TW201431124A - 發光二極體封裝件及其製法 - Google Patents

發光二極體封裝件及其製法 Download PDF

Info

Publication number
TW201431124A
TW201431124A TW102102300A TW102102300A TW201431124A TW 201431124 A TW201431124 A TW 201431124A TW 102102300 A TW102102300 A TW 102102300A TW 102102300 A TW102102300 A TW 102102300A TW 201431124 A TW201431124 A TW 201431124A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
emitting diode
light
light emitting
diode package
electrode pads
Prior art date
Application number
TW102102300A
Other languages
English (en)
Inventor
盧勝利
關智文
陳賢文
Original Assignee
矽品精密工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 矽品精密工業股份有限公司 filed Critical 矽品精密工業股份有限公司
Priority to TW102102300A priority Critical patent/TW201431124A/zh
Publication of TW201431124A publication Critical patent/TW201431124A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一種發光二極體封裝件及其製法，該發光二極體封裝件包括：發光二極體晶片，係具有相對之第一表面與第二表面及位於該第一表面之複數電極墊；螢光層，係形成於該發光二極體晶片之第二表面上；封裝膠體，係包覆該發光二極體晶片與該螢光層，並外露出該第一表面及該電極墊；以及導引腳，係電性連接該電極墊。藉此，本發明能使該螢光層之螢光粉均勻塗佈，並使該發光二極體封裝件之體積微小化。

Description

發光二極體封裝件及其製法
本發明係關於一種發光二極體封裝件及其製法，特別是指一種具有螢光層之發光二極體封裝件及其製法。
近年來，由於發光二極體(LED)具備使用壽命長、耗電量低、無須暖燈時間、反應時間快速等性能，所以發光二極體的應用產品與日俱增。
第1圖係繪示習知技術中打線式發光二極體封裝件1之剖視示意圖。如圖所示，該發光二極體封裝件1係包括基板10、發光二極體晶片11、銲線12、壩體(dam)13以及混合螢光粉14之封裝膠體。該基板10係具有電性連接墊101與防銲層102，該發光二極體晶片11係設置於該基板10上並具有電極墊111，該電極墊111係藉由該銲線12電性連接該電性連接墊101。該壩體13係形成於該防銲層102上，混合螢光粉14之封裝膠體係塗佈(coating)於該基板10與該壩體13所構成之容置空間內及該發光二極體晶片11上。
第2圖係繪示習知技術中覆晶式發光二極體封裝件1'之剖視示意圖。如圖所示，該發光二極體封裝件1'係包括 基板10、發光二極體晶片11、壩體13以及混合螢光粉14之封裝膠體。該基板10係具有防銲層102，該發光二極體晶片11係設置於該基板10上並以覆晶方式電性連接該基板10，該壩體13係形成於該防銲層102上，混合螢光粉14之封裝膠體塗佈於該基板10與該壩體13所構成之容置空間內及該發光二極體晶片11上。
第3A圖至第3D圖係繪示習知技術中打線式發光二極體封裝件1"之製法之剖視示意圖。如第3A圖所示，先提供一具有電性連接墊101之基板10與一具有電極墊111之發光二極體晶片11，並設置該發光二極體晶片11於該基板10上。如第3B圖所示，藉由銲線12電性連接該電性連接墊101與該電極墊111。如第3C圖所示，形成壩體13於該基板10及其電性連接墊101上。如第3D圖所示，形成混合螢光粉14之封裝膠體於該基板10與該壩體13所構成之容置空間內及該發光二極體晶片11上。
上述打線式或覆晶式發光二極體封裝件之缺點，在於需先設置發光二極體晶片於基板上，並以打線或覆晶方式電性連接該發光二極體晶片與該基板，且形成壩體於該基板上，再形成混合螢光粉之封裝膠體於該基板與該壩體所構成之容置空間內及該發光二極體晶片上。
因此，該發光二極體封裝件之製程較複雜，且該螢光粉之塗佈較不均勻、良率較低、使用量較大、易於浪費。另外，因使用該基板與該壩體，加上該銲線之弧長與弧高限制，使得該發光二極體封裝件之尺寸較大、無法微小化 製作、封裝成本較高。
因此，如何克服上述習知技術的問題，實已成目前亟欲解決的課題。
鑑於上述習知技術之種種缺失，本發明係提供一種發光二極體封裝件，其包括：發光二極體晶片，係具有相對之第一表面與第二表面及位於該第一表面之複數電極墊；螢光層，係形成於該發光二極體晶片之第二表面上；封裝膠體，係包覆該發光二極體晶片與該螢光層，並外露出該第一表面及該電極墊；以及導引腳，係電性連接該電極墊。
本發明亦提供一種發光二極體封裝件之製法，其包括：提供複數發光二極體晶片，各該發光二極體晶片包括具有相對之第一表面與第二表面及位於該第一表面之複數電極墊；將該些發光二極體晶片以其第一表面設置於第一載體上；形成螢光層於該些發光二極體晶片之第二表面上；形成封裝膠體於該些發光二極體晶片上，以包覆該些發光二極體晶片與該螢光層，並外露出該些電極墊；以及形成複數導引腳，以分別電性連接該些電極墊。
由上可知，本發明之發光二極體封裝件及其製法，主要是在發光二極體晶片之表面上形成螢光層，並以封裝膠體包覆該螢光層與該發光二極體晶片，且藉由導引腳電性連接該發光二極體晶片之電極墊。因此，本發明能使螢光層之螢光粉均勻塗佈、良率較高、使用量較小、減少浪費，並使發光二極體封裝件之尺寸縮小、體積微小化、批次大 量製作、生產量較高、製程較簡易、封裝成本較低。
1,1',1"‧‧‧發光二極體封裝件
10‧‧‧基板
101‧‧‧電性連接墊
102‧‧‧防銲層
11‧‧‧發光二極體晶片
111‧‧‧電極墊
12‧‧‧銲線
13‧‧‧壩體
14‧‧‧螢光粉
2‧‧‧發光二極體封裝件
20‧‧‧發光二極體晶片
201‧‧‧電極墊
202‧‧‧側面
203‧‧‧第一表面
204‧‧‧第二表面
21‧‧‧第一載體
211‧‧‧第二載體
22‧‧‧吸盤
23‧‧‧噴嘴
231‧‧‧噴霧
24‧‧‧螢光層
25‧‧‧封裝膠體
251‧‧‧頂面
26‧‧‧導引腳
27‧‧‧膠片
A‧‧‧切割線
第1圖係繪示習知技術中打線式發光二極體封裝件之剖視示意圖。
第2圖係繪示習知技術中覆晶式發光二極體封裝件之剖視示意圖。
第3A圖至第3D圖係繪示習知技術中打線式發光二極體封裝件之製法之剖視示意圖。
第4A圖至第4K圖係繪示本發明之發光二極體封裝件及其製法之剖視示意圖。
以下藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之其他優點及功效。
須知，本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下，均應仍落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時，本說明書中所引用之如「上」、「一」、「第一」、「第二」及「表面」等用語，亦僅為便於敘述之明瞭，而非用以限定本發明可實施之範圍，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當 亦視為本發明可實施之範疇。
第4A圖至第4K圖係繪示本發明之發光二極體封裝件2及其製法之剖視示意圖。
如第4A圖所示，先提供複數具有電極墊201、側面202、相對之第一表面203與第二表面204之發光二極體晶片20，且該電極墊201位於該第一表面203。接著，以吸盤22或夾具逐一吸取或夾取該些發光二極體晶片20，並藉由紫外線固化膠(UV膠)將該些發光二極體晶片20以其第一表面203黏置於第一載體(carrier)21上。該第一載體21可為塑膠板或玻璃板等。
如第4B圖所示，以噴嘴23或噴塗工具產生噴霧231，將螢光層24形成於該些發光二極體晶片20之第二表面204、側面202、部分第一表面203與該第一載體21之部分表面上，並外露出該些電極墊201，其中，該螢光層24係含螢光粉之膠體。藉此，該螢光層24之螢光粉能均勻地塗佈於該些發光二極體晶片20之表面上。
如第4C圖所示，形成封裝膠體25於該些發光二極體晶片20與該螢光層24上，以包覆該些發光二極體晶片20與該螢光層24，並外露出第一表面203及該些電極墊201。
如第4D圖所示，藉由紫外線固化膠(圖中未繪示)將第二載體211黏置於該封裝膠體25之頂面251上，使該封裝膠體25夾置於該第一載體21和該第二載體211之間。
如第4E圖所示，利用翻轉機台(圖中未繪示)將第4D圖之整體結構上下翻轉，使該第一載體21朝向上方。繼 而，藉由紫外線光(UV光)照射該第一載體21與該些發光二極體晶片20間之紫外線固化膠(圖中未繪示)，以移除該第一載體21。
如第4F圖所示，採用扇出(fan-out)方式形成複數導引腳26於該些電極墊201、或該些發光二極體晶片20之第一表面203之螢光層24上，並將該些導引腳26分別電性連接該些電極墊201。該些導引腳26係利用重佈線路層(Redistribution Layer；RDL)之製程導引出該些電極墊201之電性訊號，且該些導引腳26之表面係藉由電鍍方式形成金、銀或錫等金屬於其上。該些導引腳26可為該重佈線路層之電性連接墊。
如第4G圖所示，將膠片27貼合於該些導引腳26上。該膠片27可為藍膜膠片(blue tape)或紫外光膠片(UV tape)等。
如第4H圖所示，利用翻轉機台將第4G圖之整體結構上下翻轉，使該第二載體211朝向上方。然後，藉由紫外線光照射該第二載體211與該封裝膠體25間之紫外線固化膠(圖中未繪示)，以移除該第二載體211。
如第4I圖所示，沿著各切割線A對該些發光二極體晶片20、螢光層24、封裝膠體25與導引腳26所構成之結構進行切單(sawing)，但不切割該膠片27，藉此形成複數發光二極體封裝件2。
如第4J圖所示，利用翻轉機台將第4I圖之整體結構上下翻轉，使該膠片27朝向上方。最後，藉由紫外線光照 射方式或化學反應方式移除該膠片27。藉此，即可形成複數晶片尺寸封裝(Chip Scale Package；CSP)之發光二極體封裝件2，並使該些發光二極體封裝件2之體積達到微小化。
如第4K圖所示，係顯示單一的發光二極體封裝件2。
本發明另提供一種發光二極體封裝件2，如第4K圖所示，該發光二極體封裝件2係包括發光二極體晶片20、螢光層24、封裝膠體25以及導引腳26。
該發光二極體晶片20係具有複數電極墊201、側面202、相對之第一表面203與第二表面204，且該電極墊201位於該第一表面203。
該螢光層24係含螢光粉之膠體，並形成於該發光二極體晶片20之第二表面204、側面202與部分第一表面203上。藉此，該螢光層24之螢光粉能均勻地塗佈於該發光二極體晶片20之表面上。
該封裝膠體25係包覆該發光二極體晶片20與該螢光層24，並外露出該第一表面203及該電極墊201。
該導引腳26係電性連接該電極墊201，並採用扇出方式形成於該電極墊201、或該發光二極體晶片20之第一表面203之螢光層24上。同時，該導引腳26係利用重佈線路層之製程導引出該電極墊201之電性訊號，且該導引腳26之表面係藉由電鍍方式形成金、銀或錫等金屬於其上。該導引腳26可為該重佈線路層之電性連接墊。
由上可知，本發明之發光二極體封裝件及其製法，主要是在發光二極體晶片之表面上形成螢光層，並以封裝膠 體包覆該螢光層與該發光二極體晶片，且藉由導引腳電性連接該發光二極體晶片之電極墊。同時，本發明無須使用基板，亦可達到晶片尺寸封裝。因此，本發明能使螢光層之螢光粉均勻塗佈、良率較高、使用量較小、減少浪費，並使發光二極體封裝件之尺寸縮小、體積微小化、批次大量製作、生產量較高、製程較簡易、封裝成本較低。
上述實施例係用以例示性說明本發明之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修改。因此本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。
2‧‧‧發光二極體封裝件
20‧‧‧發光二極體晶片
201‧‧‧電極墊
202‧‧‧側面
203‧‧‧第一表面
204‧‧‧第二表面
24‧‧‧螢光層
25‧‧‧封裝膠體
26‧‧‧導引腳

Claims (13)

  1. 一種發光二極體封裝件，其包括：發光二極體晶片，係具有相對之第一表面與第二表面及位於該第一表面之複數電極墊；螢光層，係形成於該發光二極體晶片之第二表面上；封裝膠體，係包覆該發光二極體晶片與該螢光層，並外露出該第一表面及該電極墊；以及導引腳，係電性連接該電極墊。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝件，其中，該螢光層復形成於該發光二極體晶片之側面與部分第一表面上，並外露出該電極墊。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝件，其中，該螢光層係含螢光粉之膠體。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝件，其中，該導引腳係自該電極墊扇出。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝件，其中，該導引腳之表面係藉由電鍍方式形成金、銀或錫於其上。
  6. 一種發光二極體封裝件之製法，其包括：提供複數發光二極體晶片，各該發光二極體晶片具有相對之第一表面與第二表面及位於該第一表面之複數電極墊；將該些發光二極體晶片以其第一表面設置於第一 載體上；形成螢光層於該些發光二極體晶片之第二表面上；形成封裝膠體於該些發光二極體晶片上，以包覆該些發光二極體晶片與該螢光層，並外露出該些電極墊；以及形成複數導引腳，以分別電性連接該些電極墊。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體封裝件之製法，其中，形成該些導引腳之步驟係包括：於形成該封裝膠體於該螢光層上之後，將第二載體黏置於該封裝膠體上，使該封裝膠體夾置於該第一載體和該第二載體之間；移除該第一載體；以及於該些電極墊上形成該些導引腳。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體封裝件之製法，復包括於形成該些導引腳於該些電極墊上後，將膠片貼合於該些導引腳上，並藉由紫外線光照射方式移除該第二載體。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體封裝件之製法，復包括切單步驟，以形成複數發光二極體封裝件。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體封裝件之製法，復包括以紫外線光照射方式或化學反應方式移除該膠片。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體封裝件之製 法，其中，該膠片係為藍膜膠片或紫外光膠片。
  12. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體封裝件之製法，其中，該螢光層復形成於該些發光二極體晶片之側面與部分第一表面上，並外露出該些電極墊。
  13. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體封裝件之製法，其中，該些導引腳係自該些電極墊扇出。
TW102102300A 2013-01-22 2013-01-22 發光二極體封裝件及其製法 TW201431124A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102102300A TW201431124A (zh) 2013-01-22 2013-01-22 發光二極體封裝件及其製法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102102300A TW201431124A (zh) 2013-01-22 2013-01-22 發光二極體封裝件及其製法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201431124A true TW201431124A (zh) 2014-08-01

Family

ID=51797034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102102300A TW201431124A (zh) 2013-01-22 2013-01-22 發光二極體封裝件及其製法

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TW201431124A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI583028B (zh) * 2016-02-05 2017-05-11 行家光電股份有限公司 具有光形調整結構之發光裝置及其製造方法
US10797209B2 (en) 2016-02-05 2020-10-06 Maven Optronics Co., Ltd. Light emitting device with beam shaping structure and manufacturing method of the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI583028B (zh) * 2016-02-05 2017-05-11 行家光電股份有限公司 具有光形調整結構之發光裝置及其製造方法
US10797209B2 (en) 2016-02-05 2020-10-06 Maven Optronics Co., Ltd. Light emitting device with beam shaping structure and manufacturing method of the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8492181B2 (en) Embedded wafer level optical package structure and manufacturing method
US9512968B2 (en) LED module
WO2016150069A1 (zh) 发光器件的芯片级封装方法及结构
WO2012012975A1 (zh) 一种基于硅基板的led表面贴片封装结构及其封装方法
US20120273826A1 (en) Led package and method for manufacturing same
US8138509B2 (en) Light emitting device having luminescent layer with opening to exposed bond pad on light emitting die for wire bonding pad to substrate
MY159521A (en) Resin-sealed light emitting device and its manufacturing method
CN201904369U (zh) 一种基于硅基板的led表面贴片式封装结构
JP2010062365A (ja) 半導体装置およびその製造方法
TWI585844B (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
TWI536617B (zh) 發光二極體燈條及其製造方法
CN102254835A (zh) 半导体器件及其制造方法
TW200729429A (en) Semiconductor package structure and fabrication method thereof
KR102091534B1 (ko) 칩 스케일 패키지 발광 디바이스 및 그 제조 방법
US20120021542A1 (en) Method of packaging light emitting device
TW200504963A (en) Multi-chip semiconductor package and manufacturing method thereof
WO2013143038A1 (zh) 直接发出白光的发光二极管晶圆片的制造方法
TW201431124A (zh) 發光二極體封裝件及其製法
TW200926316A (en) Semiconductor package and method thereof
TW201344977A (zh) 發光二極體封裝結構的製造方法
TWI460796B (zh) 具有保護層的半導體封裝及其製作方法
TW201532316A (zh) 封裝結構及其製法
TW201603325A (zh) 封裝結構之製法
CN104112811A (zh) 一种led的封装方法
CN202523758U (zh) 直接发出白光的发光二极管晶圆片结构