及び光学部品を含む。半導体発光部品は、第一光線を放射し、かつ出射面を含む。透明支持部品は、半導体発光部品上に位置し、かつ第一区域と第二区域を含む。光学部品は、透明支持部品上に位置する。第一光線は、光学部品を通過することにより所定のライトフィールド分布を有する第二光線に変換される。このライトフィールド分布は、第一区域に対応する最大値と第二区域に対応する最小値を具備する。
【選択図】図１ａ

Description

本発明は発光装置に関し、特に半導体発光部品と光学部品を含む発光装置に関する。
フィラメントランプの以降、発光ダイオード（Light Emitting Diode、ＬＥＤ）が省エネ性がよく、環境に優しく、寿命が長く、体積が小さいという色々な利点を有しているので、照明分野において、発光ダイオードが従来の照明装置に取って代わっている。色々なＬＥＤにおいて、白色光を放射するＬＥＤが特に各企業の注目を集めている。
そのような照明技術として、色温度及び色のようなパラメーターを調節する技術以外、照明装置の光出射方向とライトフィールドを調節する技術がある。発光ダイオードが体積が小さい利点を有しているので、通常その包装体の外部に色々な光学構造を増加することにより、発光ダイオードが放射する光を反射するか、干渉するか或いは回折させることにより、所定のライトフィールドを形成する。
色々な光学構造において、常用することは、反射機能を有している光学構造を発光ダイオードと対向する出射面の一側に設けることである。例えば、反射板で、発光ダイオードが他側に放射した光線を出射面の同一側に反射することにより、光強度を向上させることができる。或いは、出射面の一側又は周囲に光線伝播路線を改変する光学構造を設け、発光ダイオードが放射する一部分の光線を（例えば、出射面に接着される光学膜で）遮断するか或いは（例えば、照明具内における発光光源の周囲に反射機能付きの側壁が形成されたことで）反射することにより、発光ダイオードのライトフィールドを改変し、所定の方向のライトフィールドを増加させることができる。例えば、側面方向からの出射を増加させることができる。
上述した学構造を具備する発光ダイオードに他の部品モジュールを更に設けることにより、発光装置（Light Emitting Diode）を形成することができる。発光装置は、少なくとも１つの電子回路のサブ載置体（sub-mount）と、このサブ載置体上に位置し、かつ前記発光部品をサブ載置体上に接着固定するとともに発光部品の基板とサブ載置体の電子回路とを電気接続させる少なくとも１つの半田と、発光部品の電極とサブ載置体の電子回路とを電気接続させる導電性接続構造とを含む。前記サブ載置体は、リードフレーム（lead frame）又はサイズが大きい実装基板（mounting substrate）であり、それにより発光装置の電子回路を容易に配置し、かつ放熱効果を向上させることができる。
本発明に係る発光装置は、半導体発光部品、透明支持部品及び光学部品を含む。半導体発光部品は、出射面を含みかつ第一光線を放射する。透明支持部品は半導体発光部品上に位置する。光学部品は、透明支持部品上に位置し、かつ第一区域と第二区域を含む。第一光線は、透明支持部品を通過することにより第二光線に変換される。第二光線は所定のライトフィールド分布を有し、このライトフィールド分布は第一区域に対応する最大値と第二区域に対応する最小値を具備する。
本発明に係る発光装置は、半導体発光部品、第一電極、透明支持部品及び光学構造を含む。半導体発光部品は出射面を含む。第一電極は半導体発光部品に接続される。透明支持部品は、底面を含み、かつ半導体発光部品上に位置する。光学構造は、透明支持部品上に位置し、出射面に覆われる第二区域と該出射面に平行である第一区域を含む。第一電極の少なくとも一部分は透明支持部品に覆われるが、半導体発光部品には覆われていない。発光装置が放射するライトフィールドは、第一区域に大体対応する最大値と第二区域に大体対応する最小値を具備する。
本発明に係る発光装置は、半導体発光部品及び透明支持部品を含む。半導体発光部品は出射面を含む。透明支持部品は、第一斜面、第二斜面及び底面を含み、かつ半導体発光部品上に位置する。発光装置が放射するライトフィールドは、第一斜面に大体対応する最大値と第二斜面に大体対応する最小値を具備する。
本発明に係る発光装置は、複数の半導体発光部品と光学部品を含む。各半導体発光部品は、上表面、下表面及び、上表面と下表面との間に位置する反射面を含む。下表面の幅は上表面の幅より小さい。光学部品は複数の半導体発光部品上に覆われる。
本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置が放射する光のライトフィールドを示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置の光学部品を示す平面図である。 本発明の実施例に係る発光装置の光学部品を示す平面図である。 本発明の実施例に係る発光装置の光学部品を示す平面図である。 本発明の実施例に係る発光装置の光学部品を示す平面図である。 本発明の実施例に係る発光装置の光学部品を示す平面図である。 本発明の実施例に係る発光装置の光学部品を示す平面図である。 本発明の実施例に係る発光装置の光学部品を示す平面図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法を示す流れ図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法を示す流れ図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法を示す流れ図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法を示す流れ図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法を示す流れ図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法を示す流れ図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法を示す流れ図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法を示す流れ図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置の光学部品を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置の光学層の光学特性を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置の光学層の光学特性を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置が放射する光のライトフィールドを示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置が放射する光のライトフィールドを示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置が放射する光線のＣＩＥ座標偏移を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置が放射する光線のＣＩＥ座標偏移を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置が放射する光線のＣＩＥ座標偏移を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置が放射する光線のＣＩＥ座標偏移を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法を示す流れ図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法を示す流れ図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法を示す流れ図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法を示す流れ図である。 本発明の他の実施例に係る発光装置の製造方法を示す流れ図である。 本発明の他の実施例に係る発光装置の製造方法を示す流れ図である。 本発明の他の実施例に係る発光装置の製造方法を示す流れ図である。 導電粘着材料を発光部品上に形成する本発明の他の実施例に係る製造方法を示す流れ図である。 導電粘着材料を発光部品上に形成する本発明の他の実施例に係る製造方法を示す流れ図である。 導電粘着材料を発光部品上に形成する本発明の他の実施例に係る製造方法を示す流れ図である。 導電粘着材料を発光部品上に形成する本発明の他の実施例に係る製造方法を示す流れ図である。 導電粘着材料を発光部品上に形成する本発明の他の実施例に係る製造方法を示す流れ図である。 導電粘着材料を発光部品上に形成する本発明の他の実施例に係る製造方法を示す流れ図である。 導電粘着材料を発光部品上に形成する本発明の他の実施例に係る製造方法を示す流れ図である。 導電粘着材料を発光部品上に形成する本発明の他の実施例に係る製造方法を示す流れ図である。 導電粘着材料を発光部品上に形成する本発明の他の実施例に係る製造方法を示す流れ図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法の流れを示す断面図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法の流れを示す断面図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法の流れを示す断面図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法の流れを示す断面図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法の流れを示す断面図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法の流れを示す断面図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法の流れを示す断面図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法の流れを示す断面図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。 本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。
図１ａは、本発明の実施例に係る発光装置を１００を示す図である。この発光装置１００は、発光部品２上に形成される透明支持部品４と、透明支持部品４上に覆われる光学部品６とを含む。本実施例において、発光部品２は非同調性光を放射可能な半導体発光部品である。発光部品２は、発光部品２を囲む側面２２、出射面２４及び接合面２６を具備する。側面２２は出射面２４と接合面２６に垂直である。透明支持部品４は、発光部品２の側面２２と出射面２４を覆い、かつ発光部品２と透明支持部品４を囲む側壁４２、発光部品２と光学部品６との間に位置する頂部面４４及び底面４６を具備する。透明支持部品４の頂部面４４は出射面２４の上方に位置する。頂部面４４の水平方向の面積が出射面２４より大きいことにより、頂部面４４が出射面２４を覆うことができる。しかし、頂部面４４と出射面２４は同一面に位置せず、頂部面４４と出射面２４との間には透明支持部品４が存在する。側壁４２は頂部面４４と底面４６に垂直であり、かつ底面４６と発光部品２の接合面２６とは同一面に位置する。他の実施例において、底面４６と発光部品２の接合面２６とは同一面に位置しなくもてよい。例えば、発光部品２が透明支持部品４の内部に包まれてもよい。本実施例において、頂部面４４と出射面２４は平行であり、側壁４２は出射面２４に垂直であるとともに側面２２に平行である。他の実施例において、頂部面４４と出射面２４は非平行に形成され、側壁４２は頂部面４４と出射面２４のうち１つのみに垂直であるが、側壁４２は側面２２に平行である。他の実施例において、側壁４２を斜面にすることができる。この場合、側壁４２は、頂部面４４又は出射面２４に非垂直に形成されるとともに発光部品２の側面２２に非平行に形成される。本実施例において、側面２２は出射面２４に平行の平面であるが、他の実施例において、側面２２は出射面２４に非垂直の斜面に形成されることができる。他の実施例において、側面２２と出射面２４は相互に垂直である平面であるが、他の実施例において、需要に応じて側面２２と出射面２４を相互に垂直である平面又は非垂直の平面にすることができる。他の実施例において、側面２２と出射面２４はいずれも粗い面であるか、或いは１つが粗い面であり、他の１つが平面であることができる。図１ｂを参照されたい。図１ｂの構造と図１ａの構造が類似するが、図１ｂの光学部品６を、例えば長方形、六角形又は正方形などのような多角形に形成することができる。光学部品６は、光学部品６を囲む側辺６２と、側辺６２に接続されるとともに光学部品６の対向する両側に位置する２つの斜辺６４及び６６とを含む。斜辺６４及び６６は、透明支持部品４と接触しない。すなわち、斜辺６４及び６６が高さがゼロでない側辺６２上に形成されることにより、光学部品６は上が狭く下が広い形状を有する。長方形の光学部品６を例とする場合、光学部品６の４つの辺上に斜辺を形成し、隣接する２つの斜辺の間にリッジを形成することができる。光学部品６は２つの斜辺のみを含み、かつこの斜辺の位置は長方形の短辺又は長辺に限定されず、長方形の隣接する短辺及び長辺上に位置することもできる。この場合も、隣接する２つの斜辺の間にリッジを形成することができる。光学部品６上に斜辺６４及び６６が形成されることにより、発光部品２が放射した光が光学部品６の斜辺を通過する時前進方向が改変され、光線の分布角度も従って改変される。したがって、図１ａ中の装置と図１ｂ中の装置は異なるライトフィールドを有する。
図２ａ〜図２ｂは、本発明の実施例に係る発光装置２００を示す図である。発光装置２００は、発光部品２と、発光部品２を包む透明支持部品４と、透明支持部品４上に覆われる光学部品６とを含む。光学部品６は、発光部品２の反対側に形成される第一区域６０１と第二区域６０２を含む。第一区域６０１は出射面２４に平行に形成され、第二区域６０２は第一区域６０１の間に位置する。本実施例において、第一区域６０１は平面区域であり、第二区域６０２は凹入部を有する区域である。図２ａに示されるとおり、第二区域６０２は凹入部を有し、この凹入部は発光部品２に向かう陥没方向Ａに凹入する。陥没方向Ａは、第一区域６０１が位置する光学部品６の表面に垂直である。図２ａを参照すると、第二区域６０２の凹入部は、第一区域６０１が位置する水平面における最大幅Ｗと最大深度Ｄを有する。幅Ｗと深度Ｄの比率は約２：１である。本実施例において、第二区域６０２の陥没方向の頂点は、第二区域６０２が発光部品２に最も接近する位置に置かれ、約９０度の頂部角度θを有する。他の実施例において、需要する光学特性、例えばライトフィールドにより、第二区域６０２の各パラメーターを選択することができる。例えば、第二区域６０２の凹入部の最大幅Ｗと最大深度Ｄの比率を２：１より大きくするか或いは小さくし、陥没方向Ａの頂点に位置する頂部角度θを垂直角、鋭角又は鈍角にすることができる。本実施例において、第二区域６０２のみが発光部品２の真上に位置する。図２ｂを参照すると、発光部品２の側面２２の真上向きの延伸線と光学部品６の第二区域６０２とが交差し、発光部品２の出射面２４は第二区域６０２の真下に位置する。第二区域６０２の最大幅Ｗは発光部品２の幅より大きく、かつ第二区域６０２の最大幅Ｗと発光部品２の幅との間の比率は１：０．０１〜１：１の範囲に入る。他の実施例において、第二区域６０２の最大幅Ｗを発光部品２の幅より小さくし、かつ第二区域６０２の最大幅Ｗと発光部品２の幅との間の比率を１：１〜１：１．１にすることができる。図２ｂを参照すると、光学部品６上に光学層８が形成され、この光学層８は第二区域６０２の一部分を覆うとともに発光部品２の真上に位置する。光学層８は第一区域６０１と接触しない。本実施例において、光学層８の最大幅ＷＬは、出射面２４の幅ＷＤより大きく、かつ発光部品２の幅より大きい。光学層８は、第二区域６０２の全域を覆うか、或いは第一区域６０１上まで延伸することができる。他の実施例において、光学層８の最大幅ＷＬを出射面２４の幅ＷＤより小さくするか或いは等しくすることができる。本実施例において、光学層８に波長の最大値が４５０〜４７５ｎｍの間にある光線が入射する場合、光学層８は８５％より大きい反射率を有し、光学層８に波長の最大値が４００〜６００ｎｍの間にある光線が入射する場合、光学層８は８０％より大きい反射率を有する。他の実施例において、光学部品６は凹入部を具備せず、光学層８が設けられる区域を第二区域６０２と定義することができる。この場合、第二区域６０２は依然として発光部品２の真上に位置する。他の実施例において、光学部品６は、表面に形成される第一区域６０１、第二区域６０２及び光学層８を含み、かつ製作工程で光学部品６の両側に図１ｂの斜辺６４及び６６を形成することにより、所定の光学特性、例えば所定のライトフィールドを獲得ことができる。
上述した実施例において、光学層８は単層構造であるか或いは多層構造である。単層構造は、例えば銀又はアルミニウムを含む金属層であるか、或いは酸化チタンのような酸化物層であることができる。光学層８は、材料の反射特性により発光部品２が放射した光の前進方向を改変する。金属材料として、製作工程を行うとき周囲の他の材料を反応しにくい金属材料を選択した方がよい。例えば、製作工程を行う環境に硫黄が含まれている場合、銀を選択することを避けた方がよい。それにより、硫化銀などような硫化銀の化学物が形成されることを避けることができる。多層構造は、分布ブラッグ反射鏡（Distributed Bragg Reflector、ＤＢＲ）である。例えば、酸化チタン（ＴiＯ２）と酸化シリコン（ＳiＯ２）の積層であるか、或いは金属と金属酸化物の積層、例えばアルミニウムと酸化アルミニウムの積層である。それにより反射効果を獲得することができる。他の実施例において、光学層８は波長変換材料を更に含むことができる。本実施例において、光学層８が単層構造であるか或いは多層構造である場合、いずれもすべての光線を反射することができないので、少なくとも一部分の光線が光学層８を透過する。他の実施例において、厚さ又は多層構造を層数を増加させることにより、光線が光学層８を透過することを防ぎ、反射効果を増加させることができる。
図２ａ〜図２ｂを参照すると、発光部品２が放射した第一光線は、透明支持部品４と光学部品６を通過した後第二光線に変換される。透明支持部品４が波長変換材料を含んでいない場合、第一光線の波長の最大値と第二光線の波長の最大値は同様になる。第一光線が透明支持部品４を通過するとき、一部分の第一光線は光学層８の影響により光線の前進方向が改変されるか、或いは第二区域６０２を通過する時に光学部品６と外部環境の屈折率が異なることにより光線の前進方向が改変される。したがって、第二光線と第一光線は異なるライトフィールドを有する。他の実施例において、光学部品６は、図１ｂの斜辺６４及び６６と図２ｂの光学層８とを同時含むことができる。この場合、光学層８に反射される一部分の第一光線は、光学部品６の斜辺６４及び６６から出射し、かつ第二光線の一部分になる。斜辺６４及び６６のサイズ、位置及び傾斜角（光学部品６の表面に相対する角度）が異なることにより、第一光線の前進方向に影響を与えることができる。他の実施例において、透明支持部品４及び／或いは光学部品６が波長変換材料を含む場合、第一光線の前進方向は第一光線が波長変換材料に変換される量に影響を与えることができる。例えば、元来５０％の第一光線の前進方向と波長変換材料とが接触するが、斜辺６４及び６６のサイズ、位置及び傾斜角を改変することにより、３０％の第一光線の前進方向と波長変換材料とを接触させることができる。それにより、第二光線の光学特性、例えば色温度、輝度、ＣＩＥ ＸＹ色度座標点又は波長分布範囲が改変される。本発明の実施例において、発光部品２が放射する第一光線は藍色光線であり、透明支持部品４は藍色光線を黄緑色光線に変換する波長変換材料を含む。本実施例において、斜辺６４及び６６のサイズが大きく、位置が低い（側辺６２が狭いか或いは短い）とき、波長変換材料と接触せずに光学部品６から出射する光学部品６の第一光線は斜辺に反射される。したがって、より多い第一光線と波長変換材料とが接触し、より多い黄緑色光線が形成され、かつ第二光線の波長分布範囲は波長が長い範囲へ移動する。具体的に、第二光線の波長の最大値が赤色光線の波長範囲へ移動するか、或いは第二光線の色度座標がＣＩＥ色度座標の左下方へ移動する。
上述した実施例において、発光部品２と透明支持部品４のサイズは、同様、類似又は相違する長さ及び／或いは幅の比率を有し、かつ類似する高さを有する。すなわち、透明支持部品４の頂部面４４と発光部品２の出射面２４との間の距離は非常に近い。発光装置１００及び２００において、水平面の第一方向に沿う発光部品２と透明支持部品４のサイズは第一比率を有し、水平面の第一方向に沿う第二比率を有する。第一方向は第二方向に垂直であり、第一方向は第二方向より大きいか、小さいか或いは等しいである。発光部品２が長方形である場合、第一方向は第二方向はそれぞれ、発光部品２の長辺の方向と発光部品２の短辺の方向に対応する。本実施例において、第一比率と第二比率は、１：１．０４〜１：７．１の範囲に入る。また、本発明の実施例に係る２つの発光装置が同様或いは類似する第一比率及び／或いは第二比率を有し、かつ水平面の辺長において短い辺長の長さが所定の制限値より大きい場合、この２つの発光装置は略同様である発光強度を有する。例えば、発光装置Ａが１：２．１１の第一比率と１：１．８３の第二比率を有し、発光装置Ｂが１：１．８１の第一比率と１：１．５７の第二比率を有する場合、２つの発光装置の発光強度の間の差異は発光装置Ａの発光強度の１％より小さい。本実施例において、２つの発光装置は類似する第一比率と第二比率を有している。かつ第一比率の間の比が１．１６（２．１１／１．８１＝１．１６）であり、第二比率の間の比が１．６５（１．８３／１．５７＝１．６５）である場合、２つの発光装置の２つの比率の間の比はいずれも２より小さく、２つの発光装置の発光強度の間の差異も１％より小さい。２つの発光装置が類似するサイズ比率を有する（２つのサイズ比率の間の比が２より小さいとき、例えば１．１、１．２、１．４及び１．６であるとき）とき、発光装置の水平面の辺長における最短辺長の長さが所定の制限値より小さい。例えばその長さが１．４ｍｍである場合、発光装置の発光強度は前記最短辺長の長さの影響を受ける。例えば、２つの発光装置が同様な発光部品２を含み、かつ同様な第一比率及び／或いは第二比率、例えば１．２の第一比率及び／或いは第二比率を有するとき、２つの発光装置の短辺の長さは制限値、例えば１．４ｍｍより大きく、２つの発光装置の発光強度は類似する。同様な比率を有し、かつ水平面上の最短長さが所定の制限値より小さいとき、例えば発光装置の短辺の長さがそれぞれ１．３ｍｍと１．０ｍｍであるとき、辺長が１．３ｍｍである発光装置の発光強度は辺長が１．０ｍｍである発光装置の発光強度より少なくとも１％多い。すなわち、同様な長辺と短辺との間の比率を有する２つの発光装置において、いずれの辺長が制限値より大きいとき、２つの発光装置は類似する発光強度を有する。例えば、２つの発光装置の発光強度の差異は、発光強度が大きい発光装置の１％より小さい。しかし、１つの発光装置の辺長が制限値より小さいとき、２つの発光装置の発光強度に顕著な差異が発生する。
図３は、本発明の実施例に係る発光装置３００が放射する第二光線のライトフィールド分布を示す図である。図３の２つの曲線は、異なる方向で測定したライトフィールドの分布を示す曲線である。その２つの方向のライトフィールドの分布は−９０度〜＋９０度の範囲に入る。他の実施例において、ライトフィールドの分布は１７８度〜１９０度の範囲に入ることができる。２つのライトフィールドはそれぞれ２つの頂部と１つの谷部を含み、ライトフィールドは谷部を中心にしかつ両側へ略対称に分布されている。２つの頂部は第一区域６０１に略対応し、谷部は第二区域６０２に略対応する。他の実施例において、第二区域６０２の凹入の深さが異なることにより、発光部品２が放射する光の前進方向に影響を与え、発光装置の位置に対応する頂部の位置は発光装置の中心から離れる方向へ移動し、かつ元来第一区域６０１に対応する箇所から側辺６２の範囲を超える位置まで移動することができる。一般的に、発光装置が放射する第二光線のライトフィールド分布は、第一区域６０１に対応する最大値と第二区域６０２に対応する最小値を含む。本実施例において、２つのライトフィールドの最大値と最小値の比は１．０５〜２倍の間に入る。本実施例の発光装置に波長変更材料、例えば栄光粉末が含まれていないので、第一光線の波長の最大値と第二光線の波長の最大値とは同様である。他の実施例において、発光部品２と透明支持部品４との間に波長変更材料を設けるか、或いは透明支持部品４内に波長変更材料を設けるか、或いは光学部品６の内部、第一区域６０１、第二区域６０２及び光学層８のうちいずれか１つ又はすべてに波長変更材料を設ける場合、第一光線の波長の最大値と第二光線の波長の最大値とは異なる。波長変更材料は一層又は多層の同様又は相違する材料で構成されることができる。他の実施例において、波長変更材料は、粘着層と輝度を増加させる輝度増加剤、例えば二酸化シリコンを更に含むことができる。
図４ａ〜図４ｅは、本発明の実施例に係る光学部品６を図である。光学部品６の形状は長方形であり、光学部品６は第一区域６０１と第二区域６０２で構成される色々な形態を具備する。本実施例において、第一区域６０１は平面区域であり、第二区域６０２は凹入区域を含み、第二区域６０２の所定の区域には光学層が設けられる。図４ａを参照すると、光学部品６の表面は２つの第一区域６０１の間に位置する第二区域６０２を有し、２つの第一区域６０１は光学部品６の長辺の方向に平行である。図４ｂを参照すると、光学部品６の表面は２つの第一区域６０１の間に位置する第二区域６０２を有し、２つの第一区域６０１は光学部品６の短辺の方向に平行である。図４ａ〜図４ｂの実施例において、第二区域６０２は光学部品６の一辺から他の一辺に延伸する。例えば、図４ａにおいて、第二区域６０２は光学部品６の短辺は１つの長辺から他の長辺に延伸し、図４ｂにおいて、第二区域６０２は光学部品６の長辺は１つの短辺から他の短辺に延伸する。他の実施例において、第二区域６０２は光学部品６の一辺とのみ接触するか、或いは光学部品６のいずれもの一辺と接触しなくてもよい。図４ｃを参照すると、光学部品６の表面上には、十字形の第二区域６０２と４つの隅部に位置する第一区域６０１とが設けられている。第二区域６０２は、光学部品６の長辺の方向に延伸する第二サブ区域６０２１と光学部品６の短辺の方向に延伸する第二サブ区域６０２２とを含む。光学部品６の４つの隅部に位置する第一区域６０１の面積は同様であるか或いは相違し、第二サブ区域６０２１と６０２２の幅は同様であるか或いは相違することができる。図４ｂを参照すると、光学部品６の表面上には、６つの第一区域６０１と光学部品６の表面を網状に分割する１つの第二区域６０２とが設けられている。光学部品６の表面上の６つの第一区域６０１の面積は、同様であるか或いは相違することができる。第二区域６０２は、光学部品６の長辺の方向に延伸する２つの第二サブ区域６０２３及び６０２４と、光学部品６の短辺の方向に延伸する第二サブ区域６０２５とを含み、その３つの第二サブ区域の幅は同様であるか或いは相違することができる。図４ｅの実施例において、光学部品６の表面上には、面積が略同様である９つの第一区域６０１と光学部品６の表面を網状に分割する１つの第二区域６０２とが設けられている。光学部品６の表面上の９つの第一区域６０１の面積は、同様であるか或いは相違することができる。第二区域６０２は、光学部品６の長辺の方向に延伸する２つの第二サブ区域６０２６及び６０２７と、光学部品６の短辺の方向に延伸する２つの第二サブ区域６０２８及び６０２９とを含み、その４つの第二サブ区域の幅は同様であるか或いは相違することができる。図４ａ〜図４ｅに示される各実施例において、第一区域６０１は平面区域であり、第二区域６０２は凹入区域を含み、第二区域６０２の所定の区域には光学層が設けられる。図２ｂの実施例を参照すると、第二区域６０２に位置する光学層８は、第二区域６０２のみを覆い、かつ第一区域６０１と接触するか或いは第一区域６０１の一部分を覆うことができる。他の実施例において、第一区域６０１と第二区域６０２を含む両方を平坦面にし、かつ第二区域６０２上にのみ光学層８を設け、第一区域６０１上には光学層８を設けなくもよい。
図５ａ〜図５ｂは、本発明の実施例に係る光学部品６の第一区域６０１と第二区域６０２によって形成される色々な形態を示す図である。図５ａを参照すると、光学部品６の表面の第二区域６０２は、不平行・不垂直に設けられる２つの第二サブ区域６０３０及び６０３１と、第二区域によって分割されかつ異なる面積を有する４つの第一区域６０１とを含む。図５ｂにおいて、光学部品６の表面の第二区域６０２は、平行に設けられる２つの第二サブ区域６０３３及び６０３４と、第二サブ区域６０３３及び６０３４に不垂直・不平行に設けられる第二サブ区域６０３２と、第二区域６０２によって分割されかつ異なる面積を有する６つの第一区域６０１とを含む。他の実施例において、２つの第二サブ区域６０３３及び６０３４は不平行に設けられることができる。
上述したとおり、需要に応じて、発光部品２の反対側にある光学部品６の表面上に色々な表面形態を設けることができる。すなわち、垂直又は不垂直になる第二サブ区域を設けることにより、光学部品の表面を面積が同様であるか或いは相違する複数の第一区域６０１に分割することができる。それらの第二サブ区域は光学部品６の長辺及び短辺に平行又は不平行に設けられる。他の実施例において、第二サブ区域を光学部品６の隣接する２辺に平行又は不平行に設けることができる。光学部品６の表面上において、第二区域６０２の分割によって形成された複数の第一区域６０１は同様であるか或いは相違する面積を有することができ、第二区域６０２も面積が同様であるか或いは相違する第二サブ区域を含むことができる。図４ａ〜図４ｅと図５ａ〜図５ｂの実施例において、光学部品６は、異なる表面形態を具備することができ、かつ図１ｂの実施例の斜辺を更に具備することができる。需要に応じて、光学部品６の第二区域６０２は、凹入部を含むか或いは光学層８をその上に形成することができる。
図６は、本発明の実施例に係る発光装置３００を示す図である。発光装置３００は、発光部品２を包む透明支持部品４と、透明支持部品４上に位置する光学部品６と、光学部品６上に覆われる光学層８と、光学部品６の反対側にある発光部品２の一側に形成される反射板１０とを含む。透明支持部品４は、発光部品２を覆い、かつ発光部品２と透明支持部品４を囲む側壁４２、発光部品２と光学部品６との間に位置する頂部面４４及び底面４６を具備する。底面４６と発光部品２の接合面２６とは同一面に位置する。本実施例において、底面４６側の反射板１０は少なくとも発光部品２が放射する第一光線を反射し、反射板１０に反射される一部分の第一光線は側壁４２から発光装置３００の外に出射する。他の実施例において、反射板１０は、発光部品２と電気接続可能な電気回路を更に含むか、或いは発光装置３００の透明支持部品４に含まれる波長変換材料を更に含むことができる。それらの波長変換材料は一部分の第一光線に励起される。
図７ａ〜図７ｂは、本発明の実施例に係る発光装置４００を示す図である。発光装置４００は、発光部品２を包む透明支持部品４と、透明支持部品４上に位置する光学部品６と、光学部品６上に覆われる光学層８と、光学部品６の反対側にある発光部品２の一側に形成されかつ互いに接触していない第一絶縁層１２２、第二絶縁層１２４及び第三絶縁層１２６とを含む。第一絶縁層１２２、第二絶縁層１２４及び第三絶縁層１２６は、発光部品２の下方に位置する。第三絶縁層１２６は、発光部品２と対応するするように例えば発光部品２の真下に位置し、第二絶縁層１２４と第三絶縁層１２６は、側壁４２をと対応しかつ発光部品２の下方に位置していない部分を含む箇所に位置する。第一絶縁層１２２、第二絶縁層１２４及び第三絶縁層１２６の材料は、酸化物、例えば酸化チタンを含むことができる。図７ｂを参照すると、第一絶縁層１２２、第二絶縁層１２４及び第三絶縁層１２６上には第一電極１４２及び第二電極１４４が更に形成され、発光部品２は第一電極１４２及び第二電極１４４によって外部装置と電気接続することができる。第一電極１４２及び第二電極１４４は、光学部品６の反対側にある発光部品２の一側に形成される。第一電極１４２と第二電極１４４との間に隙間が形成され、かつ第三絶縁層１２６が形成されることにより、電極の間の電気的絶縁を実現する。
図８は、本発明の実施例に係る発光装置５００を示す図である。発光装置５００は、発光部品２を包む透明支持部品４と、透明支持部品４上に位置する光学部品６と、光学部品６の反対側にある発光部品２の一側に形成される第一絶縁層１２２、第二絶縁層１２４及び第三絶縁層１２６とを含む。第一絶縁層１２２の一部分と第二絶縁層１２４の一部分は発光部品２に覆われ、第三絶縁層１２６は発光部品２の下方に位置し、第三絶縁層１２６の一部分又は全部は発光部品２に覆われる。第一絶縁層１２２、第二絶縁層１２４及び第三絶縁層１２６は互いに接触しない。本実施例において、透明支持部品４は、側壁４２と底面４６との間に位置する斜面４８０、４８２を更に含み、底面４６から上に向かう斜面４８０、４８２の垂直高さは、発光部品２の厚さより小さい。第一絶縁層１２２と第二絶縁層１２４はそれぞれ、斜面４８０、４８２と一部分の底面４６を覆う。他の実施例において、底面４６から上に向かう斜面４８０、４８２の垂直高さが発光部品２の厚さより大きくてもよい。発光装置５００において、斜辺６４及び６６はそれぞれ、斜面４８０及び４８２と大体対応するように光学部品６の側辺６２上に位置する。すなわち、斜面４８０と発光部品２の側面２２との間の最短水平距離と、斜辺６４と発光部品２の側面２２との間の最短水平距離とは略同様であり、斜面４８２と発光部品２の側面２２との間の最短水平距離と、斜辺６６と発光部品２の側面２２との間の最短水平距離とは略同様である。斜面４８０と側面２２との間の最短水平距離と斜面４８２と側面２２との間の最短水平距離とは、同様、相違又は類似することができる。斜辺６４及び６６と側面２２との間の最短水平距離も類似する特性を有している。他の実施例において、斜辺、斜面と側面との間の最長水平距離又は平均水平距離は、同様、相違又は類似することができる。他の実施例において、斜面４８０及び斜辺６６から発光部品２の側面２２までの水平方向の距離は異なり、かつ斜面４８０及び斜辺６６から発光部品２の側面２２までの水平方向の最短距離又は最遠距離は異なることができる。第一絶縁層１２２、第二絶縁層１２４及び第三絶縁層１２６の材料は、酸化物、例えば酸化チタンを含むことができる。本実施例において、第一絶縁層１２２、第二絶縁層１２４及び第三絶縁層１２６を反射層として用い、それにより発光部品２が放射する光を反射することができる。発光装置５００において、透明支持部品４で発光部品２を覆い、かつ透明支持部品４に接続される第一絶縁層１２２と第二絶縁層１２４を反射層として用いることできる。この第一絶縁層１２２と第二絶縁層１２４は、水平位置が発光部品２より低い高さを具備するか或いは発光部品２と略同様の高さを具備する。本実施例において、透明支持部品４は、上が広く下が狭い（光学部品６に接続される一側が広く、絶縁層に接続される一側が狭い）形状と斜面４８０、４８２を具備する。本実施例において、斜面４８０、４８２上にも第一絶縁層１２２と第二絶縁層１２４が覆われている。
第一絶縁層１２２、第二絶縁層１２４及び第三絶縁層１２６上には第一電極１４２及び第二電極１４４が更に形成され、発光部品２は第一電極１４２及び第二電極１４４によって外部装置と電気接続することができる。第一絶縁層１２２は第一電極１４２と透明支持部品４との間に位置し、第二絶縁層１２４は第二電極１４４と透明支持部品４との間に位置する。第一電極１４２及び第二電極１４４は外に向かって透明支持部品４の側面４２まで延伸し、第一絶縁層１２２及び第二絶縁層１２４も発光部品２から透明支持部品４の側面４２まで延伸する。発光部品２のｎ型半導体層とｐ型半導体層はそれぞれ、第一電極１４２及び第二電極１４４によって外部装置と電気接続することができる。第一電極１４２及び第二電極１４４は、光学部品６の反対側にある発光部品２の一側に形成される。第一電極１４２と第二電極１４４との間には、発光部品２の反対側にある第三絶縁層１２６の一側に位置する隙間が形成されている。したがって、この隙間で電極同士が互いに電気的に接続される短絡を避け、第三絶縁層１２６で２つの電極の間の絶縁を実現することができる。第一電極１４２及び第二電極１４４は、発光部品２に覆われる部分から外に向かって透明支持部品４の下方まで延伸し、外に延伸する部分は発光部品２に覆われていない。
図９ａ〜図９は、本発明の実施例に係る発光装置の製造方法を示す流れ図である。図９ａを参照すると、複数の発光部品２は載置板２０上に位置し、各発光部品２は、透明支持部品４に覆われかつ透明支持部品４によって互いに隔離されている。載置板２０は載置装置であり、発光部品２を支持するとともに後続の製作工程をサポートする。載置板２０の材料は、硬質材料、例えばセラミックス又はサファイア基板であるか、或いは弾性を有する材料、例えばガラス繊維又はビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂であることができる。他の実施例において、透明支持部品４を形成するとき、まず一層の第一透明材料を覆い、次に第一透明材料上に波長変換材料を覆う。波長変換材料の所定の部分は第二透明材料に覆われる。最後に波長変換材料上に第三透明材料を覆う。それにより、透明支持部品４内には、載置板２０から離れる方向に配置される第一透明材料、波長変換材料及び第三透明材料が形成されるか、或いは第一透明材料、第二透明材料と波長変換材料の混合物及び第三透明材料が形成される。第一透明材料、第二透明材料及び第三透明材料は、同様な材料で構成されるか、或いは二種又はそれ以上の材料で構成される。例えば、３つの透明材料は同様なエポキシ（Epoxy）樹脂で構成されるか、或いは３つの透明材料は各自にエポキシ（Epoxy）樹脂又はシリコーン（silicone）樹脂を含むか、或いは各透明材料は同様な化学元素を具備するが、異なる化学構成又は比率を有する材料で構成される。
他の実施例において、載置板２０と発光部品２との間には、両者の間の付着強度を向上させる粘着層が更に形成されている。載置板２０と発光部品２との間が完全に密閉されていないので、透明支持部品４を形成するとき、一部分の材料が載置板２０と発光部品２との間に流入することができる。それにより、発光部品２と載置板２０とは完全・直接に接触せず、一部分の透明支持部品４は載置板２０と発光部品２との間に位置することができる。図９ｂ〜図９ｃを参照すると、光学部品６を発光部品２の上に形成した後載置板２０を撤去する。光学部品６と発光部品２との間に粘着層（図示せず）を形成することにより、後続の工程において光学部品６が発光部品２から容易に外れることを避けることができる。粘着層の材料と透明支持部品４の材料は同様であるか或いは相違することができる。図９ｄを参照すると、透明支持部品４上に切断線８０、８２及び８４を形成する。この切断線８０、８２及び８４により、いずれか２つの切断線の間に位置する発光ユニットを分離することができる。例えば、図９ｂ中の切断線８４によって図面の２つの発光部品２を分離することができる。切断線と光学部品６とは接触せず、切断線と光学部品６との間には透明支持部品４が存在し、各発光部品２は２つの切断線の間に位置する。図９ｅを参照すると、１つの発光部品２により、光学部品６の反対側にある発光部品２の一側に第一絶縁層１２２、第二絶縁層１２４及び第三絶縁層１２６を形成する。切断線８０及び８２に絶縁材料を注入することにより第一絶縁層１２２と第二絶縁層１２４を形成し、発光部品２上に覆われる絶縁材料で第三絶縁層１２６を形成する。図９ｄと図９ｅにおいて、切断線８０、８２及び８２は、固体ナイフ、例えば金属ナイフ又はプラスチックナイスで形成するか、或いはレーザー又はエッチングなどの工程により透明支持部品４の表面上に深さと幅が同様、相違又は類似する切断線を形成することができる。切断線を形成する方法が異なることにより、透明支持部品４の表面が平坦又は粗くなることができる。本実施例において、複数の絶縁層の厚さと幅は同様であるか或いは相違することができ、絶縁層の表面は平坦な区域又は粗い区域であることができる。図９ｆ〜図９ｇを参照すると、第一絶縁層１２２、第二絶縁層１２４と第三絶縁層１２６との間には第一電極１４２及び第二電極１４４が形成されている。第一電極１４２及び第二電極１４４は発光部品２と外部電源を電気接続する電気線路になる。第一電極１４２及び第二電極１４４の一部分は第一絶縁層１２２及び第二絶縁層１２４と接触するが、発光部品２とは重畳しない。第一絶縁層１２２は第一電極１４２と透明支持部品４との間に位置し、第二絶縁層１２４は第二電極１４４と透明支持部品４との間に位置し、第三絶縁層１２６は底面４６及び発光部品２の接合面２６と接触する。第一電極１４２及び第二電極１４４の厚さと長さは同様であるか或いは相違する。発光部品２の反対側にある光学部品６の一側に切断線８６及び８８を形成する。切断線を形成する方法として上述した方法を使用することができるが、上述した方法に限定されるものではない。切断線８６と８８の位置は切断線８０と８２の位置に大体対応し、切断線８６と８８は透明支持部品４と接触しない。すなわち、切断線８０と８２は、透明支持部品４を切断せず、かつ切断線８６と８８は光学部品６を切断しない。切断線８０、８２、８６及び８８に沿ってカットするか或いは切断することにより、図９ｈ中の発光装置５００を形成するとともに斜辺６４及び６６を形成することができる。斜辺６４及び６６は平面又は粗い面である。図９ｈ中の発光装置５００と図６中の発光装置３００又は図１ａ〜図１ｂ中の発光装置１００とを比較してみると、発光装置５００の発光部品２が放射する光において、一部分の光は透明支持部品４の頂部面４４によって光学部品６から出射するが、他の一部分の光は斜面４８０、４８２に接触される第一絶縁層１２２及び第二絶縁層１２４に反射された後、透明支持部品４の頂部面４４によって光学部品６から出射する。したがって、発光部品２が放射する光線によって形成されるライトフィールドと、発光装置５００が放射する光線によって形成されるライトフィールドとは異なる。本実施例において、絶縁層１２２及び１２４は、電極の間の電気絶縁を実現するとともに反射機能を奏する。したがって、発光装置３００又は発光装置３００と比較してみると、発光装置５００の発光部品２が放射する光は、透明支持部品４の側壁４２から発光装置の外に出射することが少ない。すなわち、発光装置５００は、より多い光を発光部品２の頂部面４４側へガイドすることができ、よりよい方向性を有している。発光装置５００が放射する光線は所定のライトフィールドを有し、ライトフィールドは斜面４８０、４８２に対応する最大値と底面４６対応する最小値を具備する。
図１０ａは、本発明の実施例に係る発光装置６００を示す図である。発光装置６００は、発光部品２上に形成される透明支持部品４を含む。透明支持部品４は、発光部品２を覆い、かつ発光部品２及び透明支持部品４を囲む側壁４２と、発光部品２を覆うが発光部品２に接触されない頂部面４４と、底面４６とを具備する。底面４６は、接合面２６と同一面に位置する部分と、透明支持部品４の頂部面４４側へ延伸する斜面とを含む。側壁４２は、頂部面４４と、接合面２６と同一面に位置する底面４６の一部分とに垂直である。本実施例において、底面４６は斜面によって側壁４２に接続される。他の実施例において、底面４６は、水平方向に沿って側壁４２の延伸線まで延伸するとともに側壁４２に接続される。他の実施例において、発光部品２の接合面２６と底面４６は同一面に位置しなくてもよい。すなわち、一部分の透明支持部品４が発光部品２の接合面２６と底面４６との間に位置することができる。第一絶縁層１２２、第二絶縁層１２４及び第三絶縁層１２６は透明支持部品４の底面４６と発光部品２の接合面２６の一側に位置し、絶縁層の間には第一電極１４２及び第二電極１４４が形成される。第一絶縁層１２２と第二絶縁層１２４は、斜面上に形成され、かつ反射機能を奏することにより光の前進方向とライトフィールドを改変する。本実施例において、透明支持部品４も、上述した第一区域と第二区域を含み、かつ図４ａ〜図４ｅと図５ａ〜図５ｂに示される光学部品６の色々な形態を含むことができる。すなわち、平坦な第一区域と凹入する第二区域を含み、かつ第二区域の所定の区域に光学層８を形成するか、或いは光学層８に覆われる第二区域と光学層８に覆われていない第一区域とを形成することができる。図１０ｂを参照すると、透明支持部品４は、頂部面４４上に形成される色々な形態を含み、かつ頂部面４４上において側壁４２に接近する方向へ形成されかつ側壁４２に接続される斜面を含むことができる。図１０ｂの実施例は、頂部面４４上に形成される色々な形態を含み、かつ所定のライトフィールドを形成するため、頂部面４４上に側壁４２と接続する色々な表面及び／或いは斜面を形成することができる。
図１１は、本発明の他の実施例に係る光学部品６を示す平面図である。本実施例において、光学部品６は長方形であり、光学部品６の表面は、第一区域６０１と第二区域６０４に分けられる平面区域である。第二区域６０４上には光学層が覆われている。図１１において、第二区域は、光学部品６の表面の中心に位置する円形の区域である。第二区域６０４の円心は光学部品６の表面の幾何的中心に大体位置する。第二区域６０４の形状は、円形だけではなく、楕円形、矩形、多辺形、十字形又は平滑な曲線を含む多辺形であるか、或いは図４ａ〜図４ｅと図５ａ〜図５ｂに示される色々な形態であることができる。第二区域６０４の幾何的中心は光学部品６の表面の幾何的中心と重畳しており、かつ幾何的中心が互いに対称する輪郭を具備する。第二区域６０４に覆われる光学層は、材料の反射機能により発光部品２が放射する光の前進方向を改変する。酸化シリコーンを含む光学部品６と比較してみると、光学層は光学部品６と異なる材料を更に含む。光学層の材料は、金属、例えば銀又はアルミニウムであるか、或いは酸化物、例えば酸化チタンであることができる。金属材料として、製作工程を行うとき周囲の他の材料を反応しにくい金属材料を選択した方がよい。例えば、製作工程を行う環境に硫黄が含まれている場合、銀を選択することを避けた方がよい。それにより、硫化銀などような硫化銀の化学物が形成されることを避けることができる。光学層８は、多層構造、例えば分布ブラッグ反射鏡（Distributed Bragg Reflector、ＤＢＲ）であることができる。光学層８は、酸化物の積層、例えば酸化チタン（ＴiＯ２）と酸化シリコン（ＳiＯ２）の積層であるか、或いは金属と金属酸化物の積層、例えばアルミニウムと酸化アルミニウムの積層であることができる。それにより、反射効果を獲得することができる。他の実施例において、光学層は波長変換材料を更に含むことができる。本実施例において、光学層が単層構造であるか或いは多層構造である場合、いずれもすべての光線を完全に反射することができないので、少なくとも一部分の光線が光学層を透過する。他の実施例において、厚さ又は多層構造を層数を増加させることにより、光線が光学層を直接透過することを防ぎ、反射効果を増加させることができる。或いは、光学層に拡散粒子を入れることにより、光線が拡散粒子によって拡散された後、発光装置から出射するようにすることができる。光学層を設けることにより、図３に示されるライトフィールド分布を形成することができる。このライトフィールド分布は、第一区域６０１に対応する最大値と第二区域６０２に対応する最小値を含む。本実施例の第二区域６０４は平面であるが、他の実施例の第二区域６０４は、粗い面を具備しかつ粗い面上に規則又は不規則に形成される突起部により拡散又は反射の効果を向上させることができる。第二区域６０４上に光学層が覆われているので、発光部品２が放射した光線が、１つの方向へ過度に集中されることを避けることができる。したがって、発光装置にハレーションが発生することを避けるか或いは低減することができる。他の実施例において、透明支持部品４内に波長変換材料が含まれているとき、波長変換材料の励起によって形成される光線も、第二区域６０４上に位置する光学層に反射されるか或いは拡散されるので、光線が１つの方向へ過度に集中されることを避け、かつハレーションが発生することを避けることができる。また、光学部品６も斜辺６４及び６６を含むことができ、かつ第二区域６０４上の光学層と同様な光学効果を奏することができる。
図１２は、本発明の実施例に係る発光装置７００を示す図である。発光装置７００は、発光部品２上に形成される透明支持部品４を含む。透明支持部品４は発光部品２を覆い、光学部品６は透明支持部品４上に位置する。光学層１２は光学部品６と透明支持部品４との間に位置し、第一絶縁層１２２、第二絶縁層１２４及び第三絶縁層１２６は、光学層１２と対向する発光部品２の一側に形成される。絶縁層の間には、発光部品２に電気的に接続される第一電極１４２及び第二電極１４４が形成される。光学層１２は単層構造又は多層構造であり、光学層１２の材料は、図１１の実施例において第二区域６０２上に覆われる材料を含むことができるが、本発明はそれに限定されるものではない。本実施例において、光学層１２は、例えばＤＢＲなどの多層構造であり、多層構造は、金属と金属の積層、金属と酸化物の積層、酸化物と酸化物の積層、例えば酸化チタンの積層で構成されることができる。光学層１２は図１３ａ〜図１３ｂに示される光学特性を有する。光学層１２に波長の最大値が４２０〜７５０ｎｍの間の光線が入射する場合、光学層１２は約１００％の反射率を有し、発光部品２が放射する光は、赤色光、黄色光、藍色光及び緑色光を含む。光学層１２は、波長の最大値が３５０〜４２０ｎｍである光と波長の最大値が７５０ｎｍ以上の光を殆ど反射しない。図１３ａに示すとおり、光学層１２は第一光学層１２０１と第二光学層１２０２を更に含む。第一光学層１２０１は、波長の最大値が４２０〜６００ｎｍの間にある光線に対して約１００％の反射率を有し、第二光学層１２０２は、波長の最大値が５５０〜７５０ｎｍの間にある光線に対して約１００％の反射率を有する。この２つの光学層の組合せにより、図１３ａに示される光学効果を奏することができる。図１３ｂに示される光学層１２は、第一光学層１２０１、第二光学層１２０２及び第三光学層１２０３で構成される。３つの光学層は互いに異なる光学特性を有し、積層された光学層は、波長の最大値が４２０〜７５０ｎｍである光線を約１００％反射する光学特性を有する。図１３ａ〜図１３ｂは、本発明の実施例に係る光学層の光学特性を示す図である。本実施例において、第一光学層１２０１、第二光学層１２０２及び第三光学層１２０３の厚さは異なっているが、他の実施例において、その３つの光学層の厚さが同様であることができる。他の実施例において、光学層１２は、厚さが同様であるか或いは材料が異なる三層以上の材料層で構成されることもできる。光学層１２が含む複数の材料層は、互いに異なる光学特性を有し、かつ波長範囲が同様な光線に対して類似する反射率を有する。例えば、図１３ａにおいて、第一光学層１２０１と第二光学層１２０２は、波長の最大値が５５０〜６００ｎｍの間にある光線に対して約１００％の反射率を有する。他の実施例において、光学層１２は、波長の最大値が３８０〜９８０ｎｍの間にある光線に対して約１００％の反射率を有する。光線が光学層１２に入射する入射角度が増加するとき、例えば入射角度が９０度より大きいか或いは１１０度より大きいとき、光学層１２が反射できる光線の波長が低下する。光学層１２に入射する光線が赤色光と藍色光で構成される白色光であり、光学層１２に入射する入射角度を増加させるとき、赤色光（赤色光の波長の最大値は藍色より大きい）は光学層１２に反射されない。すなわち、光学層が１００％反射できる波長の範囲が増加する。例えば、波長の最大値が９８０ｎｍまで増加するとき、大きい入射角で入射することにより赤色光が反射されないことを改善することができる。
図１２の実施例において、光学層１２は発光装置７００の切断面の全面を覆う。すなわち、光学層が発光部品１２、第一絶縁層１２２、第二絶縁層１２４及び第三絶縁層１２６を覆うので、発光部品１２が放射する光線は、発光装置７００から出射する前に必ず光学層１２を通過する。光学層１２に反射される一部分の光線は、絶縁層に反射された後、側壁４２から発光装置７００の外に出射する。したがって、発光装置７００によって形成されるライトフィールドは、水平方向の各角度において類似する光強度を具備する。他の実施例において、発光装置７００が、それが設けられた水平方向において同様な長さと幅を有するとき、形成されるライトフィールドは顕著な対称性を有する。透明支持部品４は波長変換材料を更に含み、波長変換材料は光学部品２が放射する光の励起により光線を形成することができる。この光線の一部分は、光学層１２の反射によって絶縁層側に伝播され、絶縁層側に反射された後側壁４２から発光装置７００の外に出射する。透明支持部品４が波長変換材料を含むとき、発光装置７００全体が光学層１２に覆われるので、発光装置７００の平面図から波長変換材料の存在を確認することができない。発光装置７００の各角度の光強度が類似するので、発光装置の各角度の角度依存性（color over angle、ＣＯＡ）も略同様になる。
図１４ａの実施例における発光装置７００上には光学層８が更に覆われている。それにより、光学部品６の表面は色々な表面形態を有し、上述した図４ａ〜図４ｅと図５ａ〜図５ｂに示される光学部品の平面図の色々な形態を形成し、かつ上述した図１１の実施例のように光学層が光学部品６の表面の第二区域６０４に覆われることを形成することができる。本実施例において、光学層８の材料は光学層１２の材料と同様であり、かつ光学層８を設けることにより図１２に示される色々なライトフィールド分布を形成することができる。光学層８の材料と光学層１２の材料とは相違することができ、両者の厚さは同様であるか或いは相違することができる。図１４ｂの実施例において、光学部品６と透明支持部品４との間には光学層１２が設けられておらず、光学層１２は発光装置７００の側辺の周囲に設けられている。したがって、発光部品２が放射する光線は、光学部品６を通過した後、直接に発光装置７００から出射することができる。図７ａ〜図８において、側辺から直接に発光装置７００の外に出射する光線と、第一絶縁層１２２、第二絶縁層１２４及び第三絶縁層１２６に反射された後側辺から発光装置７００の外に出射する光線とは、発光装置７００の周囲に設けられる光学層１２に反射され、かつ光学部品６の頂部面６８を通過した後発光装置７００の外に出射する。それにより、側面から発光することを低減し、かつ発光装置７００の大部分（８０％以上）の光線が頂部面６８から出射することを確保し、表面発光式（surface emitter）発光装置を獲得することができる。他の実施例において、８０％以上の光線が頂部面６８から発光装置７００の外に出射することができる。他の実施例において、発光装置７００は、上述した実施例中の斜辺６４及び６６、色々な実施例の頂部面６８、斜面４８０及び４８２を更に含み、かつ光学層１２を光学部品６と透明支持部品４との間に設けるか、或いは光学層１２を発光装置の側壁に設けることもできる。図１４ｂの実施例における、光学部品６は第一区域と第二区域を具備し、第一区域の幅は第二区域の幅より大きい。
図１５は、本発明の実施例に係る発光装置８００を示す図である。発光装置８００は、図１２中の発光装置７００、光学部品１０６及び載置板１４０を含む。発光装置７００の第一電極１４２と第二電極１４４は載置板１４０上の電気回路（図示せず）又は導電部（図示せず）と電気接続し、発光装置７００は光学部品１０６に覆われ、発光部品２に接近する載置板１４０の表面の一部分は光学部品１０６に覆われる。他の実施例において、載置板１４０の表面は発光装置７００と光学部品１０６に覆われる。すなわち、載置板１４０の表面は発光装置７００と直接接触せず、載置板１４０の他の部分は光学部品１０６と直接接触する。本実施例において、発光部品２が放射する少なくとも一部分の光線は光学部品１０６から発光装置７００の外に出射する。光学部品１０６は、単層構造又は多層構造を有し、かつ発光部品２が放射する光線を通過させるとともに反射する特性を有している。光学部品１０６の材質は、硬性材質、例えばガラスであるか、或いは軟性材質、例えばプラスチックのように常温（２５℃）又は高温（５０℃以上）で変形可能な材料であることができる。他の実施例において、透明支持部品４が波長変換材料を含む場合、波長変換材料の励起によって形成される光線は、光学部品１０６を通過するが、光学部品１０６に吸収されるか或いは反射されない。本実施例において、発光装置７００と光学部品１０６とが直接接触していないので、他の実施例において、発光装置７００と光学部品１０６との間の隙間に流体を注入することにより導熱効果を増加させることができる。例えば、環境温度が１５℃であり、かつ気圧が１ｂａｒである環境において、４０〜１８０（ｍＷ／ｍ−Ｋ）の導熱係数を有する気体を注入することができる。例えば、ヘリウム、ネオン、水素、クロロフルオロカーボン、ハイドロクロロフルオロカーボン、ジフルオロメタン、ペンタフルオロエタンなどで構成される一種の気体又は多種の混合気体を注入することができる。或いは、同様な導熱係数を有する他の気体を注入しても、同様な導熱効果を奏することができる。本実施例において、発光装置７００と光学部品１０６との間には流体が注入されておらず、第一電極１４２と第二電極１４４との間の隙間１４３内にも発光装置８００内に流入する気体が注入されていない。すなわち、発光装置７００と光学部品１０６との間及び隙間１４３内は真空状態になるか、或いは発光装置８００を製作するとき流入する気体しか入っていない。気体を注入するとき、気体は発光装置７００と光学部品１０６との間の空間に流入し、かつ少なくとも一部分の気体は隙間１４３内に流入する。隙間１４３内に気体を注入すると、発光装置８００に対して底部充填（underfill）を行うことと同様であり、かつ発光装置８００の放熱性を向上させるとともに発光装置８００の全体構造の安定性を向上させることができる。発光装置７００と光学部品１０６との間及び隙間１４３内に注入する気体は、発光装置７００が放射する光に対して透明である。すなわち、発光装置７００が放射する少なくとも一部分の光は気体を直接通過するが、気体に吸収されるか或いは反射されない。波長変換材料は、発光装置７００内の透明支持部品４内に存在するか、或いは発光装置７００と光学部品１０６との間の気体に存在するか、或いは光学部品６上に形成されることができる。例えば、波長変換材料は発光装置７００に接近する光学部品１０６の内表面１０６１に位置するか、或いは発光装置７００の反対側にある光学部品１０６の外表面１０６４に位置することにより、発光装置７００が１つの方向又は複数の方向へ放射する光線を吸収することができる。波長変換材料を光学部品６上に形成するとき、波長変換材料上の熱が容易に放熱することができるので、多い熱が発光装置８００内に集まり、発光部品２の放熱効率が低下することを避けることができる。本実施例において、光学部品１０６は平坦な表面を有する部品であるが、他の実施例において、光学部品１０６の内表面１０６１及び／或いは外表面１０６４に規則又は不規則に形成され、かつ形状が同様であるか或いは異なる突起部、粗い部又は位置決め孔を光学部品１０６の各表面に形成することができる。それにより、発光装置８００のライトフィールド分布を改善することができる。
図１５において、光学部品１０６で発光装置７００を覆う構造を採用してきたが、本発明の他の実施例において、断面図１６ａに示されるとおり、光学部品１０７で載置板４０上の複数の発光装置７００を覆うことにより発光装置９００を形成することができる。載置板４０上の電気回路（図示せず）又は導電部（図示せず）は、複数の発光装置７００と電気接続することができる。図１６ａの実施例において、発光装置７００は上が広く下が狭い（台形）の形状を有している。この構造は図１４ａ及び図１４ｂに示すことと類似している。図１６ｂの実施例において、発光装置７００は上が広く下が狭い（Ｔ字形）の形状を有している。この構造は図１４ｃに示されるとおりである。発光装置７００の狭い一側は載置板４０と接続されている。上が広く下が狭い形状を採用することは、発光部品２が放射する光線によって形成されるライトフィールドを増加させるためである。例えば、幅が透明支持部品４より広い光学部品６を採用することにより、光線をより広い範囲に照射することができる。図１４ｃの構造において、上が広く下が狭い形状は切削のステップで形成することができる。光学部品１０７と載置板４０との間にも流体（気体）を注入することにより放熱効果を増加させるか、或いは流体内に波長変換材料を加入することができる。上述したとおり、発光装置８００を形成するとき流体を注入すると、一部分の流体は発光装置８００内の隙間１４３に流入する。本実施例において、発光装置９００を形成するとき流体を注入すると、一部分の流体が発光装置７００と載置板４０との間に流入するので、底部充填（underfill）を形成することができる。それにより、放熱効果を向上させるとともに発光装置７００と載置板４０との間の接合強度を向上させることができる。他の実施例において、透明材料で発光装置７００の周囲に覆うとともに、透明材料を載置板４０と複数の発光装置７００との間の隙間に注入することにより、光学部品１０７を形成することができる。透明材料の厚さが発光装置７００の高さより少し高いので、発光装置７００が複数の方向へ放射する光線は、透明材料を通過した後発光装置７００から出射する。図１５の構造を参照すると、本実施例の発光装置７００が上が広く下が狭い形状を有し、透明支持部品４内の波長変換材料が光学層１２に覆われているので、平面図から波長変換材料の存在を確認することができない。すなわち、発光装置９００が発光するか或いは発光しなくても、平面図から波長変換材料の存在を確認することができないので、発光装置９００の視覚効果を改善することができる。発光装置７００の上が広く下が狭い形状は、切削のステップで形成するか、或いは金型方法又はエピタキシャル成長で形成することができる。美観又は他の需要のため平面図から波長変換材料の存在を見せてはいけない場合、上述した形状を採用することにより、他の光学膜の増加及び／或いは光学部品の改変及び／或いは発光装置への流体材料の注入を避けることができ、かつ波長変換材料を隠す効果を奏することができる。したがって、発光装置７００が放射する光線が他の光学膜或いは光学部品１０７自体に吸収されることを低減することができる。発光装置９００において、光学部品１０７の形状を楕円形、円柱形又は上が広く下が狭い形状にするか、或いは実際の需要に応じて光学部品１０７の形状を改変することができる。載置板４０が透明基板である実施例において、発光装置７００が放射する光線が、上方両側、前後両側及び左右両側から発光装置９００の外に出射することにより、発光装置９００は六面発光が可能な発光装置になることができる。
図１７ａ〜図１７ｂは、本発明の図１５〜図１６の２つの方向でライトフィールド分布を測定した光強度分布を示す図である。図１７ａにおいて、光強度分布図の２つの最大値（１００％）の間には、約−３０度の位置から約＋３０度の位置まで延伸する谷部が形成されている。谷部の光強度は約６０％である。２つの最大値は約−６０度／＋６０度の位置に対応し、０度は谷部内に位置する。図１７ａの光強度分布は、約−８０度の位置から約＋８０度の位置まで延伸し、かつ左右に略対称状に形成されている。光強度分布の０度は、発光装置８００、９００の幾何的中心位置に大体対応する。図１７ｂにおいて、光強度分布図の２つの最大値（１００％）の間には、約−３５度の位置から約＋３５度の位置まで延伸する谷部が形成されている。谷部内の光強度が約５５％である最大値は約−６０度／＋６０度の位置に対応し、０度は谷部内に位置する。図１７ｂの光強度分布は、約−７０度の位置から約＋７０度の位置まで延伸し、かつ左右に略対称状に形成されている。光強度分布の０度は、発光装置８００、９００の幾何的中心位置に大体対応する。上述した２つの光強度分布図により、光強度が発光装置の幾何的中心位置を中心に対称に分布され、かつ同様な１つの谷部が２つの最大値の間に位置していることを分かることができる。２つの実施例において、谷部と頂部における光強度の比率は約１：１．６７〜１：１．８の間にある。
図１８ａ〜図１８ｂに示されるとおり、本発明の実施例に係る発光装置を継続に一定の時間操作（使用）すると、この発光装置が放射する光線のＣＩＥ Ｘ座標（Ｃｘ）とＣＩＥ Ｙ座標（Ｃｙ）に一定の偏移量（ΔＣｘ、ΔＣｙ）が発生する。しかし、発光装置を再び一定の時間操作すると、その数字が元の数字（ΔＣｘ、ΔＣｙ＝０）に戻る。図１８ａに示されるとおり、操作を約２４時間続けた後、発光装置が放射する光線のＣＩＥ Ｙ座標の値は約０．００４（ΔＣｙ＝−０．００４）低下する。また、図１８ｂに示されるとおり、操作を約２４時間続けた後、発光装置が放射する光線のＣＩＥ Ｘ座標の値は約０．００１（ΔＣｙ＝−０．００１）低下する。しかし、操作を約４００時間続けた後、前記数字はゆっくり元の数字に戻る。図１８ｃに示されるとおり、操作を約２４時間続けた後、他の発光装置が放射する光線のＣＩＥ Ｙ座標の値は約０．００５（ΔＣｙ＝−０．００５）低下するが、操作を約１００時間続けた後、ＣＩＥ Ｙ座標の値は元の数字（ΔＣｙ＝０）に戻るだけではなく、元の数字より大きくなる（ΔＣｙ＞０）。図１８ｄに示されるとおり、操作を約２４時間続けた後、他の発光装置が放射する光線のＣＩＥ Ｘ座標の値は約０．００３（ΔＣｘ＝−０．００３）低下するが、操作を約１００時間続けた後、ＣＩＥ Ｘ座標の値は元の数字（ΔＣｘ＝０）に戻るだけではなく、ＣＩＥ Ｙ座標のとおり元の数字より大きくなる（ΔＣｘ＞０）。発光装置の操作を一定の時間続ける場合、上述したＣＩＥ ＸＹ座標だけではなく、発光装置の光輸出パワーも低下する。かつそれを再び一定の時間操作すると、発光装置の光輸出パワーも元の数字に戻る。また、他の実施例において、発光装置の操作を所定の時間続けると、発光装置の光輸出パワーも元の光輸出パワーより大きくなる。
図１９ａの実施例を参照すると、発光装置１０００は発光部品２上に形成される透明支持部品４を含む。透明支持部品４は発光部品２上に覆われ、光学部品６は透明支持部品４上に位置し、波長変換材料を含む波長変換層３０は発光部品２上に位置する。本実施例において、透明支持部品４及び波長変換層３０は発光部品２と光学部品６との間に存在し、波長変換層３０は発光部品２の輪郭に沿って発光部品２を覆う。他の実施例において、発光部品２の輪郭に沿って発光部品２を覆う透明材料（図示せず）を形成し、かつ波長変換層３０を透明材料上に形成することができる。透明材料の透明度と透明支持部品４の透明度は類似するか或いは同様である。波長変換材料は透明支持部品４中に分散される。
図１９ａに示されるとおり、第一絶縁層１２２、第二絶縁層１２４及び第三絶縁層１２６は、光学部品６の反対側にある発光部品２の一側に位置する。光学部品６は斜辺（図１ｂに示されるとおり）を含む。発光部品２は、絶縁層１２２、１２４、１２６の間に形成される第一電極１４２と第二電極１４４を含む。電極１４２、１４４はそれぞれ、発光部品２の第一半導体層と第二半導体層（図示せず）に電気的に接続される。発光装置１０００は、中間層１４６及び導電粘着材料１４２０、１４４０を更に含む。中間層１４６は、導電粘着材料１４２０、１４４０と絶縁層１２２、１２４との間の結合を向上させる。中間層１４６の一側は、電極１４２、１４４と絶縁層１２２、１２４、１２６とに接続され、中間層１４６の他の一側は、導電粘着材料１４２０、１４４０に接続される。発光部品２は、電極１４２、１４４及び中間層１４６により導電粘着材料１４２０、１４４０及び外部装置に電気的に接続される。電極１４２、１４４の材料は、金、銅、スズ、銀、チタン、プラチナ、ニッケル又はこれらの合金を含む。中間層１４６の材料として、電着を行うとき晶種層にすることができる金属、例えばチタン、銅、ニッケル、銀、スズ、金又はこれらの合金を採用することができる。中間層１４６は、銀ペーストであり、かつ粒子のサイズが５ｎｍ〜５００ｎｍの複数の銀又は銀合金粒子を含むことができる。
また、導電粘着材料１４２０、１４４０と電極１４２、１４４との間及び、導電粘着材料１４２０、１４４０と絶縁層１２２、１２４、１２６との間に、中間層１４６が設けられていない場合、導電粘着材料１４２０、１４４０は、電極１４２、１４４及び絶縁層１２２、１２４、１２６と直接接触することができる。導電粘着材料１４２０、１４４０により、発光部品２及び外部装置との電気接続を実現することができる。また、導電粘着材料１４２０、１４４０が充分な粘着性を有しているので、半田を使わずに発光部品２を載置板４０上に固定することができる。それにより、半田の使用と溶接（reflow）工程を省略し、製造コストを低減することができる。他の実施例において、需要に応じて導電粘着材料１４２０、１４４０と載置板４０との間に半田を付けてもよい。導電粘着材料１４２０、１４４０は、温度が３００℃以下であり、かつ圧力が０．２〜２０Ｍｐａである条件下で電極１４２、１４４と接合するか、或いは温度が２３０℃であり、かつ圧力が５Ｍｐａである条件下で電極１４２、１４４と接合することができる。他の実施例において、導電粘着材料１４２０、１４４０は、温度が３００℃以下であるか或いは８００〜２５０℃である条件下で、圧力を与えなくても電極１４２、１４４と接合することができる。導電粘着材料１４２０、１４４０と載置板４０とが接合可能な条件として、導電粘着材料１４２０、１４４０と電極１４２、１４４とが接合可能ないずれかの条件（加圧或いは／及び加熱）を参照することができる。導電粘着材料については後述する内容により詳述する。
図１９ｃ、図１９ｅの発光装置１０００は図１９ａの発光装置と類似する構造を有し、かつ同様な符号又は記号は類似するか或いは同様である部品、装置又は工程を示す。図１９ｃに示されるとおり、光学部品１６は矩形の断面を有している。図１９ｅに示されるとおり、透明支持部品４の幅が光学部品６の幅より少し大きいので、光線が透明支持部品４の側辺から発光装置１０００の外に出射する光線の前進方向と光線出射量を改変し、かつ図１９ａと図１９ｃの発光装置１０００のライトフィールドと異なるライトフィールドを形成することができる。図１９ｂ、図１９ｄ、図１９ｆの発光装置１０００は、図１９ａ、図１９ｃ、図１９ｅの発光装置と類似する構造を有しているが、発光装置１０００内には波長変換材料が含まれていない。本発明の各実施例において、需要に応じて波長変換材料を透明支持部品４内に散布（disperse）することができる。
図２０ａ〜図２０ｆの発光装置１０００は図１９ａ〜図１９ｆの発光装置と類似する構造を有し、かつ同様な符号又は記号は類似するか或いは同様である部品、装置又は工程を示す。図２０ａ〜図２０ｆの発光装置１０００には、絶縁層１２２、１２４及び１２６と中間層１４６とが設けられていない。導電粘着材料１４２０、１４４０は、電極１４２、１４４上にのみ形成され、かつ電極１４２、１４４の面積と同様であるか或いは相違する（例えば、大きいか或いは小さい）面積を有している。発光装置１０００を導電粘着材料１４２０、１４４０で載置板（図示せず）に固定するとき、導電粘着材料１４２０、１４４０の厚さを増加させることにより載置板との接合強度を向上させることができる。導電粘着材料１４２０、１４４０の厚さを増加させることにより、発光装置１０００が生成する熱を外に放熱することも向上させることができる。他の実施例において、導電粘着材料１４２０、１４４０は１０ｎｍ以上の厚さを有するか、或いは２０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の厚さを有することができる。導電粘着材料１４２０、１４４０の厚さを電極１４２、１４４の厚さの５倍以上又は１０倍以上にすることにより、構造の強度を向上させることができる。
図２１ａと図２１ｂに示されるとおり、透明支持部品４と光学部品６との間に光学層１２を設けることができる。光学層１２の成分と構造を調節することにより、所定の反射率及び／或いはライトフィールドを得ることができる。光学層１２に対する説明は、図１２の説明を参照することができるので、説明を簡単にするため、ここでは再び説明しない。
図２２ａと図２２ｂを参照すると、発光装置１０００は図１９ａと図１９ｂの発光装置と類似する構造を有し、かつ同様な符号又は記号は類似するか或いは同様である部品、装置又は工程を示している。図２２ａ及び図２２ｂの発光装置１０００は、光学部品２上に覆われる透明支持部品４を含むが、透明支持部品４上には光学部品６が覆われていない。図２２ｃ及び図２２ｄの発光装置１０００は、図２２ａ及び図２２ｂの発光装置と類似する構造を有している。図２２ｃ及び図２２ｄの発光装置１０００は、光学部品２上に覆われる透明支持部品４を含むが、透明支持部品４上には光学部品６が覆われていない。図２２ｅの発光装置１０００は、光学部品２と透明支持部品４との間に位置する波長変換層３０を含む。
本発明の図１〜図２ｂ、図６〜図８、図９ｅ〜図９ｈ、図１０ａ〜図１０ｂ、図１２、図１４ａ〜図１５、図１９ａ〜図１９ｆ、図２０ａ〜図２０ｆ、図２１ａ〜図２１ｂ、図２２ａ〜図２２ｅに示される実施例において、１つの発光部品２のみを含む発光装置につてい説明してきたが、複数の発光部品２を１つの発光装置内に設け、かつ複数の発光部品２が一種又は複数の光線を放射することができる。また、他の実施例において、実際の需要に応じて、各部品の調節するか或いは変形することを別の実施例に移して用いることができる。
図２３ａ〜図２６ｅは、導電粘着材料を発光部品上に形成する他の実施例に係る製造方法を示す流れ図である。図２３ａ〜図２６ｅにおいて、発光部品を例として本発明の製造方法を説明するが、同様な製造方法を他の電子部品、例えばコンデンサー、抵抗、インダクタンス、ダイオード又は集積電子回路などのような非発光部品に適用することができる。導電粘着材料の特徴又は製造メーカが異なることにより、それを発光部品の上に形成する方法が異なる。例えば、図２３ａ〜図２４ｃの実施例において、導電粘着材料は軟膏状態であり、印刷方法でそれを発光部品上に形成することができ、図２５ａ〜図２７ｆの実施例において、導電粘着材料のフィルムを形成した後それを発光部品と接合させことができる。以下、異なる実施例について詳述する。
図２３ａに示されるとおり、複数の発光部品２を第一仮設載置板７１上に設けるとともに電極１４２、１４４を露出させる。次に、導電粘着材料１４２０、１４４０を提供する。本実施例において、導電粘着材料１４２０、１４４０は導電粘着剤である。この導電粘着剤は金属柔軟体であり、包装体（capping agent）を具備する金属粒子は柔軟体内に分散されている。金属粒子は金、銀、銅、ニッケル、プラチナ、パラジウム、鉄、ニッケル合金又はこれらの混合物である。金属粒子の粒子サイズは５ｎｍ〜５００ｎｍである。包装体が金属粒子の外に覆われていることにより、製作工程を行うときナノメートル級の金属粒子が合体（coalesce）になることを防ぎ、かつ金属粒子のサイズを更に制御することができる。包装体は、有機アミン、例えばヘキサデシルアミン（hexadecylamine）であるか、或いはチオール（thiol）、例えばドデカンチオール（dodecanethiol）であるか、或いはピリジン（pyridine）、例えばトリアゾロピリジン（triazolopyridine）又はテルピリジン（tepyridiner）であることができる。柔軟体は、熱可塑性粘着剤又は熱固化粘着剤を含む。
図２３に示されるとおり、スクリーン印刷方法で導電粘着材料１４２０、１４４０を電極１４２、１４４上に形成することができる。次に、７０〜２５０℃の第一温度で導電粘着材料１４２０、１４４０を加熱固化する。導電粘着材料１４２０、１４４０を加熱する前、導電粘着材料１４２０、１４４０は柔軟状態になっている。導電粘着材料１４２０、１４４０を加熱すると、一部分の包装体が除去され、かつ導電粘着材料１４２０、１４４０が固くなって固化状態になる。包装体が除去されると、金属粒子が合体になり、かつ第一孔隙率を有する多孔隙フィルムが形成される。本実施例において、スクリーン印刷方法を採用するので、導電粘着材料１４２０、１４４０は凸凹な上表面と円弧形の側表面を具備する。鋼板印刷方法を採用する場合、導電粘着材料１４２０、１４４０は通常、平坦な上表面を具備する。
図２３ｃに示されるとおり、導電粘着材料１４２０、１４４０を具備する複数の発光部品２を倒立させるとともにこれらを第二仮設載置板７２上に配置する。このステップにおいて、導電粘着材料１４２０、１４４０は第二仮設載置板７２とのみ臨時接触する。次に、第二仮設載置板７２を除去する。
図２３ｄに示されるとおり、複数の発光部品２を第二仮設載置板７２から載置板４０上に移す。次に、１５０〜２００℃の第二温度で導電粘着材料１４２０、１４４０を加熱する。そのとき、残っている一部分又はすべての包装体が除去され、かつ導電粘着材料１４２０、１４４０が完全又は略完全に固化することにより、複数の発光部品２を載置板４０上に固定することができる。残っている包装体が除去されるとき、多孔隙フィルムで第二孔隙率を有するフィルム又は無孔隙率のフィルムを形成することができる。ピック・アンド・プレイス（pick and place）製造方法と比較してみると、上述した方法は、一回のステップ（volumn transfer）で複数の発光部品２を載置板４０上に同時固定することができる。本実施の方法は、半田を使用せず、導電粘着材料１４２０、１４４０により複数の発光部品２を載置板４０上に固定することができる。本実施例において、第二温度（第二温度は第一温度より高い）で加熱を行うことにより、発光部品２に他の外力を与えずに、発光部品２を載置板４０上に固定することができる。導電粘着材料１４２０、１４４０が３００℃以下の状態変換温度を有しているので、色々な需要に応じて、導電粘着材料１４２０、１４４０を柔軟状態から半固化状態に変換するか、或いは半固化状態から固化状態に変換するか、或いは柔軟状態から固化状態に変換することができる。
図２４ａ〜図２４ｃは、本発明の他の実施例に係る発光装置の製造方法を示す流れ図である。他の実施例において、同様な符号又は記号は類似するか或いは同様である部品、装置又は工程を示すので、ここでは再び説明しない。本実施例においても、導電粘着材料は導電粘着剤である。導電粘着剤に対する説明は、上述した実施例を参照することができる。
図２４ａに示されるとおり、複数の発光積層２０１は、エピタキシャル成長により成長基板８０１（例えば、サファイア、ＳiＣ、ＧａＮ、ＣａＰ又はＣａＡｓなど）上に形成されている。溝８０２は、隣接する２つの発光積層２０１の間に形成されている。
図２４ｂに示されるとおり、スクリーン印刷方法で導電粘着材料１４２０、１４４０をそれぞれ電極１４２、１４４上に形成する。次に、７０〜２５０℃の第一温度で導電粘着材料１４２０、１４４０を加熱固化する。次に、溝８０２に沿って発光積層２０１を切断することにより、別々に存在しかつ一部分の成長基板８０１を具備する複数の発光部品２を形成する。図２３ｂに示されるとおり、導電粘着材料１４２０、１４４０は凸凹な上表面と円弧形の側表面を具備する。
図２４ｃに示されるとおり、複数の発光部品２を載置板４０上に載置する。次に、１５０〜２００℃の第二温度で導電粘着材料１４２０、１４４０を加熱することにより、導電粘着材料１４２０、１４４０を固化させるとともに複数の発光部品２を載置板４０上に固定する。
図２５ａ〜図２５ｃは、本発明の他の実施例に係る発光装置の製造方法を示す流れ図である。図２５ａに示されるとおり、複数の発光部品２を第一仮設載置板７１上に設けるとともに電極１４２、１４４を露出させる。次に、導電粘着材料１４８０を提供する。本実施例において、導電粘着材料はフィルム（film）である。導電粘着材料１４８０は、基材１４８１と、この基材上に形成される導電粘着膜１４８２とを含む。塗布（spin coating）又は噴着（spray）などのような方法で導電粘着材料を基材１４８１上に形成するにより、導電粘着膜１４８２を形成する。導電粘着膜１４８２は、柔軟体と、包装体（capping agent）を具備する金属粒子とを含む。金属粒子は、金、銀、銅、ニッケル、プラチナ、パラジウム、鉄、これらの合金又はこれらの混合物である。金属粒子の粒子サイズは５ｎｍ〜５００ｎｍである。包装体が金属粒子の外に覆われていることにより、製作工程を行うときナノメートル級の金属粒子が合体（coalesce）になることを防ぎ、かつ金属粒子のサイズを更に制御することができる。包装体は、有機アミン、例えばヘキサデシルアミン（hexadecylamine）であるか、或いはチオール（thiol）、例えばドデカンチオール（dodecanethiol）であるか、或いはピリジン（pyridine）、例えばトリアゾロピリジン（triazolopyridine）又はテルピリジン（tepyridiner）であることができる。柔軟体は、熱可塑性粘着剤又は熱固化粘着剤を含む。
図２５ｂに示されるとおり、複数の発光部品２の電極１４２、１４４を導電粘着膜１４８２上に固定し、第一仮設載置板７１を除去する。次に、加熱加圧工程（７０〜２５０℃で、０．２〜２０Ｍｐａ）を行うことにより、導電粘着膜１４８２と電極１４２、１４４とを結合させる。図２５ｃに示されるとおり、導電粘着材料１４８０と複数の発光部品２を分離するとき、発光部品２と接触する導電粘着膜１４８２も電極１４２、１４４上に移されるので、発光部品２は導電粘着膜１４２０、１４４０を具備する。
図２５ｄに示されるとおり、導電粘着膜１４２０、１４４０付き発光部品２を載置板４０上に載置した後、加熱又は加熱加圧工程（７０〜２５０℃で、０．２〜２０Ｍｐａ）を行うことにより、発光部品２を載置板４０上に固定する。載置板４０上に電子回路（図示せず）が形成されているので、発光部品２は、導電粘着膜１４２０、１４４０によって載置板４０上の電子回路と電気接続することができる。加熱を行った後、一部分又はすべての包装体が除去されることにより、導電粘着膜は色々な特性を有する（例えば、孔隙率、色、粘度を改変することができる）。
図２６ａ〜図２６ｅは、本発明の他の実施例において、導電粘着材料と発光部品を接合させる製造方法を示す流れ図である。本実施例において、同様な符号又は記号は類似するか或いは同様である部品、装置又は工程を示す。本実施例においても、導電粘着材料１４８０は、基材１４８１と、この基材１４８１上に形成される導電粘着膜１４８２とを含む。導電粘着材料１４８０に対する説明は、上述した実施例を参照することができる。
図２６ａに示されるとおり、複数の発光積層２０１は、エピタキシャル成長により成長基板８０１（例えば、サファイア、ＳiＣ、ＧａＮ、ＣａＰ又はＣａＡｓなど）上に形成されている。溝８０２は、隣接する２つの発光積層２０１の間に形成されている。
図２６ｂに示されるとおり、複数の発光部品２の電極１４２、１４４を導電粘着膜１４８２上に固定し、加熱加圧工程（７０〜２５０℃で、０．２〜２０Ｍｐａ）を行うことにより、導電粘着膜１４８２と電極１４２、１４４とを結合させる。
図２６ｃに示されるとおり、溝８０２に沿って発光積層２０１を切断することにより、別々に存在しかつ一部分の成長基板８１１を具備する複数の発光部品２を形成する。図２６ｂに示されるとおり、導電粘着材料１４８０と複数の発光部品２を分離するとき、発光部品２と接触する導電粘着膜１４８２も電極１４２、１４４上に移されるので、発光部品２は導電粘着膜１４２０、１４４０を具備する。
図２６ｅに示されるとおり、導電粘着膜１４２０、１４４０付き発光部品２を載置板４０上に載置した後、加熱又は加熱加圧工程（１５０〜２００℃で、０．２〜２０Ｍｐａ）を行うことにより、発光部品２を載置板４０上に固定する。載置板４０上に電子回路（図示せず）が形成されているので、発光部品２は、導電粘着膜１４２０、１４４０によって載置板４０上の電子回路と電気接続することができる。
図２７ａ〜図２７ｆは、本発明の他の実施例に係る発光装置の製造方法を示す流れ図である。図２７ａ〜図２７ｂに示されるとおり、まず載置板２０上に複数の発光部品２を形成する。この場合、電極１４２及び１４４は載置板２０と接触する。次に、透明材料で発光部品２を覆う。透明材料を固化させると、透明材料は発光部品２を覆う透明支持部品４になる。一部分の透明材料は、発光部品２の下部の電極１４２と１４４との間に流入し、かつ発光部品２と載置板２０との間の隙間を充填する。
図２７ｃに示されるとおり、載置板２０を除去することにより電極１４２と１４４の一側を露出させる。次に、導電粘着材料を提供する。本実施例において、導電粘着材料は導電粘着膜１４８２である。導電粘着膜１４８２に対する説明は、上述した実施例を参照することができる。図２７ｄに示されるとおり、露出している電極１４２と１４４の一側には導電粘着膜１４８２が覆われ、導電粘着膜１４８２は各発光部品２の電極１４２及び１４４と電気接続することができる。
図２７ｅに示されるとおり、電極１４２及び１４４の反対側にある導電粘着膜１４８２の一側には、フォトレジスト１４が形成されている。露光現象工程を行うことにより、電極１４２と１４４との間のフォトレジスト１４を除去し、一部分の導電粘着膜１４８２を露出させる。図２７ｆに示されるとおり、露光された導電粘着膜１４８２を除去した後、残っているフォトレジスト１４を除去することにより、発光部品２の電極１４２及び１４４を分離することができる。切断（或いは他の分割手段）で透明支持部品４と導電粘着材料１４８０を切断することにより、分離される発光部品２を形成する。すなわち、別々に存在する発光装置は、図２７ｇに示されるとおりである。
他の実施例において、図２７ｈに示されるとおり、異なる分割方法により、直列接続される複数の発光部品２を含む発光装置を形成することができる。それにより、発光装置は３Ｖ以上の操作電圧を有することができる（例えば、１つの発光装置が１つの発光部品を含むとき、発光装置は３Ｖの操作電圧を有する。１つの発光装置が複数の発光部品を含むとき、１つの発光装置は１５Ｖ、２１Ｖ、２４Ｖ、３３Ｖ、４８Ｖ又は基本電圧の整数倍の操作電圧を有することができる。）
他の実施例において、透明支持部品４が電極１４２と１４４との間の隙間に形成されるとき、需要に応じて、電極１４２と１４４との間の隙間に位置する一部分又はすべての透明支持部品を除去することができる。
上述した製造方法において、発光部品２を例として説明してきた。この実施例において、まず発光部品２を透明支持部品４及び／或いは光学部品６及び／或いは波長変換層３０及び／或いは絶縁層１２２、１２４、１２６及び／或いは中間層１４６上に形成し、次に同様な製造方法で導電粘着材料を電極１４２、１４４上に形成することができる。詳しい構造は図１９ａ〜図２２ｅに示されるとおりである。
上述した実施例において、スクリーン印刷方法で導電粘着材料を発光部品２上に形成してきたが、他の実施例において、鋼板印刷、塗布、磨き塗布、回転塗布、インク噴着印刷などにより導電粘着材料を発光部品２上に形成することができる。需要に応じて、包装体（capping agent）の金属粒子を発揮性溶剤に溶解させ、かつ塗布又はインク噴着印刷などによりそれを発光部品２上に形成することができる。次に、加熱或いは／及び加熱工程を行うことにより、溶剤又は包装体を除去することにより金属粒子を発光部品２上に形成することができる。溶剤の成分は、メチルベンゼン、エタン又は４〜１０個のカーボンを含む飽和又は不飽和のアルカンを含むことができる。
図１９ａ〜図１９ｆ、図２１ａ〜図２２ｂにおいて、導電粘着材料は、絶縁層１２２、１２４、１２６と電極１４２、１４２との上に形成される。しかし、異なる製造方法により、導電粘着材料を電極１４２、１４２上にのみ形成し、絶縁層１２２、１２４、１２６上には形成しなくてもよい。図２０ａ〜図２０ｆ、図２２ｃ〜図２２ｅにおいて、導電粘着材料は電極１４２、１４２上にのみ形成されている。
上述した実施例において、導電粘着材料を発光装置又は発光部品の一側に形成した後、発光装置又は発光部品を載置板４０上に固定する。他の実施例において、まず導電粘着材料を載置板４０上に形成した後、導電粘着材料と発光装置又は発光部品とを電気接続させることができる。発光装置又は発光部品と載置板との間の接合条件（加熱及び／或いは加圧）は、上述したとおりであるので、ここでは再び説明しない。
他の実施例において、導電性と粘着性を有する導電粘着材料を採用するか、或いは良好な導電性と粘着性を有する高分子材料で構成される材料又は薄膜（例えば、異方性導電剤）を採用することができる。異方性導電剤が主に垂直方向の導電性を有しているので、製造工程において、一部分の異方性導電剤を除去するステップ（図２７ｄ〜図２７ｆにおいて導電粘着材料を除去するステップと類似している）を省略することができる。また、導電粘着材料を使用することを避けるため、除去すべきすべての導電粘着材料が除去されないことにより、発光部品の間に短絡現象が発生することを避けることができる。
上述した発光装置は載置板４０上に設けられているが、図６に示すとおり、この発光装置を反射板１０上に設けることにより、発光部品２が放射する光線を反射することができる。
上述した実施例において、発光装置は、導電粘着材料によって載置板４０と結合するが、他の部品又は構造と共に発光モジュールを構成することもできる。図２８ａは、本発明の実施例に係る発光装置を示す図である。発光装置１０００Ｒ、１０００Ｇ及び１０００Ｂは、導電粘着材料によって載置板４０の電子回路と電気接続する。発光装置１０００Ｒ、１０００Ｇ及び１０００Ｂはそれぞれ、赤色光、緑色光及び藍色光を放射する発光装置１０００であり、かつそれぞれ１つの発光部品を含む。図２８ａの実施例を表示装置に応用するとき、１０００Ｒ、１０００Ｇ及び１０００Ｂを含む３つの発光装置は表示装置の画素ユニット（pixel）になり、発光装置は１０００Ｒ、１０００Ｇ及び１０００Ｂはサブ画素になる。載置板４０上に電子回路を設けることにより、発光装置１０００Ｒ、１０００Ｇ及び１０００Ｂを分離し、かつ所定の画面又は色を表示することができる。
図２８ｂにおいて、隣接する画素ユニット１０００Ｒ、１０００Ｇと１０００Ｂとの間には光を吸収するか或いは反射する隔離層６０が設けられている。隔離層６０が設けられることにより、隣接する画素ユニット１０００Ｒ、１０００Ｇと１０００Ｂとが放射する光線が互いに影響を与えることを避けることができる。それにより、表示装置のコントラストを向上させることができる。隔離層６０の成分は、白いペンキ、黒いペンキ又はその組合せであることができる。白いペンキは、エポキシ樹脂基材又はシリコン樹脂基材に分散されている二酸化チタンを含む。黒いペンキは、エポキシ樹脂基材又はシリコン樹脂基材に分散されている黄色物（例えば、カーボン又は硫化鉄）を含む。
図２８ｃに示される実施例において、表示装置は複数の発光装置１０００Ｐを含み、各発光装置１０００Ｐは３つの発光部品２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂを含む。その３つの発光部品はそれぞれ、赤色可視光の波長、緑色可視光の波長及び藍色可視光の波長を放射することができる。発光部品は、部品内に設けられる半導体積層であり、かつ所定の可視光を放射可能な活性層を含むことができる。例えば、赤色可視光、緑色可視光及び藍色可視光を放射する。或いは、発光部品の半導体積層が放射した光線が発光部品内の波長変換材料を通過することにより、赤色可視光、緑色可視光及び藍色可視光を放射することができる。本実施例において、１つの発光装置１０００Ｐが３つの発光部品２Ｒ、２Ｇ及び２Ｂを含むので、１つの発光装置１０００Ｐが表示装置の１つの画素ユニット（pixel）になることができる。図２８ｃの実施例において、隔離層６０を設けることにより、表示装置のコントラストを向上させることができる。
導電粘着材料で載置板と発光部品を電気接続させる実施例だけではなく、導電粘着材料を使用しない各実施例も、図２８ａ〜図２８ｃに示される表示装置に応用することができる。
図２９ａ〜図２９ｅの実施例を参照すると、発光部品２は、導電粘着材料によって基板、載置板又は反射板に連結されるとともに放熱装置にも連結されるので、放熱効果を向上させることができる。図２９ａは放熱装置５２０を示す斜視図である。図２９ｂは放熱装置５２０を示す平面図である。図２９ｃは放熱装置５２０を示す底面図である。図２９ｄは図２９ｂのＡＡ’線に沿う放熱装置５２０の断面を示す断面図である。図２９ｅは図２９ｂのＢＢ’線に沿う放熱装置５２０の断面を示す断面図である。放熱装置５２０は放熱部５２１と支持部５２２を含み、放熱部は導電材料で構成され、支持部は電気絶縁材料で構成される。支持部５２２は、放熱部５２１を挟む（clamp）とともに放熱部５２１を露出させる。支持部５２２は、放熱部５２１の間に形成される第一部分５２２１と、放熱部５２１を貫通する第二部分５２２２と、放熱部５２１の上表面、下表面及び側面の一部分を覆う第三部分５２２３とを含む。第一部分５２２１、第二部分５２２２及び第三部分５２２３は、一体に形成される構造であることができる。他の実施例において、第三部分５２２３は放熱部５２１の上表面及び下表面のみを覆い、側面の放熱部は覆わない。図２９ｂにおいて、発光部品は、上述した導電粘着材料（図示せず）により露出している放熱部５２１に接合され、かつ放熱装置により基板、載置板又は反射板に接続される。
本実施例において、導電粘着材料は発光部品中のボンディングパッド(bonding pad)になることができる。図３０ａに示されるとおり、発光部品２は、垂直式発光装置であり、かつ導電基板２１、第一型半導体層２１２、活性層２１３及び第二型半導体層２１４を含む。発光部品２は、第二型半導体層２１４上に形成される第一電極層２１５と、導電基板２１に形成される第二電極層２１６とを更に含む。導電粘着材料１４２０に対する説明は、上述した実施例を参照することができる。導電粘着材料１４２０を第一電極層２１５に結合させる方法は、導電粘着材料１４２０を電極１４２、１４４に結合させる方法を参照することができるので、ここでは再び説明しない。第一電極層２１５或いは／及び第二電極層２１６は、多層構造、例えばＣｒ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｔi／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔi／Ｃｕ、Ｔi／Ａｕ、Ａｕ／ＢｅＡｕ／Ａｕ、Ａｕ／ＧｅＡｕ／Ａｕなどを含むことができる。導電粘着材料１４２０はＡｕ又はＣｕ上に結合される。Ａｕ又はＣｕの厚さは５００μｎｍ〜１μｍの間にある。導電粘着材料１４２０をボンディングパッドにする場合、ボンディングを容易に行うため導電粘着材料の厚さを１５μｎｍ〜５００μｎｍにした方がよい。第二型半導体層２１４と第一電極層２１５との間には、透明層（例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩｎＯ、ＳｎＯ、ＣＴＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯ、ＺＴＯ、ＧＺＯ、ＺｎＯ、ＩＧＯ、ＧＡＺＯ、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）又はＧａＰ）を形成することができる。図３０ｂに示されるおとり、発光部品２は水平式発光装置である。導電粘着材料１４２０は第一電極層２１５と第二電極層２１６上に結合され、かつそれをボンディングパッドにすることができる。第一電極層２１５と第二電極層２１６との間に阻止層２１７を形成することができる。印刷方法で導電粘着材料１４２０を電極層２１５、２１６上に形成するとき、導電粘着材料１４２０の導電性により余計な短絡現象か発生することができるので、阻止層２１７でその問題を解決することができる。阻止層２１７は、電極層２１５、２１６の厚さより厚い厚さを有する。阻止層２１７の厚さは２０μｍ〜１００μｍの間にある。
他の実施例において、導電粘着材料を固体結晶剤として応用することができる。図３０ｃの発光装置は図３０ａの発光装置と類似する構造を有し、かつ同様な符号又は記号は類似するか或いは同様である部品、装置又は工程を示す。導電粘着材料１４２０を第二電極層２１６上に形成して固体結晶剤にする。図３０ｄに示される水平式発光部品において、導電粘着材料１４２０が電極層２１５、２１６の反対側にある基板２１の一側に形成されることにより固体結晶剤を形成する。この固体結晶剤は、後述する部分において、リードフレーム（leadframe）、包装体（例えば、ＰＬＣＣ、ＥＭＣ又はＨＴＣＣ）又は電子回路基板（ＰＣＢ）に固定される。次に、発光部品の半田上に載置し、かつ２２０〜２８０度の温度でリフロー（reflow）を行うことにより、発光部品を電子回路基板上に固定する。
上述した実施例において、発光部品又は発光装置を載置板上に固定するとき、発光部品又は発光装置と載置板との間に半田を付け、かつ２２０〜２８０度の温度でリフローを行うことができる。
説明する簡単にするため、上述した発光部品に詳しいエピタキシ構造をかいていないが、その発光部品は第一型半導体層、活性層及び第二型半導体層を含むことができる。発光部品は、成長基板、例えばヒ化ガリウム（ＣａＡｓ）、リン化ガリウム（ＣａＰ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、サファイア、ガラス、ダイヤモンド、炭化ケイ素（ＳiＣ）、シリコン、窒化ガリウム（ＣａN）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）で構成される材料のうち少なくと一種を含むことができる。第一型半導体層及び第二型半導体層は、例えば包装層（capping layer）又は制限層（confinement layer）を含み、電子、正孔を提供し、かつこの電子、正孔が活性層に結合されることにより光を放射する。第一型半導体層、活性層及び第二型半導体層の材料は、III-Ｖ族の半導体材料、例えばAlxInyGa(1-x-y)N又はAlxInyGa(1-x-y)Pを含むことができる。この式において、１≦ｘ、ｙ≦１、（ｘ+ｙ）≦１である。活性層の材料と、発光部品に色々な電流を入力することにより、波長の最大値が６１０ｎｍ〜６５０ｎｍの赤色光、波長の最大値が５３０ｎｍ〜６００ｎｍの黄色又は緑色光、波長の最大値が４５０ｎｍ〜４９０ｎｍの藍色光を放射することができる。
以上、これらの発明の実施例を図面により詳述してきたが、実施例はこの発明の例示にしか過ぎないものであるため、この発明は実施例の構成にのみ限定されるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれることは勿論である。また、例えば、各実施例に複数の構成が含まれている場合には、特に記載がなくとも、これらの構成の可能な組合せが含まれることは勿論である。また、複数の実施例や変形例が示されている場合には、特に記載がなくとも、これらに跨がった構成の組合せのうちの可能なものが含まれることは勿論である。
２、２Ｒ、２Ｇ、２Ｂ 発光装置
４ 透明支持部品
６、１０６、１０７ 光学部品
１０６１ 内表面
１０６２ 外表面
８、１２ 光学層
１０ 反射層
１２０１ 第一光学層
１２０２ 第二光学層
１２０３ 第三光学層
１４ フォトレジスト
５２０ 放熱装置
５２１ 放熱部
５２２ 支持部
５２２１ 第一部分
５２２２ 第二部分
５２２３ 第三部分
２０ 載置板
２０１ 発光積層
２１ 基板
２１２ 第一型半導体層
２１３ 活性層
２１４ 第二型半導体層
２１５ 第一電極層
２１６ 第二電極層
２１７ 阻止層
２２ 側面
２４ 出射面
２６ 接合面
３０ 波長変換層
４０ 載置板
４２ 側壁
４４、６８ 頂部面
４６ 底面
４８０、４８２ 斜面
６０ 隔離層
６２ 側辺
６４、６６ 斜辺
７１ 第一仮設載置板
７２ 第二仮設載置板
８０、８２、８４、８６、８８ 切断線
８０１、８１１ 成長基板
８０２ 溝
１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、１０００Ｒ、１０００Ｇ、１０００Ｂ、１０００Ｐ 発光装置
１２２ 第一絶縁層
１２４ 第二絶縁層
１２６ 第三絶縁層
１４２ 第一電極
１４３ 隙間
１４４ 第二電極
１４６ 中間層
１４２０、１４４０、１４８０ 導電粘着材料
１４８１ 基材
１４８２ 導電粘着膜
６０１ 第一区域
６０２、６０４ 第二区域
６０２１、６０２２、６０２３、６０２４、６０２５、６０２６、６０２７、６０２８、６０２９、６０３０、６０３１、６０３２、６０３３、６０３４ 第二サブ区域
Ｗ、ＷＬ、ＷＤ 幅
Ｄ 深さ
Ａ 陥没方向
θ 頂部角度

Claims (9)

  1. 発光装置において、
    半導体発光部品と、
    前記半導体発光部品を覆う透明支持部品と、
    前記透明支持部品に接続される絶縁層と、
    前記絶縁層に接続される中間層と、
    前記中間層に接続される導電粘着材料とを含む発光装置。
  2. 前記半導体発光部品は前記導電粘着材料に接続される電極を含む請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記導電粘着材料の材料は金、銀又は銅を含む請求項１に記載の発光装置。
  4. 前記導電粘着材料は複数のナノメートル級粒子を含む請求項１に記載の発光装置。
  5. 前記中間層はチタン、銅、ニッケル、銀、スズ又はこれらの組合せを含む請求項１に記載の発光装置。
  6. 前記導電粘着材料は３００℃以下の状態変換温度を有する請求項１に記載の発光装置。
  7. 発光装置において、
    電極を具備する半導体発光部品と、
    前記半導体発光部品を覆う透明支持部品と、
    前記中間層に接続され、２０μｍ以上の厚さを有し、かつ複数のナノメートル級粒子を含む導電粘着材料と、を含む発光装置。
  8. 前記ナノメートル級粒子は金、銀又は銅を含む請求項７に記載の発光装置。
  9. 前記導電粘着材料は３００℃以下の状態変換温度を有する請求項７に記載の発光装置。
JP2014230596A 2013-11-14 2014-11-13 発光装置 Pending JP2015095658A (ja)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102141591 2013-11-14
TW102141591 2013-11-14
TW103110058 2014-03-17
TW103110058 2014-03-17
TW103133696 2014-09-26
TW103133696A TWI707484B (zh) 2013-11-14 2014-09-26 發光裝置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019141869A Division JP6999615B2 (ja) 2013-11-14 2019-08-01 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015095658A true JP2015095658A (ja) 2015-05-18
JP2015095658A5 JP2015095658A5 (ja) 2017-12-21

Family

ID=53042993

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014230596A Pending JP2015095658A (ja) 2013-11-14 2014-11-13 発光装置
JP2019141869A Active JP6999615B2 (ja) 2013-11-14 2019-08-01 発光装置
JP2021207648A Active JP7277557B2 (ja) 2013-11-14 2021-12-22 発光装置

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019141869A Active JP6999615B2 (ja) 2013-11-14 2019-08-01 発光装置
JP2021207648A Active JP7277557B2 (ja) 2013-11-14 2021-12-22 発光装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11011681B2 (ja)
JP (3) JP2015095658A (ja)
KR (3) KR102072598B1 (ja)
CN (2) CN104633493B (ja)
DE (1) DE102014016854A1 (ja)
TW (1) TWI707484B (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150030169A (ko) * 2013-09-11 2015-03-19 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 소자 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 이의 제조 방법
JP2017120911A (ja) * 2015-12-31 2017-07-06 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光装置
JP2020053690A (ja) * 2016-02-05 2020-04-02 マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドＭａｖｅｎ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． ビーム成形構造体を備えた発光素子およびその製造方法
US11264552B2 (en) 2018-10-31 2022-03-01 Nichia Corporation Light emitting device, light emitting module, method of manufacturing light emitting device, and method of manufacturing light emitting module
JP2022110108A (ja) * 2017-10-26 2022-07-28 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光装置
JP7475735B2 (ja) 2022-08-31 2024-04-30 晶呈科技股▲分▼有限公司 ダイパッケージの接合及び移載方法
JP7515053B1 (ja) 2023-01-31 2024-07-12 日亜化学工業株式会社 面状光源

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6438648B2 (ja) * 2013-11-15 2018-12-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
US10297731B2 (en) * 2014-11-26 2019-05-21 Bridgelux, Inc. Light emitting diode constructions and methods for making the same
JP2017054933A (ja) * 2015-09-09 2017-03-16 株式会社東芝 発光装置及びその製造方法
US9859470B2 (en) * 2016-03-10 2018-01-02 Epistar Corporation Light-emitting device with adjusting element
US20170345983A1 (en) * 2016-05-26 2017-11-30 Epistar Corporation Light-emitting device and light-emitting apparatus comprising the same
TWI790984B (zh) * 2017-01-26 2023-01-21 晶元光電股份有限公司 發光元件
JP6870592B2 (ja) * 2017-11-24 2021-05-12 豊田合成株式会社 発光装置
KR20190098709A (ko) * 2018-02-14 2019-08-22 에피스타 코포레이션 발광 장치, 그 제조 방법 및 디스플레이 모듈
CN108321288A (zh) * 2018-04-04 2018-07-24 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 Led光源及其制造方法
CN115128862A (zh) * 2021-03-26 2022-09-30 群创光电股份有限公司 背光模块以及显示装置
CN114093998B (zh) * 2022-01-21 2022-04-19 季华实验室 一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法
EP4391094A1 (en) * 2022-12-23 2024-06-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode package

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006202938A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Kojiro Kobayashi 半導体装置及びその製造方法
WO2009098831A1 (ja) * 2008-02-07 2009-08-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. 電子部品装置の製造方法
WO2011093454A1 (ja) * 2010-01-29 2011-08-04 シチズン電子株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
JP2011258671A (ja) * 2010-06-07 2011-12-22 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US20130240934A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting element package and method of manufacturing the same

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3193838B2 (ja) * 1994-11-14 2001-07-30 シャープ株式会社 光半導体装置
JP2001257381A (ja) 2000-03-13 2001-09-21 Sharp Corp 発光ダイオードおよびその製造方法並びに照明装置
CN1147937C (zh) * 2000-09-29 2004-04-28 北京大学 一种制备基于氮化镓发光二极管的方法
US20070126016A1 (en) * 2005-05-12 2007-06-07 Epistar Corporation Light emitting device and manufacture method thereof
US8999736B2 (en) * 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic system
US9000461B2 (en) * 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic element and manufacturing method thereof
JP4400786B2 (ja) 2004-06-11 2010-01-20 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
US7745832B2 (en) * 2004-09-24 2010-06-29 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting element assembly with a composite substrate
TW200637033A (en) 2004-11-22 2006-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting device, light-emitting module, display unit, lighting unit and method for manufacturing light-emitting device
US9018655B2 (en) * 2005-02-03 2015-04-28 Epistar Corporation Light emitting apparatus and manufacture method thereof
KR100691179B1 (ko) * 2005-06-01 2007-03-09 삼성전기주식회사 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
CN2826706Y (zh) * 2005-06-01 2006-10-11 张龙宝 单颗和集群封装的功率led定向光源
KR20100131500A (ko) 2005-09-22 2010-12-15 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 반도체 발광 디바이스용 부재 및 그 제조 방법, 및 그것을 이용한 반도체 발광 디바이스
US8502364B2 (en) * 2006-08-22 2013-08-06 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor device member, production method of semiconductor-device-member formation liquid and semiconductor device member, and semiconductor-device-member formation liquid, phosphor composition, semiconductor light-emitting device, lighting system and image display system using the same
JP5213433B2 (ja) * 2006-12-21 2013-06-19 富士フイルム株式会社 導電膜およびその製造方法
CN100585893C (zh) * 2007-03-26 2010-01-27 晶元光电股份有限公司 发光二极管及其制造方法
JP2009130301A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Sharp Corp 発光素子および発光素子の製造方法
CN101197417B (zh) * 2008-01-07 2010-09-15 普光科技（广州）有限公司 氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
WO2009093497A1 (ja) 2008-01-22 2009-07-30 Alps Electric Co., Ltd. 光反射体を用いたｌｅｄパッケージ
US8309864B2 (en) * 2008-01-31 2012-11-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Device mounting board and manufacturing method therefor, and semiconductor module
TW200945633A (en) 2008-02-27 2009-11-01 Alps Electric Co Ltd Light emitter and semiconductor light-emitting device using same
TW200936953A (en) 2008-02-29 2009-09-01 Univ Nat Chiao Tung Structure of LED lens with reflective film
CN101551077B (zh) * 2008-04-03 2011-11-30 财团法人工业技术研究院 发光装置与应用其的背光装置及其组装方法
US8385380B2 (en) * 2008-09-04 2013-02-26 3M Innovative Properties Company Monochromatic light source
KR101497953B1 (ko) * 2008-10-01 2015-03-05 삼성전자 주식회사 광추출 효율이 향상된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
DE112010003715T8 (de) * 2009-09-20 2013-01-31 Viagan Ltd. Baugruppenbildung von elektronischen Bauelementen auf Waferebene
CN101740703B (zh) * 2009-11-30 2013-04-17 中微光电子(潍坊)有限公司 一种led芯片及其制造方法
JP2011155060A (ja) * 2010-01-26 2011-08-11 Citizen Holdings Co Ltd 発光デバイス
CN101782203B (zh) 2010-02-04 2012-02-01 广东昭信光电科技有限公司 一种包含自由曲面反射器的背光系统
CN103003966B (zh) * 2010-05-18 2016-08-10 首尔半导体株式会社 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法
KR101653684B1 (ko) * 2010-05-28 2016-09-02 삼성전자 주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법
CN102062320A (zh) * 2010-12-16 2011-05-18 西安炬光科技有限公司 一种带光学整形的led光源模块及其制备方法
US20120295098A1 (en) * 2011-05-19 2012-11-22 Trillion Science, Inc. Fixed-array anisotropic conductive film using surface modified conductive particles
JP5837775B2 (ja) 2011-08-19 2015-12-24 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
US8624482B2 (en) 2011-09-01 2014-01-07 Toshiba Techno Center Inc. Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED
JP5916334B2 (ja) * 2011-10-07 2016-05-11 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤及びその製造方法、発光装置及びその製造方法
JP2013115088A (ja) * 2011-11-25 2013-06-10 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置
JP2013118244A (ja) 2011-12-02 2013-06-13 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びそれを用いた照明装置
TWI606618B (zh) 2012-01-03 2017-11-21 Ｌｇ伊諾特股份有限公司 發光裝置
JP5943677B2 (ja) 2012-03-31 2016-07-05 キヤノン株式会社 探触子、及びそれを用いた被検体情報取得装置
CN103378282A (zh) * 2012-04-27 2013-10-30 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
KR101501679B1 (ko) * 2012-04-30 2015-03-11 주식회사 포스코엘이디 광반도체 기반 조명장치 및 이에 이용되는 광학부재의 제조방법
JP2012227537A (ja) 2012-06-19 2012-11-15 Mitsubishi Electric Corp Ｌｅｄ光源及びそれを用いた発光体
KR20140101220A (ko) * 2013-02-08 2014-08-19 삼성전자주식회사 조명 장치
KR102075982B1 (ko) 2013-03-15 2020-02-12 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
CN203812906U (zh) * 2014-03-12 2014-09-03 上海亚浦耳照明电器有限公司 一种led芯片封装体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006202938A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Kojiro Kobayashi 半導体装置及びその製造方法
WO2009098831A1 (ja) * 2008-02-07 2009-08-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. 電子部品装置の製造方法
WO2011093454A1 (ja) * 2010-01-29 2011-08-04 シチズン電子株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
JP2011258671A (ja) * 2010-06-07 2011-12-22 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US20130240934A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting element package and method of manufacturing the same

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150030169A (ko) * 2013-09-11 2015-03-19 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 소자 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 이의 제조 방법
KR102242660B1 (ko) 2013-09-11 2021-04-21 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 소자 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 이의 제조 방법
KR102396074B1 (ko) * 2015-12-31 2022-05-09 에피스타 코포레이션 발광 장치
JP2017120911A (ja) * 2015-12-31 2017-07-06 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光装置
KR20170080531A (ko) * 2015-12-31 2017-07-10 에피스타 코포레이션 발광 장치
JP7266961B2 (ja) 2015-12-31 2023-05-01 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光装置
JP2020053690A (ja) * 2016-02-05 2020-04-02 マブン オプトロニックス カンパニー リミテッドＭａｖｅｎ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． ビーム成形構造体を備えた発光素子およびその製造方法
JP7016467B2 (ja) 2016-02-05 2022-02-07 マブン オプトロニックス カンパニー リミテッド ビーム成形構造体を備えた発光素子およびその製造方法
JP2022110108A (ja) * 2017-10-26 2022-07-28 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光装置
JP7418496B2 (ja) 2017-10-26 2024-01-19 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光装置
US11264552B2 (en) 2018-10-31 2022-03-01 Nichia Corporation Light emitting device, light emitting module, method of manufacturing light emitting device, and method of manufacturing light emitting module
JP7475735B2 (ja) 2022-08-31 2024-04-30 晶呈科技股▲分▼有限公司 ダイパッケージの接合及び移載方法
JP7515053B1 (ja) 2023-01-31 2024-07-12 日亜化学工業株式会社 面状光源
JP7515052B1 (ja) 2023-01-31 2024-07-12 日亜化学工業株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN108533993A (zh) 2018-09-14
TWI707484B (zh) 2020-10-11
JP7277557B2 (ja) 2023-05-19
US20150129919A1 (en) 2015-05-14
KR20150056055A (ko) 2015-05-22
DE102014016854A1 (de) 2015-05-21
KR102072598B1 (ko) 2020-02-03
JP6999615B2 (ja) 2022-01-18
CN104633493B (zh) 2018-05-25
KR102349834B1 (ko) 2022-01-10
JP2022028040A (ja) 2022-02-14
KR102253516B1 (ko) 2021-05-18
JP2019195103A (ja) 2019-11-07
CN104633493A (zh) 2015-05-20
KR20210057718A (ko) 2021-05-21
US11011681B2 (en) 2021-05-18
KR20200068610A (ko) 2020-06-15
TW201523928A (zh) 2015-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7277557B2 (ja) 発光装置
JP7125636B2 (ja) 発光装置
JP5999929B2 (ja) 発光素子パッケージ及びこれを利用した照明システム
JP5736203B2 (ja) 発光装置
JP2021500735A (ja) 発光素子パッケージ及びこれを含む照明装置
JP6387954B2 (ja) 波長変換部材を用いた発光装置の製造方法
WO2013168802A1 (ja) Ｌｅｄモジュール
US20210273138A1 (en) Light-emitting device and the method of manufacturing the same
JP6964345B2 (ja) 発光素子パッケージ及び光源装置
JPWO2005091383A1 (ja) 発光装置の製造方法
TW201724554A (zh) 發光裝置、整合式發光裝置、及發光模組
TWI778103B (zh) 發光裝置封裝
JP7231832B2 (ja) 発光装置、液晶表示装置
US11302846B2 (en) Light emitting device package and light source unit
TW201635599A (zh) 發光裝置
TWI775911B (zh) 發光裝置封裝
JP2010225754A (ja) 半導体発光装置
TWI705586B (zh) 發光裝置
JP2013089717A (ja) Ｌｅｄモジュール
JP2023010799A (ja) 発光モジュール及び発光モジュールの製造方法
JP6087098B2 (ja) 光源装置、ｌｅｄランプ、および液晶表示装置
US9954144B2 (en) Wafer level contact pad solder bumping for surface mount devices with non-planar recessed contacting surfaces
JP2018032748A (ja) 発光装置、照明装置及び発光装置の製造方法
KR102562090B1 (ko) 발광소자 패키지
JP2020181941A (ja) 発光装置、及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171109

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171109

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180813

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180911

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181207

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190402