JP2015046564A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この製造方法は、(a)交互に積層された酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜を含む多層膜、及び、該多層膜上に設けられたマスクを有する被処理体を、プラズマ処理装置の処理容器内に準備する工程と、(b)多層膜をエッチングする工程であって、水素ガス、臭化水素ガス、及び三フッ化窒素ガスを含み、且つ、炭化水素ガス、フルオロハイドロカーボンガス、及びフルオロカーボンガスのうち少なくとも一つを含む処理ガスを処理容器内に供給し、プラズマ処理装置の処理容器内において処理ガスのプラズマを生成する、該工程と、を含む。
【選択図】図1
Description
・H2ガスの流量:50〜300sccm
・HBrガスの流量:5〜50sccm
・NF3ガスの流量:50〜100sccm
・CH4ガスの流量:5〜50sccm
・CH2F2ガスの流量:40〜80sccm
・第1の高周波電源62の高周波電力の周波数:27〜100MHz
・第1の高周波電源62の高周波電力:500〜2700W
・第2の高周波電源64の高周波電力の周波数:0.4〜13MHz
・第2の高周波電源64の高周波電力:1000〜4000W
・処理容器12内の圧力:2.66〜13.3Pa (20〜100mT)
・高周波電力のONとOFFの周波数:1〜40kHz
・一周期において高周波電力がONの期間が占めるデューティー比:50〜90%
・高周波電力がONの期間の負の直流電圧の絶対値:150〜500V
・高周波電力がOFFの期間の負の直流電圧の絶対値:350〜1000V
Claims (8)
- 半導体装置の製造方法であって、
互いに異なる誘電率を有し、交互に積層された第1の誘電体膜及び第2の誘電体膜を含む多層膜、並びに、該多層膜上に設けられたマスクを有する被処理体を、プラズマ処理装置の処理容器内に準備する工程であり、該第1の誘電体膜は酸化シリコン膜であり、該第2の誘電体膜は窒化シリコン膜である、該工程と、
前記多層膜をエッチングする工程であって、水素ガス、臭化水素ガス、及び三フッ化窒素ガスを含み、且つ、炭化水素ガス、フルオロハイドロカーボンガス、及びフルオロカーボンガスのうち少なくとも一つを含む処理ガスを前記処理容器内に供給し、前記プラズマ処理装置の前記処理容器内において前記処理ガスのプラズマを生成する、該工程と、
を含む製造方法。 - 前記プラズマ処理装置は容量結合型プラズマ処理装置であって、
前記多層膜をエッチングする工程において、前記プラズマ処理装置の上部電極又は下部電極にプラズマ生成用の高周波電力を供給し、前記プラズマ処理装置の下部電極に高周波バイアス電力を供給する、請求項1記載の製造方法。 - 前記フルオロハイドロカーボンガスは、CH2F2ガス、CH3Fガス、又はCHF3ガスである、請求項1又は2に記載の製造方法。
- 前記炭化水素ガスは、CH4ガスである、請求項1〜3の何れか一項に記載の製造方法。
- 前記マスクは、アモルファスカーボン製である、請求項1〜4の何れか一項に記載の製造方法。
- 前記多層膜をエッチングする工程が行われている期間内において前記被処理体の温度が変更される、請求項1〜5の何れか一項に記載の製造方法。
- 前記多層膜をエッチングする工程では、第1の期間中の前記被処理体の温度が、該第1の期間の後の第2の期間中の前記被処理体の温度よりも高く設定される、請求項6に記載の製造方法。
- 前記多層膜をエッチングする工程では、第1の期間中の前記被処理体の温度が、該第1の期間の後の第2の期間中の前記被処理体の温度よりも低く設定される、請求項6に記載の製造方法。
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