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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5773379B2 (ja) * 2009-03-19 2015-09-02 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器
JP5985136B2 (ja) 2009-03-19 2016-09-06 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器
WO2011077580A1 (ja) 2009-12-26 2011-06-30 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
CN204760384U (zh) * 2015-05-18 2015-11-11 华天科技（昆山）电子有限公司 高像素影像传感芯片的晶圆级封装结构
KR102423813B1 (ko) * 2015-11-27 2022-07-22 삼성전자주식회사 반도체 소자
CN107534749B (zh) 2015-11-30 2020-03-03 奥林巴斯株式会社 摄像元件、内窥镜以及内窥镜系统
CN108886043B (zh) * 2016-04-25 2023-06-30 奥林巴斯株式会社 摄像元件、内窥镜以及内窥镜系统
JP2018078274A (ja) * 2016-11-10 2018-05-17 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． イメージセンサー装置及びそれを含むイメージセンサーモジュール
DE102024103109A1 (de) * 2024-02-05 2025-08-07 Abacus neo GmbH Elektronische Bilderfassungs- und Bildverarbeitungseinheit

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3166220B2 (ja) * 1991-08-09 2001-05-14 ソニー株式会社 固体撮像装置
KR100192576B1 (ko) * 1995-11-17 1999-06-15 윤종용 콘택 이미지 센서
US6321134B1 (en) * 1997-07-29 2001-11-20 Silicon Genesis Corporation Clustertool system software using plasma immersion ion implantation
US6489241B1 (en) * 1999-09-17 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for surface finishing a silicon film
JP2001189423A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Sanyo Electric Co Ltd 半導体集積回路
JP3713418B2 (ja) * 2000-05-30 2005-11-09 光正 小柳 ３次元画像処理装置の製造方法
JP2002118249A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Sony Corp 固体撮像素子
JP4237966B2 (ja) * 2002-03-08 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 検出器
JP4123415B2 (ja) * 2002-05-20 2008-07-23 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP2005044861A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Seiko Epson Corp 半導体装置、半導体装置の使用方法、半導体装置の製造方法および電子機器
JP4389626B2 (ja) * 2004-03-29 2009-12-24 ソニー株式会社 固体撮像素子の製造方法
JP2007250561A (ja) * 2004-04-12 2007-09-27 Japan Science & Technology Agency 半導体素子および半導体システム
JP2005322745A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Sony Corp 半導体素子、半導体素子の製造方法、固体撮像素子、並びに固体撮像素子の製造方法
JP2005347707A (ja) * 2004-06-07 2005-12-15 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
JP4483442B2 (ja) * 2004-07-13 2010-06-16 ソニー株式会社 固体撮像素子と固体撮像装置、固体撮像素子の製造方法
JP4349232B2 (ja) * 2004-07-30 2009-10-21 ソニー株式会社 半導体モジュール及びｍｏｓ型固体撮像装置
KR100610481B1 (ko) * 2004-12-30 2006-08-08 매그나칩 반도체 유한회사 수광영역을 넓힌 이미지센서 및 그 제조 방법
JP2006261638A (ja) * 2005-02-21 2006-09-28 Sony Corp 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
JP4940667B2 (ja) * 2005-06-02 2012-05-30 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
JP4667094B2 (ja) * 2005-03-18 2011-04-06 富士通株式会社 電子装置の製造方法
JP4979893B2 (ja) * 2005-03-23 2012-07-18 ソニー株式会社 物理量分布検知装置並びに物理情報取得方法および物理情報取得装置
KR100782463B1 (ko) * 2005-04-13 2007-12-05 (주)실리콘화일 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법
KR100718878B1 (ko) * 2005-06-28 2007-05-17 (주)실리콘화일 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법
US7485968B2 (en) * 2005-08-11 2009-02-03 Ziptronix, Inc. 3D IC method and device
JP4997879B2 (ja) * 2005-08-26 2012-08-08 ソニー株式会社 半導体装置及びその製造方法並びに固体撮像装置及びその製造方法並びに撮像装置
JP4752447B2 (ja) * 2005-10-21 2011-08-17 ソニー株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP4915107B2 (ja) * 2006-02-28 2012-04-11 ソニー株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
US7866364B2 (en) * 2006-04-28 2011-01-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fabrication tool for bonding
JP2007311385A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Sony Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
KR100801447B1 (ko) * 2006-06-19 2008-02-11 (주)실리콘화일 배면 광 포토다이오드를 이용한 이미지센서 및 그 제조방법
JP5026025B2 (ja) * 2006-08-24 2012-09-12 株式会社フジクラ 半導体装置
US8049256B2 (en) * 2006-10-05 2011-11-01 Omnivision Technologies, Inc. Active pixel sensor having a sensor wafer connected to a support circuit wafer
TW200818804A (en) * 2006-10-06 2008-04-16 Interdigital Tech Corp Method and apparatus of control signaling
JP2008130603A (ja) * 2006-11-16 2008-06-05 Toshiba Corp イメージセンサ用ウェハレベルパッケージ及びその製造方法
JP4403424B2 (ja) * 2006-11-30 2010-01-27 ソニー株式会社 固体撮像装置
FR2910707B1 (fr) * 2006-12-20 2009-06-12 E2V Semiconductors Soc Par Act Capteur d'image a haute densite d'integration
JP2008227253A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Fujifilm Corp 裏面照射型固体撮像素子
JP2008235478A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Nikon Corp 撮像素子
TWI436474B (zh) * 2007-05-07 2014-05-01 Sony Corp A solid-state image pickup apparatus, a manufacturing method thereof, and an image pickup apparatus
JP5055026B2 (ja) * 2007-05-31 2012-10-24 富士フイルム株式会社 撮像素子、撮像素子の製造方法、及び、撮像素子用の半導体基板
US7772054B2 (en) * 2007-06-15 2010-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
EP2158607A1 (en) * 2007-06-19 2010-03-03 SiliconFile Technologies Inc. Pixel array preventing the cross talk between unit pixels and image sensor using the pixel
JP5773379B2 (ja) * 2009-03-19 2015-09-02 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器

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