JP2016219771A - エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- 被処理体の第1領域及び第2領域を同時にエッチングする方法であって、該第1領域は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜が交互に積層されることによって構成された多層膜を有し、該第2領域は、前記第1領域のシリコン酸化膜の膜厚よりも大きい膜厚を有するシリコン酸化膜を含み、該被処理体は、該第1領域及び該第2領域上に開口を提供するマスクを有し、該方法は、
前記被処理体が準備されたプラズマ処理装置の処理容器内で、フルオロカーボンガス及びハイドロフルオロカーボンガスを含む第1の処理ガスのプラズマを生成する第1工程と、
前記処理容器内で、ハイドロフルオロカーボンガス及び窒素ガスを含む第2の処理ガスのプラズマを生成する第2工程と、
を含み、
前記第1工程及び前記第2工程を各々が含む複数回のシーケンスが実行され、
前記第1工程と前記第2工程とが連続して実行され、
前記第2工程の実行期間は、該第2工程の開始時を含む第1期間、該第1期間に続く第2期間、及び、該第2期間に続き該第2工程の終了時を含む第3期間を含み、
前記第2期間において前記第2の処理ガスに水素ガスが更に含められ、
前記第1工程の実行期間の直後の前記第1期間、及び、前記第1工程の実行期間の直前の前記第3期間において、前記第2の処理ガスの流量に対する水素ガスの流量の割合が、前記第2期間における前記第2の処理ガスの流量に対する水素ガスの流量の割合より低い割合に設定される、
方法。 - 前記第1工程の実行期間の直後の前記第1期間、及び、前記第1工程の実行期間の直前の前記第3期間において、前記第2の処理ガスに窒素ガスが更に含められる、請求項1に記載の方法。
- 前記第1工程の実行期間の直後の前記第1期間、及び、前記第1工程の実行期間の直前の前記第3期間において、前記水素ガスの流量が、前記第2期間における前記水素ガスの流量より低い流量に設定される、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記第1工程の実行期間は、該第1工程の開始時を含む第4期間、該第4期間に続く第5期間、及び、該第5期間に続き該第1工程の終了時を含む第6期間を含み、
前記第5期間において前記第1の処理ガスに酸素ガスが更に含められ、
前記複数回のシーケンスのうち少なくとも一部のシーケンスの前記第2工程の実行期間の直後の前記第4期間、及び、前記複数回のシーケンスのうち少なくとも一部のシーケンスの前記第2工程の実行期間の直前の前記第6期間において、前記第1の処理ガスの流量に対する酸素ガスの流量の割合が、前記第5期間における前記第1の処理ガスの流量に対する酸素ガスの流量の割合より低い割合に設定される、
請求項1〜3の何れか一項に記載の方法。 - 前記複数回のシーケンスのうち少なくとも一部のシーケンスの前記第2工程の実行期間の直後の前記第4期間、及び、前記複数回のシーケンスのうち少なくとも一部のシーケンスの前記第2工程の実行期間の直前の前記第6期間において、前記第1の処理ガスに窒素ガスが更に含められる、請求項4に記載の方法。
- 前記複数回のシーケンスのうち少なくとも一部のシーケンスの前記第2工程の実行期間の直後の前記第4期間、及び、前記複数回のシーケンスのうち少なくとも一部のシーケンスの前記第2工程の実行期間の直前の前記第6期間において、前記酸素ガスの流量が、前記第5期間における前記酸素ガスの流量より低い流量に設定される、請求項4又は5に記載の方法。
- 前記複数回のシーケンスのうち少なくとも一部のシーケンスの前記第2工程の実行期間の直後の前記第4期間、及び、前記複数回のシーケンスのうち少なくとも一部のシーケンスの前記第2工程の実行期間の直前の前記第6期間において、前記第1の処理ガスにフッ素含有ガスが更に含められる、請求項4〜6の何れか一項に記載の方法。
- 前記第1工程の実行期間及び前記第2工程の実行期間にわたって、プラズマを生成するための高周波が連続的に使用される、請求項1〜7の何れか一項に記載の方法。
- 被処理体の第1領域及び第2領域を同時にエッチングする方法であって、該第1領域は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜が交互に積層されることによって構成された多層膜を有し、該第2領域は、前記第1領域のシリコン酸化膜の膜厚よりも大きい膜厚を有するシリコン酸化膜を含み、該被処理体は、該第1領域及び該第2領域上に開口を提供するマスクを有し、該方法は、
前記被処理体が準備されたプラズマ処理装置の処理容器内で、フルオロカーボンガス、及び、ハイドロフルオロカーボンガスを含む第1の処理ガスのプラズマを生成する第1工程と、
前記処理容器内で、ハイドロフルオロカーボンガス、窒素ガス、及び、水素ガスを含む第2の処理ガスのプラズマを生成する第2工程と、
を含み、
前記第1工程及び前記第2工程を各々が含む複数回のシーケンスが実行され、
前記複数回のシーケンスの各々は、前記第1工程と前記第2工程との間に、前記処理容器内でヘリウムガスを含む不活性ガスのプラズマを生成する中間工程を更に含む、
方法。 - 前記不活性ガスは、窒素ガスを更に含む、請求項9に記載の方法。
- 前記第1工程の実行期間が、前記第2工程の実行期間よりも長い、請求項1〜10の何れか一項に記載の方法。
- 前記第2の処理ガスは三フッ化窒素ガスを更に含む、請求項1〜11の何れか一項に記載の方法。
- 前記第2の処理ガスは硫化カルボニルガスを更に含む、請求項1〜12の何れか一項に記載の方法。
- 前記第2の処理ガスは炭化水素ガスを更に含む、請求項1〜13の何れか一項に記載の方法。
- 前記マスクはカーボンから構成されたマスクである、請求項1〜14の何れか一項に記載の方法。
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