JP2014514703A - 影響を受けやすい素子を封入するための多層構成要素 - Google Patents

影響を受けやすい素子を封入するための多層構成要素 Download PDF

Info

Publication number
JP2014514703A
JP2014514703A JP2014502703A JP2014502703A JP2014514703A JP 2014514703 A JP2014514703 A JP 2014514703A JP 2014502703 A JP2014502703 A JP 2014502703A JP 2014502703 A JP2014502703 A JP 2014502703A JP 2014514703 A JP2014514703 A JP 2014514703A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
crystallinity
multilayer component
layers
barrier stack
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014502703A
Other languages
English (en)
Inventor
チャールズ・レイダー
クレア・トーマゼット
マーティン・パイソン
Original Assignee
サン−ゴバン パフォーマンス プラスティックス コーポレイション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by サン−ゴバン パフォーマンス プラスティックス コーポレイション filed Critical サン−ゴバン パフォーマンス プラスティックス コーポレイション
Publication of JP2014514703A publication Critical patent/JP2014514703A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • H10K50/8445Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/42Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating of an organic material and at least one non-metal coating
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/10Organic photovoltaic [PV] modules; Arrays of single organic PV cells
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11Anti-reflection coatings
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/16Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements having an anti-static effect, e.g. electrically conducting coatings
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542Dye sensitized solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264Up to 3 mils
    • Y10T428/2651 mil or less
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31507Of polycarbonate
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31536Including interfacial reaction product of adjacent layers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/3154Of fluorinated addition polymer from unsaturated monomers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/3154Of fluorinated addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31544Addition polymer is perhalogenated
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31551Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678Of metal
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31721Of polyimide
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31725Of polyamide
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31786Of polyester [e.g., alkyd, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31855Of addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31935Ester, halide or nitrile of addition polymer

Abstract

空気および/または湿分の影響を受けやすい素子(12)を封入するためのこの多層構成要素(11)には、有機ポリマー層(1)と少なくとも1組のバリアスタック(2)とが含まれる。バリアスタック(2)には、より低い結晶化度とより高い結晶化度とを交互に有する少なくとも3層の連続薄層(21〜23)が含まれ、より高い結晶化度の層の結晶化度の、より低い結晶化度の層の結晶化度に対する比率が1.1以上である。

Description

本発明は、空気および/または湿分の影響を受けやすい素子、たとえば有機発光ダイオードまたは光電池を封入するための多層構成要素に関する。本発明はさらに、そのような多層構成要素を含むデバイス、特に多層電子デバイス、およびそのような多層構成要素組み立てるための方法にも関する。
多層電子デバイスには、能動部品およびその能動部品の両側にある二つの導電性接点(電極とも呼ばれる)からなる、機能性素子が含まれる。多層電子デバイスの例としては、特に以下のものが挙げられる:有機発光ダイオード(OLED)デバイス(ここで機能性素子はOLEDであって、その能動部品は、電気エネルギーを輻射線に変換させるように設計されている);光起電デバイス(ここで機能性素子は光電池であって、その能動部品は、輻射線からのエネルギーを電気エネルギーに変換させるように設計されている);エレクトロクロミックデバイス(ここで機能性素子はエレクトロクロミック系であって、その能動部品は、第一の状態と、その第一の状態とは異なった光伝送性および/またはエネルギー伝送性を有する第二の状態との間で可逆的にスイッチされるように設計されている);ならびに電子ディスプレイデバイス(ここで機能性素子は、電極の間に印加された電圧に依存して動くことが可能な帯電した顔料を含む電子式インキ系である)。
公知のように、採用されている技術とは関係なく、多層電子デバイスの機能性素子は、環境条件の影響を受けて、特に空気または湿分への曝露の影響を受けて劣化しやすい。一例を挙げれば、OLEDまたは有機光電池の場合においては、それらの有機材料が、特に環境条件の影響を受けやすい。エレクトロクロミック系、電子式インキ系、または無機吸収剤層を含む薄膜光電池の場合においては、透明電極(TCO(透明導電性酸化物)層をベースとするか、透明金属層をベースとしている)もまた、環境条件の影響を受けて劣化しやすい。
空気または湿分への曝露による劣化から多層電子デバイスの機能性素子を保護する目的で、その機能性素子が前面保護基板および可能であれば背面保護基板を用いて封入されている、積層構造を有するデバイスを製造することは公知である。
そのデバイスの用途に応じて、その前面基板および背面基板を、ガラス材料または有機ポリマー材料から作製することができる。ガラス基板ではなく、フレキシブルなポリマー基板を用いて封入されたOLEDまたは光電池は、柔軟で、超薄型で、軽量であるという利点を有している。さらに、黄銅鉱化合物をベースとする吸収剤層、特に銅、インジウムおよびセレンを含むもの(CIS吸収剤層と呼ばれる)(これには、場合によってはガリウム(CIGS吸収剤層)、アルミニウムまたは硫黄が添加されていてもよい)を含むエレクトロクロミック系または光電池の場合においては、そのデバイスは通常、有機ポリマー材料から作製された中間層を使用して積層することによって、組み立てられている。機能性素子の電極と対応する保護基板との間に位置している、その積層中間層によって、そのデバイスの適切な凝集を保証することが可能となっている。
しかしながら、多層電子デバイスが、空気および/または湿分の影響を受けやすい機能性素子に対向する位置に、有機ポリマー積層中間層または有機ポリマー基板を含んでいるような場合には、そのデバイスの劣化速度が高いということが見出された。その原因は、湿分を貯蔵する傾向を有する有機ポリマー積層中間層の存在、または高い透過性を有する有機ポリマー基板の存在下では、その影響を受けやすい機能性素子の中への水蒸気または酸素のような汚染化学種の移行が促進され、そのためにこの機能性素子の性能が損なわれるからである。
本発明は、さらに詳しくは、多層構成要素を提供することによってそれらの欠点を改善することを目的としており、その多層構成要素は、多層電子デバイスの中に組み入れたときに、このデバイスに改良された抵抗性、特に湿分抵抗性を与え、少なくともそのいくつかが空気および/または湿分の影響を受けやすい、そのデバイスの機能性素子を極めて長期間にわたって効果的に保護することが可能となる。
上記目的のために、本発明の主題の一つは、空気および/または湿分の影響を受けやすい素子、たとえば有機発光ダイオードまたは光電池を封入するための多層構成要素である。その多層構成要素には、有機ポリマー層と少なくとも1組のバリアスタックとを含むことができる。それぞれのバリアスタックには、少なくとも3層の連続層を含むことができる。バリアスタックの複数の層では、より低い結晶化度と、より高い結晶化度とを交互に有していることができる。より高い結晶化度の層の結晶化度の、より低い結晶化度の層の結晶化度に対する比率は1.1以上とすることができる。
本発明の別の主題は、空気および/または湿分の影響を受けやすい素子、およびその影響を受けやすい素子のための前面および/または背面の封入材としての先に述べたような多層構成要素を含むデバイスである。
非限定的な例を挙げれば、上記影響を受けやすい素子は、全体としてまたは部分的に、光電池素子、有機発光ダイオード素子、エレクトロクロミック系素子、電子式インキディスプレイ系素子、または無機発光系素子である。
本発明の別の主題は、有機ポリマー層と少なくとも1組のバリアスタックとを含む多層構成要素を組み立てるための方法である。それぞれのバリアスタックには複数の層が含まれる。バリアスタックの層の少なくともいくつかは、スパッタリング法によって蒸着することができる。一実施形態においては、スパッタリング法にはマグネトロンスパッタリング法が含まれうる。バリアスタックの層の少なくともいくつかは、化学蒸着法によって蒸着することができる。一実施形態においては、化学蒸着法にはプラズマ化学蒸着法を含むことができる。さらなる一実施形態においては、化学蒸着法には、原子層蒸着法を含むことができる。さらに、バリアスタックの層は、それらの技術を組み合わせて蒸着させることもできる。
本発明の特徴および利点は、本発明による多層構成要素のいくつかの実施形態を以下に記述することによって明らかになるであろうが、この記述は、単に例示として、添付の図面を参照しながら提供される。
本発明の第一の実施形態に従った多層構成要素を含む、OLEDデバイスの概略断面図を含む。 図1の多層構成要素を含む太陽光電池モジュールについての、図1に類似の断面図を含む。 図1および2の多層構成要素の拡大図を含む。 本発明の第二の実施形態に従った多層構成要素についての、図3に類似の図を含む。 本発明の第三の実施形態に従った多層構成要素についての、図3に類似の図を含む。 本発明の第四の実施形態に従った多層構成要素を含む太陽光電池モジュールについての、図1に類似の断面図を含む。 図6の多層構成要素を含むエレクトロクロミックデバイスについての、図6に類似の図を含む。
図1〜7においては、見やすくする目的で、層の相対的な厚みは厳密には守られていない。
本明細書において開示される教示の理解を深めるために、図面と組み合わせて、以下の記述を提供する。以下の考察では、その教示の特定の実施および実施形態に焦点を当てている。この焦点は、それらの教示の記述を助けるために提供するのであって、それらの教示の範囲や適用性を限定するものと解釈してはならない。
本明細書で使用するとき、「含む(「comprises」、「comprising」、「includes」、「including」、「has」、「having」)という用語、またはそれらの他の各種変化形には、非排他的包含を含むことが意図されている。たとえば、一連の特徴を含む方法、物品または装置は、必ずしもそれらの特徴だけに限定されるものではなく、明言的に列記されていないか、またはそのような方法、物品または装置に固有のその他の特徴を含んでいてもよい。さらに、そうではないと明確に記載されていない限りにおいて、「または(or)」は、包含的or(inclusive−or)を指しており、排他的or(exclusive−or)を指すものではない。たとえば、条件AまたはBは以下のいずれか一つを満足させる:Aが真であり(存在する)且つBが偽である(存在しない)か、Aが偽であり(存在しない)且つBが真である(存在する)か、または、AおよびBの両方が真である(存在する)。
さらに、不定冠詞の「a」および「an」が、本明細書において記述される構成要素および構成成分を記述するために採用されている。これは単に利便性のために使用されているのであって、本発明の範囲の一般的な意味を与えるためのものである。この記述は、一つまたは少なくとも一つを含むと読み取るべきであり、他の意味合いを有することが明白でない限りにおいて、その単数形に複数の形も含まれていることもあり、その逆もあり得る。たとえば、本明細書において単一の品目が記載されている場合、単一の品目に代えて二つ以上の品目を使用してもよい。同様にして、本明細書において二つ以上の品目が記載されている場合にも、その二つ以上の品目に対して、単一の品目を置き換えてもよい。
別の定義をしない限りにおいて、本明細書において使用される技術用語および科学用語はすべて、本発明が属する分野における当業者が一般的に理解しているのと同じ意味合いを有している。材料、方法、および例は、説明のためだけのものであって、限定的な意味合いは有していない。本明細書において記載されていない範囲で、特定の材料および加工行為に関する詳細の多くは、通常のものであって、ルーフィングプロダクド(roofing product)技術および関連の製造技術の範囲に入る教科書その他の文献に見出すことができる。
一実施形態においては、多層構成要素が、空気および/または湿分の影響を受けやすい素子を封入している。そのような素子としては、有機発光ダイオードまたは光電池が挙げられる。その多層構成要素には、有機ポリマー層と少なくとも1組のバリアスタックとを含むことができる。それぞれのバリアスタックには、少なくとも3層の連続層を含むことができる。バリアスタックの複数の層では、より低い結晶化度と、より高い結晶化度とを交互に有していることができる。
本明細書において考えられている結晶化度とは、層の中に存在する結晶性物質の容積の、層の中の物質を合計した容積に対する比率として定義される容積結晶化度であってよい。
本発明の文脈においては、「影響を受けやすい素子の封入」という表現は、影響を受けやすい素子の少なくとも一部が、その影響を受けやすい素子が環境条件に曝露されないようにして、保護されているということを意味していると理解されたい。具体的には、その多層構成要素が、その影響を受けやすい素子を被覆していてもよいし、そうでなければ、その影響を受けやすい素子がその多層構成要素の上に蒸着されていてもよい。薄膜機能性素子、たとえばOLEDの影響を受けやすい層を保護する場合、その機能性素子中、たとえばOLEDの電極を構成しているスタックの中にバリアスタックが含まれていてもよい。本発明の文脈においては、多層構成要素は、相互に対して配置された層の集合体であるが、その素子を構成している層が相互の上に蒸着されている順序とは関係ないということに注意されたい。
本発明の目的においては、実質的に異なった結晶化度を有する層を交互に含む少なくとも1組のバリアスタックを存在させることによって、ポリマー層から影響を受けやすい素子の中への水蒸気の移行を制限することが可能となる。これは、異なった結晶化度を有する層を前記のように交互に配することによって、一つの層とその次の層との間で、汚染化学種たとえば水蒸気または酸素の透過経路を断絶することが可能となるからである。そのために、バリアスタックにおける透過経路、その結果として透過時間が顕著に長くなる。透過経路の断絶効果のための一つの特に好ましい構成が、非晶質層と結晶質層とを交互に配することである。
本発明の文脈においては、バリアスタックの2層の連続した層の結晶化度は、それら2層のそれぞれについての、特にブラッグ−ブレンターノ光学系における、X線回折測定を実施することによって、測定し、比較する。特にバリアスタックの2層の連続層が、同じ化学的性質を有しているが結晶化度が異なっているといった場合には、透過型電子顕微鏡法(TEM)測定を実施してもよい。
一実施形態においては、上述の少なくとも3層の連続層が、交互に、非晶状態と少なくとも部分的には結晶状態とにある。別の言い方をすれば、より低い結晶化度の当該層または各層が、非晶状態にあり、結晶化度がゼロである。本発明の文脈においては、層についてブラッグ−ブレンターノ光学系でのX線回折測定を使用したときに、その測定のバックグランドノイズの標準偏差の2倍以上の強度を有する回折ピークが検出されないような場合には、その層を「非晶状態にある」と呼ぶ。逆に、層についてブラッグ−ブレンターノ光学系でのX線回折測定を使用したときに、その測定のバックグランドノイズの標準偏差の2倍以上の強度を有する回折ピークが少なくとも1本は検出された場合には、その層を「少なくとも部分的に結晶状態にある」と呼ぶ。
2層の間の結晶化度は、類似の回折ピークの強度を比較することによって求めることができる。より高い結晶化度を有する層の強度の、より低い結晶化度を有する層の強度に対する比率が、1より大きくなるであろう。類似のピークの間の比較は、その回折測定範囲全体で平均化することができる。いくつかの実施形態においては、より高い結晶化度を有する層の強度の、より低い結晶化度を有する層の強度に対する比率が、1を超える、たとえば1.1以上、1.2以上、1.5以上、1.7以上、2.0以上、またはさらには3.0以上となるであろう。別の実施形態においては、より高い結晶化度を有する層の強度の、より低い結晶化度を有する層の強度に対する比率が、4.0未満、たとえば3.0未満、または2.5未満となるであろう。
本発明のその他の実施形態を以下に記述するが、それらは、単独で取り入れても、あるいは各種の技術的に可能な組合せで取り入れてもよい。
一つの特徴においては、より高い結晶化度の層の容積結晶化度とより低い結晶化度の層の容積結晶化度との差が、10%以上、たとえば15%以上、20%以上、またはさらには25%以上である。
別の特徴においては、より高い結晶化度の層の結晶化度の、より低い結晶化度の層の結晶化度に対する比率が、1.2以上、たとえば1.5以上、1.7以上、2.0以上、またはさらには3.0以上である。
一つの特徴においては、当該バリアスタックもしくは各バリアスタックのそれぞれの層が、5nm〜200nmの間、好ましくは5nm〜100nmの間、より好ましくは5nm〜70nmの間の幾何学的厚みを有している。一実施形態においては、その厚みを、少なくとも5nm、たとえば少なくとも10nm、少なくとも20nm、少なくとも40nm、またはさらには少なくとも100nmとすることができる。別の実施形態においては、その厚みを、200nm以下、たとえば150nm以下、120nm以下、100nm以下、またはさらには約80nm以下とすることができる。
本発明の文脈においては、上述の少なくとも3層の連続層は、同一の化学的特性または異なった化学的特性の無機層であってよい。当該バリアスタックもしくは各バリアスタックのそれぞれの層は無機物であり、特に、金属、酸化物、ニトリドまたはオキシニトリドの層であってよい。それが酸化物、ニトリドまたはオキシニトリドの層である場合には、それがドープされていてもよい。一例としては、ZnO、SiまたはSiO層を、特にそれらの導電率を改良する目的で、アルミニウムによってドープしてもよい。当該バリアスタックもしくは各バリアスタックの層は、慣用される薄膜蒸着プロセスによって蒸着されていてもよいが、そのようなプロセスの非限定的な例としては、マグネトロンスパッタリング法;化学蒸着法(CVD)特にプラズマ化学蒸着法(PECVD);原子層蒸着法(ALD);またはそれらのプロセスの組合せが挙げられるが、選択される蒸着プロセスが、バリアスタックの中で、層毎に異なっていてもよい。
一実施形態においては、その多層構成要素に、ポリマー層とバリアスタックとの間に位置する界面層が含まれる。この界面層は、たとえばアクリル樹脂またはエポキシ樹脂タイプの有機物層か、または有機−無機ハイブリッド層、特にその中では、たとえばシリカのSiOであってよい無機部分が、層の0%〜50容量%の間を占めている。この界面層は特に、平滑化層または平坦化層として機能している。界面層は、少なくとも1ミクロン、たとえば少なくとも2ミクロン、少なくとも3ミクロン、またはさらには少なくとも4ミクロンの厚みを有することが出来る。さらなる実施形態においては、その界面層が、10ミクロン以下、たとえば8ミクロン以下、または6ミクロン以下の厚みを有している。一実施形態においては、その界面層が、約1〜10ミクロン、たとえば4〜5ミクロンの厚みを有する、UV硬化させたアクリレート層である。
別の実施形態においては、当該バリアスタックもしくは各バリアスタックを構成する層が、低い屈折率と高い屈折率を交互に有している。これらの構成層を適切な幾何学的厚みとすると、そのバリアスタックが干渉フィルターを構成することが可能であって、反射防止コーティングとして機能する。特定の実施形態では、輻射線集積または放出機能性素子、たとえばOLEDまたは光電池の前面封入として多層構成要素を使用する。したがって、このことは、OLEDまたは光電池の場合においては、その機能性素子から抜き出される光束またはその機能性素子に到達する光束を確実に増やし、それによって、高いエネルギー変換効率を得ることが可能となる。特に最適化ソフトウェアの手段によって、バリアスタックの層の適切な幾何学的厚みを選択することが可能となる。
一実施形態においては、そのポリマー層および当該バリアスタックもしくは各バリアスタックが透明である。本発明の文脈においては、一つの層、または複数の層のスタックが、少なくとも意図された用途に有用な波長範囲の中で透明であるならば、それが透明であるとみなす。一例としては、多結晶シリコンに基づく光電池を含む光起電デバイスの場合においては、それぞれの透明層が、400nm〜1200nmの間の波長範囲(これは、このタイプの電池では有用な波長である)内で透明である。特に、当該バリアスタックもしくは各バリアスタックが薄膜のスタックであってもよく、その幾何学的厚みは、影響を受けやすい素子への出入り両方で、その多層構成要素を通過する輻射線の透過を、反射防止効果によって最大化されるように設計される。本発明の文脈においては、薄膜とは、1ミクロン未満の厚みを有する層を意味していると理解されたい。
別の特徴においては、その多層構成要素に、ポリマー層から始まり、有機中間層または有機−無機ハイブリッド中間層によって分離された少なくとも二つのバリアスタックが含まれる。たとえばポリアクリレート層であってよい、この中間層は、二つの機能を有している。第一には、そのことによって、その二つの無機のバリアスタックを機械的に分離して、それによりクラックの伝播を防止することによって、そのスタック全体の機械的挙動を改良することが可能となる。第二には、そのことによって、一つの無機バリアスタックから他の無機バリアスタックへと対応する欠陥が成長することを抑制することが可能となり、その結果、スタック全体において、汚染化学種たとえば酸素または水蒸気の透過経路の有効長を増大させることが可能となる。
本発明の文脈においては、その多層構成要素には、影響を受けやすい素子に向かうように意図されたポリマー層の面に沿った少なくとも1組のバリアスタックが含まれていてもよいし、および/または影響を受けやすい素子から遠ざかる方向に向かうように意図されたポリマー層の面に沿った少なくとも1組のバリアスタックが含まれていてもよい。
多層構成要素のポリマー層は、基板、特に以下のものをベースとする層であってよい:ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリメチルメタクリレート、ポリアミド、ポリイミド、フルオロポリマー、たとえばエチレン−テトラフルオロエチレン(ETFE)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)、エチレン−クロロトリフルオロエチレン(ECTFE)、およびフッ素化エチレン−プロピレンコポリマー(FEP)。
一変形形態として、その多層構成要素のポリマー層が、硬質または軟質の基板を接着させるための積層中間層であってもよい。このポリマー積層中間層は、特に以下のものをベースとする層であってよい:ポリビニルブチラール(PVB)、エチレン−酢酸ビニル(EVA)、ポリエチレン(PE)、ポリ塩化ビニル(PVC)、熱可塑性ウレタン、アイオノマー、ポリオレフィンベースの接着剤、または熱可塑性シリコーン。
本発明の別の主題は、空気および/または湿分の影響を受けやすい素子、たとえば有機発光ダイオードまたは光電池を封入するための、上述の多層構成要素の使用である。
本発明の別の主題は、空気および/または湿分の影響を受けやすい素子、およびその影響を受けやすい素子のための前面および/または背面の封入材としての先に述べたような多層構成要素を含むデバイスである。
非限定的な例を挙げれば、その影響を受けやすい素子は、全体としてまたは部分的に、光電池の素子、有機発光ダイオードの素子、エレクトロクロミック系の素子、電子式インキディスプレイ系の素子、または無機発光系の素子である。
最後に、本発明の別の主題は、先に述べたような多層構成要素を組み立てるための方法であって、そこでは、当該バリアスタックもしくは各バリアスタックの層の少なくとも幾つかが、スパッタリング法、特にマグネトロンスパッタリング法によるか、または化学蒸着法、特にプラズマ化学蒸着法によるか、または原子層蒸着法によるか、またはそれらの技術を組み合わせることによって蒸着されている。
図1に示したOLEDデバイス10には、グレージング機能を有する前面基板1と、前面電極5、有機エレクトロルミネセント層のスタック6、および背面電極7を並置させることによって形成されたOLED12とが含まれる。このOLED12が、デバイス10の機能性素子である。前面基板1は、デバイス10から輻射線が抜き出される側に設置し、それは、透明なポリマーから、特に、一例としては、25ミクロン〜175ミクロンの間の幾何学的厚みを有するポリエチレンテレフタレート(PET)またはポリエチレンナフタレート(PEN)から作られている。いくつかの実施形態においては、基板1の厚みは、少なくとも25ミクロン、たとえば少なくとも50ミクロン、少なくとも75ミクロン、少なくとも100ミクロン、またはさらには少なくとも150ミクロンとすることができる。別の実施形態においては、基板1の厚みが、200ミクロン以下、たとえば175ミクロン以下、または150ミクロン以下である。
前面電極5には、透明導電性コーティング、たとえばスズをドープしたインジウム酸化物(ITO)をベースとするもの、または銀の層を有するスタックが含まれる。有機物層6のスタックには、それら自体も電子注入層とホール注入層との間に挟み込まれている、電子輸送層とホール輸送層との間に挟み込まれた中央のエレクトロルミネセント層が含まれる。背面電極7は、特にそのOLEDデバイス10がTCOで作られて、前面放出と背面放出の両方であるような場合には、導電性材料、特に銀またはアルミニウムタイプの金属系材料で作られている。有機物層6ならびに電極5および7は、影響を受けやすい層であって、空気または湿分への曝露の影響で、それらの性質が劣化しやすい。特に水蒸気または酸素の存在下では、有機物層6の発光特性ならびに電極5および7の導電性能が劣化する場合がある。
外部環境条件に曝露させたときに、それらの影響を受けやすい層を保護する目的で、デバイス10には、前面基板1と前面電極5との間に挿入されたバリアスタック2が含まれる。その中でバリアスタック2が、OLEDデバイスの内側に向くようにされている基板1の面1Aに対向するように配置されている、重ね合わせた基板1/バリアスタック2の組合せは、多層構成要素11を形成しているが、これは図3に拡大して示されている。実際のところ、バリアスタック2の層は、ポリマー基板1の面1Aの上に、特にマグネトロンスパッタリング法によって、連続的に蒸着されている。前面電極5、有機物層6、および背面電極7は、後工程で蒸着される。
この実施形態においては、バリアスタック2は、より低い結晶化度とより高い結晶化度を交互に有する3層の透明薄層21、22、23のスタックからなっている。いくつかの実施形態においては、層21〜23が、交互に、非晶状態および結晶状態にある。たとえば、一実施形態においては、層21が非晶状態にあり、層22が結晶状態にあり、そして層23が非晶状態にあるということもあり得る。本発明においては、バリアスタック2が、影響を受けやすい層5、6、7を、汚染化学種、たとえば水蒸気または湿分がそれらの層へと移行することを防止することによって、保護するのに役立っている。好ましくは、そのバリアスタック2も最適化して、基板1と前面電極5との界面での反射防止効果により、OLED12から輻射線を良好に抜き出せるようになっている。OLED12によって放射される輻射線のロスは、基板1と前面電極5の構成材料の屈折率に差があるために、この界面で反射によって生じる場合がある。しかしながら、薄層21、22、23で交互に屈折率に高低をつけ、それらの層に適切な幾何学的厚みを与えることによって、バリアスタック2が干渉フィルターの役割を果たし、基板1と前面電極5との界面における反射防止機能を提供する。バリアスタック2の層のこれら適切な幾何学的厚みは、特に、最適化ソフトウェアを使用して選択することができる。
図2には、薄膜太陽光電池モジュール20が図1の多層構成要素11を備えている場合を示している。多層構成要素11のポリマー基板1が、モジュール20の前面基板を形成し、それが、太陽輻射線がこのモジュールの上に入射される側に位置しており、バリアスタック2は、モジュールの内側の方向に向かっている。モジュール20にはさらに、公知のように、支持機能を有する背面基板18が含まれるが、それは、透明であっても透明でなくてもよいが、適切な材料から作られている。
背面基板18は、モジュール20の内側に向かったその面の上、すなわちそのモジュールに太陽輻射線が入射する側の上に、導電層17を担持しているが、それが、モジュール20の光電池13の背面電極を形成している。一例としては、層17が金属層であり、特に銀またはアルミニウムから作られている。背面電極を形成している層17の上には、太陽エネルギーを電気エネルギーに変換させるのに適した非晶質シリコンをベースとする吸収剤層16がある。吸収剤層16そのものの上には、湿分−影響を受けやすい導電層15があるが、それはたとえば、アルミニウムをドープされた酸化亜鉛(AZO)をベースとしていて、電池13の前面電極を形成している。したがって、モジュール20の光電池13は、層15、16および17のスタックによって形成されている。
OLEDデバイス10の場合と同様に、モジュール20の中に組み込まれている多層構成要素11は、その下にある影響を受けやすい層15、16および17を、それらの層への汚染化学種の移行を制限し、遅らせるバリアスタック2によって効果的に保護することと、モジュール20の外側から吸収剤層16の中への輻射線の伝達を最適化させること、の両方に役立っている。
図4に示した、多層構成要素の第二の実施形態においては、第一の実施形態の素子に類似の素子には、同一の参照番号に100を加えてある。この第二の実施形態に従う多層構成要素111は、空気および/または湿分の影響を受けやすい素子、たとえば光電池モジュールまたはOLEDデバイスを含むデバイスを装備することを目的としている。多層構成要素111には、透明ポリマー、特に、たとえば数百ミクロンの幾何学的厚みを有するポリエチレンテレフタレート(PET)またはポリエチレンナフタレート(PEN)から作られた基板101、および影響を受けやすい素子から離れる方向へ向けられた基板の面101Bの上のバリアスタック102が含まれる。したがって、この多層構成要素111は、そのバリアスタックが、影響を受けやすい素子から離れる方向へ向けられた基板の面の上に置かれていて、影響を受けやすい素子の方向に向けられた基板の面の上には置かれていないという点で、第一の実施形態の多層構成要素11とは異なっている。
第一の実施形態と類似の方法で、バリアスタック102は、より低い結晶化度とより高い結晶化度を交互に有する3層の透明薄層121、122、123のスタックからなっている。一実施形態においては、層121〜123が、交互に、非晶状態および結晶状態にある。たとえば、一実施形態においては、層121が非晶状態にあり、層122が結晶状態にあり、そして層123が非晶状態にあるということもあり得る。本発明においては、バリアスタック102が、汚染化学種たとえば水蒸気または湿分の移行を制限し、遅らせるのに役立つ。一実施形態においては、そのバリアスタック102はさらに、バリアスタック102がポリマー基板101と空気との界面において反射防止機能を与えるのに適した、層121、122、123の幾何学的厚みおよび屈折率を有しているように設計されている。この界面にバリアスタック102が存在していることが、基板101の構成ポリマー材料の間で屈折率において大きな違いがあるためにこの界面で高レベルの反射が存在しているような場合に、この多層構成要素を通過する輻射線の伝送を最大化させるのに一段と有効である。
図5に示した、多層構成要素の第三の実施形態においては、第一の実施形態の素子に類似の素子には、同一の参照番号に200を加えてある。この第三の実施形態に従う多層構成要素211は、空気および/または湿分の影響を受けやすい素子、たとえば光電池モジュールまたはOLEDデバイスを含むデバイスを装備することを目的としている。この多層構成要素211には、透明ポリマー、特に、たとえば、数百ミクロンの幾何学的厚みを有するポリエチレンテレフタレート(PET)またはポリエチレンナフタレート(PEN)から作られた基板201が含まれるが、ただし、それが、2組の3層バリアスタック202および202’(それぞれ、影響を受けやすい素子の方向に向けられた基板201の面201Aの上、および影響を受けやすい素子から離れる方向へ向けられた基板201の面201Bの上に蒸着されている)を含んでいる点で、前の実施形態の多層構成要素11および111とは異なっている。
それら二つのバリアスタック202および202’のそれぞれが、より低い結晶化度とより高い結晶化度とを交互に有する、3層の透明薄層221、222、223または221’、222’、223’のスタックである。いくつかの実施形態においては、それらの層が、交互に、非晶状態および結晶状態にあるようにすることができる。2組のバリアスタックを有する多層構成要素211は、その下にある影響を受けやすい層を汚染化学種たとえば水蒸気または湿分から効果的に保護し、多層構成要素と空気との間の界面、および多層構成要素とその中で多層構成要素が一体化されているデバイスの下側層との間の界面の両方で、輻射線の反射を最小化している。
図6および7に示した多層構成要素の第四の実施形態においては、第一の実施形態の素子と類似の素子には、同一の参照番号に300を加えてある。
図6に示した太陽光電池モジュール320は、その吸収剤層316が黄銅鉱化合物、特にCISまたはCIGSをベースとしている点で、図2のモジュール20とは異なっている。公知のように、その吸収剤がシリコンまたはテルル化カドミウムをベースとしている薄膜光電池モジュールは、スーパーストレートモード(superstrate mode)、すなわち前面基板から始めてデバイスを構成する層を連続的に蒸着させることによって製造されるが、それに対して、その吸収剤が黄銅鉱化合物をベースとしている薄膜光電池モジュールは、サブストレートモード(substrate mode)、すなわち、背面基板の上に電池を構成する層を連続的に蒸着させることによって製造される。次いで、従来法に従って、モジュールの前面電極と前面基板との間に位置するポリマー中間層を使用して積層することによって、黄銅鉱吸収剤を有するモジュールの組み立てを実施する。
図6においては、その「太陽光電池モジュール320には、ガラスまたは透明ポリマーのいずれかで作製した前面基板301が含まれる。モジュール320にはさらに、モジュール320の内側に向かう方向に向けられた面の上に、モジュールの光電池313の背面電極を形成する導電層317を担持している背面基板318が含まれる。一例としては、層317が、モリブデンをベースとしている。
背面電極を形成する層317上に、黄銅鉱化合物、特にCISまたはCIGSをベースとする吸収剤層316がある。吸収剤層316そのものの上には、ドープされていない本来のZnOの層(図示せず)と場合によっては組み合わされた硫化カドミウムCdSの層(これも図示せず)と、次いで、電池313の前面電極を形成する、たとえばアルミニウムをドープされた酸化亜鉛(AZO)をベースとする湿分−影響を受けやすい導電層315とがある。このようにして、モジュール320の光電池313は、層315、316および317のスタックによって形成される。
前面基板301と背面基板318との間のモジュール320の機能層を接着するように設計されている、EVAで作られているポリマー積層中間層304は、電極315の上、前面基板101側に位置している。一変形形態として、その積層中間層304を、PVBまたは適切な性質を有する各種のその他の材料で作ってもよい。積層中間層304の中に貯蔵される可能性がある湿分から、湿分の影響を受けやすい層であるAZO層315を保護するために、モジュール320には、層304と315との間に挟み込まれたバリアスタック302が含まれている。
積層中間層304とバリアスタック302とが重なりあって多層構成要素311を形成し、その中でバリアスタック302が、モジュールの内側に向かう方向に向けられている層304の面304Aに対向して位置している。第一の実施形態におけると同様に、バリアスタック302は、より低い結晶化度とより高い結晶化度とを交互に有する、好ましくは交互に非晶状態と結晶状態にある、3層の透明薄層321、322、323のスタックからなっており、ここで、スタック302のそれぞれの薄層の幾何学的厚みが、光学的な観点から最適化されて、EVA積層中間層304と前面電極を形成するAZO層315との間の界面で、反射防止効果が得られるようになっている。この例においては、バリアスタック302の寄与により達成することが可能な反射の減少が、積層中間層とAZOとの間の屈折率の差が大きいために、特に大きいことに注目されたい。
図7は、エレクトロクロミックデバイス330が、図6の多層構成要素311を備えている場合を示している。図7においては、図6におけるのと類似の素子には、同一の参照番号が付けられている。デバイス330には、各種適切な透明材料で作られた、二つの基板301’および318’が含まれている。エレクトロクロミック系314は、基板301’と318’との間に位置している。そのエレクトロクロミック系314は、各種適切なタイプであってよい。それは特に、その中で2層の鉱物質エレクトロクロミック層が有機電解質によって分離されているハイブリッドエレクトロクロミック系と呼ばれているものであってもよいし、あるいはその中でエレクトロクロミック層および電解質が鉱物質層である全ソリッドステートエレクトロクロミック系であってもよい。
そのタイプとは関係なく、そのエレクトロクロミック系314には、基板318’から始めて順に、透明電極317’(特にこれは、TCOで作られていてもよい)、エレクトロクロミック活性層のスタック316’、および第二の透明電極315’(これもまた、TCOで作られていてもよい)が含まれている。多層構成要素311のポリマー積層中間層304が、電極315’の上、基板301’に対向する位置にあり、多層構成要素311のバリアスタック302が、層304と315’との間に挟み込まれて、層315’を保護するようになっている。
非限定的な一例として、上述の四つの実施形態において、それぞれのバリアスタックに、マグネトロンスパッタリング法によって蒸着された次の連続層が含まれている:Si/ZnO/Si
上述の実施形態からも明らかなように、その中の層が、より低い結晶化度とより高い結晶化度とを交互に有しているバリアスタックを含む、本発明による多層構成要素によって、空気または湿分への曝露で誘起されるいかなる劣化に対してもより高い抵抗性を持つデバイスを得ることが可能となる。そのバリアスタックを最適化させることが可能であるので、デバイスの活性層を出入りする輻射線の透過を妨害することなく、この改良された抵抗性が得られる。
ポリエチレンテレフタレート製のフレキシブルな基板の上に蒸着され、その基板(本明細書では「PET」で表す)のバリア蒸着表面上に0.125mmの幾何学的厚みの界面層を有するバリアスタックの例を、以下の表1に示す。一実施形態においては、その界面層が、1〜10ミクロンの間、たとえば4〜5ミクロンの間の厚みを有する、UV硬化させたアクリレート層である。その界面層が、ポリエチレンテレフタレートの表面を平坦化および平滑化させている。
表1に示したスタックの性質は、以下の通りである:
− TL:%光線透過率(可視光域)、測定条件;65光源/観察角度2度;
− RL:%光線反射率(可視光域)、測定条件;65光源/観察角度2度;
− A:%吸光度(可視光域):ここで、
TL+RL+A=1;
− WVTR(水蒸気移行速度):水蒸気透過速度(単位:g/m・日)、測定;MOCON AQUATRANシステムを使用、37.8℃、相対湿度100%、8時間サイクル[注意:MOCONシステムの検出限界は5×10−4g/m・日である]。
Figure 2014514703
本発明による実施例1においては、そのバリアスタックには、結晶化度を交互に変化させた3層が含まれ、ここで、Si層が非晶状態にあり、ZnOが少なくとも部分的に結晶状態である。
比較例2および3においては、そのバリアスタックが、いずれも非晶状態にある3層を含んでいる。
本発明による実施例1のバリアスタックによって、比較例2および3のバリアスタックのWVTRよりも、10倍も良好なWVTRを達成することも可能であるということも判るであろう。
表1に記載の例のいずれにおいても、マグネトロンスパッタリング法によってそれらの層を蒸着した蒸着条件は次の通りである。
Figure 2014514703
本発明が、記述し、示した例に限定される訳ではない。
特に、上述の例においては、当該バリアスタックもしくは各バリアスタックが透明である。いくつかの実施形態においては、少なくとも1組のバリアスタックを含む多層構成要素は、D65光源/観察角度2度の条件下において、少なくとも75%、たとえば少なくとも80%、少なくとも85%、少なくとも90%、少なくとも92%、またはさらには少なくとも94%の透明度を有している。一変形形態として、本発明による多層構成要素の少なくとも1組のバリアスタックが透明である必要はなく、特にその多層構成要素が、前面のみから放射する光電池またはOLEDの背面封入のため、または環境条件の影響を受けて劣化しやすいが、透明度条件は要求されていない素子の前面および/または背面封入のために使用される場合には、透明である必要はない。
さらに、多層構成要素の当該バリアスタックもしくは各バリアスタックには、いかなる数の、3層以上の重ね合わせた層が含まれていてもよく、それらの層の化学的組成および厚みが、上述のものとは異なっていることもあり得る。バリアスタックのそれぞれの層は、金属の薄膜、または特にMO、MNもしくはMOタイプの化学組成を有する酸化物、ニトリドもしくはオキシニトリドの薄膜であって、場合によっては水素化、炭酸化もしくはドープされていてもよいが、ここでMは、たとえばSi、Al、Sn、Zn、Zr、Ti、Hf、BiおよびTaまたはそれらの合金から選択される金属である。バリアスタックの層の所定の化学組成に対しては、それらの層のそれぞれの幾何学的厚みは、たとえば最適化ソフトウェアの手段により、その多層構成要素を通過する輻射線の透過率が最大になるように選択される。
さらに、多層構成要素の層がポリマー層の上に蒸着される場合には、たとえばアクリル系またはエポキシ樹脂タイプまたは有機−無機ハイブリッドタイプの有機界面層が、特に平滑化または平坦化の機能を与える目的で、ポリマー層の上に予め置かれていてもよい。
最後に、本発明による多層構成要素は、先に記述し示したOLED、光電池およびエレクトロクロミックデバイスに限定されることなく、空気および/または湿分の影響を受けやすい素子を含む各種のタイプのデバイスにおいて使用することができる。特に、本発明は、薄膜光電池を封入するために適用することが可能で、その吸収剤層が、非晶質もしくは微晶質ケイ素をベースとするか、またはテルル化カドミウムをベースとするか、またはたとえばCISもしくはCIGSのような黄銅鉱化合物をベースとする薄膜であってもよい。本発明はさらに、その有機吸収剤層が、特に環境条件の影響を受けやすい有機光電池を封入するため、またはp/n接点を形成する多結晶もしくは単結晶シリコンウェーハを含む光電池を封入するためにも適用することができる。本発明はさらに、感光性顔料を含むGraetzel電池(DSSC(色素増感太陽電池)とも呼ばれる)を作製するモジュールにも適用可能であるが、これの場合には、湿分に曝露させると、電極の劣化は別として、電解質の機能不全を起こして、望ましくない電気化学的反応の原因となる。本発明を適用することが可能な多層電子デバイスのその他の例としては以下のものが挙げられる:その能動部品が電極間に印加された電圧に応じて移動することが可能な帯電した顔料を含む、電子ディスプレイデバイス;ならびに、その能動部品が誘電体の間に挟み込まれた能動媒質を含み、ここで、その能動媒質がホストマトリックスとして機能する結晶格子から構成されている無機エレクトロルミネセントデバイス、特に、ルミネセンスを発生させる硫化物または酸化物、およびドーパント、たとえばZnS:MnもしくはSrS:Cu,Agをベースとするもの。
ポリマー層および少なくとも1組の多層バリアスタックを含む、本発明による多層構成要素を組み立てるための方法には、そのバリアスタックの層を薄膜蒸着させることが含まれる。それらの層を蒸着させるための、可能な技術の一つは、マグネトロンスパッタリング法である。
このプロセスにおいては、高真空中で、蒸着させる化学元素を含むターゲットの側でプラズマを発生させる。プラズマの活性種が、ターゲットに衝突して、前記化学元素を分裂させ、それが、基板の上に蒸着されて、所望の薄膜が形成される。このプロセスは、ターゲットから分裂した元素とプラズマの中に含まれる気体との化学反応から生ずる物質でその層が作製される場合には、「反応性(reactive)」プロセスと呼ばれる。このプロセスの大きな利点は、単一でかつ同一のラインで、各種のターゲットの下に基板を連続して通過させることによって、極めて複雑な多層スタックを蒸着させることが可能となるところにある。
スパッタリング法によれば、パラメーター、たとえば蒸着チャンバ中の圧力、出力、および反応性ガスの性質および量を変更することによって、バリアスタックのある種の物理化学的特性、特に密度、化学量論および化学的組成を変化させることが可能となる。
バリアスタックの層を蒸着させるためには、マグネトロンスパッタリング法以外の蒸着技術、特に化学蒸着法(CVD)、特にプラズマ化学蒸着法(PECVD)、原子層蒸着法(ALD)および蒸発法も考えられる。
多層スタックの層は必ずしも、ポリマー層の上に蒸着しなければならない訳ではないことに注意されたい。したがって、一例としては、スーパーストレートモードで製造される図1および2に示したデバイスの場合においては、そのバリアスタックの薄膜は、ポリマー基板1の上に連続的に蒸着されるが、それに対して、サブストレートモードで製造される図6および7に示したデバイスの場合においては、そのバリアスタックの薄膜は、電極315の上に連続的に蒸着され、その後の工程で、ポリマー積層中間層がそのバリアスタックに加えられる。

Claims (18)

  1. 空気および/または湿分の影響を受けやすい素子(12;13;313;314)、たとえば有機発光ダイオードまたは光電池を封入するための多層構成要素(11;111;211;311)であって、前記多層構成要素が、有機ポリマー層(1;101;201;304)および少なくとも1組のバリアスタック(2;102;202、202’;302)を含み、前記バリアスタックが、より低い結晶化度とより高い結晶化度を交互に有する少なくとも3層の連続層を含み、より高い結晶化度の層の結晶化度の、より低い結晶化度の層の結晶化度に対する比率が1.1以上である、多層構成要素。
  2. より高い結晶化度の層の容積結晶化度と、より低い結晶化度の層の容積結晶化度との差が10%以上である、請求項1に記載の多層構成要素。
  3. より高い結晶化度の層の結晶化度の、より低い結晶化度の層の結晶化度に対する比率が、1.5以上である、請求項1または2に記載の多層構成要素。
  4. 前記少なくとも3層の連続層が、非晶状態にあるものと、少なくとも部分的に結晶状態にあるものとが交互になっている、請求項1〜3のいずれか1項に記載の多層構成要素。
  5. 前記バリアスタックのそれぞれの層が、5nm〜200nmの間、好ましくは5nm〜100nmの間の幾何学的厚みを有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の多層構成要素。
  6. 前記バリアスタックのそれぞれの層が、金属、金属酸化物、金属ニトリド、または金属オキシニトリドの層である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の多層構成要素。
  7. 前記金属が、Si、Al、Sn、Zn、Zr、Ti、Hf、Bi、Ta、およびこれらの合金からなる群より選択される、請求項6に記載の多層構成要素。
  8. 前記金属酸化物、前記金属ニトリド、または前記金属オキシニトリドが、Si、Al、Sn、Zn、Zr、Ti、Hf、Bi、Ta、およびこれらの合金からなる群より選択される酸化物、ニトリド、またはオキシニトリドを含む、請求項6に記載の多層構成要素。
  9. 前記ポリマー層と前記バリアスタックとの間に位置する有機界面層または有機−無機ハイブリッド界面層を含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の多層構成要素。
  10. 前記バリアスタックを構成する層が、低い屈折率と高い屈折率を交互に有する、請求項1〜9のいずれか1項に記載の多層構成要素。
  11. 前記ポリマー層および前記バリアスタックまたは各バリアスタックが透明である、請求項1〜10のいずれか1項に記載の多層構成要素。
  12. ポリマー層から始まり、有機中間層または有機−無機ハイブリッド中間層によって分離された少なくとも2組のバリアスタックを含む、請求項1〜11のいずれか1項に記載の多層構成要素。
  13. 前記影響を受けやすい素子の方向に向けられるよう意図された、前記ポリマー層の面(1A;201A;304A)に沿った少なくとも1組のバリアスタック、および/または、前記影響を受けやすい素子から離れる方向へ向けられるよう意図された、前記ポリマー層の面(101B;201B)に沿った少なくとも1組のバリアスタックを含む、請求項1〜12のいずれか1項に記載の多層構成要素。
  14. 前記ポリマー層(1;101;201)が基板ポリマーである、請求項1〜13のいずれか1項に記載の多層構成要素。
  15. 前記ポリマー層(304)がポリマー積層中間層である、請求項1〜11のいずれか1項に記載の多層構成要素。
  16. 空気および/または湿分の影響を受けやすい素子を含むデバイスであって、前記影響を受けやすい素子のための前面および/または背面の封入材として、請求項1〜15のいずれか1項に記載の多層構成要素を含む、デバイス。
  17. 前記影響を受けやすい素子が、全体としてまたは部分的に、有機発光ダイオード(12)素子、光電池(13;313)素子、エレクトロクロミック系(314)素子、電子式インキディスプレイ系素子、または無機発光系素子である、請求項14に記載のデバイス。
  18. 前記バリアスタックの層の少なくとも何層かが、スパッタリング法、特にマグネトロンスパッタリング法によるか、または化学蒸着法、特にプラズマ化学蒸着法によるか、または原子層蒸着法によるか、またはこれらの技術の組合せによって蒸着される、請求項1〜13のいずれか1項に記載の多層構成要素を組み立てるための方法。
JP2014502703A 2011-04-08 2012-04-06 影響を受けやすい素子を封入するための多層構成要素 Pending JP2014514703A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1153113 2011-04-08
FR1153113A FR2973939A1 (fr) 2011-04-08 2011-04-08 Element en couches pour l’encapsulation d’un element sensible
PCT/US2012/032618 WO2012139057A2 (en) 2011-04-08 2012-04-06 Multilayer component for the encapsulation of a sensitive element

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016233479A Division JP2017107855A (ja) 2011-04-08 2016-11-30 影響を受けやすい素子を封入するための多層構成要素

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014514703A true JP2014514703A (ja) 2014-06-19

Family

ID=44548852

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014502703A Pending JP2014514703A (ja) 2011-04-08 2012-04-06 影響を受けやすい素子を封入するための多層構成要素
JP2016233479A Pending JP2017107855A (ja) 2011-04-08 2016-11-30 影響を受けやすい素子を封入するための多層構成要素

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016233479A Pending JP2017107855A (ja) 2011-04-08 2016-11-30 影響を受けやすい素子を封入するための多層構成要素

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10036832B2 (ja)
EP (1) EP2695217A4 (ja)
JP (2) JP2014514703A (ja)
KR (2) KR20130143658A (ja)
CN (2) CN103460433A (ja)
FR (1) FR2973939A1 (ja)
WO (1) WO2012139057A2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020117787A (ja) * 2019-01-25 2020-08-06 神港精機株式会社 マグネトロンスパッタ法による成膜装置および成膜方法
JP2021503632A (ja) * 2017-11-20 2021-02-12 セイジ・エレクトロクロミクス,インコーポレイテッド 非発光可変透過装置、及び同装置の組み立て方法

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2949775B1 (fr) 2009-09-10 2013-08-09 Saint Gobain Performance Plast Substrat de protection pour dispositif collecteur ou emetteur de rayonnement
FR2949776B1 (fr) 2009-09-10 2013-05-17 Saint Gobain Performance Plast Element en couches pour l'encapsulation d'un element sensible
US8574728B2 (en) 2011-03-15 2013-11-05 Kennametal Inc. Aluminum oxynitride coated article and method of making the same
FR2973939A1 (fr) 2011-04-08 2012-10-12 Saint Gobain Element en couches pour l’encapsulation d’un element sensible
US9397318B2 (en) 2012-09-04 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Method for hybrid encapsulation of an organic light emitting diode
US9017809B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Kennametal Inc. Coatings for cutting tools
US9138864B2 (en) 2013-01-25 2015-09-22 Kennametal Inc. Green colored refractory coatings for cutting tools
WO2014123544A1 (en) * 2013-02-11 2014-08-14 Halliburton Energy Services, Inc. Fluid analysis system with integrated computation element formed using atomic layer deposition
US9427808B2 (en) 2013-08-30 2016-08-30 Kennametal Inc. Refractory coatings for cutting tools
CN105518895B (zh) * 2013-09-30 2017-08-01 株式会社Lg化学 用于有机电子器件的基板及其制造方法
US9741951B2 (en) * 2013-09-30 2017-08-22 Lg Chem, Ltd. Substrate for organic electronic device and method for manufacturing same
KR102088203B1 (ko) * 2013-10-01 2020-03-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
JP2015133247A (ja) * 2014-01-14 2015-07-23 日東電工株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置
CN104070742A (zh) * 2014-06-17 2014-10-01 中国科学院广州能源研究所 一种阻隔水汽和防氧渗透的薄膜
US9502686B2 (en) * 2014-07-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Fluorine-containing polymerized HMDSO applications for OLED thin film encapsulation
EP3219482B1 (en) 2014-11-14 2024-02-07 Toppan Printing Co., Ltd. Optical barrier film, color conversion film, and backlight unit
KR102382025B1 (ko) * 2015-03-04 2022-04-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN104716270A (zh) 2015-03-16 2015-06-17 上海和辉光电有限公司 一种薄膜封装结构和具有该结构的有机发光装置
CN107430223B (zh) * 2015-03-30 2020-12-04 凸版印刷株式会社 光学膜及其制造方法、以及光学阻隔膜及颜色转换膜
CN106783800B (zh) * 2015-11-19 2020-07-17 北京北方华创微电子装备有限公司 芯片的阻挡层及其制备方法
CN105552247B (zh) * 2015-12-08 2018-10-26 上海天马微电子有限公司 复合基板、柔性显示装置及其制备方法
KR101942749B1 (ko) * 2015-12-08 2019-01-28 한국생산기술연구원 다층무기봉지박막 및 이의 제조방법
KR102322016B1 (ko) 2016-06-01 2021-11-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
WO2018199572A1 (ko) * 2017-04-24 2018-11-01 주식회사 엘지화학 도전성 적층체 및 이를 포함하는 전기변색소자
KR102202928B1 (ko) 2017-04-24 2021-01-14 주식회사 엘지화학 투광성 필름 및 이를 포함하는 전기변색소자
KR20180119120A (ko) * 2017-04-24 2018-11-01 주식회사 엘지화학 도전성 적층체 및 이를 포함하는 전기변색소자
GB2567873A (en) * 2017-10-27 2019-05-01 Flexenable Ltd Air species barriers in liquid crystal display devices
EP3843166A4 (en) * 2018-09-03 2021-10-27 LG Chem, Ltd. ENCAPSULATION FILM
US11171313B2 (en) * 2018-09-24 2021-11-09 Apple Inc. Incoherent thin film encapsulation for display
FR3098997B1 (fr) * 2019-07-18 2021-11-26 Tecmoled Dispositif d’émission de lumière
CN112736204B (zh) * 2020-12-30 2021-08-06 山东永聚医药科技有限公司 金属诱导非晶结晶化转变超高阻隔膜及其制备方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002260848A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Hitachi Ltd 有機el素子に用いるフィルム及び有機el装置
JP2003264062A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Eiko Engineering Co Ltd 無機材料封止された有機発光装置
JP2003532260A (ja) * 2000-04-20 2003-10-28 バッテル・メモリアル・インスティチュート 封入ディスプレーデバイス
JP2004022281A (ja) * 2002-06-14 2004-01-22 Denso Corp 有機el素子
JP2007098931A (ja) * 2005-09-09 2007-04-19 Seiko Epson Corp スクリーン印刷装置、発光装置の製造方法および製造装置
JP2007265841A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Kyocera Corp El装置
JP2009133000A (ja) * 2007-10-30 2009-06-18 Fujifilm Corp シリコン窒化物膜及びそれを用いたガスバリア膜、薄膜素子
JP2010511267A (ja) * 2006-11-06 2010-04-08 エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ ナノ粒子カプセル封入バリアスタック
JP2010105321A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Toppan Printing Co Ltd 積層体
WO2010077412A1 (en) * 2008-12-30 2010-07-08 Vitex Systems, Inc. Method for encapsulating environmentally sensitive devices
WO2011029787A1 (en) * 2009-09-10 2011-03-17 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Layered element for encapsulating a sensitive element

Family Cites Families (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0782996B2 (ja) 1986-03-28 1995-09-06 キヤノン株式会社 結晶の形成方法
JPH07111484B2 (ja) 1989-06-26 1995-11-29 松下電器産業株式会社 プラスチック製光学部品の反射防止膜とその形成方法
FR2673633B1 (fr) 1991-03-06 1993-06-11 Air Liquide Revetement multicouche pour substrat polycarbonate.
US5254904A (en) 1991-05-21 1993-10-19 U.S. Philips Corporation Antireflective coating layer in particular for a cathode ray tube
US5234748A (en) 1991-06-19 1993-08-10 Ford Motor Company Anti-reflective transparent coating with gradient zone
FR2748743B1 (fr) 1996-05-14 1998-06-19 Saint Gobain Vitrage Vitrage a revetement antireflet
JPH11218603A (ja) 1997-11-27 1999-08-10 Sony Corp 反射防止膜およびその製造方法
US6335479B1 (en) 1998-10-13 2002-01-01 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Protective sheet for solar battery module, method of fabricating the same and solar battery module
TW439308B (en) * 1998-12-16 2001-06-07 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
US6268695B1 (en) 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
JP2000211053A (ja) 1999-01-22 2000-08-02 Sony Corp 光学薄膜デバイス
JP3509804B2 (ja) 1999-09-30 2004-03-22 株式会社ニコン 多層薄膜付き光学素子及びそれを備える露光装置
US20100330748A1 (en) 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
FR2800998B1 (fr) 1999-11-17 2002-04-26 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent comportant un revetement antireflet
US20030186064A1 (en) * 2000-09-29 2003-10-02 Kenji Murata Transparent laminate having low emissivity
US20020090521A1 (en) 2000-09-29 2002-07-11 Tatsuji Nakajima Silica layers and antireflection film using same
US7071613B2 (en) 2001-10-10 2006-07-04 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent device
JP2003133070A (ja) 2001-10-30 2003-05-09 Seiko Epson Corp 積層膜の製造方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器
JP4016178B2 (ja) 2001-11-06 2007-12-05 ソニー株式会社 表示装置及び反射防止用基体
US6589658B1 (en) 2001-11-29 2003-07-08 Guardian Industries Corp. Coated article with anti-reflective layer(s) system
CN100381898C (zh) 2001-11-29 2008-04-16 大宇电子Service株式会社 制造塑料基板的方法
JP4145636B2 (ja) 2002-04-12 2008-09-03 住友ベークライト株式会社 光学フィルムシートおよびこれを用いた表示素子
US20030203210A1 (en) 2002-04-30 2003-10-30 Vitex Systems, Inc. Barrier coatings and methods of making same
US20040229051A1 (en) * 2003-05-15 2004-11-18 General Electric Company Multilayer coating package on flexible substrates for electro-optical devices
CN1176565C (zh) 2002-11-25 2004-11-17 清华大学 一种有机电致发光器件的封装层及其制备方法和应用
JP2004198590A (ja) 2002-12-17 2004-07-15 Konica Minolta Holdings Inc 薄膜有するを物品、その製造方法及び低反射体並びに透明導電性体
US7807225B2 (en) 2003-01-31 2010-10-05 Sharp Laboratories Of America, Inc. High density plasma non-stoichiometric SiOxNy films
US20080171184A9 (en) 2003-04-17 2008-07-17 Minoru Komada Barrier film and laminated material, container for wrapping and image display medium using the saw, and manufacturing method for barrier film
JP2004345223A (ja) 2003-05-22 2004-12-09 Dainippon Printing Co Ltd 光学機能性フィルム、および画像表示装置
US20060159892A1 (en) 2003-06-16 2006-07-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Barrier laminate for an electroluminescent device
FR2858975B1 (fr) 2003-08-20 2006-01-27 Saint Gobain Substrat transparent revetu d'un empilement de couches minces a proprietes de reflexion dans l'infrarouge et/ou dans le domaine du rayonnement solaire
JP4703108B2 (ja) 2003-09-10 2011-06-15 三星モバイルディスプレイ株式會社 発光素子基板およびそれを用いた発光素子
US6842288B1 (en) 2003-10-30 2005-01-11 3M Innovative Properties Company Multilayer optical adhesives and articles
US20050093437A1 (en) 2003-10-31 2005-05-05 Ouyang Michael X. OLED structures with strain relief, antireflection and barrier layers
WO2005081333A2 (en) * 2004-02-20 2005-09-01 Oc Oerlikon Balzers Ag Diffusion barrier layer and method for manufacturing a diffusion barrier layer
US20050207016A1 (en) 2004-03-15 2005-09-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Antireflection film, polarizing plate and liquid crystal display
KR101279914B1 (ko) 2004-06-25 2013-07-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 밀봉 필름의 차수 성능 개선 방법 및 장치
JP4837271B2 (ja) 2004-10-04 2011-12-14 株式会社アルバック 反射防止膜の形成方法
JP2006338947A (ja) 2005-05-31 2006-12-14 Sanyo Electric Co Ltd 保護膜形成方法および保護膜
JP2007017668A (ja) 2005-07-07 2007-01-25 Konica Minolta Holdings Inc 光学フィルム
JP2007038529A (ja) 2005-08-03 2007-02-15 Konica Minolta Holdings Inc ガスバリア性薄膜積層体、ガスバリア性樹脂基材および有機エレクトロルミネッセンスデバイス
WO2007037525A1 (en) 2005-09-28 2007-04-05 Fujifilm Corporation Antireflection film, polarizing plate and image display
JP2007090702A (ja) 2005-09-29 2007-04-12 Fujifilm Corp 水蒸気バリアフィルムおよび有機エレクトロルミネッセンス素子
US8153282B2 (en) 2005-11-22 2012-04-10 Guardian Industries Corp. Solar cell with antireflective coating with graded layer including mixture of titanium oxide and silicon oxide
US20090128916A1 (en) 2006-01-16 2009-05-21 Masaki Noro Curable composition and cured product, laminate film and antireflective film using the same and polarizing plate and image display device using the antireflective film
JP5135753B2 (ja) 2006-02-01 2013-02-06 セイコーエプソン株式会社 光学物品
US20070212498A1 (en) 2006-02-24 2007-09-13 Fujifilm Corporation Optical film, antireflection film, polarizing plate, display apparatus and method for manufacturing optical film
US20100326429A1 (en) 2006-05-19 2010-12-30 Cumpston Brian H Hermetically sealed cylindrical solar cells
JP2007277631A (ja) 2006-04-06 2007-10-25 Konica Minolta Holdings Inc ガスバリア性薄膜積層体の製造方法、ガスバリア性薄膜積層体、ガスバリア性樹脂基材及び有機エレクトロルミネッセンスデバイス
US20100208349A1 (en) 2006-07-28 2010-08-19 Robert Beer Flexible materials for optical applications
US20080049431A1 (en) 2006-08-24 2008-02-28 Heather Debra Boek Light emitting device including anti-reflection layer(s)
US7781031B2 (en) * 2006-12-06 2010-08-24 General Electric Company Barrier layer, composite article comprising the same, electroactive device, and method
JP2008216429A (ja) 2007-03-01 2008-09-18 Toppan Printing Co Ltd 防眩フィルム
JP2008288012A (ja) 2007-05-17 2008-11-27 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法
JP5296343B2 (ja) 2007-07-31 2013-09-25 住友化学株式会社 バリア層つき基板、表示素子および表示素子の製造方法
US8586189B2 (en) 2007-09-19 2013-11-19 Fujifilm Corporation Gas-barrier film and organic device comprising same
JP5139153B2 (ja) 2007-09-19 2013-02-06 富士フイルム株式会社 ガスバリア性フィルムおよびこれを用いた有機デバイス
JP5417698B2 (ja) 2007-09-21 2014-02-19 凸版印刷株式会社 機能性フィルムの製造方法
WO2009046060A2 (en) 2007-10-01 2009-04-09 Davis, Joseph And Negley Apparatus and methods to produce electrical energy by enhanced down-conversion of photons
US20090096106A1 (en) 2007-10-12 2009-04-16 Air Products And Chemicals, Inc. Antireflective coatings
US8987039B2 (en) 2007-10-12 2015-03-24 Air Products And Chemicals, Inc. Antireflective coatings for photovoltaic applications
DE102008031405A1 (de) * 2008-07-02 2010-01-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und organisches elektronisches Bauelement
TWI420722B (zh) * 2008-01-30 2013-12-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh 具有封裝單元之裝置
WO2009098793A1 (ja) 2008-02-07 2009-08-13 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. 有機elディスプレイおよびその製造方法
US20090199901A1 (en) 2008-02-08 2009-08-13 Applied Materials, Inc. Photovoltaic device comprising a sputter deposited passivation layer as well as a method and apparatus for producing such a device
KR20090107882A (ko) * 2008-04-10 2009-10-14 삼성전자주식회사 고정층을 포함하는 경사 조성 봉지 박막 및 그의 제조방법
KR20090126863A (ko) 2008-06-05 2009-12-09 삼성전자주식회사 광학적 기능성을 갖는 다층 봉지 박막의 형성방법 및 그에 의해 제조된 다층 봉지 박막
US20110250441A1 (en) 2008-12-19 2011-10-13 Sabine Amberg-Schwab High-barrier composites and method for the production thereof
EP2382054A4 (en) 2008-12-31 2013-04-03 3M Innovative Properties Co SUBSTRATE WITH PLANARIZING COATING AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
KR101084267B1 (ko) 2009-02-26 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
DE102009024411A1 (de) 2009-03-24 2010-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnschichtverkapselung für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauelement
JP5424091B2 (ja) 2009-03-31 2014-02-26 コニカミノルタ株式会社 紫外反射膜を有するフィルムミラー
KR101560234B1 (ko) 2009-06-29 2015-10-15 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
TWI510688B (zh) 2009-07-07 2015-12-01 Kuraray Kuraflex Co Ltd 積層片及其製造方法
FR2949775B1 (fr) 2009-09-10 2013-08-09 Saint Gobain Performance Plast Substrat de protection pour dispositif collecteur ou emetteur de rayonnement
JP2011100111A (ja) 2009-10-09 2011-05-19 Seiko Epson Corp 光学物品、光学物品の製造方法、電子機器
FR2973940A1 (fr) 2011-04-08 2012-10-12 Saint Gobain Element en couches pour l’encapsulation d’un element sensible
FR2973939A1 (fr) 2011-04-08 2012-10-12 Saint Gobain Element en couches pour l’encapsulation d’un element sensible

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008181088A (ja) * 2000-04-20 2008-08-07 Battelle Memorial Inst 封入ディスプレーデバイス
JP2003532260A (ja) * 2000-04-20 2003-10-28 バッテル・メモリアル・インスティチュート 封入ディスプレーデバイス
JP2002260848A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Hitachi Ltd 有機el素子に用いるフィルム及び有機el装置
JP2003264062A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Eiko Engineering Co Ltd 無機材料封止された有機発光装置
JP2004022281A (ja) * 2002-06-14 2004-01-22 Denso Corp 有機el素子
JP2007098931A (ja) * 2005-09-09 2007-04-19 Seiko Epson Corp スクリーン印刷装置、発光装置の製造方法および製造装置
JP2007265841A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Kyocera Corp El装置
JP2010511267A (ja) * 2006-11-06 2010-04-08 エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ ナノ粒子カプセル封入バリアスタック
JP2009133000A (ja) * 2007-10-30 2009-06-18 Fujifilm Corp シリコン窒化物膜及びそれを用いたガスバリア膜、薄膜素子
JP2010105321A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Toppan Printing Co Ltd 積層体
WO2010077412A1 (en) * 2008-12-30 2010-07-08 Vitex Systems, Inc. Method for encapsulating environmentally sensitive devices
JP2012513665A (ja) * 2008-12-30 2012-06-14 三星モバイルディスプレイ株式會社 環境感応性素子をカプセル化する方法
WO2011029787A1 (en) * 2009-09-10 2011-03-17 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Layered element for encapsulating a sensitive element
JP2013504863A (ja) * 2009-09-10 2013-02-07 サン−ゴバン パフォーマンス プラスティックス コーポレイション 感受性要素を封入するための層状要素

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021503632A (ja) * 2017-11-20 2021-02-12 セイジ・エレクトロクロミクス,インコーポレイテッド 非発光可変透過装置、及び同装置の組み立て方法
JP7127123B2 (ja) 2017-11-20 2022-08-29 セイジ・エレクトロクロミクス,インコーポレイテッド 非発光可変透過装置、及び同装置の組み立て方法
JP2022126675A (ja) * 2017-11-20 2022-08-30 セイジ・エレクトロクロミクス,インコーポレイテッド 非発光可変透過装置、及び同装置の組み立て方法
US11567384B2 (en) 2017-11-20 2023-01-31 Sage Electrochromics, Inc. Non-light-emitting, variable transmission device and a process of fabricating the same
JP2020117787A (ja) * 2019-01-25 2020-08-06 神港精機株式会社 マグネトロンスパッタ法による成膜装置および成膜方法
JP7299028B2 (ja) 2019-01-25 2023-06-27 神港精機株式会社 マグネトロンスパッタ法による成膜装置および成膜方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017107855A (ja) 2017-06-15
CN108258138A (zh) 2018-07-06
WO2012139057A2 (en) 2012-10-11
CN108258138B (zh) 2021-04-09
EP2695217A2 (en) 2014-02-12
KR20130143658A (ko) 2013-12-31
CN103460433A (zh) 2013-12-18
WO2012139057A3 (en) 2013-01-17
EP2695217A4 (en) 2014-11-05
US10036832B2 (en) 2018-07-31
FR2973939A1 (fr) 2012-10-12
US20120258295A1 (en) 2012-10-11
KR20160112022A (ko) 2016-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2017107855A (ja) 影響を受けやすい素子を封入するための多層構成要素
JP5886937B2 (ja) 影響を受けやすい素子を封入するための多層構成要素
JP5607166B2 (ja) 感受性要素を封入するための層状要素
JP6181637B2 (ja) 多層電子デバイス
US8766280B2 (en) Protective substrate for a device that collects or emits radiation
US9196772B2 (en) Layered element and photovoltaic device comprising such an element
KR20110105048A (ko) 투명 도전막, 그를 포함하는 디스플레이 필터 및 태양전지
KR102086809B1 (ko) 고굴절 계수의 투명전극층이 삽입된 탠덤 태양전지

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20140428

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140826

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150512

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150811

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20151209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160118

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160418

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20160419

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160801