JP2015079984A - 化学機械的研磨のスペクトルに基づく監視のための装置および方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スペクトルに基づく監視を行う装置および方法は、スペクトルに基づく終点検出、スペクトルに基づく研磨速度調整、光学ヘッド頂面の噴射、または窓付きのパッド30を含む。スペクトルに基づく終点検出は、具体的なスペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されるとターゲット厚さが達成されるよう、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理を経験的に選択された基準スペクトルを使用する。異なるトレースまたは一連のシーケンスを使用して研磨終点を決定できる。噴射システムは、光学ヘッドの頂面にかけて層状のガス流を作成する。真空ノズルと真空源は、ガス流が層状になるように構成されている。窓は、柔軟なプラスチック部分と結晶質またはガラス質の部分を含む。スペクトルに基づく研磨速度調整は、基板10上の異なるゾーンにスペクトルを得るステップを含む。
【選択図】図1
Description
ここで、Aは生スペクトル、Darkは暗い状況下で得たスペクトル、Siは剥き出しのシリコン基板から得たスペクトルである。
g=(1−0)/(rmax−rmin)
h=1−rmax *g
N=Rg+h
ここで、gは利得、hはオフセット、rmaxは正規化範囲内の最高値、rminは正規化範囲内の最低値、Nは正規化後のスペクトル、Rは正規化前のスペクトルである。
Claims (100)
- コンピュータによって実現される方法であって、
基準スペクトルを選択するステップであって、前記基準スペクトルが、第1基板上にあり、ターゲット厚さよりも厚い対象膜で反射された白色光のスペクトルであり、前記基準スペクトルが具体的なスペクトルに基づく終点決定論理について、前記具体的なスペクトルに基づく終点論理を適用することにより終点が呼び出されると前記ターゲット厚さが達成されるように経験的に選択されるステップと、
現在のスペクトルを得るステップであって、前記現在のスペクトルが、第2基板上にあり、前記ターゲット厚さよりも厚い現在の厚さを有する対象膜で反射された白色光のスペクトルであり、前記第2基板上の前記対象膜には研磨ステップが施されるステップと、
前記第2基板について、前記研磨ステップの終点に達したかどうかを決定するステップであって、前記決定は、前記基準スペクトルおよび前記現在のスペクトルに基づいているステップと
を備える、コンピュータによって実現される方法。 - 前記研磨ステップの終点に達したかどうかを決定するステップが、
前記基準スペクトルと前記現在のスペクトル間の差分を計算する工程と、
前記差分が閾値に達すると前記終点を呼び出す工程と、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記研磨ステップで使用するプラテンの1回転毎に現在のスペクトルが得られ、
前記研磨ステップの終点に達したかどうかを決定するステップが、複数の点を含む差分トレースを生成する工程を含み、前記複数の点のそれぞれが、前記プラテンの1回転につき得られた前記基準スペクトルと前記現在のスペクトル間の算出された差分を表す、請求項2に記載の方法。 - 前記研磨ステップの終点に達したかどうかを決定するステップが、研磨ステップが達成された、前記差分トレースが最小値に達したかどうかを決定するステップを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記研磨ステップの前記終点に達したかどうかを決定するステップが、前記差分トレースが前記最小値よりも上の閾値にまで上昇したかどうかを決定する工程を含む、請求項4に記載の方法。
- 前記差分トレースが最小値に達したかどうかを決定するステップが、前記差分トレースの傾斜を計算する工程を含む、請求項4に記載の方法。
- 前記差分トレースを簡略化するためにフィルタを付加するステップをさらに備える、請求項3に記載の方法。
- 前記現在のスペクトルと前記基準スペクトルのそれぞれが最大/最小増幅を呈し、
前記現在のスペクトルが、前記現在のスペクトルの前記最大/最小増幅が前記基準スペクトルの最大/最小増幅と同じまたは類似するよう正規化される、請求項1に記載の方法。 - 前記現在のスペクトルと前記基準スペクトルのそれぞれが、前記対象膜以外の媒体によって寄与された光反射を除去するために正規化される、請求項1に記載の方法。
- 現在のスペクトルを得るステップが、前記第2基板のスクライブラインで反射された光からのものでない現在のスペクトルを得る工程を含む、請求項1に記載の方法。
- 機械読み取り可能な媒体に記憶されたコンピュータプログラム製品であって、前記製品がプロセッサに以下の動作をさせる命令を備え、前記動作には、
基準スペクトルを選択する動作が含まれ、前記基準スペクトルが、第1基板上にあり、ターゲット厚さよりも厚い対象膜で反射された白色光のスペクトルであり、前記基準スペクトルが、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理について、前記具体的なスペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されると前記ターゲット厚さが達成されるように、経験的に選択され、
現在のスペクトルを得る動作がさらに含まれ、前記現在のスペクトルが、第2基板上にあり、ターゲット厚さよりも厚い現在の厚さを有する対象膜で反射された白色光のスペクトルであり、前記第2基板上の対象膜には研磨ステップが施され、
前記第2基板について、前記研磨ステップの終点に達したかどうかを決定する動作がさらに含まれ、前記決定ステップが、前記基準スペクトルと前記現在のスペクトルに基づいている、コンピュータ製品。 - 前記研磨ステップの終点に達したかどうかを決定する命令が、
前記基準スペクトルと前記現在のスペクトル間の差分を計算させる命令と、
前記差分が閾値に達すると前記終点を呼び出す命令とを含む、請求項11に記載のコンピュータプログラム製品。 - 現在のスペクトルを得る命令が、前記研磨ステップで使用するプラテンの各回転毎に現在のスペクトルを得る命令を含み、
前記研磨ステップの終点に達したかどうかを決定する命令が、複数の点を含む差分トレースを生成する命令を含んでおり、前記複数の点のそれぞれが、前記基準スペクトルと前記プラテンの1回転毎に得られた前記現在のスペクトルとの間の算出された差分を表す、請求項12に記載のコンピュータプログラム製品。 - 前記研磨ステップの終点に達したかどうかを決定する命令が、前記差分トレースが最小値に達したかどうかを決定する命令を含む、請求項13に記載のコンピュータプログラム製品。
- 前記研磨ステップの終点に達したかどうかを決定する命令が、前記差分トレースが前記最小値よりも上の閾値にまで上昇したかどうかを決定する命令を含む、請求項14に記載のコンピュータプログラム製品。
- 前記差分トレースが最小値に達したかどうかを決定する命令が、前記差分トレースの傾斜を計算する命令を含む、請求項14に記載のコンピュータプログラム製品。
- 前記トレースを簡略化するためにフィルタを付加する命令をさらに備える、請求項13に記載のコンピュータプログラム製品。
- 前記現在のスペクトルと前記基準スペクトルのそれぞれが最大/最小増幅を呈し、
前記製品がさらに、前記現在のスペクトルを、前記現在のスペクトルの最大/最小増幅が前記基準スペクトルの最大/最小増幅と同一となる、または類似するように正規化する命令を備える、請求項11に記載のコンピュータプログラム製品。 - 前記対象膜以外の媒体によって寄与された光反射を除去するために、前記現在のスペクトルと前記基準スペクトルのそれぞれを正規化する命令をさらに備える、請求項11に記載のコンピュータプログラム製品。
- 現在のスペクトルを得る命令が、前記第2基板のスクライブラインで反射された光からのものではない現在のスペクトルを得る命令を含む、請求項11に記載のコンピュータプログラム製品。
- 光学ヘッドの頂面を噴射する噴射システムであって、
ガス流を提供するように構成されたガス源と、
搬送ノズルと、
前記ガス源を前記搬送ノズルと接続する搬送ラインと、
真空を提供するように構成された真空源と、
真空ノズルと、
前記真空源を前記真空ノズルと接続する真空ラインとを備えており、前記ガス源と前記搬送ノズルが、ガス流を前記光学ヘッドの頂面にかけて案内するように構成されており、前記真空ノズルと前記真空源が、ガス流が層状になるように構成されている、噴射システム。 - スラリーが前記光学ヘッドの頂面上で乾燥してしまうことを防止する、請求項21に記載の噴射システム。
- 前記光学ヘッドが光を第1方向へ案内し、
前記搬送ノズルが、ガス流を前記第1方向に対して実質的に垂直な平面に案内するように据設されている、請求項21に記載の噴射システム。 - 前記ガス流が具体的量のガスを提供するように構成されており、前記真空源が同量または類似量のガスを吸引するように構成されている、請求項21に記載の噴射システム。
- 前記ガスが清潔で乾燥した空気または窒素ガスである、請求項21に記載の噴射システム。
- ガスを伝播させるための第1回転カップラであって、前記第1回転カップラが前記搬送ライン内に据設されており、
ガスを伝播させるための第2回転カップラであって、前記第2回転カップラが前記真空ライン内に据設されている、請求項21に記載の噴射システム。 - 研磨パッド窓の底面を噴射させる噴射システムであって、前記システムが、
ガス流を提供するように構成されたガス源と、
搬送ノズルと、
前記ガス源を前記搬送ノズルに接続する搬送ラインと、
を備えており、前記ガス源と前記搬送ノズルが、前記研磨パッド窓の底部においてガス流を案内するように構成されており、前記研磨パッド窓の底面上おける凝縮の形成が防止される、噴射システム。 - 真空を提供するように構成された真空源と、
真空ノズルと、
前記真空源を前記真空ノズルと接続する真空ラインとをさらに備える、請求項27に記載の噴射システム。 - 前記ガス源が、具体的量のガスを提供するように構成されており、前記真空源が同量または類似量のガスを吸引するように構成されている、請求項28に記載の噴射システム。
- 前記ガス源によって導入されたガスを逃がすように構成された通気孔をさらに備える、請求項27に記載の噴射システム。
- 前記通気孔が、耐湿性の場所に位置する出口を含む、請求項30に記載の噴射システム。
- 前記ガスが、清潔で乾燥した空気又は窒素である、請求項27に記載の噴射システム。
- ガスを搬送するための回転カップラをさらに備えており、前記カップラが前記搬送ライン内に据設されている、請求項27に記載の噴射システム。
- プラテン内の凹部の底部に据設された光学ヘッドの頂面を噴射する方法であって、前記方法が、
或る具体的な速度で導入されたガス流を前記光学ヘッドの頂面にかけて案内するステップを備え、
前記ガスを前記凹部から或る具体的な速度で除去するステップをさらに備え、前記ガスが導入される具体的な速度と、前記ガスが除去される具体的な速度とによってガスが層状化する方法。 - 前記凹部が開口を含み、前記開口において前記ガス流が案内されない、請求項34に記載の方法。
- 前記ガス流を案内するステップが、清潔で乾燥した空気または窒素ガスのどちらかの流れを案内する工程を含む、請求項34に記載の方法。
- 前記プラテンは前記ガス源に関連して回転し、
前記ガス流を案内するステップは、ガスをガス搬送用の回転カップラを介して搬送するステップを含む、請求項34に記載の方法。 - プラテンの空間内に据設された研磨パッド窓の底面を噴射する方法であって、前記方法は、
前記空間内にガスを導入するステップを備え、前記ガスは前記研磨パッド窓の底面において案内され、
前記空間からガスを通気するステップをさらに備え、前記研磨パッド窓の底面上で凝縮が形成されることが防止される、方法。 - 前記通気ステップは、耐湿性を有する場所へ通気するステップを含む、請求項38に記載の方法。
- 前記プラテンが前記ガス源に関連して回転し、
ガスを導入するステップが、ガスをガス搬送用の回転カップラを介して搬送する工程を含む、請求項38に記載の方法。 - 化学機械的研磨用のアセンブリであって、
研磨面を有する研磨パッドと、
前記研磨パッドを介して光学アクセスを提供するために前記研磨パッド内に据設された固体窓とを備えており、前記固体窓が、ポリウレタンから作成された第1部分と、石英から作成された第2部分とを含んでおり、前記第1部分が前記研磨パッドの研磨面と同平面上にある表面を有するアセンブリ。 - 前記研磨パッドが予想された寿命期間を有し、
前記窓の第1部分が、前記研磨パッドの予想される寿命期間中に前記第1部分が疲労して前記第2部分が露出してしまうことのない厚さを有する、請求項41に記載のアセンブリ。 - 前記第1部分が前記固体窓の第1層であり、前記第2部分が前記固体窓の第2層であり、各層が、前記研磨パッドに接着剤で取り付けられた側面を有する、請求項41に記載のアセンブリ。
- 前記第1部分と前記第2部分が当接しているが、接着剤を使用して相互に取り付けられてはいない、請求項41に記載のアセンブリ。
- 前記第1部分と前記第2部分が、白色光に対して透明性を有する接着剤を使用して取り付けられている、請求項41に記載のアセンブリ。
- 光ビームを、前記固体窓によって提供される光学アクセスを通る経路に沿って案内するために据設されたファイバケーブルをさらに備え、
前記第1部分が非均一な厚さを有しており、このため、前記光ビーム経路内の或る場所における前記第1部分の厚さが、前記光ビーム経路内ではない場所における前記第1部分の厚さよりも薄くなっている、請求項41に記載のアセンブリ。 - 前記固体窓の第1部分が白色光に対して透明性を有する、請求項41に記載のアセンブリ。
- 前記固体窓が、具体的な色の単色光に対して約80%の透過性を有する、請求項41に記載のアセンブリ。
- 光ビームを、前記固体窓により提供された前記光学アクセスを通る経路に沿って案内するために据設されたファイバケーブルをさらに備え、
前記第1部分と前記第2部分が、接着剤を使用して、前記接着剤が前記光ビームの経路に入らないように取り付けられている、請求項41に記載のアセンブリ。 - 前記接着剤が前記ファイバケーブルからの光を通さない、請求項49に記載のアセンブリ。
- 前記固体窓が底面を含み、前記アセンブリがさらに、
前記窓の底面に付加された屈折率ゲルを備えており、前記ゲルが、光が前記ファイバケーブルから前記窓まで移動するための媒体を提供する、請求項49に記載のアセンブリ。 - 前記研磨パッドが穴と、前記穴に差し込まれる第1部分とを含んでおり、前記第1部分が、前記第2部分が内部に据設される凹部を有する、請求項41に記載のアセンブリ。
- 化学機械的研磨のための研磨パッドであって、
頂面と底面を有する研磨層を備え、前記研磨パッドが、前記頂面に設けた第1開口と、前記底面に設けた第2開口とを有するアパーチャを含み、前記頂面が研磨面であり、
柔軟なプラスチックから作成された第1部分と、結晶質またはガラス質の第2部分とを含む窓をさらに備え、前記窓が白色光を通し、前記窓が、前記第1部分が前記アパーチャ内に差し込まれ、前記第2部分が前記第1部分の底側部上に位置するように前記アパーチャ内に据設されており、前記第1部分が耐スラリーバリヤとして機能する、研磨パッド。 - 前記研磨パッドが予想される寿命期間を有し、
前記窓の第1部分が、前記研磨パッドの予想される寿命期間中に、前記第1部分が疲労して前記第2部分が露出してしまうことがない厚さを有する、請求項53に記載の研磨パッド。 - 前記第1部分が前記固体窓の第1層であり、前記第2部分が前記固体窓の第2層であり、各層が、接着剤によって前記研磨パッドに取り付けられた側面を有する、請求項53に記載の研磨パッド。
- 前記第1部分と第2部分が当接しているが、接着剤を使用して相互に取り付けられてはいない、請求項53に記載の研磨パッド。
- 前記第1部分と第2部分が、白色光を通す接着剤を使用して取り付けられている、請求項53に記載の研磨パッド。
- 研磨パッドの作成方法であって、
結晶質またはガラス質の材料の塊を研磨パッド窓の鋳型内に設置するステップを備え、前記塊が白色光を通し、
柔軟なプラスチック材料の液体前駆物質を前記鋳型内に吐出するステップであって、前記柔軟なプラスチック材料が白色光を通す、前記ステップと、
前記液体前駆物質を硬化させて、柔軟なプラスチック材料から作成された第1部分と結晶質またはガラス質の第2部分とを含む窓を形成するステップと、
前記窓を研磨パッドの鋳型内に設置するステップと、
研磨パッド材料の液体前駆物質を前記研磨パッドの鋳型内に吐出するステップと、
前記研磨パッド材料の液体前駆物質を硬化させて、前記研磨パッドを製造するステップと、
をさらに備え、前記窓が前記研磨パッドの鋳型内に据設され、そのため前記研磨パッドが製造されると、前記第1部分が耐スラリーバリヤとして機能するように、前記窓が前記研磨パッド内に据設される、方法。 - 研磨パッドの作成方法であって、
結晶質またはガラス質の材料を研磨パッド窓の鋳型内に設置するステップであって、前記塊が白色光を通すステップと、
前記鋳型内に柔軟なプラスチック材料の液体前駆物質を吐出するステップであって、前記柔軟なプラスチック材料が白色光を通すステップと、
前記液体前駆物質を硬化させて、柔軟なプラスチック材料から作成された第1部分と結晶質またはガラス質の第2部分とを含む窓を形成するステップと、
アパーチャを含む研磨層を形成するステップであって、前記研磨層が頂面と底面を有し、前記アパーチャが前記頂面に設けた第1開口と、前記底面に設けた第2開口とを有し、前記頂面が研磨面であるステップと、
前記窓を前記アパーチャ内に挿入するステップであって、前記窓が、第1部分が前記アパーチャに差し込まれ、前記第2部分が第1部分の底側部上に位置するように前記アパーチャ内に据設されており、前記第1部分が耐スラリーバリヤとして機能するステップと、を備える方法。 - 研磨パッドの作成方法であって、
研磨パッド窓の第1部分を形成するステップであって、前記第1部分が凹部を有し、白色光を通すステップと、
結晶質またはガラス質の材料の塊を前記凹部内に挿入するステップであって、前記塊が白色光を通すステップと、
アパーチャ、頂面と底面を有する研磨層、前記アパーチャが前記頂面に設けた第1開口と、前記底面に設けた第2開口とを有し、前記頂面が研磨面であるステップと、
前記窓を前記アパーチャに挿入するステップであって、前記窓が前記アパーチャ内に、前記第1部分が前記アパーチャに差し込まれ、前記第2部分が前記第1部分の底側部上に位置するように据設されており、前記第1部分が耐スラリーバリヤとして機能するステップと、を備える方法。 - コンピュータによって実現される方法であって、
研磨中の基板から一連の現在のスペクトルを得るステップと、
差分トレースを生成するために、前記一連の現在のスペクトル内のそれぞれについて、所定スペクトルと前記現在のスペクトル間の差分を計算するステップと、
前記差分トレースを使用して研磨終点を決定するステップと、
を備えた方法。 - 前記研磨終点を決定するステップが、前記差分トレースが最小値に達したかどうかを決定する工程を含む、請求項61に記載の方法。
- 前記差分トレースが最小値に達したかどうかを決定するステップが、前記差分トレースの傾斜を計算する工程を含む、請求項62に記載の方法。
- 実際にマシン読み出し可能な媒体上に記憶されたコンピュータプログラム製品であって、前記製品がプロセッサに以下の動作を行わせる命令を備えており、前記動作が
研磨中の基板から一連の現在のスペクトルを受信する動作と、
差分トレースを生成するために、前記一連の現在のスペクトルのそれぞれについて、所定スペクトルと前記現在のスペクトル間の差分を計算する動作と、
前記差分トレースを使用して研磨終点を決定する動作である、製品。 - 前記研磨終点を決定するステップが、前記差分トレースが最小値に達したかどうかを決定する工程を含む、請求項64に記載の製品。
- 前記差分トレースが最小値に達したかどうかを決定するステップが、前記差分トレースの傾斜を計算する工程を含む、請求項65に記載の製品。
- コンピュータによって実現される方法であって、
研磨中の基板から一連の現在のスペクトルを得るステップと、
複数の所定スペクトルと複数のインデックス値とを記憶するステップであって、前記複数の所定スペクトルの各スペクトルが、研磨度数を表す一意のインデックス値に関連しているステップと、
前記シーケンス内の各現在のスペクトルについて、前記複数の所定スペクトルの中から具体的なスペクトルを選択し、前記具体的なスペクトルのインデックス値を決定することで一連のインデックス値を作成するステップと、
前記一連のインデックス値を使用して研磨終点を決定するステップと、
を備える方法。 - 前記複数の所定スペクトルの中から具体的なスペクトルを選択するステップが、前記複数の所定スペクトルの中のどのスペクトルが前記現在のスペクトルと最も近く合致するかを決定する工程を備える、請求項67に記載の方法。
- 前記インデックス値が整数である、請求項67に記載の方法。
- 前記インデックス値が多数のプラテン回転を表す、請求項67に記載の方法。
- 実際にマシン読み出し可能な媒体上に記憶されているコンピュータプログラム製品であって、前記製品がプロセッサに以下の動作を行わせる命令を備えており、前記動作が、
研磨中の基板から一連の現在のスペクトルを得る動作と、
さらに、複数の所定スペクトルと複数のインデックス値とを記憶する動作であり、前記所定スペクトルのそれぞれが研磨度数を表す一意のインデックス値に関連している動作と、
前記シーケンス内の各現在のスペクトルについて、前記複数の所定スペクトルの中から具体的なスペクトルを選択し、前記具体的なスペクトルのインデックス値を決定することで一連のインデックス値を作成する動作と、
一連のインデックス値を使用して研磨終点を決定する動作である、製品。 - 複数の所定スペクトルの中から具体的なスペクトルを選択する動作が、前記複数の所定スペクトルのうちのどのスペクトルが前記現在のスペクトルに最も近く合致しているかを決定することを含む。
- 前記インデックス値が整数である、請求項71に記載の製品。
- 前記インデックス値が多数のプラテン回転を表す、請求項71に記載の製品。
- コンピュータによって実現される方法であって、
少なくとも1つの正規化された所定スペクトルを記憶するステップと、
研磨中の基板から一連の現在のスペクトルを得るステップと、
一連の正規化された現在のスペクトルを生成するために、前記一連の各現在のスペクトルを正規化するステップと、
前記少なくとも1つの正規化された所定スペクトルと前記正規化された現在のスペクトルを使用して、研磨終点を決定するステップとを備える方法。 - 実際にマシン読み出し可能な媒体上に記憶されているコンピュータプログラム製品であって、前記製品がプロセッサに以下の動作を行わせる命令を備えており、前記動作が、
少なくとも1つの正規化された所定スペクトルを記憶する動作と、
研磨中の基板から一連の現在のスペクトルを得る動作と、
一連の正規化された現在のスペクトルを生成するために、前記一連のカンレントスペクトル内の各現在のスペクトルを正規化する動作と、
前記少なくとも1つの正規化された所定スペクトルと前記正規化された現在のスペクトルを使用して、研磨終点を決定する動作である方法。 - コンピュータによって実現される方法であって、
研磨中の基板から一連の現在のスペクトルを得るステップと、
前記一連の現在のスペクトルのうちのそれぞれについて、前記現在のスペクトルが前記基板の領域に対応しているかどうかを、前記現在のスペクトルに基づいて決定するステップと、
前記第1領域に対応すると決定されなかった前記現在のスペクトルを使用して研磨終点を決定するステップと、
を備える方法。 - 前記領域がスクライブラインである、請求項77に記載の方法。
- 実際にマシン読み出し可能な媒体上に記憶されているコンピュータプログラム製品であって、前記製品がプロセッサに以下の動作を行わせる命令を備えており、前記命令が、
研磨中の基板から一連の現在のスペクトルを得る命令であり、
前記一連の現在のスペクトルのうちのそれぞれについて、前記現在のスペクトルが前記基板の領域に関連しているかどうかを、前記現在のスペクトルに基づいて決定する命令であり、
前記第1領域に関連していると決定されなかった前記現在のスペクトルを使用して、研磨終点を決定する命令である、製品。 - 前記領域がスクライブラインである、請求項79に記載の製品。
- コンピュータによって実現される方法であって、
研磨シーケンス中に、基板上の第1ゾーンで反射された光から第1スペクトルと、前記基板上の第2ゾーンから第2スペクトルを得るステップと、
前記第1スペクトルに第1インデックスを、前記第2スペクトルに第2インデックスを決定するために、前記第1スペクトルと前記第2スペクトルをスペクトルライブラリと比較するステップと、
前記第1ゾーンで反射された光の第3スペクトルを得て、研磨シーケンス中の異なる時間において前記第2ゾーンから第4スペクトルを得るステップと、
前記第1ゾーンに第3インデックスを、前記第2ゾーンに第4インデックスを決定するために、前記第3スペクトルおよび前記第4スペクトルを前記ライブラリと比較するステップと、
前記第1インデックスと第3インデックスから前記第1ゾーンにおける研磨速度を決定し、前記第2インデックスと前記第4インデックスから前記第2ゾーンにおける研磨速度を決定するステップと、
前記第1研磨速度、前記第2研磨速度、前記第1ゾーンについての第1ターゲット相対厚さ、前記第2ゾーンについての第2ターゲット相対厚さに基づいて、前記第2ゾーンの調整された研磨速度を決定することで、前記第1ゾーンが前記第1ターゲット相対厚さまで研磨される実質的に同一の時間に、前記第2ゾーンを前記第2ターゲット相対厚さに研磨させるステップと、
を備える方法。 - 前記第1ゾーンが内部ゾーンであり、前記第2ゾーンが外部環状ゾーンである、請求項81に記載の方法。
- 前記第2ゾーンに調整された研磨速度を決定するステップが、前記第1ターゲット相対厚さが前記第2ターゲット相対厚さからの所定閾値内にある時を決定する工程を含む、請求項81に記載の方法。
- 前記第2スペクトルについて調整された研磨速度を決定するステップが、前記研磨シーケンスについて推定される終点時間を決定する工程を含む、請求項81に記載の方法。
- 前記第1スペクトルと第2スペクトルを得るステップが、白色光スペクトルを得る工程を含む、請求項81に記載の方法。
- 前記調整された研磨時間に前記第2ゾーンを研磨させるように、前記研磨システムのパラメータを調整するステップをさらに備える、請求項81に記載の方法。
- 前記調整された研磨速度を決定するステップが設定基板上で実行され、前記研磨システムのパラメータを調整するステップが製品基板上で実行される、請求項86に記載の方法。
- 前記調整された研磨速度を決定するステップが製品基板上で実行され、前記研磨システムのパラメータを調整するステップが前記製品基板上で実行される、請求項86に記載の方法。
- 前記研磨システムのパラメータを調整するステップが圧力を調整する工程を含む、請求項86に記載の方法。
- 調整された研磨速度を決定するステップは、前記研磨シーケンスが完了すると、前記基板の直径に沿った断面が平坦な外形となるようにする研磨速度を決定する工程を含む、請求項81に記載の方法。
- 調整された研磨速度を決定するステップが、前記研磨シーケンスが完了すると、前記基板の直径に沿った断面がボウル型になるようにする研磨速度を決定する工程を含む、請求項81に記載の方法。
- 前記第1スペクトルと前記第2スペクトルを得るステップが、異なる回転場所において前記基板をサンプリングする工程を含む、請求項81に記載の方法。
- 前記第1スペクトルと前記第2スペクトルを得るステップが、酸化物膜で反射されたスペクトルを測定する工程を含む、請求項81に記載の方法。
- 前記設定基板を過剰研磨されるまで研磨するステップと、
前記研磨中に前記試験基板の1つのゾーンから複数のスペクトルを得るステップと、
前記スペクトルライブラリを作成するために、前記複数のスペクトルを、各スペクトルが得られた時間と共に記憶するステップとをさらに備える、請求項81に記載の方法。 - 前記スペクトルライブラリにインデックスを作成するステップをさらに備え、或るインデックスが、特定の時間に前記設定基板から得たスペクトルを表す、請求項84に記載の方法。
- 化学機械的研磨処理を監視する方法であって、
マルチ波長光ビームを研磨中の基板上に案内し、前記基板で反射された光のスペクトルを測定するステップと、
前記光ビームを前記基板表面にかけて経路内で移動させるステップと、
前記信号から一連のスペクトル測定値を抽出し、前記スペクトル測定値の各々に対して前記基板のラジアル位置を決定するステップと、
前記スペクトル測定値を前記ラジアル位置に従った複数のラジアル範囲内に記憶するステップと、
前記複数のラジアル範囲のうちの少なくとも1つにおける前記スペクトル測定値から前記基板に研磨終点を決定するステップと、
を備える方法。 - 前記ラジアル範囲のうちの1つに調整された研磨速度を決定し、前記調整された研磨速度を前記ラジアル範囲のうちの1つに適用するステップをさらに備える、請求項96に記載の方法。
- 実際にマシン読み出し可能な媒体上に記憶されているコンピュータプログラム製品であって、前記製品がプロセッサに以下の動作を行わせる命令を備えており、前記動作が、
研磨シーケンス中に、基板上の第1ゾーンで反射された光の第1スペクトルと、基板上の第2ゾーンで反射された光の第2スペクトルとを得る動作と、
前記第1スペクトルに第1インデックスを、前記第2スペクトルに第2インデックスを決定するために、前記第1スペクトルと前記第2スペクトルをスペクトルライブラリと比較する動作と、
前記研磨シーケンス中の異なる時間において、前記第1ゾーンで反射された光の第3スペクトルと、前記第2ゾーンからの第4スペクトルとを得る動作と、
前記第1ゾーンに第3インデックスを、前記第2ゾーンに第4インデックスを決定するために、前記第3スペクトルと前記第4スペクトルを前記ライブラリと比較する動作と、
前記第1インデックスおよび前記第3インデックスから前記第1ゾーンでの研磨速度を決定し、前記第2インデックスおよび前記第4インデックスから第2ゾーンでの研磨速度を決定する動作と、
前記第1研磨速度と前記第2研磨速度、前記第1ゾーンの第1ターゲット相対厚さ、前記第2ゾーンの第2ターゲット相対厚さに基づいて、前記第2ゾーンに調整された研磨速度を決定することで、前記第1ゾーンが前記第1ターゲット相対厚さに研磨されるのとほぼ同時に、前記第2ゾーンを前記第2ターゲット相対厚さに研磨させる動作である、製品。 - 前記第1ゾーンが内部ゾーンであり、前記第2ゾーンが外部環状ゾーンである、請求項98に記載の方法。
- 前記第2ゾーンに調整された研磨速度を決定する命令は、前記第1ターゲット相対厚さが、前記第2ターゲット相対厚さからの所定閾値内にある時を決定する命令を含む、請求項98に記載の製品。
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Cited By (1)
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WO2016093963A1 (en) * | 2014-12-12 | 2016-06-16 | Applied Materials, Inc. | System and process for in situ byproduct removal and platen cooling during cmp |
CN104802091A (zh) * | 2015-05-19 | 2015-07-29 | 肥西县三星玻璃有限公司 | 一种玻璃磨边机 |
KR101870701B1 (ko) | 2016-08-01 | 2018-06-25 | 에스케이실트론 주식회사 | 폴리싱 측정 장치 및 그의 연마 시간 제어 방법, 및 그를 포함한 폴리싱 제어 시스템 |
US10286517B2 (en) * | 2017-08-08 | 2019-05-14 | Micron Technology, Inc. | Polishing apparatuses |
CN107520740A (zh) * | 2017-09-18 | 2017-12-29 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | 一种化学机械抛光中光谱终点的检测方法、装置及系统 |
KR101890331B1 (ko) * | 2017-10-16 | 2018-08-21 | 에스케이씨 주식회사 | 누수 방지된 연마패드 및 이의 제조방법 |
CN107900788B (zh) * | 2017-11-24 | 2020-04-24 | 上海华力微电子有限公司 | 一种改善层间介质研磨工艺厚度稳定性的方法 |
KR102527659B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-05-03 | 삼성전자주식회사 | 공기청정기 |
US11577356B2 (en) | 2018-09-24 | 2023-02-14 | Applied Materials, Inc. | Machine vision as input to a CMP process control algorithm |
CN115038549B (zh) * | 2020-06-24 | 2024-03-12 | 应用材料公司 | 使用研磨垫磨损补偿的基板层厚度确定 |
CN112025547B (zh) * | 2020-09-15 | 2021-11-02 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 激光投影虚拟校正设备和方法 |
CN113478382B (zh) * | 2021-07-20 | 2022-11-04 | 湖北鼎汇微电子材料有限公司 | 检测窗口、化学机械抛光垫及抛光系统 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1133901A (ja) * | 1997-07-18 | 1999-02-09 | Nikon Corp | ウェハ研磨装置 |
JPH11260876A (ja) * | 1998-01-07 | 1999-09-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 埋設界面の深さを測定する非破壊的方法および装置 |
JP2000077371A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-14 | Nikon Corp | 検出方法及び検出装置及び研摩装置 |
JP2001287159A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-16 | Nikon Corp | 表面状態測定方法及び測定装置及び研磨装置及び半導体デバイス製造方法 |
JP2002116163A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Jeol Ltd | 表面分析装置におけるスペクトルピーク位置の補正方法 |
JP2003042721A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Hitachi Ltd | 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2004012302A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Hitachi Ltd | 膜厚分布計測方法及びその装置 |
JP2004017229A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Shimadzu Corp | 基板研磨装置 |
JP2004165473A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Seiko Epson Corp | Cmp装置、cmp研磨方法、半導体装置及びその製造方法 |
JP2005101114A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Lam Res Corp | 動的更新参照を介した光学干渉を用いた金属薄膜状態の境界のインシチューな検出 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0286128U (ja) * | 1988-12-21 | 1990-07-09 | ||
JP3300217B2 (ja) * | 1996-01-29 | 2002-07-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 研磨処理モニタ方法および装置 |
JP4460659B2 (ja) * | 1997-10-22 | 2010-05-12 | 株式会社ルネサステクノロジ | 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いた薄膜デバイスの製造方法及びその製造装置 |
JP3371775B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2003-01-27 | 株式会社日立製作所 | 研磨方法 |
US6271047B1 (en) * | 1998-05-21 | 2001-08-07 | Nikon Corporation | Layer-thickness detection methods and apparatus for wafers and the like, and polishing apparatus comprising same |
US6361646B1 (en) * | 1998-06-08 | 2002-03-26 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for endpoint detection for chemical mechanical polishing |
US6106662A (en) * | 1998-06-08 | 2000-08-22 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for endpoint detection for chemical mechanical polishing |
US6296189B1 (en) * | 1998-08-26 | 2001-10-02 | Spectra Science Corporation. | Methods and apparatus employing multi-spectral imaging for the remote identification and sorting of objects |
JP2000254860A (ja) * | 1999-03-08 | 2000-09-19 | Nikon Corp | 研磨装置 |
CN1150601C (zh) * | 1999-03-31 | 2004-05-19 | 株式会社尼康 | 抛光设备及半导体器件的制造方法 |
JP2000310512A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-07 | Hitachi Ltd | 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いた薄膜デバイスの製造方法及びその装置 |
US6334807B1 (en) * | 1999-04-30 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Chemical mechanical polishing in-situ end point system |
JP3327289B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2002-09-24 | 株式会社ニコン | 工程終了点測定装置及び測定方法及び研磨装置及び半導体デバイス製造方法及び信号処理プログラムを記録した記録媒体 |
US6146242A (en) * | 1999-06-11 | 2000-11-14 | Strasbaugh, Inc. | Optical view port for chemical mechanical planarization endpoint detection |
US6171181B1 (en) * | 1999-08-17 | 2001-01-09 | Rodel Holdings, Inc. | Molded polishing pad having integral window |
JP3259225B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2002-02-25 | 株式会社ニコン | 研磨状況モニタ方法及びその装置、研磨装置、プロセスウエハ、半導体デバイス製造方法、並びに半導体デバイス |
JP4487375B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | パターンのモデル化方法、膜厚測定方法、工程状態判定方法、膜厚測定装置、工程状態判定装置、研磨装置、及び半導体デバイスの製造方法 |
JP3804064B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2006-08-02 | 株式会社東京精密 | ウェーハ研磨装置の研磨終点検出方法及び装置 |
JP2002025960A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-01-25 | Wallace T Y Tang | 薄膜を監視するための方法および装置 |
US6491569B2 (en) * | 2001-04-19 | 2002-12-10 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for using optical reflection data to obtain a continuous predictive signal during CMP |
US6676482B2 (en) * | 2001-04-20 | 2004-01-13 | Speedfam-Ipec Corporation | Learning method and apparatus for predictive determination of endpoint during chemical mechanical planarization using sparse sampling |
JP2002359217A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Omron Corp | 研磨終点検出方法およびその装置 |
US6618130B2 (en) | 2001-08-28 | 2003-09-09 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for optical endpoint detection during chemical mechanical polishing |
JP2003080451A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-18 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研磨装置及び研磨方法 |
US6688945B2 (en) * | 2002-03-25 | 2004-02-10 | Macronix International Co. Ltd. | CMP endpoint detection system |
JP4542324B2 (ja) * | 2002-10-17 | 2010-09-15 | 株式会社荏原製作所 | 研磨状態監視装置及びポリッシング装置 |
US6931870B2 (en) * | 2002-12-04 | 2005-08-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Time division multi-cycle type cooling apparatus and method for controlling the same |
JP2004343090A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-12-02 | Jsr Corp | 研磨パッドおよび半導体ウェハの研磨方法 |
US20040242121A1 (en) * | 2003-05-16 | 2004-12-02 | Kazuto Hirokawa | Substrate polishing apparatus |
JP2005011977A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Ebara Corp | 基板研磨装置および基板研磨方法 |
JP2005033012A (ja) * | 2003-07-14 | 2005-02-03 | Seiko Epson Corp | 研磨装置および半導体装置の製造方法 |
US20050026542A1 (en) | 2003-07-31 | 2005-02-03 | Tezer Battal | Detection system for chemical-mechanical planarization tool |
JP4464642B2 (ja) | 2003-09-10 | 2010-05-19 | 株式会社荏原製作所 | 研磨状態監視装置、研磨状態監視方法、研磨装置及び研磨方法 |
TW200524803A (en) * | 2003-11-13 | 2005-08-01 | Applied Materials Inc | Stabilizing substrate carriers during overhead transport |
-
2006
- 2006-08-21 KR KR1020147002129A patent/KR101521414B1/ko active IP Right Grant
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- 2006-08-21 KR KR1020137008961A patent/KR101423579B1/ko active IP Right Grant
- 2006-08-21 KR KR1020137008965A patent/KR101398567B1/ko active IP Right Grant
- 2006-08-21 CN CN201210109226.6A patent/CN102626895B/zh active Active
- 2006-08-21 CN CN201610227541.7A patent/CN105773398B/zh active Active
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- 2006-08-22 TW TW095130882A patent/TWI361454B/zh active
-
2012
- 2012-07-30 JP JP2012168680A patent/JP6047327B2/ja active Active
- 2012-07-30 JP JP2012168682A patent/JP5622807B2/ja active Active
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- 2012-10-02 JP JP2012220364A patent/JP5624099B2/ja active Active
-
2014
- 2014-12-10 JP JP2014249936A patent/JP6052906B2/ja active Active
- 2014-12-10 JP JP2014249935A patent/JP6438288B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1133901A (ja) * | 1997-07-18 | 1999-02-09 | Nikon Corp | ウェハ研磨装置 |
JPH11260876A (ja) * | 1998-01-07 | 1999-09-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 埋設界面の深さを測定する非破壊的方法および装置 |
JP2000077371A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-14 | Nikon Corp | 検出方法及び検出装置及び研摩装置 |
JP2001287159A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-16 | Nikon Corp | 表面状態測定方法及び測定装置及び研磨装置及び半導体デバイス製造方法 |
JP2002116163A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Jeol Ltd | 表面分析装置におけるスペクトルピーク位置の補正方法 |
JP2003042721A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Hitachi Ltd | 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2004012302A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Hitachi Ltd | 膜厚分布計測方法及びその装置 |
JP2004017229A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Shimadzu Corp | 基板研磨装置 |
JP2004165473A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Seiko Epson Corp | Cmp装置、cmp研磨方法、半導体装置及びその製造方法 |
JP2005101114A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Lam Res Corp | 動的更新参照を介した光学干渉を用いた金属薄膜状態の境界のインシチューな検出 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017064899A (ja) * | 2015-10-01 | 2017-04-06 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5622807B2 (ja) | 2014-11-12 |
KR20130041397A (ko) | 2013-04-24 |
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KR20140140598A (ko) | 2014-12-09 |
KR101423579B1 (ko) | 2014-07-25 |
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JP2012256913A (ja) | 2012-12-27 |
KR20130042059A (ko) | 2013-04-25 |
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CN104526536B (zh) | 2017-09-22 |
CN102626895A (zh) | 2012-08-08 |
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