TW202412340A - 垂直型發光二極體晶粒的封裝方法 - Google Patents

Abstract

一種垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，其係在基板中形成有複數個鑽孔，並以第一金屬材料填充，之後，通過第二金屬材料使多個垂直型發光二極體晶粒固設於該基板上。一透明膠材係覆蓋於該些垂直型發光二極體晶粒上，之後，進行一雷射製程使透明膠材溶解形成引道，隨後，塗佈一導電液，使該導電液填充每一條引道，最後，於該些垂直型發光二極體晶粒上覆蓋絕緣膠材，完成封裝該些垂直型發光二極體晶粒。通過採用此種封裝方法，本發明可有效取代現有的外部焊線製程，滿足晶粒尺寸微縮化之需求，同時，更使得發光二極體晶粒的封裝良率獲得優化。

Description

垂直型發光二極體晶粒的封裝方法

本發明係有關於一種發光二極體晶粒的封裝方法，且特別是有關於一種通過雷射製程形成引道，並藉由塗佈奈米銀線取代現有的外部焊線製程之垂直型發光二極體晶粒的封裝方法。

按，已知，發光二極體（Light Emitting Diode，LED）係為一種經由半導體技術所製成的光源，其係由三五族（III-V族）化合物半導體所形成，其發光原理係為利用半導體中電子和電洞結合而發出光子，不同於傳統燈泡需在上千度的高溫操作，也不必像日光燈需使用的高電壓激發電子束，發光二極體和一般的電子元件相同，只需要2至4伏特（V）的電壓，且在一般溫度環境下即可正常運作，相較於傳統鎢絲燈泡而言，具備有：壽命長、省電節能、故障率低、光線穩定、發光效率高、和各式燈具相容性高的優點，因此發光壽命也比傳統光源長，已成為目前市場上的主流商品。

一般而言，發光二極體的晶粒結構可分為以下兩種：水平型結構（Horizontal）和垂直型結構（Vertical），綜觀來看，垂直型發光二極體與水平型發光二極體相比，垂直型發光二極體更具有亮度高、散熱快、光衰小及穩定性高等優點，並且，無論在結構、光電參數、熱學特性、光衰及成本等方面，垂直型發光二極體的散熱功效均遠遠優於水平型發光二極體。因此，基於垂直型發光二極體的良好散熱特性，可以將晶片產生的熱量及時導出，進而將晶片和螢光粉的性能衰減至最低，使發光二極體晶粒具有亮度高、散熱快、光衰小及光色漂移小等優勢，並且提供更可靠的穩定性。

而近年來，隨著半導體技術的日漸發展、進步、以及演變，已知現有發光二極體的晶粒結構正朝向微縮化的方向進行，其晶粒尺寸也變得越來越小，舉例來說，以一個晶粒尺寸為75微米（μm）的發光二極體晶粒而言，此晶粒的電極尺寸僅有15微米（μm）。與此同時，近年來大部分封裝廠針對發光二極體的晶粒結構進行封裝時，也因為其晶粒尺寸微縮化的關係，使得這樣微小的晶粒尺寸在後續焊線製程中遭遇有一定程度的技術難度，不僅使得發光二極體晶粒的封裝製程將變得更為困難，同時也會不利地影響其封裝的產率（yield）。

有鑒於此，其中的關鍵原因在於「如何在晶粒尺寸微縮化的前提下，能取代現有的外部焊線製程」，此技術瓶頸仍待突破，並且演變為極待解決的現有缺失之一，這也使得如何持續地改良現有的外部焊線製程，同時找到其替代方案係為現有技術領域中的一大課題。有鑑於上述，可明顯觀之，本領域之專業人士確實具備亟需開發一種新穎且具有創造性之製程方法的需求，從而解決上述所揭先前技藝所存在之問題，以使得發光二極體晶粒的封裝良率獲得優化。

緣此，本申請人係有感於上述缺失之可改善，且依據多年來從事此方面之相關經驗，悉心觀察且研究之，並配合學理之運用，而提出一種設計新穎且有效改善上述缺失之本發明，其係揭露一種垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，不僅可有效取代現有的外部焊線製程，更可使得發光二極體晶粒的封裝良率獲得優化，其詳細之架構及實施方式將詳述於下。

為了解決上揭諸多缺失，本發明之一目的係在於提供一種創新的垂直型發光二極體晶粒的封裝方法。

通過使用本發明所揭露之製程步驟，其係可應用於垂直型發光二極體晶粒的封裝製程。然而，本發明之應用當然不限於此。 本發明提供的製程步驟亦可以應用於其他各種晶粒的封裝製程中。一旦獲悉本申請案之公開內容，其他替代性及修改的示性例對於本領域技術人員而言，將為顯而易見的，而皆隸屬於本發明之發明範圍。通過採用本發明所公開之技術方案，可有效地取代現有的外部焊線製程，與此同時，亦能夠使得發光二極體晶粒的封裝良率獲得優化。

本發明之又一目的係在於提供一種垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，其中，基於可以直接以奈米銀線引道取代現有的外部焊線製程，因而省去了傳統使用打線接合（wire bonding）的封裝方式，如此一來，本發明不僅可以減少發光二極體晶粒因打線接合封裝所可能產生的不良率，從而提升發光二極體晶粒的可靠度（reliability）。除此之外，藉由採用本發明所揭露之封裝方法，取代現有的外部焊線製程後，亦可減少封裝後的發光二極體晶粒之封裝體的整體體積，實現其尺寸微縮化之發明功效。

根據本發明之一實施例，本發明係提供一種垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，包含以下步驟：首先，提供一基板，並在基板中形成有複數個鑽孔；之後，以一第一金屬材料填充該些鑽孔後，在該些鑽孔之上表面塗佈有一第二金屬材料；之後，本發明便可提供複數個垂直型發光二極體晶粒，並通過所述的第二金屬材料使該些垂直型發光二極體晶粒固設於該基板上；之後，覆蓋一透明膠材於該些垂直型發光二極體晶粒上後，進行一雷射製程，以藉由所述的雷射製程溶解該透明膠材，從而形成複數個引道。

其中，根據本發明之實施例，每一條引道係連結至少一該垂直型發光二極體晶粒。同時，在提供這些垂直型發光二極體晶粒的步驟中，本發明更包括提供至少一虛設晶粒，並且，該至少一虛設晶粒亦可通過所述的第二金屬材料固設於基板上，從而使得所形成之每一條引道係可連結於一該垂直型發光二極體晶粒與該虛設晶粒之間。

之後，本發明係可塗佈一導電液，使所述的導電液係填充每一條引道；以及，最後，於該些垂直型發光二極體晶粒上覆蓋一絕緣膠材，以通過所述的絕緣膠材完成封裝該些垂直型發光二極體晶粒。

在本發明之一實施例中，其中，所述的第一金屬材料例如可為銅，並可通過一網印製程或一電鍍製程填充於所述的鑽孔中。

另一方面而言，所述的第二金屬材料例如可為錫，並可通過一網印製程或一噴印製程塗佈於所述的鑽孔之上表面。

其中，根據本發明之實施例，所使用之透明膠材之材質，較佳地係為一負型UV膠材。本發明所用以溶解該負型UV膠材之雷射製程的參數，包括：雷射時間約介於2至3秒之間，並且係為瞬間高溫之雷射製程，以通過此雷射製程將負型UV膠材溶解產生所欲形成的引道。在此實施例中，所形成之引道的引道深度約介於7至11微米之間。

之後，本發明所塗佈之導電液，其材質例如可為固體含量為0.3%～0.4%的奈米銀線。同時，本發明係可通過接觸式塗佈（例如刮刀）或非接觸式塗佈（例如旋轉塗佈機）塗佈此奈米銀線，則皆可用以實施本發明之發明目的。緣此，本發明係可成功地以所形成的奈米銀線引道取代現有的外部焊線製程，因而，有效地省去了傳統使用外部打線焊線接合的封裝方式。

除此之外，通過使用本發明所揭露之封裝方法，當應用於垂直型發光二極體晶粒的封裝製程時，所述的垂直型發光二極體晶粒例如可選自於由紅色、藍色與綠色之發光二極體晶粒所構成之群組，惟本發明亦不以此波段範圍（紅色、藍色、綠色）之發光二極體晶粒為其限制。在其他實施態樣中，這些垂直型發光二極體晶粒亦可依據設定波段範圍頻帶之不同，可製作成其他色光的發光二極體晶粒，又或者是白色光（可見光）之發光二極體晶粒，以廣泛應用本發明所公開之技術方案。

由此顯見，應用本發明所公開之封裝方法時，本發明所形成發光二極體晶粒的封裝體體積相較於先前技術，係可獲得明顯的縮減，不僅能滿足現有產業趨勢中垂直型發光二極體晶粒尺寸日漸追求微縮化之封裝需求，亦能優化其封裝良率，足可見本發明極具產業應用性與本領域之技術競爭力。

是以，再一方面而言，依據本發明所公開之垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，其係可以成功地消除先前技術中封裝製程尚存之問題與缺失。 因此，能夠確信的是，本發明不僅極具高度的競爭力，並且可以在相關產業中被有效地廣泛使用。

基於上述，本發明係通過驗證，實為設計精密的一種嶄新技術改良，此一創新的製程技術不僅可應用於發光二極體晶粒的封裝製程中，並能成功取代其外部打線接合的焊線製程。 同時，與現有技術相較之下，亦能極為有效地實現發光二極體晶粒之封裝體體積的微縮化。

以下，茲為使　貴審查委員對本發明的結構特徵及所達成的功效更有進一步的瞭解與認識，謹佐以較佳的實施例圖及配合詳細的說明，說明如後。

本發明之實施例將藉由下文配合相關圖式進一步加以解說。盡可能的，於圖式與說明書中，相同標號係代表相同或相似構件。於圖式中，基於簡化與方便標示，形狀與厚度可能經過誇大表示。可以理解的是，未特別顯示於圖式中或描述於說明書中之元件，為所屬技術領域中具有通常技術者所知之形態。本領域之通常技術者可依據本發明之內容而進行多種之改變與修改。

除非特別說明，一些條件句或字詞，例如「可以（can）」、「可能（could）」、「也許（might）」，或「可（may）」，通常是試圖表達本案實施例具有，但是也可以解釋成可能不需要的特徵、元件，或步驟。在其他實施例中，這些特徵、元件，或步驟可能是不需要的。

於下文中關於“一個實施例”或“一實施例”之描述係指關於至少一實施例內所相關連之一特定元件、結構或特徵。因此，於下文中多處所出現之“一個實施例”或 “一實施例”之多個描述並非針對同一實施例。再者，於一或多個實施例中之特定構件、結構與特徵可依照一適當方式而結合。

在說明書及申請專利範圍中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。然而，所屬技術領域中具有通常知識者應可理解，同樣的元件可能會用不同的名詞來稱呼。說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異做為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來做為區分的基準。在說明書及申請專利範圍所提及的「包含」為開放式的用語， 故應解釋成「包含但不限定於」。另外，「耦接」在此包含任何直接及間接的連接手段。因此，若文中描述第一元件耦接於第二元件，則代表第一元件可通過電性連接或無線傳輸、光學傳輸等信號連接方式而直接地連接於第二元件，或者通過其他元件或連接手段間接地電性或信號連接至該第二元件。

揭露特別以下述例子加以描述，這些例子僅係用以舉例說明而已，因為對於熟習此技藝者而言，在不脫離本揭示內容之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭示內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。在通篇說明書與申請專利範圍中，除非內容清楚指定，否則「一」以及「該」的意義包含這一類敘述包括「一或至少一」該元件或成分。此外，如本揭露所用，除非從特定上下文明顯可見將複數個排除在外，否則單數冠詞亦包括複數個元件或成分的敘述。而且，應用在此描述中與下述之全部申請專利範圍中時，除非內容清楚指定，否則「在其中」的意思可包含「在其中」與「在其上」。在通篇說明書與申請專利範圍所使用之用詞（terms），除有特別註明，通常具有每個用詞使用在此領域中、在此揭露之內容中與特殊內容中的平常意義。某些用以描述本揭露之用詞將於下或在此說明書的別處討論，以提供從業人員（practitioner）在有關本揭露之描述上額外的引導。在通篇說明書之任何地方之例子，包含在此所討論之任何用詞之例子的使用，僅係用以舉例說明，當然不限制本揭露或任何例示用詞之範圍與意義。同樣地，本揭露並不限於此說明書中所提出之各種實施例。

在以下的段落中，本發明將提供一種發光二極體晶粒之封裝體結構及其封裝方法，其係可應用於現有垂直型發光二極體晶粒之封裝製程中，並滿足其封裝體體積之微縮趨勢的優化。進一步而言，以下提供之發光二極體晶粒之封裝體結構及其封裝方法亦可應用於其他相關技術架構中，本發明並不以下揭之實施例為限。

請參閱第1圖所示，其係公開本發明實施例之垂直型發光二極體晶粒的封裝方法之步驟流程圖。依據本發明所公開之封裝方法，其係包含下述步驟：

步驟S102：首先，提供一基板，並在該基板中形成有複數個鑽孔。

步驟S104：之後，以一第一金屬材料填充該些鑽孔後，在該些鑽孔之上表面塗佈有一第二金屬材料。

步驟S106：提供複數個垂直型發光二極體晶粒，並通過前述的第二金屬材料使該些垂直型發光二極體晶粒固設於基板上。

步驟S108：接著，於該些垂直型發光二極體晶粒上覆蓋一透明膠材後，進行一雷射製程，以藉由所述的雷射製程將該透明膠材溶解，從而形成複數個引道，其中，每一個引道係連結至少一垂直型發光二極體晶粒。

步驟S110：在形成引道之後，塗佈一導電液，使所述的導電液可填充於每一個引道中。

步驟S112：最後，在所述的該些垂直型發光二極體晶粒上覆蓋一絕緣膠材，以通過該絕緣膠材完成封裝該些垂直型發光二極體晶粒。

為了能使　貴審查委員能較佳地理解本發明所公開之製程方法，以下之詳細說明，請一併參閱本發明第2A～2B、3A～3B、4A～4B、5A～5B、6、7A～7B、8A～8B、以及第9圖所示之結構說明。

首先，如第2A～2B圖所示，本發明係先提供有一基板20，並在基板20中形成有複數個鑽孔22。根據本發明之實施例，所述的鑽孔22例如可通過雷射鑽孔形成；本發明所使用之基板20的材質例如可為一玻璃基板，該鑽孔22之孔徑例如至少為60微米（步驟S102）。

之後，如第3A～3B圖所示，本發明接續以一第一金屬材料32填充該些鑽孔22，之後，再如第4A～4B圖所示，於該些鑽孔22之上表面塗佈有一第二金屬材料42（步驟S104）。根據本發明之實施例，其中，所述的第一金屬材料32之材質例如可為銅，並且，本發明可通過使用一網印製程或一電鍍製程將所述的金屬銅填充於這些鑽孔22中。

另一方面而言，所述的第二金屬材料42之材質例如可為錫，而本發明亦可通過使用一網印製程或一噴印製程，將所述的金屬錫塗佈於這些填有金屬銅之鑽孔22的上表面。

之後，請參見第5A圖及第5B圖所示，其係為根據本發明實施例進行發光二極體晶粒固晶之示意圖。如第1圖中步驟S106所述，本發明接著提供複數個垂直型發光二極體晶粒，並且，可通過前述的第二金屬材料42使這些垂直型發光二極體晶粒固設於基板20上。舉例而言，依據本發明所公開之製程方法，其係可以應用在由紅色（R）、綠色（G）、藍色（B）個別發光二極體晶粒所組成之模組上。如第5A圖所示，此些垂直型發光二極體晶粒係可選自於由紅色發光二極體晶粒52R、藍色發光二極體晶粒52B、與綠色發光二極體晶粒52G所構成之群組。值得說明的是，與此同時，本發明係同時提供有至少一虛設晶粒（dummy die）50，並且，此虛設晶粒50亦可通過所述的第二金屬材料42固設於基板20上。本發明並不以虛設晶粒50之外觀、高度、或形狀為限。一般而言，為了滿足後續晶粒之封裝體進行巨量移轉（mass transfer）之需求，此虛設晶粒50與鄰近的紅色發光二極體晶粒52R、藍色發光二極體晶粒52B、與綠色發光二極體晶粒52G之間的排列關係與晶粒外觀，應具有一定程度的一致性（incoherence），惟本發明並不以此等條件為限。除此之外，本發明所舉之垂直型發光二極體晶粒亦不限於由紅色、藍色、或綠色所組成，在其他實施態樣中，尚可包括非純色之發光二極體晶粒，而紅色、藍色、綠色之發光二極體晶粒之數量，或其排列樣式（如本實施例中排列呈Ｌ型、或在其他實施例中亦可排列呈直線）也不為本發明所舉之示性例為限制。

之後，在完成步驟S106所述之固晶步驟之後，本發明再如步驟S108所示，接著於這些垂直型發光二極體晶粒上覆蓋一透明膠材60（參第6圖），根據本發明之實施例，所使用透明膠材60之材質例如可為一負型UV膠材，此負型UV膠材之特點為透明無色，其目的在於，可在後續第7A圖中所實施之雷射製程LS中便於切割並辨識欲進行切割之位置。因此，在第7A圖進行所示的雷射製程LS後，本發明便可藉由此雷射製程LS將前述的透明膠材60溶解，從而形成複數個引道72，並且，使得每一個引道72係連結於一垂直型發光二極體晶粒52R、52B、52G與虛設晶粒50之間（參第7B圖），在第7B圖中，本發明係以虛線繪製所示溶解該負型UV膠材所形成之「引道72」。

根據本發明之一實施態樣，本發明所執行之雷射製程LS係為一加熱時間可達瞬間高溫的製程，大抵而言，其雷射時間例如可實施為介於2至3秒之間，使所形成之一引道72的引道深度係介於7至11微米之間。

詳細而言，在本發明之一實施例中，當所述的負型UV膠材經雷射製程LS切出引道72之後，此時，引道72之底部區域的負型UV膠材的狀態可能較軟，在實務上，本領域之技術人員可再通過使用約10至15分鐘的溶劑，以將該區未完全反應之膠材溶解，之後，再使用去離子水清潔，而形成所述的引道72。

之後，再如第1圖中所示的步驟S110所述，本發明接著在形成引道72之後，塗佈一導電液，使所述的導電液可填充於每一個引道72中。其中，根據本發明之實施例，所述導電液之材質例如可為固體含量為0.3%～0.4%的奈米銀線。並且，所述之導電液係可通過一接觸式塗佈（如：使用一刮刀）或通過使用非接觸式塗佈（如：使用一旋轉塗佈機）而使所述的導電液填充於引道72中，從而形成如第8A圖及第8B圖中所示之導電銀線82，在第8B圖中，本發明係以實線繪製所示塗佈有導電液後所形成之「導電銀線82」。緣此，本發明主要便可以藉由該導電液（奈米銀線）的塗佈，形成所述的導電銀線82，從而利用這些導電銀線82成功取代現有的外部打線接合的焊線製程，在晶粒尺寸不斷微縮的趨勢下仍可有效應用，同時滿足微小化尺寸晶粒之封裝需求。

因此，最後，如第1圖中所示的步驟S112所述，本發明便可如第9圖所示，在該些垂直型發光二極體晶粒上覆蓋一絕緣膠材90，以通過所使用的絕緣膠材90完成封裝這些垂直型發光二極體晶粒。根據本發明之一實施例，所使用的絕緣膠材90之材質，舉例而言例如可為一矽膠或環氧樹酯。更進一步而言，為了增加對比度，該絕緣膠材90，較佳地，亦可使用一黑色的矽膠或環氧樹酯。

鑒於以上，足以可見，本發明所公開之製程方法，主要係藉由所述的雷射製程成功形成引道，之後，便可藉由導電液（奈米銀線）的塗佈，形成所述的導電銀線，以利用這些導電銀線成功地取代現有的外部打線接合的焊線製程，在此情況之下，本發明不僅可有效取代現有的外部焊線製程，滿足晶粒尺寸微縮情況下的封裝需求，同時，更可使得垂直型發光二極體晶粒的封裝良率獲得優化。本發明亦能減少完成封裝後的垂直型發光二極體晶粒之封裝體的整體體積，實現其尺寸微縮化之發明功效。

有鑑於此，通過本發明所揭露之垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，其係有助於優化現有的封裝製程。與現有技術相較之下，可以顯而易見的是通過本發明所公開之實施例及其製程步驟，其係可有效地解決現有技術中尚存之諸多缺失，並且提供更為優秀的製程表現。並且，基於本發明所揭露之技術方案，不僅可應用於一般常見的發光二極體晶粒中，同時更可應用並廣泛及於其相關之半導體產業、積體電路產業、或電力電子等各類電子電路元件中。顯見本申請人在此案所請求之技術方案的確具有極佳之產業利用性及競爭力。同時，本發明所揭露之技術特徵、方法手段與達成之功效係顯著地不同於現行方案，實非為熟悉該項技術者能輕易完成者，而應具有專利要件。

以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。

20:基板 22:鑽孔 32:第一金屬材料 42:第二金屬材料 50:虛設晶粒 52R:紅色發光二極體晶粒 52B:藍色發光二極體晶粒 52G:綠色發光二極體晶粒 60:透明膠材 72:引道 82:導電銀線 90:絕緣膠材 LS:雷射製程 S102、S104、S106、S108、S110、S112:步驟

第1圖係為根據本發明一實施例之垂直型發光二極體晶粒的封裝方法之步驟流程圖。 第2A圖與第2B圖係為根據本發明一實施例，在基板中形成有複數個鑽孔之結構示意圖。 第3A圖與第3B圖係為根據本發明一實施例，在該些鑽孔中填充有第一金屬材料之結構示意圖。 第4A圖與第4B圖係為根據本發明一實施例，在該些填充有第一金屬材料之鑽孔之上表面塗佈有一第二金屬材料之結構示意圖。 第5A圖與第5B圖係為根據本發明一實施例，將垂直型發光二極體晶粒固設於所述基板上之結構示意圖。 第6圖係為根據本發明一實施例，在該些垂直型發光二極體晶粒上覆蓋透明膠材之結構示意圖。 第7A圖與第7B圖係為根據本發明一實施例，通過進行一雷射製程，以藉由雷射製程溶解透明膠材，從而形成複數個引道之結構示意圖。 第8A圖與第8B圖係為根據本發明一實施例，塗佈導電液，使導電液填充每一引道，從而形成複數個導電銀線之結構示意圖。 第9圖係為根據本發明一實施例，在該些垂直型發光二極體晶粒上覆蓋絕緣膠材以完成封裝之結構示意圖。

S102、S104、S106、S108、S110、S112:步驟

Claims (15)

1. 一種垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，包括： 提供一基板，並在該基板中形成有複數個鑽孔； 以一第一金屬材料填充該些鑽孔後，在該些鑽孔之上表面塗佈有一第二金屬材料； 提供複數個垂直型發光二極體晶粒，並通過該第二金屬材料使該些垂直型發光二極體晶粒固設於該基板上； 於該些垂直型發光二極體晶粒上覆蓋一透明膠材後，進行一雷射製程，以藉由該雷射製程溶解該透明膠材，從而形成複數個引道，其中，每一該引道係連結至少一該垂直型發光二極體晶粒； 塗佈一導電液，使該導電液係填充每一該引道；以及 在該些垂直型發光二極體晶粒上覆蓋一絕緣膠材，以通過該絕緣膠材完成封裝該些垂直型發光二極體晶粒。
2. 如請求項1所述之垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，其中，在提供該些垂直型發光二極體晶粒的步驟中，更包括提供至少一虛設晶粒，並且，該至少一虛設晶粒亦通過該第二金屬材料固設於該基板上。
3. 如請求項2所述之垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，其中，每一該引道係連結一該垂直型發光二極體晶粒與該虛設晶粒。
4. 如請求項1所述之垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，其中，該第一金屬材料係為銅。
5. 如請求項1所述之垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，其中，該第一金屬材料係可通過一網印製程或一電鍍製程填充於該些鑽孔中。
6. 如請求項1所述之垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，其中，該第二金屬材料係為錫。
7. 如請求項1所述之垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，其中，該第二金屬材料係可通過一網印製程或一噴印製程塗佈於該些鑽孔之上表面。
8. 如請求項1所述之垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，其中，該些垂直型發光二極體晶粒係選自於由紅色、藍色與綠色之發光二極體晶粒所構成之群組。
9. 如請求項1所述之垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，其中，該透明膠材之材質係為一負型UV膠材。
10. 如請求項1所述之垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，其中，該雷射製程之雷射時間係介於2至3秒之間，所形成之一該引道的引道深度係介於7至11微米之間。
11. 如請求項1所述之垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，其中，該導電液之材質係為奈米銀線。
12. 如請求項1所述之垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，其中，該絕緣膠材之材質係為矽膠或環氧樹酯。
13. 如請求項1所述之垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，其中，該基板之材質係為一玻璃基板。
14. 如請求項1所述之垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，其中，一該鑽孔之孔徑係至少為60微米。
15. 如請求項1所述之垂直型發光二極體晶粒的封裝方法，其中，一刮刀或一旋轉塗佈機係可用於塗佈該導電液，以使該導電液填充每一該引道。

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