JP2020057812A - 半導体装置、及び、電子機器 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 245
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 167
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 107
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 110
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 75
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 73
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 63
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
Description
固体撮像装置に限らず、他の半導体集積回路を有する半導体装置においても、それぞれの半導体集積回路の性能を十分に発揮できるように形成し、高性能化が図れることが望まれる。
1.MOS固体撮像装置の概略構成例
2.第1実施の形態(固体撮像装置の構成例とその製造方法例)
3.第2実施の形態(固体撮像装置の構成例)
4.第3実施の形態(固体撮像装置の構成例)
5.第4実施の形態(固体撮像装置の構成例とその製造方法例)
6.第5実施の形態(半導体装置の構成例とその製造方法例)
7.第6実施の形態(電子機器の構成例)
図1に、本発明の半導体装置に適用されるMOS固体撮像装置の概略構成を示す。このMOS固体撮像装置は、各実施の形態の固体撮像装置に適用される。本例の固体撮像装置1は、図1に示すように、半導体基板11例えばシリコン基板に複数の光電変換部を含む画素2が規則的に2次元アレイ状に配列された画素領域(いわゆる画素アレイ)3と、周辺回路部とを有して構成される。画素2は、光電変換部となる例えばフォトダイオードと、複数の画素トランジスタ(いわゆるMOSトランジスタ)を有して成る。複数の画素トランジスタは、例えば転送トランジスタ、リセットトランジスタ及び増幅トランジスタの3つのトランジスタで構成することができる。その他、選択トランジスタ追加して4つのトランジスタで構成することもできる。単位画素の等価回路は通常と同様であるので、詳細説明は省略する。画素2は、1つの単位画素として構成することができる。また、画素2は、共有画素構造とすることもできる。この画素共有構造は、複数のフォトダイオードと、複数の転送トランジスタと、共有する1つのフローティングディフージョンと、共有する1つずつの他の画素トランジスタとから構成される。すなわち、共有画素では、複数の単位画素を構成するフォトダイオード及び転送トランジスタが、他の1つずつの画素トランジスタを共有して構成される。
[固体撮像装置の構成例とその製造方法例]
図3、図4〜図13を用いて、本発明の第1実施の形態に係る半導体装置、すなわちMOS固体撮像装置をその製造方法と共に説明する。
一方、各チップ部となる領域の所要の位置において、第1層の層間絶縁膜49の表面から半導体基板45内の所望の深さ位置にわたって接続孔を形成し、この接続孔内に取り出し電極用の接続導体51を埋め込む。この接続導体51としては、例えば銅(Cu)、タングステン(W)、ポリシリコンなどで形成することができる。接続導体51を埋め込む前に、接続孔の内壁面に接続導体51と半導体基板45とを絶縁するための絶縁膜52を形成して置く。
[固体撮像装置の構成例]
図14に、本発明の第2実施の形態に係る半導体装置、すなわちMOS固体撮像装置の第2実施の形態を示す。第2実施の形態に係る固体撮像装置81は、第1実施の形態における第2の半導体基板45側の接続導体51、絶縁膜52及び電極バンプ78を省略し、第1の半導体基板31側の電極パッド72のみを形成して構成される。第2の半導体基板45の裏面にはパシベーション膜76が形成される。その他の構成は第1実施の形態で説明したと同様であるので、図3と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。また、固体撮像装置81の製造は、接続導体51を形成するための接続孔、接続導体51、絶縁膜52及び電極バンプ78を形成しない工程を除き、図4〜図13で示す第1実施の形態の製造方法を適用できる。
[固体撮像装置の構成例]
図15に、本発明の第3実施の形態に係る半導体装置、すなわち、MOS固体撮像装置の第3実施の形態を示す。第3実施の形態に係る固体撮像装置83は、第1の半導体基板31に形成する1つの貫通接続導体84によって、第1の半導体基板31側の画素領域23及び制御回路24と、第2の半導体基板45側のロジック回路25とを電気的に接続して構成される。
[固体撮像装置の構成例とその製造方法例]
図16、図17〜図21を用いて、本発明の第4実施の形態に係る半導体装置、すなわちMOS固体撮像装置をその製造方法と共に説明する。
[半導体装置の構成例とその製造方法例]
図22、図23〜図28を用いて、本発明の第5実施の形態に係る半導体装置をその製造方法と共に説明する。本実施の形態の半導体装置は、第1の半導体集積回路と第2の半導体集積回路を混載した半導体装置である。
MOSトランジスタTr11〜Tr13は代表として示した。ロジック回路102は、CMOSトランジスタで構成することができる。このため、これら複数のMOSトランジスタとしては、nチャネルMOSトランジスタ、あるいはpチャネルMOSトランジスタとして構成することができる。従って、nチャネルMOSトランジスタを形成するときは、p型半導体ウェル領域にn型ソース/ドレイン領域が形成される。pチャネルMOSトランジスタを形成するときは、n型半導体ウェル領域にp型ソース/ドレイン領域が形成される。
MOSトランジスタTr21〜Tr23は代表として示した。ロジック回路117は、CMOSトランジスタで構成することができる。このため、これら複数のMOSトランジスタとしては、nチャネルMOSトランジスタ、あるいはpチャネルMOSトランジスタとして構成することができる。従って、nチャネルMOSトランジスタを形成するときは、p型半導体ウェル領域にn型ソース/ドレイン領域が形成される。pチャネルMOSトランジスタを形成するときは、n型半導体ウェル領域にp型ソース/ドレイン領域が形成される。
上述の第5実施の形態に係る半導体装置において、上側の半導体基板104の厚さは、下側の半導体基板118の厚さよりも厚い。上側の半導体基板104と多層配線層111を含めた第1の半導体基板101の厚さも、下側の半導体基板118と多層配線層126を含めた第2の半導体基板116の厚さより厚い。
[電子機器の構成例]
上述の本発明に係る固体撮像装置は、例えばデジタルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話、あるいは撮像機能を備えた他の機器、などの電子機器に適用することができる。
また、本発明の電子機器は、半導体装置と、半導体装置の光電変換部に入射光を導く光学系と、半導体装置の出力信号を処理する信号処理回路とを有する。
Claims (1)
- 光電変換部を含む画素アレイと、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、及び、増幅トランジスタのうち少なくとも1つとを有する第1の半導体基板と、
信号処理を行うロジック回路を有する第2の半導体基板と、
前記第1の半導体基板の光入射面とは反対側に形成された第1の多層配線層と、
前記第2の半導体基板の光入射面側に形成された第2の多層配線層と、を有し、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板とは、前記第1の多層配線層と前記第2の多層配線層とが向かい合うように積層され、
前記第1の半導体基板と前記第2の半導体基板が積層されたチップの、前記画素アレイを含む画素領域と前記画素領域外の領域とのそれぞれにおいて、前記第1の多層配線層の最も前記第2の半導体基板側の少なくとも1つ以上の配線と、前記第2の多層配線層の最も第1の半導体基板側の少なくとも1つ以上の配線とが直接接合された
固体撮像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021055108A JP2021103792A (ja) | 2009-03-19 | 2021-03-29 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
JP2021198680A JP2022036098A (ja) | 2009-03-19 | 2021-12-07 | 半導体装置、及び、電子機器 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009068582 | 2009-03-19 | ||
JP2009068582 | 2009-03-19 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017161412A Division JP6774393B2 (ja) | 2009-03-19 | 2017-08-24 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021055108A Division JP2021103792A (ja) | 2009-03-19 | 2021-03-29 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
JP2021198680A Division JP2022036098A (ja) | 2009-03-19 | 2021-12-07 | 半導体装置、及び、電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020057812A true JP2020057812A (ja) | 2020-04-09 |
Family
ID=52833041
Family Applications (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014260268A Active JP5773379B2 (ja) | 2009-03-19 | 2014-12-24 | 半導体装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2015101103A Pending JP2015156516A (ja) | 2009-03-19 | 2015-05-18 | 半導体装置、及び、裏面照射型半導体装置 |
JP2016101517A Active JP6200035B2 (ja) | 2009-03-19 | 2016-05-20 | 半導体装置 |
JP2017161412A Active JP6774393B2 (ja) | 2009-03-19 | 2017-08-24 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
JP2019233337A Pending JP2020057812A (ja) | 2009-03-19 | 2019-12-24 | 半導体装置、及び、電子機器 |
JP2019233338A Pending JP2020057813A (ja) | 2009-03-19 | 2019-12-24 | 装置の製造方法、及び、装置 |
JP2021055108A Pending JP2021103792A (ja) | 2009-03-19 | 2021-03-29 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
JP2021198681A Pending JP2022031321A (ja) | 2009-03-19 | 2021-12-07 | 装置の製造方法、及び、装置 |
JP2021198680A Pending JP2022036098A (ja) | 2009-03-19 | 2021-12-07 | 半導体装置、及び、電子機器 |
Family Applications Before (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014260268A Active JP5773379B2 (ja) | 2009-03-19 | 2014-12-24 | 半導体装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2015101103A Pending JP2015156516A (ja) | 2009-03-19 | 2015-05-18 | 半導体装置、及び、裏面照射型半導体装置 |
JP2016101517A Active JP6200035B2 (ja) | 2009-03-19 | 2016-05-20 | 半導体装置 |
JP2017161412A Active JP6774393B2 (ja) | 2009-03-19 | 2017-08-24 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019233338A Pending JP2020057813A (ja) | 2009-03-19 | 2019-12-24 | 装置の製造方法、及び、装置 |
JP2021055108A Pending JP2021103792A (ja) | 2009-03-19 | 2021-03-29 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
JP2021198681A Pending JP2022031321A (ja) | 2009-03-19 | 2021-12-07 | 装置の製造方法、及び、装置 |
JP2021198680A Pending JP2022036098A (ja) | 2009-03-19 | 2021-12-07 | 半導体装置、及び、電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (9) | JP5773379B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5985136B2 (ja) | 2009-03-19 | 2016-09-06 | ソニー株式会社 | 半導体装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP5773379B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2015-09-02 | ソニー株式会社 | 半導体装置とその製造方法、及び電子機器 |
EP2518768B1 (en) | 2009-12-26 | 2019-03-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging device and imaging system |
CN204760384U (zh) * | 2015-05-18 | 2015-11-11 | 华天科技(昆山)电子有限公司 | 高像素影像传感芯片的晶圆级封装结构 |
KR102423813B1 (ko) * | 2015-11-27 | 2022-07-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
WO2017094322A1 (ja) | 2015-11-30 | 2017-06-08 | オリンパス株式会社 | 撮像素子、内視鏡および内視鏡システム |
CN108886043B (zh) * | 2016-04-25 | 2023-06-30 | 奥林巴斯株式会社 | 摄像元件、内窥镜以及内窥镜系统 |
JP2018078274A (ja) * | 2016-11-10 | 2018-05-17 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | イメージセンサー装置及びそれを含むイメージセンサーモジュール |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0548057A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2001189423A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路 |
JP2005285988A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Sony Corp | 固体撮像素子とその製造方法、及び半導体集積回路装置とその製造方法 |
JP2006049361A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sony Corp | 半導体モジュール及びmos型固体撮像装置 |
JP2006191081A (ja) * | 2004-12-30 | 2006-07-20 | Magnachip Semiconductor Ltd | 受光領域が拡張されたイメージセンサ及びその製造方法 |
JP2006270292A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Sony Corp | 物理量分布検知装置並びに物理情報取得方法および物理情報取得装置 |
WO2007148891A1 (en) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Siliconfile Technologies Inc. | Image sensor using back-illuminated photodiode and method of manufacturing the same |
WO2008074688A1 (fr) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | E2V Semiconductors | Procede de fabrication de capteur d'image a haute densite d'integration |
JP2008536330A (ja) * | 2005-04-13 | 2008-09-04 | シリコンファイル・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 3次元構造を有するイメージセンサの分離型単位画素及びその製造方法 |
JP2008227253A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Fujifilm Corp | 裏面照射型固体撮像素子 |
JP2008306154A (ja) * | 2007-05-07 | 2008-12-18 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置 |
JP2018011068A (ja) * | 2009-03-19 | 2018-01-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100192576B1 (ko) * | 1995-11-17 | 1999-06-15 | 윤종용 | 콘택 이미지 센서 |
US6321134B1 (en) * | 1997-07-29 | 2001-11-20 | Silicon Genesis Corporation | Clustertool system software using plasma immersion ion implantation |
US6489241B1 (en) * | 1999-09-17 | 2002-12-03 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for surface finishing a silicon film |
JP3713418B2 (ja) * | 2000-05-30 | 2005-11-09 | 光正 小柳 | 3次元画像処理装置の製造方法 |
JP2002118249A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP4237966B2 (ja) * | 2002-03-08 | 2009-03-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検出器 |
JP4123415B2 (ja) * | 2002-05-20 | 2008-07-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2005044861A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、半導体装置の使用方法、半導体装置の製造方法および電子機器 |
JP2007250561A (ja) * | 2004-04-12 | 2007-09-27 | Japan Science & Technology Agency | 半導体素子および半導体システム |
JP2005322745A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Sony Corp | 半導体素子、半導体素子の製造方法、固体撮像素子、並びに固体撮像素子の製造方法 |
JP2005347707A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP4483442B2 (ja) * | 2004-07-13 | 2010-06-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子と固体撮像装置、固体撮像素子の製造方法 |
JP2006261638A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-09-28 | Sony Corp | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 |
JP4940667B2 (ja) * | 2005-06-02 | 2012-05-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP4667094B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-04-06 | 富士通株式会社 | 電子装置の製造方法 |
KR100718878B1 (ko) * | 2005-06-28 | 2007-05-17 | (주)실리콘화일 | 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법 |
US7485968B2 (en) * | 2005-08-11 | 2009-02-03 | Ziptronix, Inc. | 3D IC method and device |
JP4997879B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2012-08-08 | ソニー株式会社 | 半導体装置及びその製造方法並びに固体撮像装置及びその製造方法並びに撮像装置 |
JP4752447B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2011-08-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
JP4915107B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2012-04-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
US7866364B2 (en) * | 2006-04-28 | 2011-01-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fabrication tool for bonding |
JP2007311385A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP5026025B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2012-09-12 | 株式会社フジクラ | 半導体装置 |
US8049256B2 (en) * | 2006-10-05 | 2011-11-01 | Omnivision Technologies, Inc. | Active pixel sensor having a sensor wafer connected to a support circuit wafer |
US20080084815A1 (en) * | 2006-10-06 | 2008-04-10 | Interdigital Technology Corporation | Method and apparatus of control signaling |
JP2008130603A (ja) * | 2006-11-16 | 2008-06-05 | Toshiba Corp | イメージセンサ用ウェハレベルパッケージ及びその製造方法 |
JP4403424B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2010-01-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2008235478A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Nikon Corp | 撮像素子 |
JP5055026B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2012-10-24 | 富士フイルム株式会社 | 撮像素子、撮像素子の製造方法、及び、撮像素子用の半導体基板 |
US7772054B2 (en) * | 2007-06-15 | 2010-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2010530633A (ja) * | 2007-06-19 | 2010-09-09 | シリコンファイル・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 単位ピクセル間のクロストークを防止するピクセルアレイ及びこのピクセルを用いたイメージセンサー |
-
2014
- 2014-12-24 JP JP2014260268A patent/JP5773379B2/ja active Active
-
2015
- 2015-05-18 JP JP2015101103A patent/JP2015156516A/ja active Pending
-
2016
- 2016-05-20 JP JP2016101517A patent/JP6200035B2/ja active Active
-
2017
- 2017-08-24 JP JP2017161412A patent/JP6774393B2/ja active Active
-
2019
- 2019-12-24 JP JP2019233337A patent/JP2020057812A/ja active Pending
- 2019-12-24 JP JP2019233338A patent/JP2020057813A/ja active Pending
-
2021
- 2021-03-29 JP JP2021055108A patent/JP2021103792A/ja active Pending
- 2021-12-07 JP JP2021198681A patent/JP2022031321A/ja active Pending
- 2021-12-07 JP JP2021198680A patent/JP2022036098A/ja active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0548057A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2001189423A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路 |
JP2005285988A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Sony Corp | 固体撮像素子とその製造方法、及び半導体集積回路装置とその製造方法 |
JP2006049361A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sony Corp | 半導体モジュール及びmos型固体撮像装置 |
JP2006191081A (ja) * | 2004-12-30 | 2006-07-20 | Magnachip Semiconductor Ltd | 受光領域が拡張されたイメージセンサ及びその製造方法 |
JP2006270292A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Sony Corp | 物理量分布検知装置並びに物理情報取得方法および物理情報取得装置 |
JP2008536330A (ja) * | 2005-04-13 | 2008-09-04 | シリコンファイル・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 3次元構造を有するイメージセンサの分離型単位画素及びその製造方法 |
WO2007148891A1 (en) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Siliconfile Technologies Inc. | Image sensor using back-illuminated photodiode and method of manufacturing the same |
WO2008074688A1 (fr) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | E2V Semiconductors | Procede de fabrication de capteur d'image a haute densite d'integration |
JP2008227253A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Fujifilm Corp | 裏面照射型固体撮像素子 |
JP2008306154A (ja) * | 2007-05-07 | 2008-12-18 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置 |
JP2018011068A (ja) * | 2009-03-19 | 2018-01-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020057813A (ja) | 2020-04-09 |
JP2015156516A (ja) | 2015-08-27 |
JP2021103792A (ja) | 2021-07-15 |
JP2022031321A (ja) | 2022-02-18 |
JP2022036098A (ja) | 2022-03-04 |
JP6774393B2 (ja) | 2020-10-21 |
JP2016154269A (ja) | 2016-08-25 |
JP5773379B2 (ja) | 2015-09-02 |
JP2015065479A (ja) | 2015-04-09 |
JP6200035B2 (ja) | 2017-09-20 |
JP2018011068A (ja) | 2018-01-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210907 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20211207 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
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|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20220726 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20220823 |
|
C30A | Notification sent |
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