JP6084143B2 - 半導体デバイスおよび製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
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Description
(1)
所定の第1の素子が形成される半導体層と、
前記半導体層の前記第1の素子に対して積層される第2の素子が形成され、前記半導体層に対して結晶軸の揃った結晶層を成長させることで形成される前記成長層と
を備え、
前記成長層を形成する工程の前後における相対的な調整を行うための測定に用いる測定マークの端部に形成される凹角部が、前記測定マークを検出するための検出領域から所定距離で離間するように形成される
半導体デバイス。
(2)
前記測定マークの端部に形成される凹角部を、前記検出領域から離間する所定距離は、前記成長層の成長に伴う前記測定マークの変形の予測に従って設定される
上記(1)に記載の半導体デバイス。
(3)
前記測定マークは、複数の前記凹角部のうちの一部の前記凹角部の開放側が前記検出領域の反対側を向くように形成される
上記(1)または(2)に記載の半導体デバイス。
(4)
前記測定マークは、4本の棒形状のマークが、互いに対向するもの同士で略直交するように配置されて構成され、それぞれの前記マークは、両端部の近傍付近で、略直交する他の前記マークと互いに交差するように配置される
上記(1)から(3)までのいずれかに記載の半導体デバイス。
(5)
前記マークの交差部分を前記測定マーク外側に広げた隅部分が形成される
上記(1)から(4)までのいずれかに記載の半導体デバイス。
(6)
前記測定マークは、4本の棒形状のマークが、互いに対向するもの同士で略直交するように配置されて構成され、それぞれの前記マークの両端に、長さ方向および幅方向に前記マークの端部を拡大する拡大部が形成される
上記(1)から(5)までのいずれかに記載の半導体デバイス。
(7)
それぞれの前記マークは、両端部の近傍付近で、略直交する他の前記マークと互いに交差するように配置される
上記(1)から(6)までのいずれかに記載の半導体デバイス。
(8)
前記測定マークは、略正方形の形状の四辺と、四隅を外側に広げるように設けられた拡張部とにより形成される
上記(1)に記載の半導体デバイス。
(9)
前記測定マークは、複数本の棒形状のマークが所定の間隔を設けて略平行に配置されて構成される
上記(1)に記載の半導体デバイス。
(10)
前記測定マークは、それぞれの前記マークの両端に、長さ方向および幅方向に前記マークの端部を拡大する拡大部が形成される
上記(9)に記載の半導体デバイス。
(11)
所定の第1の素子が形成される半導体層を形成し、
前記半導体層の前記第1の素子に対して積層される第2の素子が形成され、前記半導体層に対して結晶軸の揃った結晶層を成長させることで成長層を形成する
ステップを含み、
前記成長層を形成する工程の前後における相対的な調整を行うための測定に用いる測定マークの端部に形成される凹角部が、前記測定マークを検出するための検出領域から所定距離で離間するように形成される
半導体デバイスの製造方法。
(12)
所定の第1の素子が形成される半導体層と、
前記半導体層の前記第1の素子に対して積層される第2の素子が形成され、前記半導体層に対して結晶軸の揃った結晶層を成長させることで形成される前記成長層と
を有し、
前記成長層を形成する工程の前後における相対的な調整を行うための測定に用いる測定マークの端部に形成される凹角部が、前記測定マークを検出するための検出領域から所定距離で離間するように形成される
半導体デバイスを備える電子機器。
Claims (11)
- 所定の第1の素子が形成される半導体層と、
前記半導体層の前記第1の素子に対して積層される第2の素子が形成され、前記半導体層に対して結晶軸の揃った結晶層を成長させることで形成される成長層と
を備え、
前記成長層を形成する工程の前後における相対的な調整を行うための測定に用いる測定マークの端部に形成される凹角部が、前記測定マークを検出するための検出領域から所定距離で離間するように形成され、
前記測定マークの端部に形成される凹角部を前記検出領域から離間する所定距離は、前記成長層の成長に伴う前記測定マークの変形の予測に従って設定される
半導体デバイス。 - 前記測定マークは、複数の前記凹角部のうちの一部の前記凹角部の開放側が前記検出領域の反対側を向くように形成される
請求項1に記載の半導体デバイス。 - 前記測定マークは、4本の棒形状のマークが、互いに対向するもの同士で略直交するように配置されて構成され、それぞれの前記マークは、両端部の近傍付近で、略直交する他の前記マークと互いに交差するように配置される
請求項1に記載の半導体デバイス。 - 前記マークの交差部分を前記測定マーク外側に広げた隅部分が形成される
請求項3に記載の半導体デバイス。 - 前記測定マークは、4本の棒形状のマークが、互いに対向するもの同士で略直交するように配置されて構成され、それぞれの前記マークの両端に、長さ方向および幅方向に前記マークの端部を拡大する拡大部が形成される
請求項1に記載の半導体デバイス。 - それぞれの前記マークは、両端部の近傍付近で、略直交する他の前記マークと互いに交差するように配置される
請求項5に記載の半導体デバイス。 - 前記測定マークは、略正方形の形状の四辺と、四隅を外側に広げるように設けられた拡張部とにより形成される
請求項1に記載の半導体デバイス。 - 前記測定マークは、複数本の棒形状のマークが所定の間隔を設けて略平行に配置されて構成される
請求項1に記載の半導体デバイス。 - 前記測定マークは、それぞれの前記マークの両端に、長さ方向および幅方向に前記マークの端部を拡大する拡大部が形成される
請求項8に記載の半導体デバイス。 - 半導体層に所定の第1の素子を形成し、
前記半導体層に対して結晶軸の揃った結晶層を成長させることで成長層を形成し、
前記成長層に、前記半導体層の前記第1の素子に対して積層される第2の素子を形成する
ステップを含み、
前記成長層を形成する工程の前後における相対的な調整を行うための測定に用いる測定マークの端部に形成される凹角部が、前記測定マークを検出するための検出領域から所定距離で離間するように形成され、
前記測定マークの端部に形成される凹角部を前記検出領域から離間する所定距離は、前記成長層の成長に伴う前記測定マークの変形の予測に従って設定される
半導体デバイスの製造方法。 - 所定の第1の素子が形成される半導体層と、
前記半導体層の前記第1の素子に対して積層される第2の素子が形成され、前記半導体層に対して結晶軸の揃った結晶層を成長させることで形成される成長層と
を有し、
前記成長層を形成する工程の前後における相対的な調整を行うための測定に用いる測定マークの端部に形成される凹角部が、前記測定マークを検出するための検出領域から所定距離で離間するように形成され、
前記測定マークの端部に形成される凹角部を前記検出領域から離間する所定距離は、前記成長層の成長に伴う前記測定マークの変形の予測に従って設定される
半導体デバイスを備える電子機器。
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