CN104633493A - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光装置，包含一半导体发光元件，发出一第一光线并包含一出光面、一位于半导体发光元件之上并包含一第一区与一第二区的透明支撑元件，以及位于透明支撑元件之上的光学元件。第一光线经过光学元件以产生一具有一光场分布的第二光线，并且光场分布具有一最大值对应于第一区以及一最小值对应于第二区。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及一种发光装置，包含有半导体发光元件与光学元件。
背景技术
从白炽灯以来，发光二极管(Light-emitting diode；LED)因为兼具节能、绿色环保、寿命长、体积小等诸多优点而在各种照明应用上逐渐取代传统照明灯具，而其中又以能发出白光的LED为各企业发展的重点。
相关的照明技术中，除了调整色温以及颜色的参数之外，也有调整灯具的出光方向与光场的技术。而发光二极管由于体积小的关系，通常是通过于外在封装增加各种光学构件的方式将发光二极管发出的光进行反射、干涉或绕射，以调整需要的光场。
各种不同的光学构件中，常见的有增加具有反射效果的光学构件于发光二极管相对于发光面的一侧，例如反射板，由此将发光二极管往另一侧发出的光线反射回到发光面的同侧，达到增加光强度的效果。也有的是在发光面的一侧或周围加上具有改变光行进路线的光学构件，由此遮挡(例如贴附在发光面上的光学膜)或反射(例如灯具内位于发光源周围具有反射性的侧壁)发光二极管所发出的部分光线，以改变发光二极管的光场而达到增加特定方向的光场，例如增加侧向发光。
而上述具有光学构件的发光二极管还可以进一步地与其他元件组合连接以形成一发光装置(light-emitting device)；其中，发光装置包含一具有至少一电路的次载体(sub-mount)；至少一焊料(solder)位于上述次载体上，通过此焊料将上述发光元件黏结固定于次载体上并使发光元件的基板与次载体上的电路形成电连接；以及，一电连接结构，以电连接发光元件的电极与次载体上的电路；其中，上述的次载体可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)，以方便发光装置的电路规划并提高其散热效果。
发明内容
本发明公开一种发光装置，包含一半导体发光元件，包含一出光面并发出一第一光线；一透明支撑元件位于半导体发光元件之上；以及一光学元件位于透明支撑元件之上，包含一第一区与一第二区，其中第一光线经过光学元件以产生一第二光线，并且第二光线的光场具有一光场分布，并且光场分布具有一最大值对应于第一区以及一最小值对应于第二区。
本发明公开一种发光装置，包含一半导体发光元件，包含一出光面；一第一电极连接于半导体发光元件；一透明支撑元件包含一底面，位于半导体发光元件之上；以及一光学结构位于透明支撑元件之上，包含覆盖于出光面之上的一第二区与一平行于该出光面的第一区，其中至少一部分第一电极被透明支撑元件覆盖但未被半导体发光元件覆盖，并且发光装置发出一光场包含一最大值大致对应第一区以及一最小值大致对应第二区。
本发明公开一发光装置，包含一半导体发光元件，包含一出光面；以及一透明支撑元件，包含第一斜面、第二斜面与底面，并位于半导体发光元件之上；其中发光装置发出一光场包含一最大值大致对应第一斜面或第二斜面以及一最小值大致对应底面。
本发明公开一发光装置，包含多个半导体发光元件，其中各半导体发光元件包含一上表面、一下表面以及一反射层位于上表面与下表面之间，其中下表面的宽度小于上表面的宽度；以及一光学元件覆盖多个半导体发光元件。
附图说明
图1a-图1b为本发明的一实施例的发光装置示意图；
图2a-图2b为本发明的一实施例的发光装置示意图；
图3为本发明的一实施例的发光装置所发出的光场示意图；
图4a-图4e为本发明实施例中光学元件的上视图；
图5a-图5b为本发明实施例中光学元件的上视图；
图6为本发明的一实施例的发光装置示意图；
图7a-图7b为本发明实施例的发光装置示意图；
图8为本发明实施例的发光装置示意图；
图9a-图9h为本发明实施例的发光装置制造方法的流程图；
图10a-图10b为本发明实施例的发光装置示意图；
图11为本发明实施例的光学元件的示意图；
图12为本发明实施例的发光装置示意图；
图13a-图13b为本发明实施例的光学层的光学特性示意图；
图14a-图14c为本发明实施例的发光装置示意图；
图15为本发明实施例的发光装置示意图；
图16a-图16b为本发明实施例的发光装置示意图；
图17a-图17b为本发明的实施例的发光装置所发出的光场示意图；
图18a～图18d为本发明实施例的发光装置所发出光线的CIE坐标偏移的示意图；
图19a-图19f为本发明实施例的发光装置示意图；
图20a-图20f为本发明实施例的发光装置示意图；
图21a-图21b为本发明实施例的发光装置示意图；
图22a-图22e为本发明实施例的发光装置示意图；
图23a-图23d为本发明实施例的发光装置制造方法的流程图；
图24a-图24c为本发明实施例的发光装置示意图；
图25a-图25d为本发明实施例中导电黏着材料形成于发光元件上的不同实施例的制造流程示意图。
图26a-图26e为本发明实施例中导电黏着材料形成于发光元件上的不同实施例的制造流程示意图。
图27a-图27h为本发明实施例中发光装置制造方法的流程剖视图。
图28a-图28c为本发明实施例的发光装置示意图；
图29a-图29e为本发明实施例的发光装置示意图；
图30a-图30d为本发明实施例的发光装置示意图。
符号说明
2、2R、2G、2B：发光元件；
4：透明支撑元件；
6、106、107：光学元件；
1061：内表面；
1064：外表面；
8、12：光学层；
10：反射板；
1201：第一光学层；
1202：第二光学层；
1203：第三光学层；14：光致抗蚀剂层；
520：散热装置；
521：散热部；
522：支撑部；
5221：第一部分；
5522：第二部分；
5223：第三部分；
20:载板；
201:发光叠层；
21:基板；
212:第一型半导体层；
213:活性层；
214:第二型半导体层；
215:第一电极层；
216:第二电极层；
217:阻挡层；
22：侧面；
24：出光面；
26：接合面；
30:波长转换层；
40:承载板；
42：侧壁；
44、68：顶面；
46：底面；
480、482：斜面
60：隔离层；
62：侧边；
64、66：斜边；
71：第一暂时载板；
72：第二暂时载板；
80、82、84、86、88：切割道
801、811：成长基板
802：沟槽
100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1000R、1000G、1000B、1000P：发光装置；
122：第一绝缘层；
124：第二绝缘层；
126：第三绝缘层；
142：第一电极；
143:空隙；
144：第二电极；
146:中间层；
1420、1440、1480：导电黏着材料；
1481:基材；
1482:导电黏着膜；
601：第一区；
602、604：第二区；
6021、6022、6023、6024、6025、6026、6027、6028、6029、6030、6031、6032、6033、6034：第二次区；
W、WL、WD：宽度；
D：深度；
A：凹陷方向；
θ：顶角
具体实施方式
图1a为根据本发明一实施例所公开的一发光装置100，发光装置100包含一透明支撑元件4形成于发光元件2之上，以及一覆盖于透明支撑元件4之上的光学元件6。在本实施例中，发光元件2为一可发出非同调性光的半导体发光元件。发光元件2具有一侧面22环绕发光元件2、一出光面24以及一接合面26，其中侧面22垂直于出光面24与接合面26。透明支撑元件4覆盖着发光元件2的出光面24与侧面22，并且具有一侧壁42环绕透明支撑元件4与发光元件2、一顶面44介于发光元件2与光学元件6之间，以及一底面46。其中，透明支撑元件4的顶面44位于出光面24的上方。由于顶面44在水平方向上的面积大于出光面24，因此也可以说顶面44覆盖出光面24，但顶面44并不与出光面24共平面在顶面44与出光面24之间存在有透明支撑元件4。侧壁42则垂直于顶面44与底面46，并且底面46与发光元件2的接合面26共平面。在另一实施例中，发光元件2的接合面26与底面46不共平面，例如透明支撑元件4将发光元件2包覆于内。在本实施例中，顶面44与出光面24平行，而且侧壁42垂直出光面24并平行侧面22。在别的实施例中，顶面44与出光面24不平行，因此侧壁42仅垂直于顶面44或出光面24其中之一，但侧壁42仍平行侧面22。而在另一实施例中侧壁42为一斜面，此时侧壁42不垂直于顶面44或出光面24，并且侧壁42也不平行于发光元件2的侧面22。在本实施例中，侧面22为一垂直于出光面24的平面，在别的实施例中侧面22也可以为一斜面，并且不垂直于出光面24。在本实施例中，侧面22与出光面24为相互垂直的平面，而在别的实施例中侧面22与出光面24也可以视需求而形成相互垂直或不垂直的平面组合。在别的实施例中侧面22与出光面24可以同为粗糙面，也可以仅有其中一面为粗糙面而另一面为平面。参考图1b，图1b具有跟图1a类似的结构，其中光学元件6可以是一个多边形，例如长方形、六角形或正方形，具有一侧边62环绕光学元件6，以及连结侧边62并位于光学元件6相对两侧的两个斜边64与66，而斜边64与66并不接触透明支撑元件4。换句话说，斜边64与66形成在具有一高度不为零的侧边62之上，使得光学元件6具上窄下宽的外型。以长方形的光学元件6为例，光学元件6可以在四个边上都形成斜边，而相邻的斜边之间也会形成棱线；也可以是只有两个斜边，并且所在的位置不限于同在长方形的短边或者长边，也可以是位于长方形相邻接的一个长边与一个短边上，这种情况下在相邻的两个斜边上也会形成棱线。通过在光学元件6上形成斜边64与66，使发光元件2所发出的光在经过光学元件6的斜边时改变了行进方向，因此光线分布的角度也随之改变，所以图1a中的装置与图1b中的装置具有不同的光场。
图2a-图2b为根据本发明一实施例所公开的一发光装置200，发光装置200包含一发光元件2、一包覆发光元件2的透明支撑元件4，以及一覆盖于透明支撑元件4之上的光学元件6。光学元件6在远离发光元件2的表面上包含有第一区601与第二区602，其中第一区601平行于出光面24，而第二区602位于第一区601之间。本实施例中，第一区601为平面区域，而第二区602则为具有凹陷部的区域。如图2a所示，第二区602具有一凹陷部以一往发光元件2延伸的凹陷方向A凹陷，并且凹陷方向A垂直于光学元件6上第一区601所在区域的表面。参考图2a，第二区602的凹陷部在与第一区601共水平面上具有一最大宽度W以及一最大深度D，而宽度W与深度D的比例约为2:1。并且本实施例中第二区602在凹陷最靠近发光元件2的位置，具有一约为90度的顶角θ。在其他实施例中，可以依照所需要的光学特性，例如光场，来选择第二区602的各种参数，例如第二区602中凹陷部的最大宽度W与深度D的比例可以是大于或小于2:1，而位于凹陷方向A顶点的顶角θ可以是一直角、锐角或是钝角。本实施例中，仅第二区602位于发光元件2的正上方。参考图2b，发光元件2的侧面22往正上方的延伸线和光学元件6的第二区602相交，而发光元件2的出光面24在第二区602的正下方。第二区602的最大宽度W大于发光元件2的宽度，并且第二区602的最大宽度W与发光元件2的宽度之间的比例介于1:0.01～1:1之间。在别的实施例中，第二区602的最大宽度W小于发光元件2的宽度，并且第二区602的最大宽度W与发光元件2的宽度之间的比例介于1:1～1:1.1之间。参考图2b，一光学层8形成于光学元件6之上，覆盖第二区602的一部分并位于发光元件2的正上方，同时光学层8并未接触第一区601。本实施例中，光学层8的最大宽度WL大于出光面24的宽度WD，同时大于发光元件2的宽度。此外，光学层8可以覆盖整个第二区602，或是延伸到第一区601。在别的实施例中光学层8的最大宽度WL小于或等于出光面24的宽度WD。在本实施例中，光学层8对入射到光学层8的光线所具有的波长的波峰值范围在450-475nm之间时，具有大于85％的反射率；或在所入射的光线波长的波峰值介于400-600nm的范围间时具有大于80％的反射率。在别的实施例中，光学元件6之上不具有凹陷部，此时将覆盖有光学层8的区域定义为第二区602，并且第二区602依然在发光元件2的正上方。在其他实施例中，光学元件6不仅在表面上具有第一区601、第二区602与光学层8，也可以运用制作工艺方法在两侧形成如图1b中的斜边64与66，由此达到需要的光学特性，例如光场。
上述实施例中，光学层8可以是一单层结构或是多层结构。单层结构例如为一金属层，包含例如银或者铝，或是一氧化物层，包含例如氧化钛，利用材料的反射性改变发光元件2所发出来的光的行进路线。其中，金属材料选择在制作工艺中较不会与环境中其他材料发生反应的金属，例如制作工艺环境中含有硫的情况下就避免选择银，以免产生硫化银等包含硫与银的化合物。多层结构可以是分散式布拉格反射镜(Distributed Bragg reflector；DBR)，例如氧化钛(TiO2)与(SiO2)的叠层，或是金属与金属氧化物的叠层，例如铝与氧化铝的叠层，以达到反射的效果。在其他实施例中，光学层8还可以包含有波长转换材料。在本实施例中，不论是单层结构或者多层结构，都不会完全反射光线，因此至少有部分的光线会直接穿过光学层8。在别的实施例中，可以通过增加厚度或者多层结构的层数使光线不直接穿过光学层8以增加反射的效果。
参考图2a-图2b，其中发光元件2发出的第一光线，经过透明支撑元件4与光学元件6之后成为第二光线。当透明支撑元件4内不包含波长转换材料的情况下，第一光线的波长的波峰值与第二光线的波长的波峰值相同。当第一光线经过透明支撑元件4之后，部分的第一光线受到光学层8影响，或是在经过第二区602的时候因为光学元件6与外在环境折射率的不同影响，进而改变了光线的行进方向，使得第二光线与第一光线具有不同的光场分布。在别的实施例中，光学元件6还同时具有图1b中的斜边64与66以及图2b中的光学层8，使得部分被光学层8反射的第一光线会从斜边64与66侧离开光学元件6而成为第二光线的一部分。由于斜边64与66的尺寸、位置与倾斜角度(相对于光学元件6的表面)的不同，会影响到第一光线的行进路线。在其他实施例中，透明支撑元件4及/或光学元件6内部包含有波长转换材料时，第一光线的行进路线将会影响第一光线被波长转换材料所转换的量，例如原本50％的第一光线的行进路线会接触到波长转换材料，但是当斜边64与66的尺寸、位置与倾斜角度有所改变时，可能仅有30％的第一光线会接触到波长转换材料，此时第二光线的光学特性，例如色温、亮度、CIEXY色度坐标点或波长分布范围，会因此有所改变。在一实施例中，发光元件2发出的第一光线为蓝光，并且在透明支撑元件4内具有将蓝光转换为黄绿光的波长转换材料，在这个实施例中当斜边64与66的尺寸较大与位置较低时(侧边62较窄或较短)，原本没碰触到波长转换材料便离开光学元件6的第一光线在斜边产生反射，使得更多第一光线接触到波长转换材料并激发产生更多的黄绿光，第二光线的波长分布范围因而会往波长较长的范围移动。具体而言，第二光线的波长的波峰值会偏向红光的波长范围，或是说第二光线的色度坐标往CIE色度坐标的左下方移动。
在上述的实施例中，发光元件2与透明支撑元件4的尺寸具有相同、相近或相异的长度及/或宽度的比例，并具有相似的高度，也就是透明支撑元件4的顶面44与发光元件2的出光面24之间的距离很近。对发光装置100与200而言，在水平面上的第一方向上发光元件2与透明支撑元件4的尺寸具有一个第一比例，而在水平面上的第二方向上具有一个第二比例，其中第一方向垂直于第二方向，并且第一比例可以是大于、等于或者小于第二比例。当发光元件2为长方形时，第一方向与第二方向分别代表发光元件2长边的方向与发光元件2短边的方向。在一实施例中，第一比例与第二比例大约是介于1:1.04～1:7.1之间。此外，当本发明实施例中的两个发光装置具有相同或者相近的第一比例及/或第二比例，并且其水平面上的边长中的较短边长的长度大于某个限制值，此二发光装置具有大致相同的发光强度。举例而言，发光装置A具有一第一比例为1:2.11以及一第二比例为1:1.83，以及一发光装置B具有一第一比例为1:1.81以及一第二比例为1:1.57，两个发光装置的发光强度之间的差值小于发光装置A的发光强度的百分之一。在这个实施例中，两个发光装置具有相近的第一比例及第二比例，第一比例的比值为1.16(2.11/1.81＝1.16)，而第二比例的比值为1.65(1.83/1.57＝1.65)，两个发光装置之间对应的两个比例之间的比值都小于2，而两个发光装置的发光强度差也小于百分之一。若是两个发光装置具有相近的尺寸比例(两个尺寸比例的比值小于2，例如1.1、1.2、1.4与1.6)时，在发光装置水平面上的边长中的最短长度低于某个限制值，例如1.4mm时，发光装置的发光强度会受到前述较短边的长度的影响。举例来说，当两个发光装置包含有同样的发光元件2并具有相同的第一比例及/或第二比例，例如约为1:2的时候，当两个发光装置的短边长度大于一限制值，例如1.4mm，两个发光装置的发光强度近似。但是在同样比例下，水平面上的最短长度低于限制值的时候，例如两个发光装置的短边长分别为1.3mm与1.0mm时，边长为1.3mm的发光装置的发光强度大约比边长为1.0mm的发光装置的发光强度多了至少百分之一。也就是具有同样长短边比例的两个发光装置，只要边长都大于限制值的时候会具有近似的发光强度，例如两个装置的发光强度相差小于发光强度较大者的百分之一，但若是有其中一个发光装置的边长低于限制值时，两个发光装置的发光强度就有较为明显的差异。
图3为根据本发明实施例所公开的发光装置300发出的第二光线的光场分布示意图，图上的两个曲线代表的是从两个不同的方向量测光场分布的情况，在这两个方向上光场的分布范围约略介于-90°～+90°之间，而在其他实施例中，分布范围约略介于178°～190°。两个光场各自具有两个峰部以及一个谷部，并且光场约略以谷部为中心往两侧对称分布。其中，两个峰部大致对应第一区601且谷部大致对应第二区602。在其他实施例中，因第二区602凹陷的深度不同，影响发光元件2所发出的光行进方向，造成峰部的位置对应到发光装置的位置会往远离发光装置中心的方向移动，甚至由原本对应到的第一区601向外移动到超出侧边62的范围。但整体来说，发光装置发出的第二光线的光场分布具有一最大值对应于第一区601以及一最小值对应于第二区602。在本实施例中，两个光场各自的最大值与最小值的比值介于1.05～2倍之间。在本实施例中，因为没有设置波长转换材料，例如荧光粉，所以第一光线的波长的波峰值与第二光线的波长的波峰值相同。而在别的实施例中，不论是在发光元件2与透明支撑元件4之间设置有波长转换材料，或者是在透明支撑元件4内有波长转换材料存在，又或者光学元件6的内部、第一区601、第二区602与光学层8的任一或全部包含有波长转换材料，都会使得第二光线与第一光线的波长的波峰值不同，而波长转换材料可以是一层或多层相同或者相异的材料。同样地，在别的实施例中波长转换材料还包含有黏着层与具有增加亮度用途的增亮剂，例如二氧化硅。
图4a-图4e为根据本发明实施例所公开的光学元件6的上视图，光学元件6为一个长方形并具有由第一区601与第二区602所形成的各种不同样态。本实施例中，第一区601为平面区域，而第二区602则包含有凹陷区，并且选择性地有光学层位于其上。参考图4a，光学元件6的表面上有着位于两个第一区601之间的第二区602，其中两个第一区601是位于平行于光学元件6的长边的方向上。参考图4b，光学元件6的表面有着位于两个第一区601之间的第二区602，其中两个第一区601是位于平行于光学元件6的短边的方向上。在图4a-图4b的实施例中，第二区602都从光学元件6的一边延伸到另一边，例如图4a中第二区602是沿着光学元件6的短边从一长边延伸到另一长边，在图4b中则是沿着光学元件6的长边从一短边延伸至另一短边。而在别的实施例中，第二区602可以仅接触到光学元件6的单一边，或者并未接触到光学元件6的任一边。参考图4c，在光学元件6的表面上具有一个呈十字型的第二区602以及位于四个角落上的第一区601。第二区602包含一个沿着光学元件6长边延伸的第二次区6021，以及一个沿着短边延伸的第二次区6022。位于光学元件6表面上的四个角落的第一区601的面积可以相同或相异，而第二次区6021与6022的宽度可以相同或相异。参考图4d，在光学元件6的表面上具有六个第一区601以及一个将光学元件6的表面分隔成网格状的第二区602。光学元件6表面上的六个第一区601的面积可以相同或相异，而第二区602则包含两个沿着长边延伸的第二次区6023与6024，以及一个沿着短边延伸的第二次区6025，并且这三个第二次区的宽度也可以相同或者相异。在图4e的实施例中，表面有九个面积大致相同的第一区601以及一个将光学元件6的表面分隔成网格状的第二区602，位于光学元件6表面上的九个第一区601的面积可以相同或相异，而第二区602则包含两个沿着长边延伸的第二次区6026与6027，以及两个沿着短边延伸的第二次区6028与6029，并且这四个第二次区的宽度也可以相同或者相异。如前所述，在图4a-图4e的各种实施例中，第一区601为平面区域，而第二区602则包含有凹陷区，并且选择性地可以有光学层位于其上。还参考图2b的实施例，位于第二区602的光学层8可以是仅覆盖第二区602，也可以接触到第一区601，又或是覆盖到第一区601的一部分。在别的实施例中，第一区601以及第二区602都为平坦面，但仅第二区602有光学层8位于其上，而第一区601的上方没有光学层。
图5a-图5b为根据本发明实施例所公开的光学元件6具有不同的第一区601与第二区602所形成的样态的上视图。参考图5a，位于光学元件6的表面的第二区602包含两个相互不平行也不垂直的第二次区6030与6031，以及被第二区所分隔为具有不同面积的四个第一区601。而在图5b中，位于光学元件6的表面的第二区602则包含两个平行的第二次区6033与6034，与不垂直也不平行于第二次区6033与6034的第二次区6032，以及被第二区602分割为六个不同面积的第一区601。在别的实施例中，第二次区6033与6034彼此相互不平行。
综上所述，在光学元件6远离发光元件2的表面上，可以依据需求形成各种不同的表面样态，通过相互垂直或者不垂直的第二次区将表面分成多个面积相同或者不同的第一区601，并且这些第二次区可以是分别平行或不平行于光学元件6的长边与短边。在别的实施例中，第二次区也可以是平行或不平行于光学元件6相邻的两边。在光学元件6的表面上，被第二区602所分割所形成的多个第一区601可以具有相同或是不同的面积，而第二区602也可以包含有相同或是不同面积的第二次区。图4a-图4e与图5a-图5b的实施例中，光学元件6不仅可以具有不同的表面样态及还可以具有图1b的实施例中的斜边。而位于光学元件6的第二区602也可以选择性地包含有凹陷部或者光学层8形成于其上。
图6为根据本发明一实施例所公开的一发光装置300，发光装置300包含一透明支撑元件4包覆发光元件2，与一位于透明支撑元件4之上的光学元件6，并且在光学元件6上覆盖有光学层8，以及在发光元件2相对于光学元件6的另一侧的反射板10。透明支撑元件4覆盖着发光元件2并且具有一侧壁42环绕透明支撑元件4与发光元件2、一顶面44介于发光元件2与光学元件6之间，以及一底面46。其中，底面46与发光元件2的接合面26共平面。在本实施例中，在底面46侧的反射板10反射至少部分由发光元件2所发出的第一光线，并且部分被反射的第一光线会从侧壁42离开发光装置300。在某些实施例中，在反射板10上还包含有电路与发光元件2电连接，或是在发光装置300的透明支撑元件4内包含有波长转换材料，并且这些波长转换材料会被部分第一光线所激发。
图7a-图7b为根据本发明一实施例所公开的一发光装置400，发光装置400包含一透明支撑元件4包覆发光元件2，与一位于透明支撑元件4之上的光学元件6，并且在光学元件6上覆盖有光学层8，以及在发光元件2相对于光学元件6的另一侧具有第一绝缘层122、第二绝缘层124与第三绝缘层126，并且三个绝缘层之间互相不接触。其中第一绝缘层122、第二绝缘层124与第三绝缘层126位于发光元件2的下方，其中第三绝缘层126与发光元件2相对应，例如位于发光元件2正下方，而第一绝缘层122与第二绝缘层124对应于侧壁42并包含不位于发光元件2的下方的部分。第一绝缘层122、第二绝缘层124与第三绝缘层126的材料可以包含氧化物，例如二氧化钛。接着参考图7b，在第一绝缘层122、第二绝缘层124与第三绝缘层126之上还覆盖有第一电极142与第二电极144，使发光元件2得以通过第一电极142与第二电极144与外部电路电连接。第一电极142与第二电极144位于发光元件2远离光学元件6的一侧，且第一电极142与第二电极144之间具有空隙，并通过第三绝缘层126使电极之间彼此电性隔绝。
图8为根据本发明一实施例所公开的一发光装置500，发光装置500包含一透明支撑元件4包覆发光元件2，与一位于透明支撑元件4之上的光学元件6，以及在发光元件2相对于光学元件6的另一侧具有第一绝缘层122、第二绝缘层124与第三绝缘层126。第一绝缘层122与第二绝缘层124各自有一部分被发光元件2所覆盖，而第三绝缘层126则位于发光元件2的下方，并且第三绝缘层126可以是部分或者全部被发光元件2所覆盖，并且第一绝缘层122、第二绝缘层124与第三绝缘层126彼此互相不接触。在本实施例中，透明支撑元件4还包含斜面480、482介于侧壁42与底面46之间，并且斜面480、482从底面46向上延伸的垂直高度低于发光元件2的厚度，第一绝缘层122与第二绝缘层124则分别覆盖斜面480、482与一部分的底面46。在其他实施例中，斜面480、482从向上延伸的垂直高度则高于发光元件2的厚度。发光装置500中，斜边64与66位于光学元件6侧边62之上并各自大致对应到斜面480与482，亦即斜面480与发光元件2的侧面22之间的最短水平距离大约与斜边64与发光元件2的侧面22之间的最短水平距离相同，而斜面482与发光元件2的侧面22之间的最短水平距离大约与斜边66与发光元件2的侧面22之间的最短水平距离相同。斜面480与侧面22之间的最短水平距离以及斜面482与侧面22之间的最短水平距离可以相同、相异或相近，而斜边64、66在水平上距离侧面22的最短距离也有类似的特性，在其他实施例中也可以是斜边、斜面与侧面之间的最长水平距离或者平均水平距离相同、相异或相近。在另一实施例中，斜面480和斜边64在水平上与发光元件2的侧面22距离也可以不相同，可以是水平上各自距离侧面22最短距离或是最远距离不同。第一绝缘层122、第二绝缘层124与第三绝缘层126的材料包含有氧化物，例如二氧化钛。在本实施例中，第一绝缘层122、第二绝缘层124与第三绝缘层126还可以做为反射层使用，用于反射发光元件2所发出的光。因此在发光装置500中，透明支撑元件4包覆发光元件2，并且与透明支撑元件4相连的第一绝缘层122与第二绝缘层124可以作为反射层使用，并具有一水平位置低于或约等于发光元件2的高度。而本实施例中，透明支撑元件4具有上宽下窄(连接光学元件6的一侧较宽，连接绝缘层的一侧较窄)的外型与斜面480、482。本实施例中，还在斜面480、482上覆盖有第一绝缘层122与第二绝缘层124。
在第一绝缘层122、第二绝缘层124与第三绝缘层126之上覆盖有第一电极142与第二电极144，使发光元件2得以通过第一电极142与第二电极144与外部电路电连接。第一绝缘层122位于第一电极142与透明支撑元件4之间，第二绝缘层124位于第二电极144与透明支撑元件4之间。第一电极142与第二电极144往外延伸至透明支撑元件4的侧面42，并且第一绝缘层122与第二绝缘层124也从发光元件2延伸至侧面42。发光元件2的n型半导体层与p型半导体层则分别通过第一电极142与第二电极144与外部电路电连接，并且第一电极142与第二电极144位于发光元件2远离光学元件6的一侧。其中第一电极142与第二电极144之间具有空隙位于第三绝缘层126相对于发光元件2的一侧，避免电极之间电性连结造成短路，还通过第三绝缘层126电性隔绝两个电极。第一电极142与第二电极144从被发光元件2所覆盖的部分向外延伸到透明支撑元件4的下方，此时向外延伸的部分便不被发光元件2所覆盖。
图9a-图9h为根据本发明实施例的发光装置制造方法的流程图，参考图9a，多个发光元件2位于一载板20上，每一个发光元件2被透明支撑元件4覆盖，彼此之间也以透明支撑元件4隔离。载板20为一承载装置，以提供发光元件2支撑以及供后续制作工艺操作，可以是硬质材料，例如陶瓷或蓝宝石基板，也可以是具有弹性的材料，例如玻璃纤维或三氮杂苯树脂(BT)。在其他实施例中，透明支撑元件4的形成是先覆盖一层第一透明材料，接着于第一透明材料之上再覆盖一波长转换材料，而波长转换材料可选择性地被包覆在一第二透明材料之内，接着再于波长转换材料之上再覆盖一第三透明材料。因此，透明支撑元件4内由载板20往远离载板20的方向依序可以包含有第一透明材料、波长转换材料与第三透明材料，或者可以是第一透明材料、第二透明材料与波长转换材料的混合物以及第三透明材料，并且第一透明材料、第二透明材料以及第三透明材料的材料可以由同一材料组成，或者由两种或以上的材料组成，例如三个透明材料同为环氧树脂(Epoxy)或者三个透明材料各自包含有环氧树脂(Epoxy)及硅氧树脂(Silicone)；又或者各透明材料由具有相同化学元素，但不同的化学组成或比例的材料组成。
在其他实施例中，载板20与发光元件2之间还包含一层黏着层强化两者之间的附着强度。此外，载板20与发光元件2之间可以未完全密合，即形成透明支撑元件4时，部分材料会流入发光元件2与载板20之间，造成发光元件2不完全直接接触载板20而有部分透明支撑元件4位于载板20与发光元件2之间。参考图9b-图9c，覆盖光学元件6于发光元件2之上后移除载板20，而在光学元件6与发光元件2之间可形成一黏着层(未绘示于图中)，使得光学元件6在后续流程中不易与发光元件2剥离，并且黏着层的材料可以跟透明支撑元件4的材料相同或者相异。参考图9d，在透明支撑元件4上形成切割道80、82与84，通过切割道80、82与84用来分离任两个位于切割道两侧的发光单元，例如图9d中的切割道84可以分离图中的两个发光元件2，并且切割道并未接触光学元件6，也就是在切割道与光学元件6之间还有透明支撑元件4的存在，而每一个发光元件2位于两个切割道之间。参考图9e，以一个发光元件2，在发光元件2的相对于光学元件6的一侧形成第一绝缘层122、第二绝缘层124与第三绝缘层126。其中填入切割道80与82的绝缘材料形成第一绝缘层122与第二绝缘层124，而覆盖于发光元件2之上的绝缘材料则形成第三绝缘层126。在图9d与图9e中，切割道80、82与84的形成可以是通过固态的刀具，例如金属刀或塑胶刀，或者是激光与蚀刻等制作工艺在透明支撑元件4的表面上形成具有相同、相异或相近的深度与宽度的切割道。因为切割道形成的方法不同，因此在透明支撑元件4的表面上可以是平坦或者粗糙的。在本实施例中，多个绝缘层的厚度与宽度也可以相同或者相异，并且绝缘层的表面也可以是平坦的区域或者是粗糙的区域。参考图9f-图9g，在第一绝缘层122、第二绝缘层124与第三绝缘层126之间覆盖第一电极142与第二电极144，提供发光元件2与外部电路电连接的路径，其中第一电极142与第二电极144各自具有一部分接触第一绝缘层122与第二绝缘层124但不与发光元件2重叠，其中第一绝缘层122位于第一电极142与透明支撑元件4之间，第二绝缘层124位于第二电极144与透明支撑元件4之间，以及第三绝缘层126与底面46以及发光元件2的接合面26相接，并且第一电极142与第二电极144的厚度与长度可以相同或相异。接着于光学元件6远离发光元件2的一侧形成切割道86与88，所使用的方法包含但不仅限于前述形成切割道的方法，使切割道86与88的位置大约对应切割道80与82，并且切割道86与88也不会接触到透明支撑元件4，也就是不仅切割道80与82不会切穿透明支撑元件4，切割道86与88也不会切穿光学元件6。接着沿切割道80、82、86与88以劈裂或切割等方式形成如图9h中的发光装置500，并同时产生斜边64与66，其中斜边64与66可以是平整面或者粗糙面。图9h中的发光装置500，相较于图6中的发光装置300或图1a-图1b中的发光装置100而言，发光装置500中发光元件2所发出的光除了部分直接经由透明支撑元件4的顶面44离开光学元件6，还有一部分是先经由接触着斜面480、482的第一绝缘层122与第二绝缘层124所反射，再经由透明支撑元件4的顶面44离开光学元件6，造成发光元件2发出的光线所形成的光场，与发光装置500发出的光线的光场不同。本实施例中，绝缘层122、124不仅提供电极之间的电性绝缘功用，还提供了反射层的功能。因此相较于发光装置100或发光装置300而言，发光装置500中发光元件2所发出的光经过透明支撑元件4的侧壁42离开发光装置的光较少，亦即发光装置500具有更高比例的光在发光元件2往顶面44的方向，而提供更好的指向性。并且发光装置500发出的光线具有一光场分布，而光场分布还具有一最大值大致对应斜面480、482以及一最小值大致对应底面46。
图10a为根据本发明一实施例所公开的一发光装置600，发光装置600包含一透明支撑元件4形成于发光元件2之上。透明支撑元件4覆盖着发光元件2，并且具有一侧壁42环绕透明支撑元件4与发光元件2，一顶面44覆盖发光元件2但不接触发光元件2，以及一底面46。底面46包含与接合面26共平面的部分以及往透明支撑元件4顶面44延伸的斜面，而侧壁42则垂直于顶面44以及底面46中与发光元件2的接合面26共平面的部分。在本实施例中，底面46通过一斜面与侧壁42相连，而在别的实施例中底面46水平式的向两侧延伸至侧壁42的延伸线上，并直接与侧壁42相连。在其他实施例中，发光元件2的接合面26与底面46不共平面，也就是部分透明支撑元件4位于发光元件2的接合面26与底面46之间。第一绝缘层122、第二绝缘层124与第三绝缘层126则位于透明支撑元件4的底面46与发光元件2的接合面26的一侧，并在绝缘层之间具有第一电极142与第二电极144。第一绝缘层122与第二绝缘层124覆盖着斜面，并提供反射的功能以改变光行进的方向进而改变光场。本实施例中，透明支撑元件4之上同样可以包含有第一区与第二区，并同样可以具有但不仅限于图4a-图4e或图5a-图5b的内容所揭示的光学元件6上的各种组成态样，可以是包含平坦的第一区以及凹陷的第二区，并且在第二区上可以选择性的覆盖光学层8；或是覆盖光学层8的第二区，以及未被光学层8所覆盖的第一区。参考图10b，透明支撑元件4不仅可以有不同的样态在顶面44上，也可以在顶面44上往靠近侧壁42的地方形成一个斜面连接到侧壁42。并且在图10b的实施例中，同样可以在顶面44上具有各种不同的样态，并根据所需要产生的光场在顶面44上设计不同的表面及/或斜面连接侧壁42。
图11为根据本发明的另一实施例所公开的光学元件6的上视图。在本实施例中，光学元件6为一长方形，其中光学元件6的表面为平面区域，并可分为第一区601与第二区604，第二区604上覆盖有光学层。图11中，第二区大致位于光学元件6表面的中心位置且为一圆形，因此第二区604的圆心大致位于光学元件6表面的几何中心。第二区604的形状除了圆形之外，也可以是椭圆形、矩形、多边形、十字形或是轮廓包含有平滑曲线的多边形，或者是图4a-图4e与图5a-图5b中所显示的第二次区的各种样态，但其中第二区604的几何中心大致与光学元件6表面的几何中心相重叠，并且选择性地具有以几何中心彼此对称的轮廓。覆盖在第二区604的光学层利用材料的反射性改变发光元件2所发出来的光的行进路线，相较于包含氧化硅的光学元件6，光学层还包含有不同于光学元件6的材料。其光学层的材料可以是金属例如银或者铝，或是氧化物，例如氧化钛。其中，金属材料的选择使用制作工艺中较不会与环境中其他材料发生反应的金属，例如制作工艺环境中含有硫的情况下就避免选择银，以免产生硫化银等包含硫与银的化合物。光学层也可以是多层结构，例如分散式布拉格反射镜(Distributed Braggreflector；DBR)，而材料可以是氧化物的叠层，例如氧化钛(TiO2)与(SiO2)的叠层；或是金属与金属氧化物的叠层，例如铝与氧化铝的叠层，以达到反射的效果。在其他实施例中，光学层的材料还可以包含有波长转换材料。在本实施例中，不论是单层结构或者多层结构，都不会完全反射光线，因此至少有部分的光线会直接穿过光学层。在别的实施例中，可以通过增加厚度或者多层结构的层数使光线不直接穿过光学层以增加反射的效果；或是加入散射粒子，让光线可以经散射粒子散射之后再离开发光装置。通过光学层的设置，会形成类似图3所示的光场分布示意图，使得光场分布具有一最大值对应于第一区601以及一最小值对应于第二区604。在本实施例中第二区604为一平面，但在别的实施例中第二区604包含有粗糙面，并且粗糙面上可以有规则或者不规则的突起以增加散射或反射的效果。由于第二区604上覆盖有光学层，发光元件2发出的光线不会特别集中于某一方向上，因此可避免或减轻发光装置产生光晕的情况。在别的实施例中，当透明支撑元件4内包含有波长转换材料时，波长转换材料受激发后发出的光线也会被位于第二区604的光学层所反射或散射使得光线不会集中于某个区域，因此避免了光晕的发生。相同地，光学元件6上也可以有斜边64与66，并与第二区604上的光学层一同提供光学效果。
图12为根据本发明一实施例所公开的一发光装置700，发光装置700包含一透明支撑元件4形成于发光元件2之上。透明支撑元件4覆盖着发光元件2，而光学元件6位于透明支撑元件4之上。光学层12位于光学元件6与透明支撑元件4之间，而第一绝缘层122、第二绝缘层124与第三绝缘层126位于发光元件2相对于光学层12的一侧，并在绝缘层之间具有第一电极142与第二电极144与发光元件2电连接。光学层12可以是单层或者多层结构，材料的组成包括但不限于图11的实施例中覆盖在第二区604上的材料。本实施例中，光学层12为一多层结构，例如DBR结构，组成的成分则可以是金属与金属、金属与氧化物或氧化物与氧化物的叠层，例如氧化钛与的叠层，并且光学层12具有如图13a～图13b所示的光学特性。光学层12在入射波长的波峰值420～750nm之间，具有约略100％的反射率，可以反射发光元件2发出的光，包含红光、黄光、蓝光以及绿光。光学层12在350～420nm以及大于750nm的部分则几乎不反射。如图13a所示，光学层12可进一步包含第一光学层1201与第二光学层1202，并且第一光学层1201在420～600nm之间而第二光学层1202在550～750nm之间各自具有约略100％的反射率，通过两个光学层的组合提供如图13a的光学效果。在图13b中，光学层12由第一光学层1201、第二光学层1202与第三光学层1203组成，三个光学层各自具有不同的光学特性，堆叠后具有在420～750nm之间反射率约略100％的光学特性。图13a～图13b所示为根据本发明实施例的光学层的光学特性示意图，其中第一光学层1201、第二光学层1202与第三光学层1203的厚度不同，而在其他实施例中，上述的三个光学层各自的厚度相同。更在其他实施例中，光学层12可以是由三层以上厚度相同或者不同的材料层所组成。光学层12所包含的多个材料层各自具有不同的光学特性，并且可以在同样的波长范围内提供类似的反射率，例如图13a中，第一光学层1201与第二光学层1202在550～600nm之间都具有约略100％的反射率。在其他实施例中，光学层12还可以在380～980nm之间具有约略100％反射率的光学特性。当光线入射到光学层12的角度增加时，例如大于90度或者大于110度的时候，光学层12对于可以反射的光波长降低。以原本入射到光学层12的光线为红光搭配蓝光的白光为例，当入射角度增加的时候，红光成分(波长的波峰值大于蓝光)不会被反射。换言之，将光学层能提供约略100％反射率的波长范围增加，例如增加到980nm的情况，可以改善上述在大角度入射情况下无法反射红光的情况。
在图12的实施例中，光学层12实质上覆盖整个发光装置700的横截面，也代表光学层覆盖发光元件2、第一绝缘层122、第二绝缘层124与第三绝缘层126，使得发光元件2发出的光线在经过光学元件6之前必然经过光学层12，而被光学层12反射的部分也会于被绝缘层反射后，经过侧壁42离开发光装置700。因此，对发光装置700而言，所形成的光场在水平方向的各个角度上具有类似的光强度。在其他实施例中，当发光装置700在所设置的水平面上具有相同的长度与宽度的情况下，所形成的光场会呈现明显的对称性。透明支撑元件4还可以包含波长转换材料，使得部分波长转换材料被发光元件2发出的光激发产生光线，这些光线部分被光学层12反射到绝缘层，再经绝缘层的反射从侧壁42离开发光装置700。在透明支撑元件4包含波长转换材料的情况下，还由于光学层12覆盖整个发光装置700，使发光装置700从上视不会观察到波长转换材料的存在。由于发光装置700在各角度上的光强度类似，使发光装置各角度上的颜色(color over angle；COA)也相当一致。
参考图14a的实施例，在发光装置700之上还可以覆盖有光学层8，使得光学元件6的表面可以有不同的表面态样，形成如前述图4a～图4e以及图5a～图5b中所显示光学元件上视图中的各种形式，也可以形成如上述图11的实施例中光学层覆盖于光学元件6表面的第二区604的情况。本实施例中，光学层8的材料与光学层12相同，并通过光学层8的设置提供不同于图12中的光学分布。光学层8的材料可以跟光学层12不同，而厚度也可以是相同或者不同。在图14b的实施例中，光学元件6与透明支撑元件4之间没有光学层12，而光学层12则环绕发光装置700的侧边，使得发光元件2发出的光部分直接经过光学元件6便离开发光装置700。在图7a～图8中直接从发侧边离开发光装置700的光线，以及经第一绝缘层122、第二绝缘层124与第三绝缘层126反射后由侧壁离开发光装置700的光线，在本实施例中受到环绕发光装置700的光学层12影响，被反射后经过光学元件6的顶面68离开发光装置700，进而减少了侧向发光，并使得发光装置700大部分(大于80％)的光线都经过顶面68离开，而成为一表面发光(surface emitter)的发光装置。在其他的实施例中，更有超过90％的光线都是经由顶面68离开发光装置700。并且在其他实施例中，发光装置700可以包含有上述各个实施例中的斜边64、66、各种不同实施样态的顶面68、斜面480与482，并且还可以选择性地将光学层12设置于位于光学元件6与透明支撑元件4之间，或是将光学层12设置于发光装置的侧壁。在图14b的实施例，光学元件6具有一第一区域及一第二区域，第一区域的宽度比第二区域大
图15为根据本发明一实施例所公开的一发光装置800，发光装置800包含一图12中的发光装置700、一光学元件106以及一承载板40。发光装置700的第一电极142与第二电极144与位于承载板40上的电路(未绘示于图中)或导电部(未绘示于图中)电连接，而光学元件106覆盖发光装置700，但承载板40靠近发光元件2的表面仅一部分被光学元件106所覆盖。在其他实施例中，承载板40的表面被发光装置700与光学元件106覆盖，也就是承载板40的表面不仅直接接触发光装置700，承载板40还有其他部分直接接触光学元件106。本实施例中，至少一部分由发光元件2发出的光经由光学元件106离开发光装置800，而光学元件106可以是单层或者多层结构并且相对于发光元件2发出的光线同时具有穿透以及反射的特性。光学元件106可以是一硬性材质，例如玻璃，也可以是一软性材质，例如塑料等在常温(25℃)或高温(>50℃)下会发生形变的材料。在其他实施例中，透明支撑元件4包含波长转换材料的情况时，至少部分波长转换材料受激后发出的光线能穿透光学元件106而不被吸收或者反射。在本实施例中，发光装置700不直接接触光学元件106，因此在其他实施例中发光装置700与光学元件106之间的空隙可以选择性地填入流体以增加导热效果，例如在环境温度15℃以及气压1bar的环境下具有导热系数40～180(mW/m-K)的气体，像是氦气、氖气、氢气、氯氟烃，氢氯氟烃，二氟甲烷或五氟乙烷等单一种气体或多种气体的混合气体，也可以填入具有相当导热系数的流体，同样可以增加导热的效果。本实施例中，发光装置700与光学元件106之间没有再额外填入流体，因此位于第一电极142与第二电极144之间的空隙143内也没有另外填充进入发光装置800的流体；而发光装置700与光学元件106之间以及空隙143可以是真空的状态，或者仅有形成发光装置800时自然存在的气体。在填入流体的时候，流体会至少充满发光装置700与光学元件106之间的部分空间，并且也至少填入部分的空隙143。当空隙143有流体填充于其间的时候，等同于对发光装置800进行底部填充(underfill)，不仅增加了散热还改进了发光装置800整体结构的稳定程度。而填入发光装置700与光学元件106之间以及空隙143的流体，对于发光装置700所发出的光为透明，也就是至少部分发光装置700所发出的光可以直接穿过流体而不被吸收或反射。波长转换材料除了可以存在于发光装置700内的透明支撑元件4之内，也可以存在于发光装置700与光学元件106之间的流体，或者是形成于光学元件106之上，例如位于光学元件106上靠近发光装置700的内表面1061，或者是位于光学元件106上远离发光装置700的外表面1064，以吸收发光装置700于一个方向或者多个方向所发出的光线。当波长转换材料形成于光学元件106之上的时候，波长转换材料上的热更容易向外逸散，可避免过多的热积存于发光装置800内造成发光元件2的发光效率降低。本实施例中，光学元件106为一具有平整表面的元件，在其他实施例中光学元件106的内表面1061及/或外表面1064还可以有各种规律或者不规律的，具有相同形状或者不同形状的突起、粗糙部或者孔穴位于光学元件106的各种表面，而达到改变发光装置800的光场分布的功效。
除了如图15用一光学元件106覆盖一发光装置700的结构，本发明的另一实施例的侧视图，如图16a所示，还可以利用一光学元件107覆盖位于承载板40上的多个发光装置700以形成发光装置900，承载板40上的电路(未绘示于图中)或导电部(未绘示于图中)可以电连接多个发光装置700。在图16a的实施例中，发光装置700具有一上宽下窄(梯形)的外型，其结构类似图14a、图14b所示；在图16b的实施例中，发光装置700具有上宽下窄(T型)的结构，其详细结构如图14c所示，并以较窄的一侧与承载板40相连接。其中上宽下窄的外型是为了让发光元件2发出的光线所形成的光场更大，例如选择宽度大于透明支撑元件4的光学元件6，让光线可以照射到更大的范围。而在图14c中的结构，上宽下窄的外型是在制作过程中利用切割的步骤形成。此外，在光学元件107与承载板40之间也可以选择性地填入流体(例如气体)增加散热的效果，或者在流体内加入波长转换材料。如前所述，在形成发光装置800时填入流体，部分流体会流入发光装置800内的空隙143；而在本实施例中，在形成发光装置900的同时填入流体，部分流体也会流入发光装置700与承载板40之间，进而形成底部填充(underfill)的情况，除了达到散热效果之外也增加了发光装置700与承载板40之间的接合强度。在另一实施例中，一透明材料环绕并覆盖发光装置700，且填入承载板40与多个发光装置700间的空隙，而形成光学元件107；其中，透明材料的厚度略高于发光装置700的高度，使发光装置700从各个方向发出的光线会先经过透明材料才离开发光装置900。参考图15的结构，本实施例中发光装置700具有一上宽下窄的外型，位于透明支撑元件4内的波长转换材料会被光学层12所遮盖，从上视的角度并不会观察到波长转换材料的存在，也就是不论发光装置900发光与否，从上视的角度不会看到波长转换材料的存在，而改善发光装置900的视觉效果。发光装置700上宽下窄的外型可以通过形成单一个发光装置700的切割步骤产生，或者利用成模以及外延堆叠等方式形成。如上述的理由，当应用上为了美观或者其他需求而不希望从上视角度看到波长转换材料时，上述外型不需要再增加其他光学膜或者改变光学元件及/或填充入发光装置的流体的材料，便能达到遮蔽波长转换材料的效果，从而减少发光装置700发出的光线被其他光学膜或者光学元件107自身所吸收的情况。以发光装置900的外观而言，光学元件107的外型可以是一椭圆形、圆柱形或一上宽下窄的形状，还可以依照需要的光型改变光学元件107的外型。此外，当承载板40为一可透光基板的实施例时，发光装置700所发出的光线可以通过上下两侧、前后两侧，以及左右两侧离开发光装置900，使得发光装置900成为一六面出光的发光装置。
图17a-图17b所示，为本发明在图15～图16b中沿着两个不同的方向量测光场分布的光强度分布图。图17a中，在光强度分布图的两个峰部(100％)之间，有一个从约略-30°延伸到+30°的谷区，其中谷区的强度大约为60％。两个峰部所在的位置大约在+/-60°，而0°则位于谷部之内。图17a中的光强度的分布大约是从-80°延伸到+80°并呈现大致左右对称的情形，并且光强度分布的0°所在位置大约会对应到发光装置800、900的几何中心位置。图17b中，在光强度分布图的两个峰部(100％)之间，有一个从约略-35°延伸到+35°的谷区，其中谷区的强度大约为55％而两个峰部所在的位置大约在+/-60°，而0°则位于谷部之内。图17b中的光强度的分布大约是从-70°延伸到+70°并呈现大致左右对称的情形，并且光强度分布的0°所在位置大约会对应到发光装置800、900的几何中心位置。从这两个光强度分布图可以得知，光强度大致以发光装置的几何中心为中心对称分布，并且同样都具有一个谷部位于两个峰部之间，而两个实施例中谷部与峰部的光强度比例大约在1:1.67～1:1.8之间。
如图18a～图18b所示，本发明实施例公开的一发光装置在持续操作经过一段时间后，发光装置所发出的光线所具有的CIE X坐标(Cx)与CIE Y坐标(Cy)会具有一偏移量(ΔCx,ΔCy≠0)，但是在经过一段操作时间之后又会回到原本的数值(ΔCx,ΔCy＝0)。如图18a所示，一发光装置所发出的光线所具有的CIE Y坐标的值在经过约24小时的操作之后减少了约0.004(ΔCy＝-0.004)，而同一光线所具有的CIE X坐标的值如图18b所示在经过约24小时的操作之后减少了约0.001(ΔCx＝-0.001)，但是两个坐标值在经过400小时的操作之后便缓慢的回到原本的数值。如图18c所示，另一发光装置所发出的光线所具有的CIE Y坐标的值在经过约24小时的操作之后减少了约0.005(ΔCy＝-0.005)，但在经过100小时的操作之后，CIE Y坐标的值不仅回到原本的值(ΔCy＝0)，还出现大于原本数值的情况(ΔCy>0)；而同一光线所具有的CIE X坐标的值如图18d所示在经过约24小时的操作之后减少了约0.003(ΔCx＝-0.003)，但在经过100小时的操作之后，CIE X坐标的值不仅回到原本的值(ΔCx＝0)，也跟CIE Y坐标相似，出现了大于原本数值的情况(ΔCx>0)。除了前述的CIE XY坐标之外，发光装置的光输出功率也会在持续运转一定时间之后出现输出功率降低的情况，但是再持续操作一段时间后，输出的功率又会回到原本的数值。还有其他实施例在经过一段时间的持续操作之后，输出的功率反而会更大于原本初始的输出功率。
参考图19a的实施例，发光装置1000包含一透明支撑元件4形成于发光元件2之上。透明支撑元件4覆盖着发光元件2，而光学元件6位于透明支撑元件4之上，以及一包含波长转换材料的波长转换层30位于发光元件2之上。本实施例中，发光元件2与光学元件6之间存在有透明支撑元件4与波长转换层30，其中波长转换层30大致沿着发光元件2的轮廓覆盖着发光元件2。在另一实施例中，可先形成一透明材料(图未示)沿着发光元件2的轮廓覆盖着发光元件2，再形成波长转换层30于透明材料上。波长转换层30沿着透明材料的轮廓覆盖透明材料。透明材料可为透明度类似或相同于透明支撑元件4的材料。波长转换材料也可分散于透明支撑元件4中。
如图19a所示，第一绝缘层122、第二绝缘层124与第三绝缘层126位于发光元件2相对于光学元件6的一侧。光学元件6包含斜边(如图1b所示)。发光元件2具有第一电极142与第二电极144形成在绝缘层122、124、126之间，电极142、144分别电连接至发光元件2的第一半导体层及第二半导体层(图未示)。发光装置1000还包含一中间层146及导电黏着材料1420、1440。中间层146有助于强化导电黏着材料1420、1440与绝缘层122、124间的结合。中间层146具有一侧，与电极142、144及绝缘层122、124、126相连；以及具有另一侧，与导电黏着材料1420、1440相连。发光元件2可通过电极142、144、中间层146与导电黏着材料1420、1440与外部电路电连接。电极142、144的材料可以包含金、铜、锡、银、钛、铂、镍或其合金。中间层146的材料可选用适于电镀时作为晶种层的金属，例如钛、铜、镍、银、锡、金或其组合。中间层146也可为一银膏，其包含多个颗粒尺寸为5nm至500nm间的银或银合金粒子。
此外，即使导电黏着材料1420、1440与电极142、144间及导电黏着材料1420、1440与绝缘层122、124、126间没有中间层146，导电黏着材料1420、1440也可直接连接电极142、144及绝缘层122、124。导电黏着材料1420、1440除了提供发光元件2与外部的电连接之外，也具有足够的黏着性，可使发光元件2不需使用焊料即可固定在承载板40上(参照图15)。因此，可省略焊料以及回焊(reflow)的步骤，降低制作工艺成本。需注意的是，若有需要，焊料仍可施加于导电黏着材料1420、1440与承载板40之间。导电黏着材料1420、1440可以在温度低于300℃以及压力0.2～20Mpa的条件下与电极142、144贴合。或者，可以在温度230℃及压力5Mpa的条件下与电极142、144进行贴合。也就是，该导电黏着材料具有以小于300℃的状态转换温度。在一实施例中，导电黏着材料1420、1440可以在温度低于300℃或者在800℃～250℃的温度下不需施以额外的压力即可以与电极142、144贴合。同样地，导电黏着材料1420、1440与承载板40的连接条件可以参照上述导电黏着材料1420、1440与电极142、144的任一贴合条件(加压或/及加热)。导电黏着材料于后续会再详细描述。
图19c、图19e的发光装置1000具有与图19a类似的结构，其中相同的符号或是记号表示具有类似或是相同的元件、装置或步骤。如图19c所示，光学元件6具有一矩形的剖面。如图19e所示，透明支撑元件4的宽度比光学元件6的宽度略大，因而改变从透明支撑元件4的侧边离开发光装置1000的光线的行进方向以及出光量，因而形成不同于图19a与图19c中发光装置1000的光场。图19b、图19d、图19f的发光装置1000分别具有与图19a、图19c、图19e类似的结构，但发光装置1000内不包含波长转换材料。在本发明的各实施例中，波长转换材料也可选择性地散布(disperse)于透明支撑元件4内。
参照图20a～图20f，图20a～图20f的发光装置1000具有与图19a～图19f类似的结构，其中相同的符号或是记号表示类似或是相同的元件或装置。图20a～图20f的发光装置1000不设置绝缘层122、124以及126及中间层146。此外，导电黏着材料1420、1440仅形成于电极142、144之上并具有与电极142、144相同或不同的面积(例如：大于或小于)。当发光装置1000通过导电黏着材料1440、1420固定于承载板(图未式)时，可设计导电黏着材料1440、1420的厚度以增加与承载板间的连结强度。增加导电黏着材料1440、1420的厚度也可帮助发光装置100所产生的热传至外界环境。在一实施例中，导电黏着材料1440、1420具有一大于10μm的厚度，或者具有一不小于20μm且不大于100μm的厚度。导电黏着材料1440、1420的厚度至少为电极142、144厚度的5倍以上或10倍以上以增加结构强度。
如图21a与图21b所示，可于透明支撑元件4与光学元件6之间加入光学层12，通过调整光学层12的成分与结构，可以达到需要的反射率及/或光场。光学层12的详细描述可参考图12的说明，为简洁故，将不在此撰述。
参照图22a及图22b，发光装置1000具有与图19a及图19b类似的结构，其中相同的符号或是记号表示类似或是相同的元件或装置。图22a及图22b的发光装置1000包含覆盖于发光元件2上的透明支撑元件4，但在透明支撑元件4上没有覆盖一光学元件6。图22c及图22d的发光装置1000具有与图20a及图20b类似的结构。图22c及图22d的发光装置1000包含覆盖于发光元件2上的透明支撑元件4，但在透明支撑元件4上没有再覆盖一光学元件6。图22e的发光装置1000包含一波长转换层30位于发光元件2及透明支撑元件4之间。
在本发明中，图1a～图2b、图6～图8、图9e～图9h、图10a～图10b、图12、图14a～图15、图19a～图19f、图20a～图20f、图21a～图21b、图22a～图22e的实施例中，虽然仅包含单一发光元件2，但也可以设置多个发光元件2于单一个发光装置内，且多个发光元件2可以发出一种或多种的光线。并且在个别实施例中，各元件的调整或者变形，都可以依据不同的需求应用在别的实施例中。
图23a～图26e显示导电黏着材料形成于发光元件上的不同实施例的制造流程示意图。在图23a～图26e中，虽以发光元件为例，但相同的制造流程也可适用于其他的电子元件，如电容、电阻、电感、二极管或集成电路等非发光元件。需注意的是，导电黏着材料因其性质或厂牌不同，形成于发光元件上的方法也可能不同。例如：在图23a～图24c中的实施例，导电黏着材料可以是胶体状，适于利用印刷方式形成于发光元件上；在图25a～图27f中的实施例，导电黏着材料先形成膜再与发光元件接合。以下将针对不同实施例做详细描述。
如图23a所示，多个发光元件2设置在第一暂时载板71上且暴露出电极142、144。接着，提供导电黏着材料1420、1440。在此实施例中，导电黏着材料1420、1440为一导电黏着胶。导电黏着胶为一金属胶体，其包含具有包覆体(capping agent)的金属颗粒分散于一胶体中。金属颗粒包含金、银、铜、镍、铂、钯、铁、镍其合金或其混和物。金属颗粒的颗粒尺寸为5nm至500nm。包覆体包覆于金属颗粒外以防止在制作具有纳米尺寸的金属颗粒时金属颗粒彼此聚集(coalesce)，且进一步控制金属颗粒的尺寸。包覆体可为一有机胺；例如：十六烷基胺(hexadecylamine)；硫醇(thiol)，例如：dodecanethiol；或吡啶(pyridine)，例如；triazolopyridine或tepyridiner。胶体包含热塑性黏着剂或热固性黏着剂。
如图23b所示，利用网版印刷方式将导电黏着胶1420、1440分别形成于电极142、144上。接着，在一介于70～250℃的第一温度下加热固化导电黏着胶1420、1440。需注意的是，在加热前，导电黏着胶1420、1440呈现一胶体状；加热后，部分包覆体会被移除且使导电黏着胶1420、1440硬化且呈现一半固化状。此外，当包覆体被移除时，金属颗粒会聚集且可形成一具有一第一孔隙率的多孔隙的膜层。在本实施例中，因使用网版印刷，因此导电黏着胶1420、1440具有一凹凸上表面以及一弧形侧表面。若使用钢板印刷，则导电黏着胶1420、1440通常具有一平整上表面。
如图23c所示，将多个具有导电黏着胶1420、1440的发光元件2翻转并排列在第二暂时载板72上。于此步骤中，导电黏着胶1420、1440仅与第二暂时载板72暂时接触。之后，移除第一暂时载板71。
如图23d所示，将多个发光元件2从第二暂时载板72转移至承载板40上。接着，在一介于150～200℃的第二温度下加热导电黏着胶1420、1440。此时，剩余的包覆体会部分或全部被移除，因此导电黏着胶1420、1440被完全或几乎完全固化且使得多个发光元件2固定于承载板40上。同样地，当剩余的包覆体被移除时，多孔隙的膜层可进一步形成具有一第二孔隙率的膜层或者形成一无孔隙的膜层。第二孔隙率通常小于第一孔隙率。需注意的是，相较于单一取放(pick and place)制作工艺，通过以上方法，多个发光元件2可同时一次性地(volumn transfer)固定于承载板40上。此外，本实施例的方法，可以不使用焊锡，通过导电黏着胶1420、1440即可使多个发光元件2固定于承载板40上。在此实施例中，在第二温度的加热过程中(第二温度大于第一温度)，可以不施加其他外力于发光元件2上即可将其固定于承载板40上。由于导电黏着胶1420、1440具有一小于300℃的状态转换温度，根据不同的需求，导电黏着胶1420、1440可从胶体状转换成半固化状、半固化状转换成固化状或是胶体状转换成固化状。
图24a～图24c为根据本发明另一实施例的制造流程示意图。与其他实施例相同的符号或是记号表示类似或是相同的元件或装置，将不再赘述。在此实施例中，导电黏着材料也为一导电黏着胶。导电黏着胶的描述可参考前述实施例中的描述。
如图24a所示，多个发光叠层201外延成长于一成长基板801(例如：蓝宝石、SiC、GaN、GaP或GaAs等)上。一沟槽802形成于两相邻发光叠层201之间。
如图24b所示，利用网版印刷方式分别将导电黏着胶1420、1440形成于电极142、144上。接着，在一介于70～250℃的第一温度下加热固化导电黏着胶1420、1440。之后，沿着沟槽802分开多个发光叠层201以形成多个彼此各自独立且仍保有部分成长基板811的发光元件2。同样地，如图23b所示，导电黏着胶1420、1440也具有一凹凸上表面以及一弧形侧表面
如图24c所示，将多个发光元件2放置于承载板40上。在一介于150～200℃的第二温度下加热导电黏着胶1420、1440，使导电黏着胶1420、1440被固化且使得多个发光元件2因此固定于承载板40上。
图25a～图25c为根据本发明另一实施例的制造流程示意图。如图25a所示，提供多个发光元件2于一第一暂时基板71上以暴露出电极142、144。接着，提供导电黏着材料1480。在此实施例中，导电黏着材料为一膜层(Film)。导电黏着材料1480包含一基材1481及导电黏着膜1482形成于基材上。可利用涂布(spin coating)或喷涂(spray)等方式将导电黏结胶形成于基材1481上以形成一导电黏着膜1482。导电黏着膜1482包含胶体及具有包覆体(capping agent)的金属颗粒。金属颗粒包含金、银、铜、镍、铂、钯、铁、其合金或其混和物。金属颗粒颗粒尺寸可为5nm至500nm。包覆体包覆于金属颗粒外以防止在制作具有纳米尺寸的金属颗粒时金属颗粒彼此聚集(coalesce)，且进一步控制金属颗粒的尺寸。包覆体可为一有机胺；例如：十六烷基胺(hexadecylamine)；硫醇(thiol)，例如：dodecanethiol；或吡啶(pyridine)，例如；triazolopyridine或tepyridiner。胶体包含热塑性黏着剂或热固性黏着剂。
如图25b所示，将多个发光元件2的电极142、144固定在导电黏着膜1482上移除第一暂时载板71。之后，进行加热加压(70～250℃以及0.2～20Mpa)步骤使得导电黏着膜1482可与电极142、144相结合。如图25c所示，当分离导电黏着材料1480与多个发光元件2时，与发光元件2相接触的导电黏着膜1482会同时转移至电极142、144上，因此发光元件2即具有导电黏着膜1420、1440。
如图25d所示，将具有导电黏着膜1420、1440的发光元件2放置于承载板40并进行一加热或加热加压(150～200℃，0.2～20Mpa)的制作工艺以使发光元件2固定于承载板40上。由于承载板40上具有电路(图未示)，因此发光元件2通过导电黏着膜1420、1440直接与承载板40上的电路形成电连接。需注意的是，在加热后，部分或全部的包覆体会被移除，使得导电黏着膜具有不同的性质(例如：孔隙率改变、颜色改变或黏度改变)。
图26a～图26e为根据本发明另一实施例导电黏着材料与发光元件接合的制造方法流程剖视图。相同的符号或是记号表示类似或是相同的元件或装置。同样的，在此实施例中，导电黏着材料1480包含一基材1481及导电黏着膜1482形成于基材1481上。导电黏着材料1480的描述可参考前述实施例中的描述。
如图26a所示，多个发光叠层201外延成长于一成长基板801(例如：蓝宝石、SiC、GaN、GaP或GaAs等)上。一沟槽802形成于两发光叠层201之间。
如图26b所示，多个发光元件2的电极142、144固定在导电黏着膜1482上，并加热加压(70～250℃以及0.2～20Mpa)使得导电黏着膜1482可与电极142、144相结合。
如图26c所示，沿着沟槽802分开多个发光叠层201以形成彼此各自独立且具有成长基板811的多个发光元件2。如图26d所示，当分离导电黏着材料1480与多个发光元件2时，与发光元件2相接触的导电黏着膜1482会同时转移至电极142、144上，因此发光元件2即具有导电黏着膜1420、1440。
如图26e所示，将具有导电黏着膜1420、1440的发光元件2放置于承载板40并进行一加热或加热加压(150～200℃，0.2～20Mpa)的制作工艺以使发光元件2固定于承载板40上。由于承载板40上具有电路(图未示)，因此发光元件2通过导电黏着膜1420、1440直接与承载板40上的电路形成电连接。
图27a～图27f为根据本发明一实施例中的发光装置制造方法的流程剖视图，如图27a～图27b所示，先在载板20上形成多个发光元件2，其中电极142与144接触载板20。接着利用透明材料覆盖多个发光元件2。当透明材料固化后，透明材料便成为覆盖发光元件2的透明支撑元件4。部分的透明材料也可能会进入发光元件2下方的电极142与144间空隙，并且部分填充或者完全填充发光元件2与载板20之间的空隙。
如图27c所示，移除载板20并曝露出电极142与144的一侧。接着，提供导电黏着材料。在此实施例中，导电黏着材料为导电黏着膜1482，其描述可参考前述实施例中的描述。如图27d所示，在电极142与144暴露出的一侧上覆盖导电黏着膜1482，导电黏着膜1482与各个发光元件2的电极142与144电连接。
如图27e所示，在导电黏着膜1482相对于电极142、144的一侧覆盖光致抗蚀剂层14。通过曝光显影的制作工艺，将对应于电极142与144间的光致抗蚀剂层14移除以曝露出部分的导电黏着膜1482。如图27f所示，移除曝露的导电黏着膜1482后再移除剩余的光致抗蚀剂层14，使得一发光元件2中的电极142与144彼此物理性分开。切割(或其他分割手段)透明支撑元件4及导电黏着材料1480以分离各个发光元件2，因此形成各自独立的发光装置，如图27g所示。
在另一实施例中，如图27h所示，可于切割步骤中，选择性地使一发光装置包含多个彼此串联的发光元件2。因此，发光装置可具有大于3V的操作电压(例如一发光装置具有一发光元件，发光装置具有3V的操作电压。当一发光装置包含多个发光元件，发光装置可具有15V、21V、24V、33V、48V或其基本电压整数倍的操作电压)
在另一实施例中，当透明支撑元件4形成于电极142与144间的空隙时，可选择性地完全或部分移除位于两电极142与144之间的透明支撑元件。
需注意的是，上述的制造方法使用发光元件2作为例子。然而，发光元件2可先形成透明支撑元件4、及/或光学元件6、及/或波长转换层30、及/或绝缘层122、124、126、及/或中间层146后，再使用相同制作工艺方式以形成导电黏着材料于电极142、144上。详细的结构如图19a～图22e。
在上述实施例中，导电黏着材料以网版印刷方式形成于发光件元2上。但在其他实施例中，可通过钢板印刷、涂布、刷涂、旋涂、喷墨印刷等方式将导电黏着胶形成于发光元件2上。选择性地，具有包覆体(capping agent)的金属颗粒溶于一可挥发的溶剂中，再通过涂布或喷墨印刷等形成于发光元件2上，接着，进行一加热或/且加压的步骤，移除溶剂或包覆体使得金属颗粒接合于发光元件2上。溶剂的成分包含甲苯、己烷、或者具有4～10个碳的饱和或不饱和烃类。
需注意的是，在图19a～图19f、图21a～图22b中，导电黏着材料形成于绝缘层122、124、126及电极142、144上。然而，根据上述不同的制作工艺方法，导电黏着材料可仅形成于电极142、144而不形成于绝缘层122、124、126上。在图20a～图20f、图22c～图22e中，导电黏着材料仅形成于电极142、144上。
前述的实施例，先将导电黏着材料形成于发光装置或发光元件的一侧后，再将发光装置或发光元件固定于承载板40上。然而，导电黏着材料也可先形成于承载板40上，再与发光装置或发光元件接合并电连接。需注意的是，发光装置或发光元件与承载板的贴合条件(加热及/或加压)，如同前所述，于此将不在撰述。
在其他实施例中，也可以选择其他兼具导电性以及黏性的导电黏着材料，或者是对于高分子材料具有良好黏性以及导电性的材料或薄膜(例如：各向异性导电胶)。由于各向异性导电胶主要在垂直方向提供导电性，在制作工艺上可以选择性地省略移除部分各向异性导电胶的步骤(类似图27d-图27f移除导电黏着材料的步骤)，因此减少移除步骤所花的时间。更者，可同时避免使用导电黏着材料时，应被移除的导电黏着材料移除不全所导致发光元件的电极间发生短路的情况。
上述发光装置设置于承载板40上，然而也可如图6所示，发光装置可以设置于反射板10上，以使发光元件2所发出的光线可被反射。
前述实施例中的发光装置通过导电黏着材料与承载板40相连后，可进一步再与其他元件或构件组成一发光组件。如图28a所示，为根据本发明一实施例的发光装置的示意图。发光装置1000R、1000G与1000B通过导电黏着材料与承载板40上的电路电连接，其中发光装置1000R、1000G与1000B分别代表可以发出红光、绿光与蓝光的发光装置1000且各自仅包含一个发光元件。当图28a的实施例应用于显示器时，1000R、1000G与1000B的三个发光装置构成为一显示器的一像素单元(pixel)，而发光装置1000R、1000G与1000B则作为次像素(sub-pixel)。通过承载板40上的电路设计可分开控制发光装置1000R、1000G与1000B，以显示特定画面或颜色。
图28b中，在相邻的次像素单元1000R、1000G与1000B之间还设置一具有吸光或反射效果的隔离层60。通过隔离层60的设置，使得相邻的次像素单元1000R、1000G与1000B所发出的光线彼此互不影响，因而可以提升显示器呈现的画面对比。隔离层60的成分可包白漆、黑漆或其组合。白漆包含多个二氧化钛粒子分散于一环氧树脂基质或硅胶基质中。黑漆包含黑色物质(例如：碳或硫化铁)分散于一环氧树脂基质或硅胶基质中。
如图28c中的实施例，显示器包含有多个发光装置1000P，其中每一个发光装置1000P包含有三个发光元件2R、2G与2B。这三个发光元件分别可以提供红色可见光波长、绿色可见光波长与蓝色可见光波长。而每一个发光元件可以是元件内的半导体叠层包含有发出特定可见光的主动层，例如可发出红色可见光、绿色可见光或蓝色可见光。或者是，发光元件内的半导体叠层发出的光线经过发光元件内的波长转换材料后发出红色可见光、绿色可见光或蓝色可见光。在本实施例中，由于一发光装置1000P已包含有三个发光元件2R、2G与2B，因此一个发光装置1000P即可构成为一显示器的一像素单元(pixel)。在图28c的实施例中，同样也设置了隔离层60以达到增加画面对比的效果。
需注意的是，除了利用导电黏着材料使承载板与发光元件电性连结的实施例之外，前述并未使用导电黏着材料的各个实施例，也可以应用于图28a～图28c以形成各种不同的显示器。
参考图29a～图29e的实施例，发光元件2除了通过导电黏着材料连接到基板、承载板或者反射板之外，还可以连接到一散热装置以增进散热效果。图29a为一种散热装置520的立体图。图29b为散热装置520的上视图。图29c为散热装置520的仰视图。图29d为散热装置520沿着图29b中线段AA’的剖面侧视图。图29e为散热装置520沿着图29b中线段BB’的剖面侧视图。散热装置520包含散热部521以及支撑部522，其中散热部为导电材料，而支撑部为电性绝缘材料。支撑部522夹置(clamp)散热部521并暴露出部分散热部521。支撑部522具有第一部分5221形成于散热部521之间；第二部分5222贯穿散热部521；及第三部分5223覆盖部分的散热部521的上、下表面及侧面。第一部分5221、第二部分5222及第三部分5223可为一体形成的结构。在其他实施例中，支撑部522可仅覆盖散热部521的上、下表面，而不覆盖散热部的侧面。在图29b中，发光元件通过前述导电黏着材料(图未示)接合于曝露出的散热部521上，此后，再利用散热装置以连接到基板、承载板或者反射板。
在一实施例中，导电黏着材料也可应用为一发光元件中的打线垫(bonding pad)。如图30a所示，发光元件2为一垂直式的发光元件且包含一导电基板21、第一型半导体层212、一活性层213、及一第二型半导体层214。发光元件2还包含一第一电极层215形成于第二型半导体层214上，一第二电极层216形成于导电基板21。导电黏着材料1420结合于第一电极层215上且作为一打线垫。导电黏着材料1420的描述可参考前述的实施例，且其结合于第一电极层215的方法如同结合于电极142、144上，为简洁故，将不再撰述。第一电极层215或/及第二电极层216可包含多层结构，例如：Cr/Au、Cr/Cu、Cr/Pt/Au、Cr/Ti/Pt/Au、Ti/Cu、Ti/Au Au/BeAu/Au、Au/GeAu/Au等。导电黏着材料1420结合于Au或Cu上。Au或Cu的厚度介于500nm～1μm。因导电黏着材料1420作为一打线垫，因此其厚度需介于15μm～50μm以方便后续打线制作工艺。选择性地，一透明层(例如：ITO、IZO、InO、SnO、CTO、ATO、AZO、ZTO、GZO、ZnO、IGO、GAZO或、类碳钻(DLC)或GaP)可形成于第二型半导体层214与第一电极层215之间。如图30b所示，发光元件可为一水平式的发光元件。导电黏着材料1420结合于第一电极层215及第二电极层216上且作为打线垫。选择性地，第一电极层215与第二电极层216间，可形成一阻挡层217。当导电黏着材料1420以印刷方式形成于电极层215、216上时，导电黏着材料1420可能会溢流而造成不必要的短路路径，因此，通过形成一阻挡层217来防止溢流问题。阻挡层217具有一大于电极层215、216的厚度。阻挡层217的厚度介于20μm～100μm。
在一实施例中，导电黏着材料也可应用为一固晶胶。图30c的发光元件具有与图30a类似的结构。相同的符号或是记号表示具有类似或是相同的元件、装置或步骤。导电黏着材料1420进一步形成于第二电极层216以作为固晶胶。同样地，如图30d所示，在水平式的发光元件中，导电黏着材料1420进一步形成于基板21的相对于电极215、216的一侧211，由此以作为固晶胶，且后续固定于一支架(leadfram)、封装体(例如：PLCC、EMC、或HTCC型式)、或电路板(PCB)上。例如：一焊锡形成于一电路板上；放置发光元件于焊锡上；接着，在220～280度的温度下回焊(reflow)由此固定发光元件于电路板上。
需注意的是，前述实施例的发光元件或发光装置固定于承载板上时，可再形成一焊锡于发光元件或发光装置与承载板间，且于220～280度的温度下进行回焊步骤。
为简洁故，上述有些发光元件并未绘制详细的外延结构，然而，上述的发光元件可包含一第一型半导体层、一活性层、及一第二型半导体层。选择性地，发光元件可包含一成长基板，如砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、锗(Ge)蓝宝石、玻璃、钻石、碳化硅(SiC)、硅、氮化镓(GaN)、及氧化锌(ZnO)所构成材料组群中的至少一种材料。第一型半导体层及第二型半导体层例如为包覆层(cladding layer)或限制层(confinement layer)，可分别提供电子、空穴，使电子、空穴于活性层中结合以发光。第一型半导体层、一活性层、及一第二型半导体层的材料可包含Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，例如AlxInyGa(1-x-y)N或AlxInyGa(1-x-y)P，其中0≦x,y≦1；(x+y)≦1。依据活性层的材料，发光元件于一电流操作下可发出波峰值介于610nm及650nm之间的红光，波峰值介于530nm及600nm之间的黄光或绿光，或是波峰值介于450nm及490nm之间的蓝光。
以上所述的实施例仅为说明本发明的技术思想及特点，其目的在于使熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，不能以之限定本发明的专利范围，即大凡依本发明所揭示的精神所作的均等变化或修饰，仍应涵盖在本发明的专利范围内。

Claims (9)

1.一种发光装置，包含：
半导体发光元件；
透明支撑元件覆盖该半导体发光元件；
绝缘层，连接该透明支撑元件；
中间层，连接该绝缘层；以及
导电黏着材料连接该中间层。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中，该半导体发光元件包含一电极，连接该导电黏着材料。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中，该导电黏着材料包含金、银、或铜。
4.如权利要求1所述的发光装置，其中，该导电黏着材料包含多个纳米颗粒。
5.如权利要求1所述的发光装置，其中，该中间层包含钛、铜、镍、银、锡或其组合。
6.如权利要求1所述的发光装置，其中，该导电黏着材料具有一小于300℃的状态转换温度。
7.一发光装置，包含：
半导体发光元件，具有一电极；
透明支撑元件，覆盖该半导体发光元件；以及
导电黏着材料，连接该电极，并具有一大于20μm的厚度且包含多个纳米颗粒。
8.如权利要求7所述的发光装置，其中，该纳米颗粒包含金、银、或铜。
9.如权利要求7所述的发光装置，其中，该导电黏着材料具有一小于300度的状态转换温度。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106960901A (zh) * 2015-12-31 2017-07-18 晶元光电股份有限公司 发光装置
CN108321288A (zh) * 2018-04-04 2018-07-24 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 Led光源及其制造方法
CN114093998A (zh) * 2022-01-21 2022-02-25 季华实验室 一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102242660B1 (ko) * 2013-09-11 2021-04-21 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 소자 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 이의 제조 방법
JP6438648B2 (ja) * 2013-11-15 2018-12-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
US10297731B2 (en) * 2014-11-26 2019-05-21 Bridgelux, Inc. Light emitting diode constructions and methods for making the same
JP2017054933A (ja) * 2015-09-09 2017-03-16 株式会社東芝 発光装置及びその製造方法
TWI583028B (zh) * 2016-02-05 2017-05-11 行家光電股份有限公司 具有光形調整結構之發光裝置及其製造方法
US9859470B2 (en) 2016-03-10 2018-01-02 Epistar Corporation Light-emitting device with adjusting element
US20170345983A1 (en) 2016-05-26 2017-11-30 Epistar Corporation Light-emitting device and light-emitting apparatus comprising the same
TWI790984B (zh) * 2017-01-26 2023-01-21 晶元光電股份有限公司 發光元件
KR102424005B1 (ko) * 2017-10-26 2022-07-25 에피스타 코포레이션 발광 장치
JP6870592B2 (ja) * 2017-11-24 2021-05-12 豊田合成株式会社 発光装置
KR20190098709A (ko) * 2018-02-14 2019-08-22 에피스타 코포레이션 발광 장치, 그 제조 방법 및 디스플레이 모듈
JP6806218B2 (ja) 2018-10-31 2021-01-06 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光モジュール、発光装置及び発光モジュールの製造方法
CN115128862A (zh) * 2021-03-26 2022-09-30 群创光电股份有限公司 背光模块以及显示装置
TWI824688B (zh) 2022-08-31 2023-12-01 晶呈科技股份有限公司 晶粒封裝體的接合與轉移方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08139367A (ja) * 1994-11-14 1996-05-31 Sharp Corp 光半導体装置
CN1296296A (zh) * 2000-09-29 2001-05-23 北京大学 一种制备氮化镓基 led的新方法
CN2826706Y (zh) * 2005-06-01 2006-10-11 张龙宝 单颗和集群封装的功率led定向光源
CN102062320A (zh) * 2010-12-16 2011-05-18 西安炬光科技有限公司 一种带光学整形的led光源模块及其制备方法
CN103378282A (zh) * 2012-04-27 2013-10-30 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
CN203812906U (zh) * 2014-03-12 2014-09-03 上海亚浦耳照明电器有限公司 一种led芯片封装体

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001257381A (ja) 2000-03-13 2001-09-21 Sharp Corp 発光ダイオードおよびその製造方法並びに照明装置
US8999736B2 (en) * 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic system
US9000461B2 (en) * 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic element and manufacturing method thereof
US20070126016A1 (en) * 2005-05-12 2007-06-07 Epistar Corporation Light emitting device and manufacture method thereof
JP4400786B2 (ja) 2004-06-11 2010-01-20 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
US7745832B2 (en) * 2004-09-24 2010-06-29 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting element assembly with a composite substrate
TW200637033A (en) 2004-11-22 2006-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting device, light-emitting module, display unit, lighting unit and method for manufacturing light-emitting device
JP2006202938A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Kojiro Kobayashi 半導体装置及びその製造方法
US9018655B2 (en) * 2005-02-03 2015-04-28 Epistar Corporation Light emitting apparatus and manufacture method thereof
KR100691179B1 (ko) * 2005-06-01 2007-03-09 삼성전기주식회사 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
EP1935921B1 (en) 2005-09-22 2017-01-04 Mitsubishi Chemical Corporation Sealant for semiconductor light emitting device and method for manufacturing such sealant, and semiconductor light emitting device using such sealant
KR101523482B1 (ko) * 2006-08-22 2015-05-28 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 반도체 디바이스용 부재, 그리고 반도체 디바이스용 부재 형성액 및 반도체 디바이스용 부재의 제조 방법, 그리고 그것을 이용한 반도체 디바이스용 부재 형성액, 형광체 조성물, 반도체 발광 디바이스, 조명 장치, 및 화상 표시 장치
JP5213433B2 (ja) * 2006-12-21 2013-06-19 富士フイルム株式会社 導電膜およびその製造方法
CN100585893C (zh) * 2007-03-26 2010-01-27 晶元光电股份有限公司 发光二极管及其制造方法
JP2009130301A (ja) 2007-11-27 2009-06-11 Sharp Corp 発光素子および発光素子の製造方法
CN101197417B (zh) * 2008-01-07 2010-09-15 普光科技（广州）有限公司 氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
WO2009093497A1 (ja) 2008-01-22 2009-07-30 Alps Electric Co., Ltd. 光反射体を用いたｌｅｄパッケージ
US8309864B2 (en) * 2008-01-31 2012-11-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Device mounting board and manufacturing method therefor, and semiconductor module
JP5182296B2 (ja) * 2008-02-07 2013-04-17 株式会社村田製作所 電子部品装置の製造方法
TW200945633A (en) 2008-02-27 2009-11-01 Alps Electric Co Ltd Light emitter and semiconductor light-emitting device using same
TW200936953A (en) 2008-02-29 2009-09-01 Univ Nat Chiao Tung Structure of LED lens with reflective film
CN101551077B (zh) * 2008-04-03 2011-11-30 财团法人工业技术研究院 发光装置与应用其的背光装置及其组装方法
WO2010027581A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-11 3M Innovative Properties Company Monochromatic light source
KR101497953B1 (ko) * 2008-10-01 2015-03-05 삼성전자 주식회사 광추출 효율이 향상된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
DE112010003715T8 (de) * 2009-09-20 2013-01-31 Viagan Ltd. Baugruppenbildung von elektronischen Bauelementen auf Waferebene
CN101740703B (zh) * 2009-11-30 2013-04-17 中微光电子(潍坊)有限公司 一种led芯片及其制造方法
JP2011155060A (ja) 2010-01-26 2011-08-11 Citizen Holdings Co Ltd 発光デバイス
DE112011100376B4 (de) * 2010-01-29 2024-06-27 Citizen Electronics Co., Ltd. Verfahren zur herstellung einer licht aussendenden vorrichtung
CN101782203B (zh) 2010-02-04 2012-02-01 广东昭信光电科技有限公司 一种包含自由曲面反射器的背光系统
CN103003966B (zh) 2010-05-18 2016-08-10 首尔半导体株式会社 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法
KR101653684B1 (ko) 2010-05-28 2016-09-02 삼성전자 주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법
JP5414627B2 (ja) * 2010-06-07 2014-02-12 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
US20120295098A1 (en) * 2011-05-19 2012-11-22 Trillion Science, Inc. Fixed-array anisotropic conductive film using surface modified conductive particles
JP5837775B2 (ja) 2011-08-19 2015-12-24 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
US8624482B2 (en) 2011-09-01 2014-01-07 Toshiba Techno Center Inc. Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED
JP5916334B2 (ja) * 2011-10-07 2016-05-11 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤及びその製造方法、発光装置及びその製造方法
JP2013115088A (ja) 2011-11-25 2013-06-10 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置
JP2013118244A (ja) 2011-12-02 2013-06-13 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びそれを用いた照明装置
TWI606618B (zh) 2012-01-03 2017-11-21 Ｌｇ伊諾特股份有限公司 發光裝置
US20130240934A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting element package and method of manufacturing the same
JP5943677B2 (ja) 2012-03-31 2016-07-05 キヤノン株式会社 探触子、及びそれを用いた被検体情報取得装置
KR101501679B1 (ko) * 2012-04-30 2015-03-11 주식회사 포스코엘이디 광반도체 기반 조명장치 및 이에 이용되는 광학부재의 제조방법
JP2012227537A (ja) 2012-06-19 2012-11-15 Mitsubishi Electric Corp Ｌｅｄ光源及びそれを用いた発光体
KR20140101220A (ko) * 2013-02-08 2014-08-19 삼성전자주식회사 조명 장치
KR102075982B1 (ko) 2013-03-15 2020-02-12 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08139367A (ja) * 1994-11-14 1996-05-31 Sharp Corp 光半導体装置
CN1296296A (zh) * 2000-09-29 2001-05-23 北京大学 一种制备氮化镓基 led的新方法
CN2826706Y (zh) * 2005-06-01 2006-10-11 张龙宝 单颗和集群封装的功率led定向光源
CN102062320A (zh) * 2010-12-16 2011-05-18 西安炬光科技有限公司 一种带光学整形的led光源模块及其制备方法
CN103378282A (zh) * 2012-04-27 2013-10-30 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
CN203812906U (zh) * 2014-03-12 2014-09-03 上海亚浦耳照明电器有限公司 一种led芯片封装体

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106960901A (zh) * 2015-12-31 2017-07-18 晶元光电股份有限公司 发光装置
CN106960901B (zh) * 2015-12-31 2021-10-15 晶元光电股份有限公司 发光装置
CN108321288A (zh) * 2018-04-04 2018-07-24 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 Led光源及其制造方法
CN114093998A (zh) * 2022-01-21 2022-02-25 季华实验室 一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150056055A (ko) 2015-05-22
DE102014016854A1 (de) 2015-05-21
JP2015095658A (ja) 2015-05-18
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KR102253516B1 (ko) 2021-05-18
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JP2022028040A (ja) 2022-02-14
KR20210057718A (ko) 2021-05-21
US11011681B2 (en) 2021-05-18
JP7277557B2 (ja) 2023-05-19
JP6999615B2 (ja) 2022-01-18
TWI707484B (zh) 2020-10-11
US20150129919A1 (en) 2015-05-14
KR102072598B1 (ko) 2020-02-03

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