JP7475735B2 - ダイパッケージの接合及び移載方法 - Google Patents

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Description

本発明は、垂直型発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイの接合及び移載方法に関し、特に、ダイパッケージ構造に対し直接マストランスファープロセスを実施する方法及びそのステップに関する。
発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、半導体技術により製造される光源であり、ＩＩＩ－Ｖ族化合物の半導体により形成され、ＬＥＤの発光原理は半導体中の電子と正孔が結合して光子を発するものでる。数千度の高温で動作する従来の電球とは異なり、蛍光灯のように高電圧の電子線励起を必要とすることはないが、ＬＥＤは一般的な電子素子と同様、電圧が２Ｖから４Ｖあれば一般的な温度で正常な動作が可能であるため、従来の白熱電球と比べ、長寿命、省エネ、低故障率、光線の高い安定性、高発光効率及びあらゆる照明器具との互換性が高いといった利点を有する。このため、従来の光源よりも発光寿命が長く、現在の市場における主流商品となっている。
一般的に、ＬＥＤのダイ構造は水平型（Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）構造と垂直型（Ｖｅｒｔｉｃａｌ）構造の二種類に別けられ、全体的に見て、垂直型ＬＥＤは水平型ＬＥＤに比べ、構造強度、光電子パラメーター、熱特性、光減衰およびコスト等の面で信頼性が高いため、業界で幅広く使用されている。
近年、技術の進歩に伴い、このような垂直型ＬＥＤダイは徐々に、様々な電子デバイスやその基板に大量移載（マストランスファー）されるようになっている。これまでに開示された既存技術の中には、ダイを基板上に移載する方法がいくつかあり、そこには表面実装技術（ＳＭＴ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、ウェハー間移載（ｗａｆｅｒ－ｔｏ－ｗａｆｅｒ ｔｒａｎｓｆｅｒ）技術及び静電移載(ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｔｒａｎｓｆｅｒ)技術等が含まれる。表面実装技術は、まずダイを表面実装型デバイス（ＳＭＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｄｅｖｉｃｅ）部品として１つずつパッケージングした後、表面実装機（ＳＭＴ）を用いて吸着ノズルでＳＭＤ部品を回路基板上に１つずつ載置し、リフローにより基板に固定する技術である。しかし、表面実装技術を用いると一度に１つのダイしか移載できないため、大量移載が必要な場合、応用が限定的で使用するには不十分という問題が生じることがよくある。
ウェハー間移載技術は、ダイの一次基板とターゲット基板を貼合した後、一次基板を剥離してダイをターゲット基板上に移載する技術であるが、このような方式は一次基板とターゲット基板のサイズに対する要求が厳格であると同時に、基板上のダイの設置間隔も一致しなければならず、これらの要件と制限のために、その応用は非常に限定されるため、実際の応用ニーズに合わない。また、静電移載技術は、静電気によってダイをピックアップし、移動し、ターゲット基板上に載置する技術であるが、この静電移載方式を用いると、ダイの構造にダメージを与えやすく、また、移載を行う際に使用する「ハードウェア」間の接触により基板にダメージを与えやすい上、電極の大きさにより制限されてしまう。
さらに、ダイをターゲット基板上に移載するとき、たとえ熟練者による操作制御や精密な移載技術によるものであっても、ダイまたはそのダイパッケージの完全に正確な位置決め（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）を行うのは難しい。このような状況において、ダイの位置決めが不正確だと、後続のダイ固定作業が困難かつ複雑になり、やり直し作業のコストや時間が増える可能性がある。
このことから、上述の多くの問題点を考慮すると、多方面から検討しなければならず、この分野の専門家は、ＬＥＤダイのマストランスファーを行う際の効率を最適化するために、上述の先行技術の問題点を解決する新しく革新的な方法を開発することが真に必要とされる。
したがって、本発明の発明者は、上述の問題点が改善できることを認識し、この分野に従事してきた長年の経験に基づいて、注意深く観察し、研究し、理論を用いて、上述の問題点を改善するのに有効な新しい設計の本発明を提案することとなった。ここでは、この革新的なダイの接合及び移載方法により、ダイパッケージのマストランスファーが効果的に行われるような最適化を実現できる、垂直型ＬＥＤダイの接合及び移載方法を開示する。具体的な構造及び実施形態は以下に詳述する。
上述の問題点を解決するため、本発明の目的は、革新的なダイパッケージの接合及び移載方法を提供することにあり、このような接合及び移載方法は、垂直型ＬＥＤダイの移載（ｔｒａｎｓｆｅｒ）プロセスに適用でき、さらにはマストランスファーにも広く適用できるため、関連産業の迅速かつ大量な移載を行うという技術的ニーズが満たされる。
本発明のプロセスステップは、垂直型ＬＥＤダイのマストランスファープロセスに応用できるだけでなく、その他の様々なダイのマストランスファープロセスにも応用できる。しかし、本発明の応用はこれらに限定されない。一旦本願の開示内容が知得されれば、その他の代替例も変更例も、当業者にとっては明らかなものとして、いずれも本発明の発明範囲に含まれる。本発明の技術案を用いることにより、ダイパッケージのマストランスファープロセスの工程及びコストを効果的に削減でき、また、ＬＥＤダイのパッケージ構造を最適化し、その構造がダメージを受けたり製造過程で損傷したりする事態を回避することも可能となる。
本発明のもう一つの目的は、垂直型ＬＥＤダイパッケージに適した製造方法提供することにあり、この製造方法の主な設計目的は、ダイパッケージ自体に直接位置合わせし、溶接を行うとともに、ダイパッケージをターゲット基板上に直接移載できるようにすることにある。本発明に基づけばパッケージ構造に対して直接作業できるため、接合後に続くＬＥＤダイのマストランスファープロセスにおいて、従来のフリップチップ接合のプロセスやステップを行う際に必要とされる余分な位置合わせやワイヤーボンディングなどの作業ステップが不要になり、さらに煩雑で無駄な作業時間や作業労力等のコストを節約し、迅速なマストランスファーの実施という産業のニーズに対応することができる。
本発明の実施形態に基づき、本出願人が開示するこのダイパッケージの接合及び移載方法は主に次のステップを含む。まず、ダイパッケージを提供し、その上面に位置決め用接着剤を設ける。また、前記位置決め用接着剤に対応する少なくとも１つのキャビティが形成され、前記キャビティと前記位置決め用接着剤との固定時に振動する振動ベースを提供し、このキャビティには前記位置決め用接着剤を収容できる。その後、前記振動ベースに前記ダイパッケージをスプレーして前記振動ベースを振動させると、前記ダイパッケージは、前記位置決め用接着剤とキャビティの位置が合わさることにより前記振動ベース中に位置が固定されて収容される。また、本発明は、複数のドリル孔を有するターゲット基板を提供し、前記複数のドリル孔には第１金属材料を充填して、前記複数のドリル孔の上表面には第２金属材料を塗布する。その後、前記第２金属材料を介して前記ターゲット基板と前記ダイパッケージを備える前記振動ベースを接合する。そして、レーザープロセスを実行し、前記レーザープロセスにより前記第２金属材料を溶融させ、前記ターゲット基板と前記ダイパッケージの溶接を完了する。最後に、前記振動ベースを除去するとともに、接着剤除去プロセスにより前記位置決め用接着剤を除去し、前記ダイパッケージの前記ターゲット基板上への接合及び移載を完了する。
本発明の実施形態において、本発明で採用される位置決め用接着剤の好ましい材質としてＵＶ硬化型ハイドロゲルを用いることができる。このような条件であれば、本発明で採用される接着剤除去プロセスには脱イオン水を使用するだけで、前記ＵＶ硬化型ハイドロゲルを加水分解により除去することができる。一実施形態において、接着剤除去プロセスの実行に要する時間は２０分から４０分の間であり、同プロセスが実行される温度は摂氏６０度から摂氏９０度の間である。
一方、本発明で使用されるターゲット基板の好ましい材質にはガラス基板を用いることができ、ドリル孔の孔径は少なくとも６０マイクロメートルである。前記第１金属材料（例えば銅）は、スクリーン印刷プロセス又は電気めっきプロセスによりドリル孔内に充填される。前記第２金属材料は例えば錫であってよく、スクリーン印刷プロセス又はインクジェット印刷プロセスにより前記ドリル孔の上表面に塗布される。このような条件であれば、本発明で実行されるレーザープロセスの温度は少なくとも摂氏２４０度から摂氏２６５度前後に達する必要があり、前記レーザープロセスは、照射時間を例えば、０．３秒から３秒の間で実施し、これにより前記錫（第２金属材料）を溶融させ、ターゲット基板とダイパッケージの溶接を完了する。
さらに、ダイパッケージ上の位置決め用接着剤と振動ベースのキャビティの位置がより正確に合わさるようにするため、本発明の好ましい実施形態においては、任意で、位置決め用接着剤の外層を磁性材料で覆うこともできる。また、前記位置決め用接着剤に対応するキャビティの設計は磁性を有するくぼんだ磁性キャビティであり、振動ベース中にこのような磁性を有するくぼんだキャビティを設けると、位置決め用接着剤の外層に用いられる磁性材料と振動ベース中の磁性を有するキャビティの間の配置関係により、本発明では、前記磁性材料と前記磁性キャビティの間の磁性による吸引力で正確な位置合わせが可能となる。詳しくは、この好ましい実施形態において、磁性材料の材質には磁粉樹脂を選んで採用することができる。
したがって、本発明の製造工程ステップ及び移載方法によれば、前述の振動ベースに複数のキャビティを有するように設計されている場合、キャビティを有する振動ベースにより、一度に大量のダイパッケージを基板上に接合して移載することがスムーズに行える。このことから分かるように、本発明の技術案は、今日の産業のマストランスファーを迅速かつ効率的に行う技術のニーズをうまく満たすことができると同時に、垂直型ＬＥＤダイパッケージの構造歩留まりを最適化することもできる。
また、本発明のマストランスファー方法を垂直型ＬＥＤダイパッケージの移載に応用する場合、この垂直型ＬＥＤダイのパッケージ構造は例えば、赤色、青色及び緑色から選ばれたＬＥＤダイで構成される集合体であるが、本発明はこの波長域（赤色、青色、緑色）のＬＥＤダイに限定されない。その他の実施形態において、このような垂直型ＬＥＤダイも設定する波長域や周波数を変えることにより、その他の色又は白色光（可視光）のＬＥＤダイを作製し、本発明の技術案を広く応用することができる。
このことから、当業者がここに開示される本発明の技術案を理解し、本発明のダイパッケージの接合及び移載方法を応用すると、先行技術に残存する問題点や欠点をうまく解消できることは明らかである。したがって、本発明は、既存のマストランスファープロセスにおける過剰なコストとプロセスステップを効果的に削減できるため、既存技術と比較して高い競争力を有するだけでなく、関連産業で有効に幅広く利用できることは確かである。また、本発明はマストランスファー技術という現在の産業トレンドのニーズを満たすこともでき、その製造工程の歩留まりを最適化することもできるので、産業応用性と本分野における技術競争力を備えていることが十分に分かる。
本発明の構造的特徴および達成される効果のさらなる理解と認識のため、添付の図面と合わせて好ましい実施形態について以下に詳細に説明する。
本発明の一実施形態におけるダイパッケージの接合及び移載方法のステップを示すフローチャートである。 本発明の一実施形態におけるダイパッケージの構造を示す図である。 図２のダイパッケージ上に位置決め用接着剤を設けた状態を示す図である。 本発明の一実施形態におけるキャビティを有する振動ベースの構造断面図である。 本発明の実施形態においてダイパッケージが位置を合わせられて振動ベースへ収容された状態を示す図である。 本発明の一実施形態において、使用されるターゲット基板の構造断面図である。 本発明の実施形態においてターゲット基板とダイパッケージを備える振動ベースが第２金属材料を介して接合された状態を示す図である。 本発明の実施形態において、レーザープロセスにより第２金属材料を溶融させ、ターゲット基板とダイパッケージを溶接した状態を示す図である。 本発明の実施形態において、振動ベースを除去するとともに、接着剤除去プロセスによって位置決め用接着剤を除去し、ダイパッケージのターゲット基板への接合及び移載が完了した状態を示す図である。 本発明の別の実施形態において、ダイパッケージのマストランスファーを実行する時、複数のパッケージ位置合わせ点及び複数のキャビティを有する振動ベースを使用した構造を示す図である。 本発明の一実施形態において、ロールを使用することにより複数のダイパッケージの輝度が均一になった状態を示す図である。
本発明の実施形態について、関連する図を合わせて以下にさらなる説明を加える。図面及び明細書においては、可能な限り、同じ符号で同一又は同様の構成要素を示す。図面においては、簡潔性及び利便性のため、形状及び厚さが拡大表示されることがある。特に図中で表示されていない、或いは明細書に記載されていない構成要素は、当業者が知る形態であると解釈できる。当業者は本発明の内容に基づいて様々な変更や修正を行うことができる。
図１に示すのは、本発明の実施形態におけるダイパッケージの接合及び移載方法のステップを示すフローチャートである。本発明の方法は、次のステップを含む。ステップＳ１０２では、まず、ダイパッケージを提供し、その上面に位置決め用接着剤を設ける。次に、ステップＳ１０４では、前記位置決め用接着剤に対応する少なくとも１つのキャビティが形成された振動ベースを提供し、このキャビティを介して前記位置決め用接着剤は収容される。ステップＳ１０６では、前記ダイパッケージをスプレーして前記振動ベースを振動させると、前記ダイパッケージは、前記位置決め用接着剤と前記キャビティの位置が合わさることにより前記振動ベース中に位置が固定されて収容される。ステップＳ１０８では、複数のドリル孔を有するターゲット基板を提供し、前記複数のドリル孔には第１金属材料を充填して、前記複数のドリル孔の上表面の位置には第２金属材料を塗布する。ステップＳ１１０では、前記第２金属材料を介して前記ターゲット基板とダイパッケージを備える前記振動ベースを接合する。その後、ステップＳ１１２では、レーザープロセスを実行し、前記レーザープロセスにより前述の第２金属材料を溶融させ、前記ターゲット基板と前記ダイパッケージの溶接を完了する。最後に、ステップＳ１１４では、前記振動ベースを除去するとともに、接着剤除去プロセスにより前記位置決め用接着剤を除去し、前記ダイパッケージの前記ターゲット基板上への接合及び移載を完了する。
本発明の方法のさらなる理解のため、以下に詳細な説明を行う。図２から図１０に示す本発明の構造及び構成要素の符号を参照されたい。
まず、図２は本発明の一実施形態におけるダイパッケージの構造を示す図である。本発明の実施形態によれば、図に示すように、ダイパッケージ２００は、例えば、垂直型ＬＥＤダイのパッケージ構造であり、この垂直型ＬＥＤダイのパッケージ構造は赤色、青色及び緑色から選ばれたＬＥＤダイで構成される集合体であってよい。図に示すように、ここでは１つの赤色ＬＥＤダイ２２Ｒ、１つの緑色ＬＥＤダイ２２Ｇ及び１つの青色ＬＥＤダイ２２Ｂが含まれる。この赤色ＬＥＤダイ２２Ｒ、緑色ＬＥＤダイ２２Ｇ及び青色ＬＥＤダイ２２Ｂは、それぞれがボンディングワイヤー１２を介して上部電極２４に接続され、キャリア２０にはこの赤色ＬＥＤダイ２２Ｒ、緑色ＬＥＤダイ２２Ｇ、青色ＬＥＤダイ２２Ｂ及び上部電極２４が載置されるとともに、封止剤２６でその上が覆われることにより、前述のダイパッケージ２００の構造が形成される。一実施形態において、キャリア２０の材質は、例えば、一般的に使用される樹脂製であってよく、封止剤２６の材質は、例えば、シリコン又はエポキシ樹脂であってもよい。特に、本発明の垂直型ＬＥＤダイは赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）又は緑色（Ｒ）からなるものに限定されないことに留意されたい。本発明を応用したその他の実施形態において、非純色のＬＥＤダイを含むこともでき、赤色、青色、緑色のＬＥＤダイの数量又はそれらの配置（例えば本実施形態ではＬ字型を呈し、その他の実施形態では直線を呈してもよい）もここに示す例に限定されない。本発明は、前述のダイパッケージ２００のパッケージ構造をそのままマストランスファーすることを可能にし、１粒ずつ又は１回ずつ移載する必要がなくなること、すなわち、本発明の技術案によりマストランスファーの最適化を実現することを意図している。このため、本発明は前述のダイパッケージ２００の内部構造又は構成部材によって限定されるものではない。
次に、ポイントテストによりダイパッケージ２００が正常に機能することを確認した後、図１のステップＳ１０２に示すように、本発明はこのダイパッケージ２００上に位置決め用接着剤を設ける。この位置決め用接着剤を設ける位置は図３を参照できる。当業者は実際のニーズや設計規準に応じて、例えば、この位置決め用接着剤３３をダイパッケージ２００の角部、その他識別可能な位置又は非対称の位置上（例えば中心点を避けた他の位置）に形成することができる。
さらに、図１のステップＳ１０４に示すように、振動ベースを提供する。本発明の一実施形態における振動ベース４００の構造断面図である図４を参照すると、振動ベース４００には、前述の位置決め用接着剤３３に対応する少なくとも１つのキャビティ４４が形成される。このキャビティ４４の外観、寸法、大きさ、形状等のパラメーターは前述の位置決め用接着剤３３に対応するように設計され、このキャビティ４４の用途は前述の位置決め用接着剤３３を収容することである。
次に、図１のステップＳ１０６に示すように、ダイパッケージ２００をスプレーして前述の振動ベース４００を振動させると、ダイパッケージ２００は、その上の位置決め用接着剤３３とキャビティ４４の位置が合わさることにより、図５に示すように、振動ベース４００中に位置が固定されて収容される。この図では、キャビティ４４を塗りつぶすことにより、位置決め用接着剤３３がキャビティ４４内に充填されて位置が合わさったことを示している。
同時に、本発明の一実施形態において使用されるターゲット基板の構造断面図である図６を合わせて参照されたい。図に示すように、ターゲット基板６００中には複数のドリル孔が形成され、複数のドリル孔には第１金属材料６０１を充填し、かつ複数のドリル孔の上表面には第２金属材料６０２を塗布する。本発明の実施形態によれば、前述の第１金属材料６０１の材質は例えば銅であってよく、かつ、スクリーン印刷プロセス又は電気めっきプロセスにより前述の金属材料の銅を複数のドリル孔に充填できる。次に、スクリーン印刷プロセス又はインクジェット印刷プロセスにより、第２金属材料６０２を複数のドリル孔の上表面に塗布できる。この第２金属材料６０２の材質は例えば錫である。一般的には、ターゲット基板６００の材質はガラス基板であり、そこに設けられるドリル孔の孔径は少なくとも６０マイクロメートルである。ただし、これらのパラメーターは、本発明の実施形態の一つに過ぎず、当該技術分野において通常の知識を有する者が、その製品または構成要素のニーズに合わせて変化または修正することが当然可能であり、本発明は、これらの例に上げられたパラメーターによって限定されるものではない。
したがって、ステップＳ１０８では前述のターゲット基板６００を提供し、ステップＳ１１０では、第２金属材料６０２を介してターゲット基板６００を、ダイパッケージ２００を備える振動ベース４００と接合させる。この接合が終わった後の状態は図７を参照されたい。
次に、図８に示すように、レーザープロセスＬＳを実行し、レーザープロセスＬＳにより前述の第２金属材料６０２を溶融させた後、ターゲット基板６００とダイパッケージ２００の溶接を完了する（ステップＳ１１２）。本発明の一実施形態によれば、実行されるレーザープロセスＬＳは加熱すると瞬間的に高温に達することができるプロセスであり、通常は、本分野の通常知識及び経験によれば、錫のはんだ材（第２金属材料６０２）が溶融する温度は摂氏２４０度から摂氏２６５度の間である。ここで、レーザープロセスＬＳのレーザー照射時間は、例えば、０．３秒から３秒の間で実施され、その目的は前述の錫のはんだ材（第２金属材料６０２）を溶融させて、ターゲット基板６００とダイパッケージ２００の溶接を完了させることである。
ターゲット基板６００とダイパッケージ２００の接合溶接が終わると、図１のステップＳ１１４に示すように、前述の振動ベース４００を除去するとともに、接着剤除去プロセスにより前述のダイパッケージ２００上の位置決め用接着剤３３を除去し、ダイパッケージ２００のターゲット基板６００上への接合及び移載のプロセスを完了できる。接合及び移載が完了した状態は、図９に示す。
ここに開示された本発明の技術案において、前述の「接着剤除去プロセス」は主に、使用される位置決め用接着剤３３によって決定される。本発明の好ましい一実施形態によれば、位置決め用接着剤３３は、好ましくは、ＵＶ硬化型ハイドロゲルであってよい。このようなＵＶ硬化型ハイドロゲルをダイパッケージ２００上の位置固定接着剤として使用する場合、「接着剤除去プロセス」は比較的簡単になる。例えば、当業者は、脱イオン水を使用することで、ＵＶ硬化型ハイドロゲルを加水分解により除去することが可能である。接着剤除去プロセスに要する時間は２０分から４０分の間であり、実行される温度は摂氏６０度から摂氏９０度の間である。その結果、本発明は、位置決め用接着剤除去の際に、追加の溶剤や特殊な接着剤除去設備を使用する必要がなく、これらの化学溶剤が基板やダイパッケージ自体の構造に与えるダメージを低減できると同時に、追加の接着剤除去設備のコストや複雑なプロセスを省くことも可能になる。したがって、本発明はより簡易で、ターゲット基板やダイパッケージを傷つけることなく、前述の位置固定接着剤を容易に除去することができ、このことは本発明の重要な効果の一つである。
本発明の実施形態のステップＳ１０２からステップＳ１０６では、ダイパッケージ２００が振動ベース４００にスムーズに位置を合わせられて収容されるように、位置決め用接着剤３３と振動ベース４００のキャビティ４４を利用して位置合わせをしたとき、位置決め用接着剤３３の外層をさらに磁性材料で覆うことが可能である。また、位置決め用接着剤３３に対応するキャビティ４４は、磁性を有するくぼんだ磁性キャビティとなるように設計されており、本発明の実施形態によれば、実用上、振動ベース４００中にこのような磁性を有するくぼんだキャビティを設け、位置決め用接着剤３３の外層に用いられる磁性材料と振動ベース４００中の磁性を有するキャビティの間には対応関係があるため、本発明はさらに、このような２カ所の磁性材料間の吸引関係により磁性材料と振動ベース４００中の磁性キャビティ（磁性を有するくぼんだキャビティ）を吸着させてダイパッケージ２００の位置を合わせることができる。振動ベース４００中にこの磁性キャビティ（磁性を有するくぼんだキャビティ）を形成する場合に用いられる鋳型は、１回の成型工程ではなく、まず鋳型の底部を作製した後、磁性体又は磁性材料でその鋳型内部を覆い、さらに上下の鋳型の接合を行うという２段階の工程で作製され、この技術的手段により、振動ベース４００中における磁性キャビティ（磁性を有するくぼんだキャビティ）の形成を実現することができる。
一実施形態において、前述のダイパッケージ２００の位置決め用接着剤３３外層の磁性材料は、好ましくは磁粉樹脂であってもよい。このような磁粉樹脂材料は、その後の接着剤除去プロセスでも、位置決め用接着剤３３とともに容易に除去することができ、ダイパッケージ表面の構造を破損することがない。したがって、本発明によれば、振動ベース４００中に磁性を有するくぼんだキャビティが配置され、振動ベース４００中のこのような磁性を有するキャビティが磁粉樹脂を有する位置決め用接着剤を吸着するため、この振動ベース４００においてダイパッケージを円滑に位置合わせすることが可能となる。
本発明のダイパッケージの接合及び移載方法は、ダイパッケージ２００のマストランスファーに大規模で応用することができ、この場合、移載される複数のダイパッケージ２００を収容するために、振動ベースには前述したキャビティが複数配置されてよい。例えば、図１０を参照すると、この実施形態では、振動ベース４００には複数のパッケージ位置合わせ点４２２を設け、各パッケージ位置合わせ点４２２は、ダイパッケージ２００の位置合わせ及び収容に用いられる。このため、各パッケージ位置合わせ点４２２にはキャビティ４４が配置され、このキャビティ４４を利用してダイパッケージ２００の位置決め用接着剤を収容する。位置決め用接着剤とキャビティ４４の位置合わせと、先に開示した本発明の方法を応用すれば、キャビティ４４を有する振動ベース４００により複数のダイパッケージをターゲット基板上に接合してマストランスファーが完了するため、マストランスファーに対する業界のニーズを満たすことができる。
ここで、ダイパッケージ（例えば垂直型ＬＥＤダイパッケージ）の輝度の均一化を図るために、図１１に示すように、移載が待たれるこれらのダイパッケージ２００を、まずロール１１１の中に入れて回転させ、これにより、これらのダイパッケージ２００は均一になり、その後、振動ベース４００にスプレーして位置合わせを完了することも可能である。
したがって、本出願人が提供した技術案に鑑みると、明らかなのは、本明細書はダイパッケージに適した接合及び移載方法を開示することを目的とし、先行技術は、ダイ又はウェハーそのものしか移載できず、移載後に個々のダイ又はウェハーのパッケージングやワイヤーボンディングを行わなければならないのに対し、本発明の方法によれば、ダイパッケージをそのまま移載することができるということである。本発明は、これらの技術的問題点を改善し、ダイパッケージ全体を直接移載することを可能にし、元の製造プロセスにかかるコスト及び手順や製造プロセスの複雑さを大幅に低減することができる。
また、本発明のダイパッケージの接合及び移載方法によれば、さらに、１回で大量のダイパッケージをスプレーして移載することにより、高速かつ大量に移載する効果を達成でき、今日のＬＥＤダイを高速で大量に移載する技術のニーズに対応するのに有効なだけでなく、産業の生産競争力を効果的に高めることも可能となる。その場合、本発明は、既存技術の残された問題点を改善するのに有効なだけでなく、同時にダイサイズが縮小される中でパッケージングとマストランスファーのニーズを満たし、さらに垂直型ＬＥＤダイのパッケージングの歩留まりを最適化できるので、本発明は極めて顕著な効果を達成するものであるといえる。
このような観点から、本出願人が開示する垂直型ＬＥＤダイパッケージに適した接合及び移載方法は、既存のパッケージングプロセス、実装プロセス、マストランスファープロセスを向上させるのに有用である。先行技術と比較すると、本発明の実施形態およびそのプロセスステップは、既存技術に残存する多くの問題点を解決するのに有効であり、優れたプロセスパフォーマンスを提供することは明らかである。さらに、ここに開示された本発明の技術案は、一般的なＬＥＤダイのみならず、半導体産業、集積回路産業、あるいはパワーエレクトロニクス等における広範な電子回路部品に応用することができる。本出願人がここで特許請求する技術案は、産業上の利用可能性や競争力に優れていることは明らかである。また、本発明の技術的特徴、方法手段及び達成される効果は、現行の技術とは著しく異なり、当業者が容易に完成できるものではないため、特許要件を満たすはずである。
上述の実施形態は本発明の技術的思想及び特徴の説明に過ぎず、その目的は、この技術分野を熟知する者が本発明の内容を理解して実施できるようにすることであり、本発明の特許範囲を限定するものではない。したがって、本発明の精神に基づいて加えた均等な変更や修飾は全て、本発明の特許保護範囲内に含まれる。
１２ ボンディングワイヤー
２０ キャリア
２２Ｒ 赤色ＬＥＤダイ
２２Ｂ 青色ＬＥＤダイ
２２Ｇ 緑色ＬＥＤダイ
２４ 上部電極
２６ 封止剤
３３ 位置決め用接着剤
４４ キャビティ
１１１ ロール
２００ ダイパッケージ
４００ 振動ベース
４２２ パッケージ位置合わせ点
６００ ターゲット基板
６０１ 第１金属材料
６０２ 第２金属材料
ＬＳ レーザープロセス
Ｓ１０２、Ｓ１０４、Ｓ１０６、Ｓ１０８、Ｓ１１０、Ｓ１１２、Ｓ１１４ ステップ

Claims (15)

  1. ダイパッケージを提供し、前記ダイパッケージの上面に位置決め用接着剤を設けることと、
    前記位置決め用接着剤に対応する少なくとも１つのキャビティが形成され、前記キャビティと前記位置決め用接着剤との固定時に振動する振動ベースを提供し、前記キャビティには前記位置決め用接着剤を収容することと、
    前記振動ベースに前記ダイパッケージをスプレーして前記振動ベースを振動させると、前記ダイパッケージは、前記位置決め用接着剤と前記キャビティの位置が合わさることにより前記振動ベース中に位置が固定されて収容されることと、
    複数のドリル孔を有するターゲット基板を提供し、前記複数のドリル孔には第１金属材料を充填して、前記複数のドリル孔の上表面の位置には第２金属材料を塗布することと、
    前記第２金属材料を介して前記ターゲット基板と前記ダイパッケージを備える前記振動ベースを接合することと、
    レーザープロセスを実行し、前記レーザープロセスにより前記第２金属材料を溶融させ、前記ターゲット基板と前記ダイパッケージの溶接を完了することと、
    前記振動ベースを除去するとともに、接着剤除去プロセスにより前記位置決め用接着剤を除去し、前記ダイパッケージの前記ターゲット基板への接合及び移載を完了することと、
    を含む、ダイパッケージの接合及び移載方法。
  2. 前記位置決め用接着剤の材質はＵＶ硬化型ハイドロゲルである、請求項１に記載のダイパッケージの接合及び移載方法。
  3. 前記接着剤除去プロセスは、脱イオン水を使用して前記ＵＶ硬化型ハイドロゲルを加水分解により除去することである、請求項２に記載のダイパッケージの接合及び移載方法。
  4. 前記接着剤除去プロセスに要する時間は２０分から４０分の間である、請求項３に記載のダイパッケージの接合及び移載方法。
  5. 前記接着剤除去プロセスが実行される温度は摂氏６０度から摂氏９０度の間である、請求項３に記載のダイパッケージの接合及び移載方法。
  6. 前記第１金属材料は銅であり、前記第１金属材料はスクリーン印刷プロセス又は電気めっきプロセスにより前記複数のドリル孔に充填される、請求項１に記載のダイパッケージの接合及び移載方法。
  7. 前記第２金属材料は錫であり、前記第２金属材料はスクリーン印刷プロセス又はインクジェット印刷プロセスにより前記複数のドリル孔の上表面に塗布される、請求項１に記載のダイパッケージの接合及び移載方法。
  8. 前記ターゲット基板の材質はガラス基板である、請求項１に記載のダイパッケージの接合及び移載方法。
  9. 前記複数のドリル孔の孔径は少なくとも６０マイクロメートルである、請求項１に記載のダイパッケージの接合及び移載方法。
  10. 前記位置決め用接着剤を設けるステップにおいて、前記位置決め用接着剤の外層は磁性材料で覆われると同時に、前記位置決め用接着剤に対応する前記キャビティは磁性を有する磁性キャビティであり、前記磁性材料と前記磁性キャビティは磁性による吸引力で位置が合わせされることをさらに含む、請求項１に記載のダイパッケージの接合及び移載方法。
  11. 前記ダイパッケージの前記位置決め用接着剤の外層を覆う前記磁性材料の材質は磁粉樹脂である、請求項１０に記載のダイパッケージの接合及び移載方法。
  12. 前記振動ベースには複数の前記キャビティを設け、前記振動ベースは複数の前記キャビティを有し、前記振動ベースにより複数の前記ダイパッケージを前記ターゲット基板上へ接合してマストランスファーを完了する、請求項１に記載のダイパッケージの接合及び移載方法。
  13. 複数の前記ダイパッケージをスプレーするステップにおいて、複数の前記ダイパッケージをロールの中に入れて回転させることにより、前記複数のダイパッケージの均一化を達成することをさらに含む、請求項１２に記載のダイパッケージの接合及び移載方法。
  14. 前記ダイパッケージは垂直型発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイのパッケージ構造である、請求項１に記載のダイパッケージの接合及び移載方法。
  15. 前記垂直型ＬＥＤダイのパッケージ構造は、赤色、青色及び緑色から選ばれたＬＥＤダイで構成される集合体である、請求項１４に記載のダイパッケージの接合及び移載方法。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005014549A (ja) 2003-06-30 2005-01-20 Nisshin Steel Co Ltd 超音波接合可能な塗装鋼板，塗装鋼板の超音波接合法及び接合構造体
JP2005174979A (ja) 2003-12-08 2005-06-30 Sony Corp 素子配列方法
JP2009272591A (ja) 2008-05-12 2009-11-19 Sony Corp 発光ダイオード表示装置及びその製造方法
JP2015095658A (ja) 2013-11-14 2015-05-18 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光装置
JP2017059577A (ja) 2015-09-14 2017-03-23 日東電工株式会社 封止光半導体素子および発光装置の製造方法
JP2018114670A (ja) 2017-01-18 2018-07-26 日新製鋼株式会社 塗装鋼板と樹脂材との複合体の製造方法
JP2018527744A (ja) 2015-08-18 2018-09-20 ジアンスー チェリティ オプトロニクス カンパニー リミテッドＪｉａｎｇｓｕ Ｃｈｅｒｒｉｔｙ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 精製光変換体でｌｅｄを貼り合せてパッケージするプロセス方法及び精製設備システム
CN210379109U (zh) 2019-07-26 2020-04-21 昆山维信诺科技有限公司 一种发光元件及压合治具
JP2020096068A (ja) 2018-12-12 2020-06-18 大日本印刷株式会社 保持体、位置決めシート、位置決め済み発光ダイオードチップ付き転写部材、位置決め済み発光ダイオードチップ付き転写部材の製造方法、発光基板の製造方法、及び、発光基板
WO2020121793A1 (ja) 2018-12-14 2020-06-18 パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社 半導体装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9136159B2 (en) * 2012-11-15 2015-09-15 Amkor Technology, Inc. Method and system for a semiconductor for device package with a die-to-packaging substrate first bond
TWI667728B (zh) * 2017-10-30 2019-08-01 Industrial Technology Research Institute 晶片接合裝置、晶片接合的方法以及晶片封裝結構
CN108682312B (zh) * 2018-05-12 2020-11-06 汕头超声显示器技术有限公司 一种led阵列装置的制造方法
US11575069B2 (en) * 2019-06-11 2023-02-07 Meta Platforms Technologies, Llc Employing deformable contacts and pre-applied underfill for bonding LED devices via lasers
CN114420799B (zh) * 2021-12-08 2024-01-02 深圳市思坦科技有限公司 基板、微型发光二极管芯片的转移方法和转移装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005014549A (ja) 2003-06-30 2005-01-20 Nisshin Steel Co Ltd 超音波接合可能な塗装鋼板，塗装鋼板の超音波接合法及び接合構造体
JP2005174979A (ja) 2003-12-08 2005-06-30 Sony Corp 素子配列方法
JP2009272591A (ja) 2008-05-12 2009-11-19 Sony Corp 発光ダイオード表示装置及びその製造方法
JP2015095658A (ja) 2013-11-14 2015-05-18 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光装置
JP2018527744A (ja) 2015-08-18 2018-09-20 ジアンスー チェリティ オプトロニクス カンパニー リミテッドＪｉａｎｇｓｕ Ｃｈｅｒｒｉｔｙ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 精製光変換体でｌｅｄを貼り合せてパッケージするプロセス方法及び精製設備システム
JP2017059577A (ja) 2015-09-14 2017-03-23 日東電工株式会社 封止光半導体素子および発光装置の製造方法
JP2018114670A (ja) 2017-01-18 2018-07-26 日新製鋼株式会社 塗装鋼板と樹脂材との複合体の製造方法
JP2020096068A (ja) 2018-12-12 2020-06-18 大日本印刷株式会社 保持体、位置決めシート、位置決め済み発光ダイオードチップ付き転写部材、位置決め済み発光ダイオードチップ付き転写部材の製造方法、発光基板の製造方法、及び、発光基板
WO2020121793A1 (ja) 2018-12-14 2020-06-18 パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社 半導体装置
CN210379109U (zh) 2019-07-26 2020-04-21 昆山维信诺科技有限公司 一种发光元件及压合治具

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