CN110383510B - 用于发光二极管的基板及相关方法 - Google Patents

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Abstract

提供了发光二极管(LED)装置、组件和系统。提供了用于LED和LED装置的改进的基板，所述基板具有在反射层上方的足以最小化或消除电介质层的损坏的一个或多个电介质层。使用这种改进的基板可以生产出更稳定和有效的LED装置。还提供了LED装置及其制造方法，其中LED芯片嵌入填充材料中以将LED附接到基板上并增大光反射率。

Description

用于发光二极管的基板及相关方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年3月8日提交的、序列号为15/453,594的美国专利申请的权益，该美国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本文公开的主题大体涉及发光二极管(LED)、组件及相关方法。更具体地，本文公开的主题涉及与顶侧接触LED一起使用的金属基板增强件及相关方法。
背景技术
发光二极管或LED是将电能转换为光的固态装置。LED可以用于发光装置或组件中，以提供用于各种照明和光电应用的不同颜色和图案的光。顶侧接触LED可以安装到具有反射层以优化光输出和效率的基板上。然而，可能需要保护反射层使其免受暴露于环境因素的损伤。现有的保护层已被证明是无效的。
更具体地，一些基板中的电介质层易于开裂从而产生针孔或以其它方式降解。这是具有反射层的现有基板的常见问题。覆盖镜面基板或反射基板、特别是银(Ag)反射基板或镜面基板的电介质层中的裂纹或其他缺陷会导致开口或针孔，Ag可以通过该开口或针孔迁移。这种缺陷会在反射和/或发光区域中引起暗点，这些暗点会吸收光并损害发射输出(包括改变光输出的颜色和/或降低亮度)。
LED照明产品的制造商正不断寻求提高产品可靠性和效率以及鼓励使用LED产品的方法。以最佳输出和增强的性能产生光(特别是在更可靠和稳定的情况下)的LED变得更加令人期待。
因此，尽管在市场上可以获得各种发光装置和组件，但仍需要能够快速、高效、低成本地生产并且具有改进的性能和可靠性特性的装置、组件及方法。
发明内容
本文提供并描述了具有改善的可靠性和性能的基于基板的LED、组件及相关方法。本文描述的装置、组件及方法可以有利地展现出改进的工艺时长、制造容易性和/或较低的工艺成本。本文描述的装置、组件及相关方法可以很好地适用于各种应用，例如个人、工业和商业照明应用(包括例如灯泡和灯具产品和/或应用)。在一些方面，本文描述的装置、组件及相关方法可以包括改进的LED制造工艺和/或改进的光学性质(包括更一致且均匀的光发射和颜色)。这种装置可以更便宜且更有效。
提供了用于LED和LED装置的改进的基板。示例基板可以包括设置在反射层上的足以最小化、减轻或消除电介质层的损坏的一个或多个电介质层。使用这种改进的基板可以生产出更稳定和有效的LED装置。作为另一示例，还提供了LED装置及其制作方法，其中LED可以嵌入填充材料中以将LED附接到基板并增大光反射率。
本公开的这些和其他目的(所述目的可以通过本文的公开内容变得显而易见)通过本文公开的主题至少全部或部分地实现。
附图说明
本主题的完整且可行的公开内容在本说明书的其余部分中(包括参考附图)关于一个或多个实施例更具体地阐述，其中：
图1A-1B是现有技术的用于LED的基板的横截面图；
图2A-2D是现有技术的基板的图像，其示出了由现有的设置在反射层上方的封装层中的损坏导致的反射层的降解；
现有的反射层上方的电介质层的损坏；
图3A-3C是用于LED装置的基板布置的实施例的横截面图；
图4A和图4B是用于LED装置的基板布置的实施例的横截面图；以及
图5A-5F是LED装置布置的横截面图。
具体实施方式
在一些方面，本文描述的固态照明设备、LED装置和/或系统及其生产方法可以包括各种固态发光器电气配置、颜色组合和/或电路组件，以用于提供具有改善的效率、改善的发光轮廓、增强的输出和/或优化的颜色产生的固态照明设备。诸如本文所公开的那些的设备和方法有利地比一些其他解决方案成本更低、更有效、更鲜艳、更均匀和/或更亮。
除非另有定义，否则本文使用的术语应被解释为具有与本主题所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应当理解，本文使用的术语应被诠释为具有与本说明书和相关领域的上下文中的相应含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的含义诠释，除非本文明确地如此定义。
本文参考作为本主题的理想化方面的示意图的截面图、透视图、正视图和/或平面图图示描述了本主题的各方面。例如由于制造技术和/或公差导致的图示形状的变化是可预期的，使得本主题的各方面不应被解释为限于本文所示的特定形状。该主题可以以不同的形式体现，并且不应被解释为限于本文阐述的特定方面或实施例。在附图中，为了清楚起见，可以夸大层和区域的尺寸及相对尺寸。
除非特别陈述了不存在一个或多个元件，否则本文使用的术语“包括”、“包含”和“具有”应诠释为不排除一个或多个元件的存在的开放式术语。在本说明书中，相似的数字指代相似的元件。
应当理解，当诸如层、区域或基板的元件被称作在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者可以存在中间元件。此外，本文使用诸如“上”、“上面”、“上部”、“顶部”、“下部”或“底部”的相对术语来描述图中所示的一个结构或部分与另一个结构或部分的关系。应当理解，除了图中描绘的定向之外，诸如“上”、“上面”、“上部”、“顶部”、“下部”或“底部”的相对术语旨在包含该设备的不同定向。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为在其他结构或部分“上面”的结构或部分现在将定向在其他结构或部分“下面”。
本文使用的术语“电激发发射器”和“发射器”是同义术语，并且是指能够产生可见或近可见(例如，从红外到紫外)波长辐射的任何装置(包括例如但是不限于氙灯、汞灯、钠灯、白炽灯)以及固态发光器(包括LED或LED芯片、有机发光二极管(OLED)和激光器)。
术语“固态发光器”、“固态发射器”和“发光器”是同义术语，并且是指LED芯片、激光二极管、有机LED芯片和/或任何其他半导体装置，所述半导体装置优选地布置为包括一个或多个半导体层(所述半导体层可以包括硅、碳化硅、氮化镓和/或其他半导体材料)、基板(所述基板可以包括蓝宝石、硅、碳化硅和/或其他微电子基板)以及一个或多个接触层(所述接触层可以包括金属和/或其他导电材料)的半导体芯片。
本文使用的术语“组”、“段”、“串”和“套”是同义术语。如本文所使用的那样，这些术语通常描述在互斥的组/段/套之间的多个LED如何电连接(例如串联、并联、混合串/并联、共用阳极或共同阳极配置)。LED段可以以多种不同方式配置，并且可以具有与其相关联的、具有不同功能性的电路(例如，驱动器电路、整流电路、限流电路、分流器、旁路电路等)，例如在如下共同转让和共同未决的美国专利申请和专利中所讨论的那样：2009年9月24日提交的序列号为12/566,195的美国专利申请；2013年2月15日提交的序列号为13/769,273的美国专利申请；2013年2月15日提交的序列号为13/769,277的美国专利申请；2011年9月16日提交的序列号为13/235,103的美国专利申请；2011年9月16日提交的序列号为13/235,127的美国专利申请；以及2014年5月20日公布的编号为8,729,589的美国专利，上述专利申请和专利中的每一个的公开内容在此通过引用以其整体并入本文中。
术语“目标”是指被配置为提供作为照明设备的指定参数的预定义照明特性的LED芯片段的配置。例如，目标光谱功率分布可以描述在特定功率、电流或电压水平下产生的光的特性。
如本文所公开的设备、系统和方法可以利用红色芯片、绿色芯片和蓝色芯片。在一些方面，用在蓝移黄光(BSY)装置中的芯片可以以共同拥有、转让和共同未决的序列号为12/257,804的美国专利申请(其被公开为编号为2009/0160363的美国专利公开)的表1中所阐述的不同的箱为目标，该美国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文。本文的设备、系统和方法可以利用例如紫外(UV)芯片、蓝绿色芯片、蓝色芯片、绿色芯片、红色芯片、琥珀色芯片和/或红外芯片。
在本文中结合照明设备使用的术语“基板”是指安装构件或元件，多个固态发光器(例如，LED)可以布置、支撑和/或安装在该构件或元件上、或安装在其中、或安装在其上方。基板可以是例如组件基板、芯片基板(例如，LED基板)或子面板基板。可以与本文所述的照明设备一起使用的示例性基板可以例如包括：印刷电路板(PCB)和/或相关组件(例如，包括但不限于金属芯印刷电路板(MCPCB)、柔性电路板、电介质层压板、陶瓷基基板等)；具有布置在其一个或多个表面上的FR4和/或电迹线的陶瓷或金属板；高反射率陶瓷(例如，氧化铝)支撑面板；和/或布置成接收、支撑固态发射器和/或向固态发射器传导电功率的各种材料和构型的安装元件。本文描述的电迹线向发射器提供电功率，用于电激活和照亮发射器。电迹线可以是可见的和/或由反射覆盖物(例如焊接掩模材料、Ag或其他合适的反射器)覆盖。
在一些实施例中，可以使用一个基板支撑除了至少一些其他电路和/或电路元件(例如电源或电流驱动组件和/或电流开关组件)之外的多组固态发光器。在其他方面，可以使用两个或更多个基板(例如，至少主基板和一个或多个辅助基板)支撑除了至少一些其他电路和/或电路元件(例如电源或电流驱动组件和/或温度补偿组件)之外的多组固态发光器。第一和第二(例如，主和辅助)基板可以彼此相邻地(例如，并排)设置在彼此上面和/或下面并且沿着不同的平面，具有彼此相邻设置的一个或多个共面的表面，并且被垂直地布置、水平地布置和/或相对于彼此以任何其他定向布置。
可与本文所公开的照明设备一起使用的LED可以包括水平结构(其中两个电触点位于LED芯片的同一侧)和/或垂直结构(其中电触点位于LED芯片的相对侧)。水平构造的芯片(具有或不具有生长基板)例如可以倒装芯片键合(例如，使用焊料)、或者引线键合到载体基板或印刷电路板(PCB)。垂直构造的芯片(具有或不具有生长基板)可以具有焊料键合到载体基板、安装垫或印刷电路板(PCB)的第一端子，以及具有引线键合到载体基板、电气元件或PCB的第二端子。
电激活的发光器(例如固态发射器)可以单个使用或成组使用来发光，以激发一种或多种发光材料(例如，磷光体、闪烁体、发光油墨、量子点)的发射，并产生一个或多个峰值波长的光或至少一种所需的感知颜色(包括可以被感知为白色的颜色的组合)的光。将发光(也称为“发冷光”)材料包括在本文所述的照明设备中可以通过在发光体支撑元件或发光体支撑表面上直接涂覆该材料(例如，通过粉末涂覆、喷墨印刷等)、将这些材料添加到透镜中和/或通过将这些材料嵌入或分散在发光体支撑件元件或表面内来实现。用于制作结合有平面化磷光体涂层的LED的方法通过示例的方式在Chitnis等人的2007年9月7日提交的编号为2008/0179611的美国专利申请公开中被讨论，该美国专利申请公开的公开内容通过引用整体并入本文。
其他材料、例如光散射元件(例如，颗粒)和/或折射率匹配材料可以与含发光材料的元件或表面相关联。如本文所公开的设备和方法可以包括不同颜色的LED，其中的一个或多个可以是发白光的(例如，包括至少一个具有一种或多种发光材料的LED)。
在一些方面，一个或多个短波长固态发射器(例如，蓝色和/或蓝绿色LED)可用于激发发光材料的混合物或发光材料的离散层的发射，所述发光材料包括红色、黄色和绿色发光材料。不同波长的LED可以存在于同一组固态发射器中，或者可以设置在不同组固态发射器中。各种波长转换材料(例如，发光材料，也称为发光体或发光介质，例如，如2003年7月29日发布的编号为6,600,175的美国专利和2008年10月9日提交的公开号为2009/0184616的美国专利申请中所公开的那些材料，上述专利和专利申请的公开内容通过引用整体并入本文)是本领域技术人员公知和可获得的。
在一些方面，如本文所述的照明设备和系统包括以不同颜色为目标的多套固态发光器(例如，一套以第一颜色为目标，并且至少第二套以不同于第一颜色的第二颜色为目标)。在一些方面，所述多套中的每一套包括至少两个相同颜色(例如，峰值波长重合)的固态发光器。在一些方面，所述多套固态发射器中的每一套适于发射一种或多种不同颜色的光。在一些方面，所述多套固态发射器中的每一套适于发射相对于彼此不同的一种或多种颜色的光(例如，其中每一套固态发射器发射另一套固态发射器不会发射的至少一个峰值波长)。可以使用在共同转让和共同未决的序列号为14/221,839的美国专利申请中描述的电路和/或技术来提供根据本主题的以多套固态发射器为目标并且选择性激活所述多套固态发射器的方面，该美国专利申请的公开内容先前通过引用并入上文。
关于固态发射器的术语“颜色”是指在电流通过时由芯片发射的光的颜色和/或波长。
本主题的一些实施例可以使用诸如在编号为7,564,180；7,456,499；7,213,940；7,095,056；6,958,497；6,853,010；6,791,119；6,600,175；6,201,262；6,187,606；6,120,600；5,912,477；5,739,554；5,631,190；5,604,135；5,523,589；5,416,342；5,393,993；5,359,345；5,338,944；5,210,051；5,027,168；5,027,168；4,966,862和/或4,918,497的美国专利，以及公开号为2009/0184616；2009/0080185；2009/0050908；2009/0050907；2008/0308825；2008/0198112；2008/0179611；2008/0173884；2008/0121921；2008/0012036；2007/0253209；2007/0223219；2007/0170447；2007/0158668；2007/0139923和/或2006/0221272的美国专利申请；2006年12月4日提交的序列号为11/556,440的美国专利申请中描述的固态发射器、发射器封装、固定装置、发光材料/元件、电源元件、控制元件和/或方法；其中前述专利、公开的专利申请以及专利申请序列号的公开内容通过引用并入此处，如同在本文中完全阐述一样。
本文使用的术语“照明设备”和“模块”是同义的，并且除了其能够发光之外不受其他限制。也就是说，照明设备可以是照亮一定面积或体积(例如，结构、游泳池或水疗中心、房间，仓库、指示器、道路、停车场、车辆、标牌(例如，道路标志、广告牌)、船舶、玩具、镜子、船只、电子装置、船、飞机、体育场、计算机、远程音频装置、远程视频装置、手机、树、窗户、LCD显示器、洞穴、隧道、庭院、灯柱)的装置或设备，或照亮外壳的装置或装置阵列，或用于边缘或背光照明(例如，背光海报、标牌、液晶显示器)、灯泡、灯泡更换(例如，更换交流白炽灯、低压灯、荧光灯等)、户外照明、安全照明、室外住宅照明(墙壁安装、支柱/立柱安装)、天花板灯具/壁灯、橱柜照明、灯具(地板和/或餐桌和/或书桌)、景观照明、轨道照明、工作照明、特种照明、绳索灯、吊扇照明、档案/艺术展示照明、高振动/冲击照明-工作灯等、镜子/梳妆台照明、聚光灯照明、高棚照明、低棚照明的装置或任何其他发光装置。
如本文所公开的磷光体和磷光体化合物可以包括多种波长转换材料或颜色转换组件(该波长转换材料或颜色转换组件包括发光材料)中的一种或多种。发光材料(发光体)的示例包括磷光体、铈掺杂的钇铝石榴石(YAG)(例如LuAG：Ce)、氮化物、氧氮化物、闪烁体、辉光带(day glow tapes)、纳米磷光体、量子点(例如，由阿肯色州费耶特维尔的美国公司NNCrystal提供)、以及在用光(例如，紫外光)照射时在可见光谱中发辉光的油墨。如本文所公开的将发光体包括在波长转换组件或相关组件中(结合固态发光器和LED)可以通过在固态发射器上方提供这种材料的层(例如，涂层)和/或通过将发光材料分散到布置成覆盖一个或多个固态发光器的透明封装剂(例如，基于环氧树脂或基于硅树脂的可固化树脂或其他聚合物基质)来实现。可用于如本文所述的装置中的一种或多种发光材料可以是下转换或上转换的，或者可以包括这两种类型的组合。
波长转换材料可提供益处，该益处包括例如改善的长期可靠性(例如，在约1000小时或更长时间以及85℃、105℃和/或125℃下的改善的性能)、固态发光器周围的鼓泡的减少、更大的视角、较低的dCCT颜色扩散、较低的磷光体温度、较亮的光发射、改善的抗硫性和/或较小的色点扩散(包括这些特征的全部或任何组合)。
当前公开的主题涉及具有包括LED的光源的LED封装结构的不同实施例。LED封装可以以不同的方式布置并且相对较小，同时是高效、可靠和成本有效的。根据本文公开内容的实施例可以具有不同形状的封装剂，但与具有完整半球形封装剂的类似LED封装相比，可以以改善的或类似的效率发射。在基板上安装有多个LED的一些实施例中，可以控制每个LED芯片之间的间隔以优化从LED封装输出的光的强度。根据本文公开内容的LED封装也可以更小并且制造成本更低。
本文参考某些实施例描述了本文的公开内容，但是应该理解，本文的公开内容可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文阐述的实施例。特别地，本文的公开内容在下面关于具有不同配置的LED的某些LED封装进行描述，但是应当理解，本文的公开内容可以用于具有其他LED配置的许多其他LED封装。LED封装还可以具有除了下面描述的那些之外的许多不同的形状(例如矩形)，并且焊盘和附接盘可以以许多不同的方式布置。在其他实施例中，可以控制不同类型的LED的发射强度以改变整个LED封装的发射。
本文描述的实施例是参考一个或多个LED的，但是根据本文的公开内容并且在一些方面，本文使用的LED可以包括LED芯片或任何其他合适的一个或多个结构。例如，本文使用的LED可以是单片LED的单独结。例如，LED不是完全独立的LED芯片，取而代之，每个LED可以都是位于可以具有不同类型的单片结的公共基板上的LED区域。LED之间的且位于公共基板上的台面可以延伸到某些层，或者可以一直延伸到公共基板或从公共基板一直延伸。因此，单片LED可以包括位于公共基板上的多于一个的LED结，并且LED之间的间隙可以由可以至少部分地分离LED的台面形成。
本文描述的组件可以具有除了所示的那些之外的不同形状和尺寸，并且可以包括一个或不同数量的LED。还应理解，下面描述的实施例使用共面光源，但是应该理解，也可以使用非共面光源。还应理解，LED光源可以由多个LED构成，所述多个LED可以具有不同的发射波长。如上所述，在一些实施例中，LED中的至少一些可以包括覆盖有黄色磷光体的发射蓝光LED以及发射红光LED，从而导致从LED封装发射白光。在多个LED封装中，LED可以串联互连，或者可以以不同的串联和并联组合互连。
涂层、封装剂、封装剂层等在本文中被公开，并且可以包括为基板、反射层或其他LED组件提供机械、化学和/或环境保护的任何材料。涂层、封装剂和/或封装剂层在一些实施例中可以被配置为覆盖基本水平或垂直的表面的层，并且在一些方面可以包括设置在另一层、表面或结构的顶部上的层，无论其是否完全包围所述另一层、表面或结构的所有侧面。在一些实施例中，涂层、封装剂和/或封装剂层可以包括本文公开的电介质或由本文公开的电介质组成。还应理解，当诸如层、区域、封装剂或基台的特征或元件被称为在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。此外，本文可以使用诸如“内部”、“外部”、“上部”、“上面”、“下部”、“下”和“下面”的相对术语以及类似术语来描述一层或另一区域的关系。应当理解，这些术语旨在包含除了图中所描绘的定向之外的装置的不同定向。
本文参考作为本公开的实施例的示意图的横截面图图示来描述本公开的实施例。这样，层的实际厚度可以是不同的，并且例如由于制造技术和/或公差导致的图示形状的变化是可预期的。本公开的实施例不应被解释为限于本文示出的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。由于正常的制造公差，示出或描述为正方形或矩形的区域通常具有圆化的或弯曲的特征。因此，图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出装置的区域的精确形状，并且不旨在限制本文公开内容的范围。
本文公开了用于镜面基板或反射基板的涂层。这种反射基板可以配置用于照明应用(例如LED)。在一些方面，被涂覆的基板及其制作方法对于具有硅氧烷/环氧树脂附着物的顶侧接触LED芯片特别有用。所公开的涂层材料可以提高市售铝(Al)和/或银(Ag)基板(包括例如包括金属基底(例如，Al)与Ag镜面表面的基板)的反射率和/或可靠性。在一些实施例中，反射层可以包括如编号为9,461,201的美国专利中所公开的多个反射组件，该美国专利的全部内容通过引用并入本文。
所公开的涂层和相关方法的一个特定应用包括将所公开的涂层施加到具有封装层(例如电介质层)的镜面基板(包括Ag镜面基板)。可用于制造LED的一些基板包括反射层和单个电介质层，这可以降低整体制造成本和复杂性。然而，由于基础基板的固有粗糙度或缺陷以及封装层或电介质层的厚度不足以完全与这些特征相一致，因此这种基板中的封装层或电介质层易于开裂或被不完全覆盖。这是现有基板的常见问题。覆盖镜面基板(特别是Ag反射基板或镜面基板)的电介质层中的裂纹或其他缺陷可能导致开口或针孔，Ag可以通过该开口或针孔迁移。这种缺陷在LED装置的操作期间会在反射和/或发光区域中形成暗点，这些暗点会不利地吸收光并损害发射输出(包括改变光输出的颜色和/或降低亮度)。所公开的涂层材料及相关方法可以通过阻止Ag穿过基板材料上的现有电介质层中的裂纹和针孔的迁移来最小化、减轻或消除该问题，并且还可以增加抗硫性。
本文公开的涂层材料可以包括任何数量的封装层、涂层和/或电介质材料及化合物(包括例如氧化硅、氮化硅、氧化铝、二氧化钛、非金属氧化物、非金属氮化物、氧化钽、铝、镍、钛、钨、铂、其组合或其合金等)。在一些方面，这种封装剂、涂层和/或电介质可以包括布置成提供所需的电隔离和高导热性的一种或多种材料。例如，电介质可以在电迹线和/或固态发射器套之间提供所需的电隔离。在一些方面，这种基板可以包括陶瓷(例如氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC))、硅、或者塑料或聚合物材料(例如聚酰亚胺、聚酯)、金属等。
在一些实施例中，涂层材料还可以包括分布式布拉格反射器(DBR)或其他非金属反射层(通常称为电介质反射器)。涂层材料可以单层或多层地施加，其中这些层具有不同的厚度和组合。
图1A-1B是总体上用10表示的现有技术基板的横截面图。基板10包括基板12和反射层14。反射层14可以包括任何反射材料(包括例如银(Ag))。电介质层16通常设置在反射层14的上表面上。电介质层16可以包括任何电介质或非导电材料(包括例如TiO2)。电介质16用于保护反射层14的反射表面。然而，已经发现，电介质层16可以分解、降解、开裂或以其他方式包含在电介质层16中引起开口18或针孔的缺陷。电介质层16中的开口18暴露反射层14并且在一些情况下允许反射层14的组分通过开口18迁移。如图1B所示，反射层14可以在靠近开口18的损坏点22处降解或劣化，在一些实施例中导致反射材料14穿过电介质层16迁移，从而在不希望的区域(诸如反射层14的上表面)留下反射材料(例如，Ag)的沉积物20。这降低了基板的质量(特别是在LED应用中)。
图2A-2C是基板的图像，其示出了在LED装置的长时间操作之后反射层上方的现有电介质层的损坏以及反射层的降解。图2A是图1A-1B中所示并且如上所述的基板的上表面的顶部图像。可见的暗点是反射层中的由暴露下面的反射层(此处是Ag)的电介质层中的针孔或其他缺陷所允许的降解点22。图2B是类似于图1A-1B中所示并且如上所述的基板的上表面的另一顶部图像。可见的暗点是反射层中的由暴露下面的反射层的电介质层中的针孔或其他缺陷所允许的降解点22。与降解点22相邻的较亮材料是从下面的反射层迁移到上表面的Ag的沉积物20。图2C是图2A中所示的基板的横截面图的图像。基板12具有位于上表面上的反射层14，以及设置在反射层14上面的电介质层16。如在图像中可见的那样，降解点22存在于反射层14中，其中Ag的沉积物20已经迁移到电介质层16上面。可以添加铂(Pt)24以促进聚焦离子束(FIB)的横截面切割。图2D是与图2C的基板类似的基板的横截面图的图像，其示出了电介质16中的缺陷D，在缺陷D处电介质很薄和/或破裂，这可能导致如图2C所示的反射层14的损坏或降解以及迁移。因此，本文公开了涂层以及施加涂层的方法以解决该问题，并提供了具有改善的可靠性和优化的性能的LED基板和装置。
图3A-3C示出了具有所公开的涂层材料的LED组件或装置的基板布置的实施例的横截面图。图3A-3C中的每一个包括总体上用100表示的LED组件或装置的横截面图，该LED组件或装置包括基板102、反射层104和LED 114，该LED 114可以是LED芯片。在一些方面，整个LED组件或装置可以用封装层(例如具有磷光体和/或其他材料的标准环氧树脂/硅树脂封装层)覆盖。
基板102可以包括适用于照明装置的任何金属基板(包括例如铝)。另外，在一些方面，基板102或基台可以包括印刷电路板(PCB)、金属芯印刷电路板(MCPCB)、柔性印刷电路板、电介质层压板、陶瓷基基板或用于安装LED和/或LED封装的任何其他合适基板。
反射层104可以包括任何反射材料或镜面表面(包括例如Ag)。在一些方面，诸如封装层106的封装层可以设置在反射层104的上表面上。封装层106可以包括任何电介质或非导电材料(包括例如TiO2)。封装106可以被配置成保护和密封反射层104的反射表面。
在一些方面，封装层106可以是能够防止下面的反射材料迁移的任何材料的层。例如，封装层106可以是金属封装层，该金属封装层包括金属或由金属组成，并且没有任何其他材料(例如电介质或其他层)设置在金属封装层上。作为示例而非限制，金属封装层可以包括铝、镍、钛、钨、铂、其组合或其合金。金属封装层可以非常薄并且在一些方面例如可以为从约10纳米(nm)至约100nm。在其他方面，金属封装层可以为从约30nm至约70nm或者为该范围内的任何厚度或厚度范围。使金属封装层变薄意味着光仍然可以穿过金属封装层并且金属封装层下面的反射层仍然可以反射光。如果金属封装层太厚，则金属封装层会变得具有吸收性。
在一些方面，可以将封装层110添加到封装层106以形成具有所需厚度的单个或多个封装层。这样的配置可以减少、消除或最小化封装层106的开裂、针孔或损坏。在一些方面，封装层110可以被认为是附加的或补充的封装层。就封装层106中已经存在缺陷、裂纹或针孔而言，封装层110不仅覆盖封装层106，而且填充或以其他方式堵塞封装层106中的任何开口或缺陷。因此，在一些方面，封装层110可以被配置为通过防止暴露于环境因素来为反射表面104提供额外的保护。
在一些实施例中，具有反射表面104或反射层的基板102包括设置在反射层上方的、总体上用128表示的封装层部分，其中封装层部分128可以至少包括第一封装层106和设置在第一封装层106上方的第二封装层110。这样的封装层部分128可以具有例如从约100纳米(nm)至约1微米(μm)的厚度。在一些方面，该厚度可以是例如从约100nm至约500nm或者该范围内的任何厚度或厚度范围。在封装层部分128包括多个层(即第一封装层106和第二封装层110或组合有任何另外的封装层)的情况下，整体或组合厚度可以具有至少约100纳米(nm)至约1微米(um)、或约100nm至约500nm或者该范围内的任何厚度或厚度范围的最小厚度，以最小化、减轻或消除封装层部分128的损坏。封装剂的各个层的厚度可根据封装剂使用的材料而变化，其中一些封装层比其他封装层厚。在一些方面，封装层部分128(例如第一封装层106和第二封装层110)可以包括交替或不同材料的多个封装层，在一些方面，每个封装层具有基本不同或基本相同的厚度。封装层部分128可以包括交替材料的多个封装层。或者，在一些实施例中，封装层部分128可以包括单个封装层。
图3A还示出了设置在封装层部分128(特别是封装层110)上面和/或附接到封装层部分128的可选LED 114。在一些实施例中，LED 114可以包括顶侧接触LED，该顶侧接触LED可以包括电连接点116和一个或多个引线键合部18。虽然仅示出为具有一个示例性LED114，但是可以在这样的基板上设置多个LED，并且使其互连或电连接。包括具有改进的功能性和可靠性的基板102的LED装置100可以用在LED组件、装置或照明系统中。在一些方面，整个LED装置100可以用封装层(例如具有磷光体和/或其他材料的标准环氧树脂/硅树脂封装层)覆盖。
与图3A类似，图3B是包括基板102、反射层104、封装层106和LED芯片114的LED装置100的横截面图。在一些方面，可以将多个封装层110和112添加到封装层106以形成具有所需厚度的单个或多个封装层。在一些实施例中，并且如图3B中所示，具有反射表面104或反射层的基板102包括设置在反射层上方的封装层部分128，其中封装层部分128至少包括第一封装层106、设置在第一封装层106上的第二封装层110和第三封装层112。这样的封装层部分128可以具有例如从约100纳米(nm)至约1微米(μm)的厚度。在一些方面，该厚度可以是例如从约100nm至约500nm或者该范围内的任何厚度或厚度范围。在封装层部分128包括多个层(即组合的第一封装层106、第二封装层110和第三封装层112)的情况下，整体或组合厚度可以具有从至少约100纳米(nm)至约1微米(μm)、从约100nm至约500nm或者该范围内的任何厚度或厚度范围的最小厚度，以最小化、减轻或消除封装层部分128的损坏。在一些方面，封装层部分128可以包括交替或不同材料的多个封装层，例如第二封装层110和第三封装层112，在一些方面，所述多个封装层各自具有基本类似的厚度，如图3B所示。封装层部分128还可以包括设置在第一封装层106上方的单个封装层，或者包括设置在第一封装层106上的形成单个封装层的多个封装剂层的组合。这种包括单个层的封装层部分128可以具有例如从约100纳米(nm)至约1微米(μm)的厚度。在一些方面，该厚度可以是例如从约100nm至约500nm或者该范围内的任何厚度或厚度范围。
这样的配置可以减少、消除或最小化层106的开裂、针孔或损坏。封装层110和112可以被认为是附加的或补充的封装层，并且可以与封装层106一起形成封装层部分128。因此，在一些方面，封装层110和112可以被配置为通过防止暴露于环境因素来为反射表面104提供额外的保护。
类似地，图3C是包括基板102、反射层104、封装层106和可选的LED芯片114的LED装置100的横截面图。在一些方面，可以将多个封装层110和112添加到封装层106以形成具有所需厚度的单个或多个的封装层。在一些实施例中，并且如图3C中所示，具有反射表面104或反射层的基板102包括设置在反射层上方的封装层部分128，其中封装层部分128至少包括第一封装层106、设置在第一封装层106上的第二封装层110和第三封装层112。这样的封装层部分128(即组合的第一封装层106、第二封装层110和第三封装层112)可以具有至少约100至约1微米(μm)或者如本文所述的其他子范围的厚度，以最小化或消除对封装层部分128(特别是第一封装层106)的损坏。在一些方面，封装层部分128可以包括交替或不同材料的多个封装层(例如第二封装层110和第三封装层112)，在一些方面，所述多个封装层各自具有基本上不同的厚度，如图3C所示。
图4A-4B是用于LED组件或装置的基板布置的实施例的横截面图。LED装置120可以包括具有粗糙上表面122的基板102。基板102可以是包括例如铝的金属或裸金属层。可以将平滑层124施加或粘附到粗糙的上表面122上以产生较光滑的表面。在一些实施例中，上基板表面没有银(Ag)层。
如图4A所示，分布式布拉格反射器(DBR)126或其他非金属反射层(通常称为电介质反射器)可以施加到平滑层124。另外，如图4B所示，平滑层124可以是电介质层，并且在一些方面可以包括一个或多个电介质层(包括例如电介质层110和112)。
LED装置120可以用作LED或LED装置的基板。图4A和图4B都示出了设置在DBR 126上面和/或附接到DBR 126的可选LED 114。在一些实施例中，LED 114可以包括顶侧接触LED，该顶侧接触LED可以包括电连接点116和一个或多个引线键合部118。虽然仅示出为具有一个示例性LED 114，但是可以在这样的基板上设置多个LED，并且使其互连或电连接。包括具有改进的功能性和可靠性的基板102的LED装置120可以用在LED装置或照明系统中。在一些方面，整个LED装置102可以用封装层(例如具有磷光体和/或其他材料的标准环氧树脂/硅树脂封装层)覆盖。
还提供了制备包括上述实施例的LED基板的方法。这种方法可以包括：提供包括上基板表面和设置在上基板表面上的反射层的基板，以及在反射层上方设置封装层部分，其中，封装层部分至少包括第一封装层和设置在第一封装层上方的第二封装层。封装层部分可以具有例如从约100纳米(nm)至约1微米(μm)的厚度。在一些方面，该厚度可以是例如从约100nm至约500nm或者该范围内的任何厚度或厚度范围。
在另一实施例中，LED基板和装置设置有与顶侧接触LED芯片一起使用的预管芯附接填充物。当使用用于LED管芯或芯片的透明附接材料时，当前的填充材料的后附接分配方法可能导致光阱，因为附接材料会聚集在管芯或芯片的周边周围。另外，在附接或放置LED之后施加的填充材料(后附接)也可能在芯片顶部产生填充材料或封装剂，或者由于不完全扩散或需要太多溶剂而导致不完整填充或薄填充。如本文所公开的那样，通过对填充材料使用预管芯附接方法或使用模制工艺成形，LED可以被封装在填充材料中，其中填充材料具有所需的配置(例如均匀的厚度)。
这种填充材料优选地是具有小粒径以保持低热阻的材料。该填充材料可以包括可用作反射器的白色填充材料(例如但不限于TiO2、Al2O3等)或可提供高对比度的黑色填充材料(例如但不限于Fe3O4等)。溢流或填充材料可以包括具有或不具有溶剂的硅树脂、环氧树脂等。在一些实施例中，磷光体(特别是白色部分)可以结合到溢流或填充材料中，或者结合到随后的磷光体层中，以控制颜色输出(例如，颜色分层或不同的混合影响)。
填充材料可以具有任何所需的厚度，高达并包括LED芯片或管芯的厚度或深度。在管芯附接过程中，LED可以被压入未固化的材料中。或者，填充材料可以模制成一定形状，在该模制形状之间存在间隙以便放置LED芯片。这种模制形状可以包括但不限于圆化的脊、三角形脊、矩形脊、半球或其任何组合。然后可以使用标准的管芯附接材料来附接LED芯片。这种配置可以提供反射表面和/或可以控制远/近场特性。
图5A-5F是发光二极管(LED)装置的横截面图。图5A-5C中的LED装置130包括基板102和至少部分地覆盖基板102的上表面的填充材料136。一个或多个顶侧接触LED 114可以设置在该上表面上方并被嵌入、放入或推入填充材料136中。LED 114可以嵌入填充材料136中，使得填充材料层(小于1μm，或约10nm，或高达约100μm)在某些方面可以保留或设置在所述一个或多个LED 114的每一个下方。
当填充材料136未固化时或者在固化之前，可以将LED 114放入填充材料136中。或者，在一些方面，在将LED 114放入或推入材料中之前，填充材料136可以部分固化。例如，填充材料136可以使用紫外光或热来完全固化。在固化后，填充材料136可以将LED 114结合或以其他方式固定到位。
填充材料136可以包括白色填充材料、黑色填充材料、磷光体填充材料或其任何组合。通过示例而非限制，白色填充材料可以包括TiO2、ZrO2、CeO2或Al2O3。通过示例而非限制，黑色填充材料可以包括Fe3O4、石墨、石墨烯或炭。通过示例而非限制，磷光体填充材料可以包括磷光体、陶瓷氧化物、玻璃、任何白色材料、不透明材料、散射材料或反射材料或其组合。
通过施加填充材料136然后放置LED 114，填充材料可以具有基本均匀的厚度。填充材料136可以具有延伸到或接近所述一个或多个LED 114的上表面的厚度T2。如图5A所示，填充材料136可以具有与LED 114的厚度T1基本类似的厚度T2。或者，如图5B所示，填充材料136可以具有基本上小于LED 114的厚度T1的厚度T3。
图5C示出了在基板102的上表面上和填充材料136的下面具有可选的封装层110的实施例。封装层110可以在施加填充材料136之前施加，并且可以是分配的或模制的层，或者可以是薄的电解质层或分布式布拉格反射器。
在一些实施例中，如图5D和图5E所示，LED装置132可以具有模制成预定形状的填充材料136。填充材料136的模制形状可以是但不限于圆化的脊、三角形脊、矩形脊、半球或其任何组合。该形状可以被模制成在其间具有空间，以便提供用于放置一个或多个LED 114的位置。在一些实施例中，填充材料136的预模制形状可以部分地固化以允许放置LED 114，而无需单独的用于LED 114的管芯附接材料。或者，预模制形状可以完全固化，然后使用管芯附接材料(例如，环氧树脂)附接LED 114。
在一些实施例中，可以使用两种或更多种填充材料。如图5F所示，第一填充材料136(例如，白色材料)可以与第二填充材料138(例如，黑色材料)一起使用。在一些实施例中，LED 114可以嵌入第一填充材料136中，其中第二填充材料138围绕LED 114的外周边。这样的实施例可以提供改善的光对比度。
在图5A-5F中的每一个中，LED 114可以包括顶侧接触LED，该顶侧接触LED可以包括电连接点116和一个或多个引线键合部118。虽然仅示出为具有两个示例性LED 114，但是可以在如图5A-5F所示的配置或装置中提供多个LED，并使其互连或电互连，并且完整或完全的封装层可以被提供且可以包括任何合适的材料(例如磷光体)。
图5A-5F的LED装置可以通过将发光二极管(LED)附接到基板的方法来制造，该方法包括提供如本文所公开的基板并且将填充材料施加到其上表面。然后，通过将一个或多个LED放入或推入已经施加到基板的上表面的填充材料中，可以将所述一个或多个顶侧接触LED施加到基板。一旦LED被放置、使得它们嵌入填充材料中，就可以使用热或紫外(UV)光来固化填充材料。在一些实施例中，在施加一个或多个LED之前，填充材料部分或完全未固化。此外，可以将一个或多个LED施加到基板，使得设置在所述一个或多个LED中的每一个与基板的上表面之间的填充材料层具有约1μm或更小的厚度，或者高达约100μm的厚度，或者LED的厚度。
在一些实施例中，在将LED施加在模制形状之间的间隙中之前，填充材料被模制成一种或多种预定形状。如图5D和图5E所示，所述一个或多个模制形状可以包括圆化的脊、三角形脊、矩形脊、半球或其任何组合。
在上述实施例的每一个中，封装层(包括例如电介质层106、110、112和/或126)可以包括任何数量的封装剂、涂层和/或电介质材料及化合物(包括例如氧化硅、氮化硅、氧化铝、二氧化钛、非金属氧化物、非金属氮化物、氧化钽等)。在一些实施例中，所述封装层和/或电介质层中的一个或多个还可以包括DBR或其他非金属反射层(通常称为电介质反射器)。电介质层或电介质层部分可以包括电介质和/或DBR的任何混合物。封装层或封装层部分可以通过任何适用于封装剂、涂层和/或电介质及相关材料的方法(包括例如溅射、喷涂、重力沉降、离心、添加溶剂、丝网印刷，(溅射、电子束、热、CVD、静电和/或电泳沉积)蒸发、浸渍、旋涂、直接分配和/或振动)施加，该方法包括例如编号为8,410,679的美国专利和编号为8,425,271的美国专利中描述的方法，上述美国专利的公开内容各自通过引用在此整体并入本文。
虽然本文已经参考特定方面、特征和说明性实施例描述了该主题，但是应当理解，该主题的效用不因此受限制，而是扩展到并包含许多其他变型、修改和替代实施例，如基于本文的公开内容对本主题所属领域的普通技术人员显而易见的那样。
本文公开的方面可以例如但不限于提供以下有益技术效果中的一个或多个：提供固态照明设备的成本降低；固态照明设备的尺寸、体积或占地面积减小；改进的效率；改进的显色性；改善的热管理；简化的电路；改善的对比度；改善的视角；改善的颜色混合；改进的可靠性；和/或简化的DC或AC操作性。
本文描述的结构和特征的各种组合和子组合是可预期的，并且对于具有本公开内容的知识的技术人员将是显而易见的。除非在本文中进行相反指示，否则本文所公开的各种特征和元件中的任一个可以与一个或多个其他公开的特征和元件组合。相应地，下文所要求保护的主题旨在被广泛地解释和诠释为包括在其范围内的所有这些变化、修改和替代实施例并且包括权利要求的等同物。

Claims (44)

1.一种用于发光二极管的基板，所述基板包括：
上基板表面；
设置在所述上基板表面上的反射层；以及
设置在所述反射层上方的封装层部分，其中，所述封装层部分包括包含电介质反射器的第一封装层和设置在所述第一封装层上方来防止反射层的材料通过第一封装层中的开口迁移的第二封装层，其中，第二封装层配置为具有基于第一封装层的厚度的用以减轻或消除第一封装层的损坏的厚度，并且其中，第一和第二封装层的组合厚度具有至少100纳米至1微米的最小厚度。
2.根据权利要求1所述的基板，其中，所述第二封装层包括设置在所述第一封装层上面的一个或多个封装层。
3.根据权利要求2所述的基板，其中，所述第一封装层和所述第二封装层具有不同或相同的厚度。
4.根据权利要求1所述的基板，其中，所述封装层部分包括不同材料的三个或更多个封装层。
5.根据权利要求1所述的基板，其中，所述封装层部分包括交替材料的多个封装层。
6.根据权利要求1所述的基板，其中，所述第一封装层与所述第二封装层包括不同的材料。
7.根据权利要求1所述的基板，其中，所述第一封装层和所述第二封装层的厚度相同。
8.根据权利要求1所述的基板，其中，所述第一封装层的厚度不同于所述第二封装层的厚度。
9.根据权利要求1所述的基板，其中，所述基板是金属基板。
10.根据权利要求1所述的基板，其中，所述反射层包括镜面表面。
11.根据权利要求1所述的基板，其中，所述反射层包括银。
12.根据权利要求1所述的基板，其中，所述第一封装层包括电介质层，所述电介质层包括非金属氧化物、非金属氮化物或者其组合。
13.根据权利要求1所述的基板，其中，所述第一封装层包括电介质层，所述电介质层包括透明导电氧化物、非透明材料或者其组合。
14.根据权利要求1所述的基板，其中，所述第一封装层包括电介质层，所述电介质层包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、二氧化钛、氧化钽、非透明金属或者其组合。
15.根据权利要求1所述的基板，其中，所述电介质反射器包括分布式布拉格反射器。
16.根据权利要求1所述的基板，还包括设置在所述封装层部分上面的一个或多个发光二极管。
17.根据权利要求16所述的基板，其中，所述发光二极管包括顶侧接触发光二极管。
18.一种制备用于发光二极管的基板的方法，所述方法包括：
提供包括上基板表面和设置在所述上基板表面上的反射层的基板；以及
在所述反射层上方设置封装层部分，其中，所述封装层部分包括包含电介质反射器的第一封装层和设置在所述第一封装层上方来防止反射层的材料通过第一封装层中的开口迁移的第二封装层，其中，第二封装层配置为具有基于第一封装层的厚度的用以减轻或消除第一封装层的损坏的厚度，并且其中，第一和第二封装层的组合厚度具有至少100纳米至1微米的最小厚度。
19.一种发光二极管装置，包括：
基板，所述基板包括上基板表面和设置在上基板表面上的封装层部分，其中，所述封装层部分包括包含电介质反射器的第一封装层和设置在所述第一封装层上方来防止上基板表面的材料通过第一封装层中的开口迁移的第二封装层，其中，第二封装层配置为具有基于第一封装层的厚度的用以减轻或消除第一封装层的损坏的厚度，并且其中，第一和第二封装层的组合厚度具有至少100纳米至1微米的最小厚度；
至少部分地覆盖所述封装层部分的填充材料；以及
设置在所述封装层部分上方并嵌入所述填充材料中的一个或多个顶侧接触发光二极管，其中，在所述一个或多个顶侧接触发光二极管中的每一个与所述封装层部分之间设置有填充材料层。
20.根据权利要求19所述的发光二极管装置，其中，所述填充材料具有均匀的厚度。
21.根据权利要求19所述的发光二极管装置，其中，所述填充材料具有延伸到或接近所述一个或多个顶侧接触发光二极管的上表面的厚度。
22.根据权利要求19所述的发光二极管装置，其中，所述填充材料包括在所述一个或多个顶侧接触发光二极管之间的空间中的模制形状。
23.根据权利要求22所述的发光二极管装置，其中，所述模制形状是圆化的脊、三角形脊、矩形脊、半球或其任何组合。
24.根据权利要求19所述的发光二极管装置，其中，所述填充材料包括白色填充材料、黑色填充材料、磷光体填充材料或其任何组合。
25.根据权利要求24所述的发光二极管装置，其中，所述白色填充材料包括TiO2或Al2O3。
26.根据权利要求24所述的发光二极管装置，其中，所述黑色填充材料包括Fe3O4。
27.根据权利要求24所述的发光二极管装置，其中，所述磷光体填充材料包括磷光体、陶瓷氧化物、玻璃或者其组合。
28.根据权利要求24所述的发光二极管装置，其中，所述磷光体填充材料包括白色材料。
29.根据权利要求24所述的发光二极管装置，其中，所述磷光体填充材料包括不透明材料。
30.根据权利要求24所述的发光二极管装置，其中，所述磷光体填充材料包括散射材料、反射材料或者其组合。
31.一种将发光二极管附接到基板的方法，所述方法包括：
提供基板，所述基板包括上基板表面和设置在上基板表面上的封装层部分，其中，所述封装层部分包括包含电介质反射器的第一封装层和设置在所述第一封装层上方来防止上基板表面的材料通过第一封装层中的开口迁移的第二封装层，其中，第二封装层配置为具有基于第一封装层的厚度的用以减轻或消除第一封装层的损坏的厚度，并且其中，第一和第二封装层的组合厚度具有至少100纳米至1微米的最小厚度；
将填充材料施加到所述封装层部分；
通过将一个或多个顶侧接触发光二极管放入已经施加到所述封装层部分的所述填充材料中，来将所述一个或多个顶侧接触发光二极管施加到所述基板，其中，在所述一个或多个顶侧接触发光二极管中的每一个与所述封装层部分之间设置有填充材料层；以及
固化所述填充材料。
32.根据权利要求31所述的方法，其中，在施加所述一个或多个顶侧接触发光二极管之前，所述填充材料部分或完全未固化。
33.根据权利要求32所述的方法，其中，使用紫外光或热来固化所述填充材料。
34.根据权利要求31所述的方法，其中，施加所述填充材料还包括将所述填充材料模制成一种或多种预定形状，以及随后将所述一个或多个顶侧接触发光二极管施加在所述一种或多种预定形状之间的间隙中。
35.根据权利要求34所述的方法，其中，所述一种或多种预定形状包括圆化的脊、三角形脊、矩形脊、半球或其任何组合。
36.根据权利要求31所述的方法，其中，所述填充材料包括白色填充材料、黑色填充材料、磷光体填充材料或其任何组合。
37.根据权利要求36所述的方法，其中，所述白色填充材料包括TiO2或Al2O3。
38.根据权利要求36所述的方法，其中，所述黑色填充材料包括Fe3O4。
39.根据权利要求36所述的方法，其中，所述磷光体填充材料包括磷光体、陶瓷氧化物、玻璃或者其组合。
40.根据权利要求36所述的方法，其中，所述磷光体填充材料包括白色材料。
41.根据权利要求36所述的方法，其中，所述磷光体填充材料包括不透明材料。
42.根据权利要求36所述的方法，其中，所述磷光体填充材料包括散射材料、反射材料或者其组合。
43.一种用于发光二极管的基板，所述基板包括：
上基板表面；
设置在所述上基板表面上的反射层；
金属封装层部分，所述金属封装层部分设置在所述反射层上方以防止反射层的材料迁移，并且所述金属封装层部分被配置成覆盖所述反射层，同时仍允许光穿过所述金属封装层部分并从所述反射层反射出去，其中，所述金属封装层部分具有从10纳米至100纳米的厚度；以及
附加的封装层，所述附加的封装层设置在所述金属封装层部分上方并配置为具有基于金属封装层部分的厚度的用以减少、消除或最小化所述金属封装层部分的开裂、针孔或损坏的厚度，其中，金属封装层部分和附加的封装层的组合厚度具有至少100纳米至1微米的最小厚度。
44.根据权利要求43所述的基板，其中，所述金属封装层部分包括铝、镍、钛、钨、铂、其组合或其合金。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10439114B2 (en) 2017-03-08 2019-10-08 Cree, Inc. Substrates for light emitting diodes and related methods
CN113707036A (zh) * 2020-05-22 2021-11-26 北京芯海视界三维科技有限公司 发光模组、显示模组、显示屏及显示器
WO2022090035A1 (en) * 2020-10-29 2022-05-05 Signify Holding B.V. Insulating metal pcb with light-blocking layer
CN114520281A (zh) 2020-11-20 2022-05-20 隆达电子股份有限公司 发光装置、背光板及显示面板

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009076803A (ja) * 2007-09-25 2009-04-09 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光モジュール及び発光装置
CN102280559A (zh) * 2010-05-14 2011-12-14 旭硝子株式会社 发光元件搭载用基板及发光装置
CN102738349A (zh) * 2011-12-09 2012-10-17 安徽莱德光电技术有限公司 一种封装基板
EP2648237A2 (en) * 2012-04-02 2013-10-09 JDS Uniphase Corporation Broadband dielectric reflectors for LED
DE102013202034A1 (de) * 2013-02-07 2014-08-07 Osram Gmbh Optoelektronische Bauelementevorrichtung, Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung; geometrisch flexible Reflektorpaste; Verfahren zum Herstellen eines geometrisch flexiblen Reflektors
JP2015023244A (ja) * 2013-07-23 2015-02-02 富士フイルム株式会社 Ｌｅｄ発光素子用反射基板、ｌｅｄ発光素子用配線基板およびｌｅｄパッケージならびにｌｅｄ発光素子用反射基板の製造方法
JP2015088541A (ja) * 2013-10-29 2015-05-07 凸版印刷株式会社 発光素子リードフレーム基板
CN104838508A (zh) * 2012-12-10 2015-08-12 勒克斯维科技公司 发光器件反射隔堤结构

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4918497A (en) 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5027168A (en) 1988-12-14 1991-06-25 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US4966862A (en) 1989-08-28 1990-10-30 Cree Research, Inc. Method of production of light emitting diodes
US5210051A (en) 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
US5359345A (en) 1992-08-05 1994-10-25 Cree Research, Inc. Shuttered and cycled light emitting diode display and method of producing the same
US5416342A (en) 1993-06-23 1995-05-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
US5338944A (en) 1993-09-22 1994-08-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with degenerate junction structure
US5393993A (en) 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
US5604135A (en) 1994-08-12 1997-02-18 Cree Research, Inc. Method of forming green light emitting diode in silicon carbide
US5523589A (en) 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
US5631190A (en) 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
US5739554A (en) 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
US6600175B1 (en) 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US6201262B1 (en) 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
US6958497B2 (en) 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
CN1682384B (zh) 2002-09-19 2010-06-09 克里公司 包括锥形侧壁的涂有磷光体的发光二极管及其制造方法
US7095056B2 (en) 2003-12-10 2006-08-22 Sensor Electronic Technology, Inc. White light emitting device and method
US7456499B2 (en) 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7564180B2 (en) 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US20060221272A1 (en) 2005-04-04 2006-10-05 Negley Gerald H Light emitting diode backlighting systems and methods that use more colors than display picture elements
US8563339B2 (en) 2005-08-25 2013-10-22 Cree, Inc. System for and method for closed loop electrophoretic deposition of phosphor materials on semiconductor devices
EP1942746B1 (en) 2005-11-04 2017-01-25 Wm. Wrigley Jr. Company Apparatus for producing a center-filled confectionery and method
US7213940B1 (en) 2005-12-21 2007-05-08 Led Lighting Fixtures, Inc. Lighting device and lighting method
WO2007075742A2 (en) 2005-12-21 2007-07-05 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
EP2002488A4 (en) 2006-01-20 2012-05-30 Cree Inc DISTRIBUTION OF SPECTRAL CONTENT IN SOLID PHYSICIANS BY SPATIAL SEPARATION OF LUMIPHORIDE FILMS
US7655957B2 (en) 2006-04-27 2010-02-02 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting device packages and semiconductor light emitting device packages including the same
US8044418B2 (en) 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
US7960819B2 (en) 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
US8425271B2 (en) 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US7952544B2 (en) 2007-02-15 2011-05-31 Cree, Inc. Partially filterless liquid crystal display devices and methods of operating the same
US7999283B2 (en) 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
US7802901B2 (en) 2007-09-25 2010-09-28 Cree, Inc. LED multi-chip lighting units and related methods
WO2009049019A1 (en) 2007-10-10 2009-04-16 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of making
TWI397193B (zh) * 2007-11-05 2013-05-21 Univ Nat Chunghsing Light emitting diode chip element with heat dissipation substrate and method for making the same
US9461201B2 (en) 2007-11-14 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitting diode dielectric mirror
US8866410B2 (en) 2007-11-28 2014-10-21 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods of manufacturing the same
US20120261254A1 (en) * 2011-04-15 2012-10-18 Reid Jonathan D Method and apparatus for filling interconnect structures
JP2010199547A (ja) * 2009-01-30 2010-09-09 Nichia Corp 発光装置及びその製造方法
US9713211B2 (en) 2009-09-24 2017-07-18 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with controllable bypass circuits and methods of operation thereof
US8410679B2 (en) 2010-09-21 2013-04-02 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with densely packed phosphor layer at light emitting surface
US20150257211A1 (en) 2014-03-05 2015-09-10 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses and related methods
US8729589B2 (en) 2011-02-16 2014-05-20 Cree, Inc. High voltage array light emitting diode (LED) devices and fixtures
US8497143B2 (en) * 2011-06-21 2013-07-30 Cofan Usa, Inc. Reflective pockets in LED mounting
US9277605B2 (en) 2011-09-16 2016-03-01 Cree, Inc. Solid-state lighting apparatus and methods using current diversion controlled by lighting device bias states
US9131561B2 (en) 2011-09-16 2015-09-08 Cree, Inc. Solid-state lighting apparatus and methods using energy storage
JP2013038187A (ja) 2011-08-05 2013-02-21 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
DE202011050976U1 (de) 2011-08-12 2012-11-15 Alanod Aluminium-Veredlung Gmbh & Co. Kg Hochreflektierendes Trägermaterial für lichtemittierende Dioden und lichtemittierende Vorrichtung mit einem derartigen Trägermaterial
US9099626B2 (en) * 2012-04-02 2015-08-04 Jds Uniphase Corporation Broadband dielectric reflectors for LED
CN104813493A (zh) 2012-11-27 2015-07-29 西铁城电子株式会社 安装基板及使用该安装基板的发光装置
US8970131B2 (en) 2013-02-15 2015-03-03 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses and related methods
US9414454B2 (en) 2013-02-15 2016-08-09 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses and related methods
US9865783B2 (en) * 2013-09-09 2018-01-09 Luminus, Inc. Distributed Bragg reflector on an aluminum package for an LED
DE102013222200A1 (de) * 2013-10-31 2015-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements
WO2015182143A1 (ja) * 2014-05-30 2015-12-03 東レ・ダウコーニング株式会社 有機ケイ素化合物、硬化性シリコーン組成物、および半導体装置
DE102014213549A1 (de) * 2014-07-11 2016-01-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Hinterleuchtungseinrichtung
JP6381327B2 (ja) 2014-07-17 2018-08-29 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置およびその製造方法
US20160020370A1 (en) * 2014-07-21 2016-01-21 GE Lighting Solutions, LLC Thin film with multilayer dielectric coatings for light emitting diode (led) lead frame and chip-on-board (cob) substrate reflector
JP6481458B2 (ja) 2015-03-27 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
WO2016161161A1 (en) 2015-03-31 2016-10-06 Cree, Inc. Light emitting diodes and methods with encapsulation
JP5961740B1 (ja) 2015-04-09 2016-08-02 エルシード株式会社 光学装置及び発光素子
US10073293B2 (en) * 2016-04-12 2018-09-11 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Optical microcavity for a high-contrast display
US10439114B2 (en) 2017-03-08 2019-10-08 Cree, Inc. Substrates for light emitting diodes and related methods

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009076803A (ja) * 2007-09-25 2009-04-09 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光モジュール及び発光装置
CN102280559A (zh) * 2010-05-14 2011-12-14 旭硝子株式会社 发光元件搭载用基板及发光装置
CN102738349A (zh) * 2011-12-09 2012-10-17 安徽莱德光电技术有限公司 一种封装基板
EP2648237A2 (en) * 2012-04-02 2013-10-09 JDS Uniphase Corporation Broadband dielectric reflectors for LED
CN103367617A (zh) * 2012-04-02 2013-10-23 Jds尤尼弗思公司 用于led的宽带电介质反射器
CN104838508A (zh) * 2012-12-10 2015-08-12 勒克斯维科技公司 发光器件反射隔堤结构
DE102013202034A1 (de) * 2013-02-07 2014-08-07 Osram Gmbh Optoelektronische Bauelementevorrichtung, Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung; geometrisch flexible Reflektorpaste; Verfahren zum Herstellen eines geometrisch flexiblen Reflektors
JP2015023244A (ja) * 2013-07-23 2015-02-02 富士フイルム株式会社 Ｌｅｄ発光素子用反射基板、ｌｅｄ発光素子用配線基板およびｌｅｄパッケージならびにｌｅｄ発光素子用反射基板の製造方法
JP2015088541A (ja) * 2013-10-29 2015-05-07 凸版印刷株式会社 発光素子リードフレーム基板

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