JP2020053690A - ビーム成形構造体を備えた発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、発光素子およびその製造方法に関するものであり、特に、動作時に電磁放射を発生する発光ダイオード(LED)半導体ダイを含むチップスケール型パッケージ発光素子に関する。
関連技術の説明
以下の定義は、本発明のいくつかの実施形態に関して述べるいくつかの技術態様に適用されるものである。これらの定義は、本明細書において同じように拡大してもよい。
Claims (24)
- 上面、該上面に対向する下面、縁面および1組の電極を含み、前記縁面は前記上面と前記下面との間に延び、前記1組の電極が該下面上に配設されたフリップチップ型発光ダイオード(LED)半導体ダイと、
該LED半導体ダイの前記上面上に配置された上部位、および該LED半導体ダイの前記縁面を覆う縁部位を含むフォトルミネセンス構造体と、
該フォトルミネセンス構造体の前記縁部位の縁面を囲繞して配設されたビーム成形構造体とを含み、該ビーム成形構造体はポリマー樹脂材料、および該ポリマー樹脂材料中に分散された光散乱粒子を含み、該光散乱粒子の前記ビーム成形構造体における重量百分率は、30%を上回らないことを特徴とする発光素子。 - 前記ビーム成形構造体中の前記光散乱粒子は重量百分率で10%を上回らず、また0.1%を下回らないことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記光散乱粒子は、TiO2、BN、SiO2またはAl2O3のうち少なくとも1つを含み、前記ポリマー樹脂材料は、シリコーン、エポキシまたはゴムのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記ビーム成形構造体はさらに、前記フォトルミネセンス構造体の前記上部位の上面を覆うことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記ビーム成形構造体の上面は、前記フォトルミネセンス構造体の前記上部位の上面と実質的に同じ高さであるか、または、前記ビーム成形構造体の前記上面は、前記フォトルミネセンス構造体の前記上部位の前記上面よりも低いことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記フォトルミネセンス構造体はさらに、該フォトルミネセンス構造体の前記縁部位から外方に延びる延長部位を含み、前記ビーム成形構造体はさらに、前記フォトルミネセンス構造体の前記延長部位の上面を覆うことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記ビーム成形構造体の下面は、前記フォトルミネセンス構造体の前記縁部位の下面と実質的に同じ高さであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記発光素子はさらに、前記ビーム成形構造体上に配設された、または前記フォトルミネセンス構造体および該ビーム成形構造体の両方の上に配設された光透過層を含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記発光素子はさらに、前記LED半導体ダイの前記上面および前記縁面を覆う軟質緩衝層を含み、前記フォトルミネセンス構造体は該軟質緩衝層上に配設されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の発光素子。
- 上面、該上面に対向する下面、縁面および1組の電極を含み、前記縁面は前記上面と前記下面との間に延び、前記1組の電極が該下面上に配設されたフリップチップ型発光ダイオード(LED)半導体ダイと、
該LED半導体ダイの前記上面に配置された上部位、および該LED半導体ダイの縁面を覆う縁部位を含むフォトルミネセンス構造体と、
該フォトルミネセンス層上に配設された光透過層と、
該光透過層の上面を覆うビーム成形構造体とを含み、該ビーム成形構造体は、ポリマー樹脂材料および該ポリマー樹脂材料中に分散された光散乱粒子を含み、該光散乱粒子の前記ビーム成形構造体における重量百分率は30%を上回らないことを特徴とする発光素子。 - 前記ビーム成形構造体中の前記光散乱粒子は重量百分率で10%を上回らず、また0.1%を下回らないことを特徴とする請求項10に記載の発光素子。
- 前記光散乱粒子は、TiO2、BN、SiO2またはAl2O3のうち少なくとも1つを含み、前記ポリマー樹脂材料は、シリコーン、エポキシまたはゴムのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項10に記載の発光素子。
- 上面、該上面に対向する下面、縁面および1組の電極を含み、前記縁面は前記上面と前記下面との間に延び、前記1組の電極が該下面上に配設されたフリップチップ型発光ダイオード(LED)半導体ダイと、
少なくとも該LED半導体ダイの前記縁面を囲繞して配設され、または該LED半導体ダイの前記上面の上方に配設されたビーム成形構造体とを含み、該ビーム成形構造体はポリマー樹脂材料、および該ポリマー樹脂材料中に分散された光散乱粒子を含み、該光散乱粒子の前記ビーム成形構造体における重量百分率は30%を上回らないことを特徴とする発光素子。 - 複数のLED半導体ダイを離型層上に配置してLED半導体ダイのアレイを形成し、
複数のパッケージ構造体を含むパッケージシート層を前記LED半導体ダイのアレイ上に形成することを含む発光素子の製造方法において、
前記LED半導体ダイのアレイ上への前記パッケージシート層の形成は、少なくとも前記LED半導体ダイのアレイの対応する縁面をそれぞれ覆う複数のビーム成形構造体を形成することを含み、該ビーム成形構造体は、ポリマー樹脂材料と、該ポリマー樹脂材料において30%を上回らない重量百分率で該ポリマー樹脂材料中に分散された光散乱粒子とを含み、該製造方法はさらに、
前記パッケージシート層を個別分離し、
前記離型層を除去することを含み、該離型層の除去は前記パッケージシート層の個別分離の前または後に行うことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記ビーム成形構造体中の前記光散乱粒子は、重量百分率で10%を上回らず、また0.1%を下回らないことを特徴とする請求項14に記載の発光素子の製造方法。
- 前記光散乱粒子は、TiO2、BN、SiO2またはAl2O3のうち少なくとも1つを含み、前記ポリマー樹脂材料は、シリコーン、エポキシまたはゴムのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項14に記載の発光素子の製造方法。
- 複数のLED半導体ダイを離型層上に配置してLED半導体ダイのアレイを形成し、
複数のパッケージ構造体を含むパッケージシート層を前記LED半導体ダイのアレイ上に形成することを含む発光素子の製造方法において、
前記LED半導体ダイのアレイ上への前記パッケージシート層の形成は、該LED半導体ダイのアレイ上に複数のフォトルミネセンス構造体を形成することを含み、その場合、前記フォトルミネセンス構造体のそれぞれは上部位が前記LED半導体ダイのアレイの対応する1つの上面上に配置され、該フォトルミネセンス構造体のそれぞれは縁部位が該LED半導体ダイのアレイの対応する1つの縁面を覆い、
前記LED半導体ダイのアレイ上への前記パッケージシート層の形成はさらに、それぞれが前記フォトルミネセンス構造体の対応する1つの縁部位の縁面を覆う複数のビーム成形構造体を形成することを含み、該ビーム成形構造体は、ポリマー樹脂材料と、該ポリマー樹脂材料において30%を上回らない重量百分率で該ポリマー樹脂材料中に分散された光散乱粒子とを含み、該製造方法はさらに、
前記パッケージシート層を個別分離し、
前記離型層を除去することを含み、該離型層の除去は前記パッケージシート層の個別分離の前または後に行うことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記複数のビーム成形構造体の形成はさらに、
前記ポリマー樹脂材料中に前記光散乱粒子を分散させて組成材料を形成し、
前記フォトルミネセンス構造体のそれぞれの前記縁部位または前記LED半導体ダイのアレイのそれぞれの前記縁面を前記組成材料で覆うことを含むことを特徴とする請求項14ないし17のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。 - 前記パッケージシート層の形成はさらに、前記複数のビーム成形構造体上に複数の光透過層を形成し、または前記複数のフォトルミネセンス構造体および前記複数のビーム成形構造体上に複数の上澄み光透過層を形成することを含むことを特徴とする請求項17に記載の発光素子の製造方法。
- 前記パッケージシート層の形成はさらに、
前記LED半導体ダイのアレイ上に複数の軟質緩衝層を形成し、
該複数の軟質緩衝層上に前記複数のフォトルミネセンス構造体を形成することを含むことを特徴とする請求項17に記載の発光素子の製造方法。 - 複数のLED半導体ダイを離型層上に配置してLED半導体ダイのアレイを形成し、
複数のパッケージ構造体を含むパッケージシート層を前記LED半導体ダイのアレイ上に形成することを含む発光素子の製造方法において、
前記LED半導体ダイのアレイ上への前記パッケージシート層の形成は、該LED半導体ダイのアレイ上に複数のフォトルミネセンス構造体を形成することを含み、その場合、前記フォトルミネセンス構造体のそれぞれは上部位が前記LED半導体ダイのアレイの対応する1つの上面上に配置され、該フォトルミネセンス構造体のそれぞれは縁部位が前記LED半導体ダイのアレイの対応する1つの縁面を覆い、
前記LED半導体ダイのアレイ上への前記パッケージシート層の形成はさらに、
前記複数のフォトルミネセンス構造体上に複数の光透過層を形成し、
それぞれが該光透過層の対応する1つの上面を覆う複数のビーム成形構造体を形成することを含み、該ビーム成形構造体は、ポリマー樹脂材料と、該ポリマー樹脂材料において30%を上回らない重量百分率で該ポリマー樹脂材料中に分散された光散乱粒子を含み、該製造方法はさらに、
前記パッケージシート層を個別分離し
前記離型層を除去することを含み、該離型層の除去は前記パッケージシート層の個別分離の前または後に行うことを含むことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記ビーム成形構造中の前記光散乱粒子は前記重量百分率で10%を上回らず、また0.1%を下回らないことを特徴とする請求項21に記載の発光素子の製造方法。
- 前記光散乱粒子は、TiO2、BN、SiO2またはAl2O3のうち少なくとも1つを含み、前記ポリマー樹脂材料は、シリコーン、エポキシまたはゴムのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項21に記載の発光素子の製造方法。
- 前記複数のビーム成形構造体の形成はさらに、
前記ポリマー樹脂材料中に前記光散乱粒子を分散させて組成材料を形成し、
前記光透過層のそれぞれの前記上面に前記組成材料をコーティングすることを含むことを特徴とする請求項21ないし23のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
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TWI658610B (zh) * | 2017-09-08 | 2019-05-01 | Maven Optronics Co., Ltd. | 應用量子點色彩轉換之發光裝置及其製造方法 |
US10879434B2 (en) | 2017-09-08 | 2020-12-29 | Maven Optronics Co., Ltd. | Quantum dot-based color-converted light emitting device and method for manufacturing the same |
EP3905349B1 (en) * | 2018-12-27 | 2024-02-07 | Denka Company Limited | Light-emitting substrate, and lighting device |
WO2020137764A1 (ja) | 2018-12-27 | 2020-07-02 | デンカ株式会社 | 蛍光体基板、発光基板及び照明装置 |
US20220059730A1 (en) * | 2018-12-27 | 2022-02-24 | Denka Company Limited | Phosphor substrate, light emitting substrate, and lighting device |
KR20210106433A (ko) | 2018-12-27 | 2021-08-30 | 덴카 주식회사 | 형광체 기판, 발광 기판 및 조명 장치 |
KR102363199B1 (ko) * | 2019-05-10 | 2022-02-15 | 덕산하이메탈(주) | 복합 굴절율 도막 조성물 및 이를 이용한 도막 |
JP7539296B2 (ja) | 2020-10-21 | 2024-08-23 | シャープ福山レーザー株式会社 | 半導体モジュール |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006310568A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2012009469A (ja) * | 2010-06-22 | 2012-01-12 | Nitto Denko Corp | 複合シートおよびそれを用いた半導体発光装置 |
WO2012099145A1 (ja) * | 2011-01-20 | 2012-07-26 | シャープ株式会社 | 発光装置、照明装置、表示装置及び発光装置の製造方法 |
JP2012174941A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Panasonic Corp | 発光装置 |
JP2015095658A (ja) * | 2013-11-14 | 2015-05-18 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | 発光装置 |
US20150247608A1 (en) * | 2012-01-24 | 2015-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Luminaire and method of production of a luminaire |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7005679B2 (en) * | 2003-05-01 | 2006-02-28 | Cree, Inc. | Multiple component solid state white light |
US7791093B2 (en) * | 2007-09-04 | 2010-09-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color |
RU2489774C2 (ru) * | 2007-11-29 | 2013-08-10 | Нития Корпорейшн | Светоизлучающее устройство и способ его изготовления |
KR20110066202A (ko) * | 2008-10-01 | 2011-06-16 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 증가된 광 추출 및 황색이 아닌 오프 상태 컬러를 위한 인캡슐런트 내의 입자들을 갖는 led |
EP3547380B1 (en) * | 2010-02-09 | 2023-12-20 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2012094578A (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
KR20120061376A (ko) * | 2010-12-03 | 2012-06-13 | 삼성엘이디 주식회사 | 반도체 발광 소자에 형광체를 도포하는 방법 |
JP5730680B2 (ja) * | 2011-06-17 | 2015-06-10 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置とその製造方法 |
CN103650179A (zh) * | 2011-07-19 | 2014-03-19 | 松下电器产业株式会社 | 发光装置及该发光装置的制造方法 |
DE102011116752A1 (de) * | 2011-10-24 | 2013-04-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Streumittel |
JP2013118235A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-06-13 | Hitachi Appliances Inc | 照明装置 |
WO2013137356A1 (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-19 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
US9773950B2 (en) * | 2012-04-06 | 2017-09-26 | Ctlab Co. Ltd. | Semiconductor device structure |
JP5976406B2 (ja) * | 2012-06-11 | 2016-08-23 | シチズンホールディングス株式会社 | 半導体発光装置 |
KR101997243B1 (ko) * | 2012-09-13 | 2019-07-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 조명 시스템 |
US20140191263A1 (en) * | 2013-01-07 | 2014-07-10 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Compositions for an led reflector and articles thereof |
TW201431124A (zh) * | 2013-01-22 | 2014-08-01 | 矽品精密工業股份有限公司 | 發光二極體封裝件及其製法 |
JP6071661B2 (ja) * | 2013-03-11 | 2017-02-01 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP2015038960A (ja) * | 2013-05-16 | 2015-02-26 | 株式会社日本セラテック | 発光装置 |
TW201616689A (zh) * | 2014-06-25 | 2016-05-01 | 皇家飛利浦有限公司 | 經封裝之波長轉換發光裝置 |
CN105161609B (zh) * | 2015-09-24 | 2018-06-12 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种芯片级led光源模组及其制作方法 |
-
2016
- 2016-02-05 TW TW105104034A patent/TWI583028B/zh active
-
2017
- 2017-02-02 JP JP2017017728A patent/JP6622735B2/ja active Active
- 2017-02-03 KR KR1020170015622A patent/KR102210462B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-12-03 KR KR1020180153435A patent/KR20180132018A/ko active Application Filing
-
2019
- 2019-11-22 JP JP2019211691A patent/JP7016467B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006310568A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2012009469A (ja) * | 2010-06-22 | 2012-01-12 | Nitto Denko Corp | 複合シートおよびそれを用いた半導体発光装置 |
WO2012099145A1 (ja) * | 2011-01-20 | 2012-07-26 | シャープ株式会社 | 発光装置、照明装置、表示装置及び発光装置の製造方法 |
JP2012174941A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Panasonic Corp | 発光装置 |
US20150247608A1 (en) * | 2012-01-24 | 2015-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Luminaire and method of production of a luminaire |
JP2015095658A (ja) * | 2013-11-14 | 2015-05-18 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | 発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201729436A (zh) | 2017-08-16 |
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