JP5055026B2 - 撮像素子、撮像素子の製造方法、及び、撮像素子用の半導体基板 - Google Patents
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Description
(1)光電変換層は、不純物濃度の異なる不純物拡散層をイオン注入装置によって形成するが、このときに、光電変換層の厚みが厚いと、イオンを十分な深さに打ち込むには装置側に限界があった。
(2)また、イオンを注入する際に、光電変換層の深い領域へイオンを打ち込むと、深くなるほどイオンが打ち込まれる範囲が広がるため、画素ごとの素子分離を適正に形成することが困難であった。
(3)製造時に、光電変換層の光の入射側及び信号電荷を転送する配線基板側の面に光学素子を重ね合わせる際に、高い重ね合わせ精度が必要となる。
(1)半導体基板の裏面側から光が照射され、前記光に応じて前記半導体基板内で発生した信号電荷を前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う撮像素子であって、
前記半導体基板には、複数の不純物拡散層を有し、光電変換によって前記信号電荷を生成する光電変換層が形成され、前記光電変換層の前記裏面側の不純物拡散層に埋め込まれ、遮光性の材料からなる埋め込み部材が設けられており、
前記埋め込み部材が、隣接する画素同士の境界に配置された複数の遮光部材であり、
前記光電変換層には、隣接する画素同士の境界に画素分離領域が形成され、前記遮光部材が前記画素分離領域と接するように形成されていることを特徴とする撮像素子。
(2)前記遮光部材の外側が絶縁性材料で覆われていることを特徴とする上記(1)に記載の撮像素子。
(3)前記遮光部材に負電圧が印加されることを特徴とする上記(2)に記載の撮像素子。
(4)前記絶縁性材料が、金属材料からなる遮光部材に熱処理に行うことで形成された絶縁膜又は金属材料のシリサイド酸化膜であることを特徴とする上記(2)又は(3)に記載の撮像素子。
(5)前記遮光部材が、前記複数の不純物拡散層のうち非空乏層に覆われていることを特徴とする上記(1)に記載の撮像素子。
(6)前記遮光部材が接地されていることを特徴とする上記(5)に記載の撮像素子。
(7)前記埋め込み部材が、前記半導体基板の前記表面側と前記裏面側とのうち少なくとも一方に形成され、製造時に前記半導体基板に設ける光学素子の位置の基準となる位置合わせマークを有することを特徴とする上記(1)から(6)のいずれか1つに記載の撮像素子。
(8)前記半導体基板の裏面側に、それぞれ異なる波長の光を透過する複数のカラーフィルタを有するカラーフィルタ層が形成されていることを特徴とする上記(1)から(7)のいずれか1つに記載の撮像素子。
(9)前記半導体基板の裏面側に、酸化膜と反射防止膜が形成され、前記酸化膜と前記反射防止膜とのうちいずれかの外側に、隣接する画素同士の境界に配置された遮光膜が形成されていることを特徴とする上記(1)から(8)のいずれか1つに記載の撮像素子。
(10)画素サイズに対する前記光電変換層の厚さの比率が4以上となることを特徴とする上記(1)から(9)のいずれか1つに記載の撮像素子。
(11)画素サイズが2μm角以下であることを特徴とする上記(1)から(10)のいずれか1つに記載の撮像素子。
(12)前記光電変換層の厚さが8μm以上であることを特徴とする上記(1)から(11)のいずれか1つに記載の撮像素子。
(13)半導体基板の裏面側から光が照射され、前記光に応じて前記半導体基板内で発生した信号電荷を前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う撮像素子の製造方法であって、
シリコン層上にエピタキシャル成長によってエピタキシャル層を形成する工程と、
前記エピタキシャル層に複数の不純物拡散層からなるセンサ領域を形成する工程と、
前記エピタキシャル層の前記表面側に支持基板を貼り合わせる工程と、を有し、
前記エピタキシャル層を形成する前に、シリコン層の表面に第1の位置合わせマークをパターン形成する工程と、
前記エピタキシャル層を形成した後に、該エピタキシャル層の表面に、前記第1の位置合わせマークを基準として第2の位置合わせマークをパターン形成する工程と、
前記センサ領域を形成する際に、前記第2の位置合わせマークを基準として該センサ領域の位置合わせを行う工程と、
前記第1の位置合わせマークを形成する際に、該第1の位置合わせマークと同じ部材で且つ遮光性を有する材料を用いて、隣接する画素同士の境界に遮光部材を形成する工程と、
を有することを特徴とする撮像素子の製造方法。
(14)前記エピタキシャル層の前記裏面側に酸化膜と反射防止膜を形成し、前記酸化膜と前記反射防止膜とのうちいずれかの外側に、隣接する画素同士の境界に配置された遮光膜を形成する工程を有する上記(13)に記載の撮像素子の製造方法。
(15)前記エピタキシャル層の前記裏面側に酸化膜と反射防止膜を形成し、前記酸化膜と前記反射防止膜とのうちいずれかの外側に、第3の位置合わせマークを形成する工程と、前記エピタキシャル層の前記裏面側に、それぞれ異なる波長の光を透過する複数のカラーフィルタを有するカラーフィルタ層を形成する工程と、前記第3の位置合わせマークを基準に、前記カラーフィルタ層の位置合わせを行う工程を有する上記(13)又は(14)に記載の撮像素子の製造方法。
(16)前記シリコン層上にエピタキシャル成長を行うとき、ELO(エピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース)法を用いて前記エピタキシャル層を形成することを特徴とする上記(13)から(15)のいずれか1つに記載の撮像素子の製造方法。
(17)前記光電変換層に隣接する画素同士の境界に画素分離領域を形成する際に、前記遮光部材と前記画素分離領域とが接するように形成することを特徴とする上記(16)に記載の撮像素子の製造方法。
(18)前記遮光部材の外側を絶縁性材料で覆うことを特徴とする上記(13)から(17)のいずれか1つに記載の撮像素子の製造方法。
(19)前記絶縁性材料が、金属材料からなる遮光部材に熱処理を行うことで形成された絶縁膜又は金属材料のシリサイド酸化膜であることを特徴とする上記(18)に記載の撮像素子の製造方法。
(20)前記遮光部材を、前記エピタキシャル層の非空乏層で覆うことを特徴とする上記(13)に記載の撮像素子の製造方法。
(21)裏面側から光が照射され、前記光に応じて内部で発生した信号電荷を基板の表面側から読み出して撮像を行う撮像素子用の半導体基板であって、複数の不純物拡散層を有し、前記光が入射することで光電変換によって信号電荷を生成する光電変換層が形成され、前記不純物拡散層に埋め込まれ、遮光性の材料からなる埋め込み部材が設けられており、
前記埋め込み部材が、隣接する画素同士の境界に配置された複数の遮光部材であり、
前記光電変換層には、隣接する画素同士の境界に画素分離領域が形成され、前記遮光部材が前記画素分離領域と接するように形成されていることを特徴とする撮像素子用の半導体基板。
このような構成であれば、埋め込み部材を、隣接する画素同士の境界でクロストークを抑制するための遮光部材とすることで、混色の発生を抑制することができる。また、埋め込み部材を、光電変換層に対して所定の配置で形成する光学素子、カラーフィルタ層及びマイクロレンズの位置合わせの際に基準となる位置合わせマークとすることができる。こうすれば、位置合わせの精度を向上させることができ、位置合わせの際に生じる合わせズレによる混色の発生を抑制するこができる。同じ埋め込み部材によって遮光部材と位置合わせマークとの両方を構成することで、より確実に混色の発生を抑制することができる。
最初に、本発明にかかる撮像素子の製造方法を図面に基づいて説明する。撮像素子は、半導体基板の裏面側から光が照射され、光に応じて半導体基板内で発生した信号電荷を半導体基板の表面側から読み出して撮像を行うものである。
本実施形態の撮像素子10は、シリコン層26上に埋め込み部材として形成された遮光部材35の構造と、該遮光部材35の周囲のエピタキシャル層の構成が、上記第1実施形態のものと相違する。以下、相違する部分について説明する。
23 絶縁膜
24 遮光部材
26 酸化シリコン膜(酸化膜)
27 反射防止膜
28 カラーフィルタ層
Claims (21)
- 半導体基板の裏面側から光が照射され、前記光に応じて前記半導体基板内で発生した信号電荷を前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う撮像素子であって、
前記半導体基板には、複数の不純物拡散層を有し、光電変換によって前記信号電荷を生成する光電変換層が形成され、前記光電変換層の前記裏面側の不純物拡散層に埋め込まれ、遮光性の材料からなる埋め込み部材が設けられており、
前記埋め込み部材が、隣接する画素同士の境界に配置された複数の遮光部材であり、
前記光電変換層には、隣接する画素同士の境界に画素分離領域が形成され、前記遮光部材が前記画素分離領域と接するように形成されていることを特徴とする撮像素子。 - 前記遮光部材の外側が絶縁性材料で覆われていることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
- 前記遮光部材に負電圧が印加されることを特徴とする請求項2に記載の撮像素子。
- 前記絶縁性材料が、金属材料からなる遮光部材に熱処理に行うことで形成された絶縁膜又は金属材料のシリサイド酸化膜であることを特徴とする請求項2又は3に記載の撮像素子。
- 前記遮光部材が、前記複数の不純物拡散層のうち非空乏層に覆われていることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
- 前記遮光部材が接地されていることを特徴とする請求項5に記載の撮像素子。
- 前記埋め込み部材が、前記半導体基板の前記表面側と前記裏面側とのうち少なくとも一方に形成され、製造時に前記半導体基板に設ける光学素子の位置の基準となる位置合わせマークを有することを特徴とする請求項1から6のいずれか1つに記載の撮像素子。
- 前記半導体基板の裏面側に、それぞれ異なる波長の光を透過する複数のカラーフィルタを有するカラーフィルタ層が形成されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか1つに記載の撮像素子。
- 前記半導体基板の裏面側に、酸化膜と反射防止膜が形成され、前記酸化膜と前記反射防止膜とのうちいずれかの外側に、隣接する画素同士の境界に配置された遮光膜が形成されていることを特徴とする請求項1から8のいずれか1つに記載の撮像素子。
- 画素サイズに対する前記光電変換層の厚さの比率が4以上となることを特徴とする請求項1から9のいずれか1つに記載の撮像素子。
- 画素サイズが2μm角以下であることを特徴とする請求項1から10のいずれか1つに記載の撮像素子。
- 前記光電変換層の厚さが8μm以上であることを特徴とする請求項1から11のいずれか1つに記載の撮像素子。
- 半導体基板の裏面側から光が照射され、前記光に応じて前記半導体基板内の光電変換層で発生した信号電荷を前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う撮像素子の製造方法であって、
シリコン層上にエピタキシャル成長によってエピタキシャル層を形成する工程と、
前記エピタキシャル層に複数の不純物拡散層からなるセンサ領域を形成する工程と、
前記エピタキシャル層の前記表面側に支持基板を貼り合わせる工程と、を有し、
前記エピタキシャル層を形成する前に、シリコン層の表面に第1の位置合わせマークをパターン形成する工程と、
前記エピタキシャル層を形成した後に、該エピタキシャル層の表面に、前記第1の位置合わせマークを基準として第2の位置合わせマークをパターン形成する工程と、
前記センサ領域を形成する際に、前記第2の位置合わせマークを基準として該センサ領域の位置合わせを行う工程と、
前記第1の位置合わせマークを形成する際に、該第1の位置合わせマークと同じ部材で且つ遮光性を有する材料を用いて、隣接する画素同士の境界に遮光部材を形成する工程と、
を有することを特徴とする撮像素子の製造方法。 - 前記エピタキシャル層の前記裏面側に酸化膜と反射防止膜を形成し、前記酸化膜と前記反射防止膜とのうちいずれかの外側に、隣接する画素同士の境界に配置された遮光膜を形成する工程を有する請求項13に記載の撮像素子の製造方法。
- 前記エピタキシャル層の前記裏面側に酸化膜と反射防止膜を形成し、前記酸化膜と前記反射防止膜とのうちいずれかの外側に、第3の位置合わせマークを形成する工程と、前記エピタキシャル層の前記裏面側に、それぞれ異なる波長の光を透過する複数のカラーフィルタを有するカラーフィルタ層を形成する工程と、前記第3の位置合わせマークを基準に、前記カラーフィルタ層の位置合わせを行う工程を有する請求項13又は14に記載の撮像素子の製造方法。
- 前記シリコン層上にエピタキシャル成長を行うとき、ELO(エピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース)法を用いて前記エピタキシャル層を形成することを特徴とする請求項13から15のいずれか1つに記載の撮像素子の製造方法。
- 前記光電変換層に隣接する画素同士の境界に画素分離領域を形成する際に、前記遮光部材と前記画素分離領域とが接するように形成することを特徴とする請求項16に記載の撮像素子の製造方法。
- 前記遮光部材の外側を絶縁性材料で覆うことを特徴とする請求項13から17のいずれか1つに記載の撮像素子の製造方法。
- 前記絶縁性材料が、金属材料からなる遮光部材に熱処理を行うことで形成された絶縁膜又は金属材料のシリサイド酸化膜であることを特徴とする請求項18に記載の撮像素子の製造方法。
- 前記遮光部材を、前記エピタキシャル層の非空乏層で覆うことを特徴とする請求項13に記載の撮像素子の製造方法。
- 裏面側から光が照射され、前記光に応じて内部で発生した信号電荷を基板の表面側から読み出して撮像を行う撮像素子用の半導体基板であって、
複数の不純物拡散層を有し、前記光が入射することで光電変換によって信号電荷を生成する光電変換層が形成され、前記不純物拡散層に埋め込まれ、遮光性の材料からなる埋め込み部材が設けられており、
前記埋め込み部材が、隣接する画素同士の境界に配置された複数の遮光部材であり、
前記光電変換層には、隣接する画素同士の境界に画素分離領域が形成され、前記遮光部材が前記画素分離領域と接するように形成されていることを特徴とする撮像素子用の半導体基板。
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