KR20110105048A - 투명 도전막, 그를 포함하는 디스플레이 필터 및 태양전지 - Google Patents

투명 도전막, 그를 포함하는 디스플레이 필터 및 태양전지 Download PDF

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KR20110105048A
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Abstract

본 발명에 따른 투명 도전막은, 투명기판 위에 고굴절 투명박막과 전도성 박막이 반복 적층되는 투명 도전막으로서, 전도성 박막이 제1 금속과 금속산화물, 또는 제2 금속과 반도체 화합물을 포함하는 박막인 것을 특징으로 한다.

Description

투명 도전막, 그를 포함하는 디스플레이 필터 및 태양전지{Transparent conductive thin film, display filter and potovoltaic cell containing the same}
본 발명은 투명 도전막에 관한 것으로, 특히 별도의 산화보호층 없이도 전도성이 우수하고, 생산성과 내구성이 좋은 투명 도전막, 그를 포함하는 디스플레이 필터와 태양전지를 제공하는 것이다.
투명 도전막은 통상적으로 금속산화물로 이루어진 투명박막과 전도성 박막이 반복 적층되는 다층 박막구조로, 플라즈마 디스플레이 패널의 전자파 차폐재, 자동차용 방풍 요리, 전자파 차폐 창유리, 디스플레이 디바이스의 투명 전극 등으로 널리 이용되고 있다.
한편, 최근 들어 태양전지에 대한 관심이 높아지면서, 투명 도전막은 광 투과도(light transmittance)와 도전성(conductivity)과 빛 가둠(light trapping) 효과를 필요로 하는 태양전지에 널리 사용되고 있다.
도 1 은 본 발명에 따른 투명 도전막을 설명하기 위한 비교예이고, 도 2 는 비교예에 따른 투명 도전막의 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 비교예에 따른 투명 도전막(10)은 투명기판(11) 위에 제1 고굴절 투명박막(12a), 제1 보호박막(13a), 전도성 박막(14), 제2 보호박막(13b), 제2 고굴절 투명박막(12b) 순서대로 이루어진 다층 박막구조가 반복 적층된다. 도 2에 따른 투명 도전막(20)은 유리(21) 위에 오산화니오브(Nb2O5)로 이루어진 제1 고굴절 투명박막, 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO)으로 이루어진 제1 보호박막, 은(Ag)으로 이루어진 전도성 박막, 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO)으로 이루어진 제2 보호박막, 오산화니오브(Nb2O5)로 이루어진 제2 고굴절 투명박막이 반복적으로 적층된 다층 박막구조(22, 23, 24)로 구현된다. 각각의 다층 박막구조 22, 23, 24에서 은(Ag)으로 이루어진 전도성 박막은 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO)으로 이루어진 제1, 제2 보호박막 사이에 형성된다.
여기서, 제1, 제2 보호박막은 은(Ag)이 산화되는 것을 방지하기 위한 산화보호층으로 사용된다. 또한, 제1, 제2 보호박막은 제1, 제2 고굴절 투명박막과 전도성 박막과의 격자 불일치 및 열팽창 계수의 차이로 인해 층간 분리 및 크랙이 발생하는 것을 막아준다.
그런데, 투명 도전막은 다층 박막구조 22, 23, 24 마다 제1, 제2 보호박막을 적층하여야 하므로 재료비 및 생산원가가 상승될 뿐 아니라, 공정시간이 길어져 생산성이 떨어지는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 배경에서 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 박막형성 공정 및 시간의 단축과 생산원가를 절감시킬 수 있는 투명 도전막, 그를 포함하는 디스플레이 필터와 태양전지를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 생산성과 내구성이 좋은 투명 도전막, 그를 포함하는 디스플레이 필터와 태양전지를 포함하는 디스플레이 필터를 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 양상에 따른 투명 도전막은, 투명기판 위에 고굴절 투명박막과 전도성 박막이 반복 적층되는 투명 도전막으로서, 전도성 박막이 제1 금속과 금속산화물, 또는 제2 금속과 반도체 화합물을 포함하는 박막인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 부가적인 양상에 따른 투명 도전막은, 투명 도전막은, 투명기판 위에 적층되는 제1 고굴절 투명박막과, 제1 고굴절 투명박막 위에 적층되는 제1 전도성 박막과, 제1 전도성 박막 위에 적층되는 제2 고굴절 투명박막과, 제2 고굴절 투명박막 위에 적층되는 제2 전도성 박막과, 제2 전도성 박막 위에 적층되는 제3 고굴절 투명박막과, 제3 고굴절 투명박막 위에 적층되는 제3 전도성 박막과, 제3 전도성 박막 위에 적층되는 제4 고굴절 투명박막을 포함하고, 투명 도전막은 0.5Ω/□ 이상, 3.0Ω/□ 이하의 면저항과 70% 이상, 80% 이하의 광투과율을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 투명 도전막은 전도성 박막이 전도성 박막이 제1 금속과 금속산화물, 또는 제2 금속과 반도체 화합물을 포함하는 박막으로 구현됨으로써, 종래 전도성 박막과 금속산화물박막(또는 반도체 화합물)을 별도로 구현하였던 것을 동시에 구현하여 생산원가의 절감 및 박막형성 공정과 시간을 단축시킬 수 있는 유용한 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 투명 도전막은 전도성 박막과 금속산화물박막(또는 반도체 화합물)이 별도로 구현되었던 것을 동시에 구현됨으로써, 종래 전도성 박막과 금속산화물(또는 반도체 화합물) 박막 간의 격자 결함과 열팽창 계수 차이에 기인한 응력에 의한 내구성 저하를 방지할 수 있는 유용한 효과가 있다.
도 1 은 본 발명에 따른 투명 도전막을 설명하기 위한 비교예이고,
도 2 는 비교예에 따른 투명 도전막의 단면도이고,
도 3 은 본 발명에 따른 투명 도전막을 설명하기 위한 예시도이고,
도 4 는 본 발명에 따른 투명 도전막을 형성하기 위해 사용되는 스퍼터링 타겟을 설명하기 위한 예시도이고,
도 5 는 본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 도전막의 단면도이고,
도 6 은 본 발명의 제2 실시예에 따른 투명 도전막의 단면도이다.
도 7 은 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 도전막의 단면도이다.
도 8 은 본 발명의 일 실시에 따른 투명 도전막을 포함하는 태양전지의 구조를 도시한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 전술한, 그리고 추가적인 양상을 기술되는 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 당업자가 용이하게 이해하고 재현할 수 있도록 상세히 설명하기로 한다.
도 3 은 본 발명에 따른 투명 도전막을 설명하기 위한 예시도이고, 도 4 는 본 발명에 따른 투명 도전막을 형성하기 위해 사용되는 스퍼터링 타겟을 설명하기 위한 예시도이다.
도 3 에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 투명 도전막(30)은 투명기판(31) 위에 고굴절 투명박막(32-1), 전도성 박막(33-1)이 순서대로 이루어진 다층 박막구조가 반복 적층된다. 투명 도전막(30)의 최외각층은 고굴절 투명박막(34)이다.
투명기판(31)은 광투과율이 우수하고 기계적 물성이 우수한 것이면 어느 것이든 제한되지 않는다. 예컨대, 투명기판(31)은 열경화 또는 UV 경화가 가능한 유기필름으로서 주로 폴리머 계열의 물질, 예컨대 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 아크릴(Acryl), 폴리카보네이트(PC), 우레탄 아크릴레이트(Urethane Acrylate), 폴리에스테르(Polyester), 에폭시 아크릴레이트(Epoxy Acrylate), 폴리염화비닐(PVC)로 구현될 수 있다. 또한, 투명기판(31)은 화학강화유리로 소다석회유리(Soda-lime Glass) 또는 알루미노실리케이트유리(SiO2-Al2O-Na2O)로 구현될 수 있으며, 이중 Na 및 Fe의 양은 용도에 따라 낮게 조정될 수 있다.
고굴절 투명박막(32-1,...32-n)은 2.2 이상의 굴절률을 갖으며, 압축응력이 0.1GPa 이상, 0.2GPa 이하인 금속 산화물로 구현될 수 있다. 일례로 고굴절 투명박막(32-1,...32-n)의 두께는 20nm 이상, 40nm 이하로 구현된다. 일례로, 고굴절 투명박막은, 산화 니오브(Nb2Ox)(x= 4.5∼4.99) 타겟을 사용한 스퍼터링 공정을 통해 형성될 수 있다. 이에 소량의 산소투입만으로 오산화 니오브(Nb2O5)로 이루어진 고굴절 투명박막(32-1,...32-n)을 형성할 수 있다.
고굴절 투명박막(32-1,...32-n)을 형성함에 있어서, 스퍼터링 가스로는 아르곤(Ar)을 사용하고, 반응가스로는 산소를 사용한다. 이때, 아르곤(Ar) 가스의 양은 100∼180sccm 이고, 산소의 양은 아르곤(Ar) 대비 4∼12%, 바람직하게는 8∼12% 정도를 사용한다.
전도성 박막(33-1,...33-n)은 가시광선 영역(380nm∼780nm)에서의 광 투과율이 높은 반면 적외선 영역에서의 광 반사율이 높은 물질로 구현된다. 일례로, 전도성 박막(33-1,...33-n)은 제1 금속과 금속산화물로 형성될 수 있다. 여기서, 제1 금속은 도전성과 광 투과율이 뛰어난 은(Ag) 또는 은(Ag)을 주성분으로 하는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 금속산화물은 산화아연(ZnO)에 3가 또는 4가의 양이온이 도핑된 고용체로 구현될 수 있다. 예컨대, 3가 양이온 물질은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등이 사용 가능하며, 4가의 양이온 물질은 티탄(Ti), 주석(Sn), 게르마늄(Ge) 등이 사용될 수 있다.
일반적으로, 은(Ag)에 다른 물질을 첨가하면 은(Ag)의 뛰어난 도전성과 광 투과율이 저해될 수 있는 반면, 금속 박막(33-1,...33-n)이 전부 은(Ag)으로 이루어지는 경우 산소와 물에 의해 산화되고 면저항(Ω/□)이 나빠진다.
전도성 박막(33-1,...33-n)은 도 4 에 도시한 제1 금속과 금속산화물이 혼합된 스퍼터링 타겟을 이용한 스퍼터링 공정을 통해 형성될 수 있다. 스퍼터링 타겟은 제1 금속 타겟과 금속산화물 타겟을 포함하되, 제1 금속 타겟과 금속산화물 타겟의 면적 구성비는 95:5∼60:40의 범위 내에서 형성되는 것이 바람직하다. 전도성 박막(33-1,...33-n)의 두께는 10nm 이상, 40nm 이하로 구현된다. 스퍼터링 가스로는 아르곤(Ar)을 사용하고, 이때 사용되는 아르곤(Ar) 가스의 양은 160∼250sccm 정도를 사용한다.
다른 실시예에 있어서, 전도성 박막(33-1,...33-n)은 제2 금속과 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 여기서, 제2 금속은 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴(Mo)을 주성분으로 하는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 반도체 화합물은 황화카드뮴(CdS), 갈륨비소(GaAs), 알루미늄갈륨비소(AlGaAs), 인듐인(InP), 갈륨인(GaP), CIGS(Copper Indium Galium Selenide), 텔루르화카드뮴(CdTe), 황화구리(Cu2S), 텔루르화아연(ZnTe), 황화납(PbS), 카파인디움다이셀레나이드(CulnSe2 ; CIS), 갈륨안티모니(GaSb)로부터 선택된 어느 하나로 구현될 수 있다.
도 5 는 본 발명의 제1 실시예에 따른 투명 도전막의 단면도이다.
본 실시예에 따른 투명 도전막(50)은 투명기판(51) 위에 오산화니오브(Nb2O5)로 이루어진 제1 고굴절 투명박막(52-1), 은(Ag)과 알루미늄(Al)이 도핑된 산화아연(AZO)의 혼합물로 이루어진 제1 전도성 박막(53-1), 제1 전도성 박막(53-1) 위에 제2 고굴절 투명박막(52-2), 제2 고굴절 투명박막(52-2) 위에 제2 전도성 박막(53-2), 제2 전도성 박막(53-2) 위에 제3 고굴절 투명박막(52-3), 제3 고굴절 투명박막(52-3) 위에 제3 전도성 박막(53-3), 제3 전도성 박막(53-3) 위에 제4 고굴절 투명박막(54)이 순차적으로 적층된 구조이다.
여기서, 제1 고굴절 투명박막(52-1)의 두께는 20nm 이상, 40nm 이하이고, 제1 전도성 박막(53-1)의 두께는 10nm 이상, 30nm 이하이고, 제2 고굴절 투명박막(52-2)의 두께는 40nm 이상, 80nm 이하이고, 제2 전도성 박막(53-2)의 두께는 20nm 이상, 40nm 이하이고, 제3 고굴절 투명박막(52-3)의 두께는 40nm 이상, 80nm 이하이고, 제3 전도성 박막(53-3)의 두께는 10nm 이상, 30nm 이하이고, 제4 고굴절 투명박막(54)의 두께는 20nm 이상, 40nm 이하이다.
본 발명에서는 오산화니오브(Nb2O5) 코팅 시, 니오브(Nb) 타겟과 반응성 스퍼터링 기법을 사용하여 코팅하는 대신, 산화물 타겟(Nb2O5, 세라믹 타겟)을 사용하여 아르곤 분위기에서 코팅하였다. 반응성 스퍼터링 시에는 아르곤과 산소 가스의 주입량이 각각 200sccm 인데 반하여, 세라믹 타겟을 사용하는 경우에는 아르곤을 140∼210sccm, 산소를 아르곤 대비 4∼12%의 더욱 바람직하게는 8∼12%의 양을 사용한다. 이에 따라 은(Ag)과 알루미늄(Al)이 도핑된 산화아연(AZO)의 혼합물로 이루어진 제1, 제2, 제3 전도성 박막(53-1, 53-2, 53-3) 위에 오산화니오브(Nb2O5)를 코팅하더라도 은(Ag)의 전기 전도도가 열화되지 않기 때문에 별도의 산화보호층이 없어도 정상적인 특성을 나타낼 수 있다.
실험결과, 도 5에 따른 투명 도전막을 채용한 PDP 필터는 0.5Ω/□ 이상, 3.0Ω/□ 이하의 면저항(Ω/□)을 갖고, 70% 이상, 80% 이하의 광투과율을 갖는 것으로 확인되었다.
도 6 은 본 발명의 제2 실시예에 따른 투명 도전막의 단면도이다.
본 실시예에 따른 투명 도전막(60)은 투명기판(61) 위에 오산화니오브(Nb2O5)로 이루어진 제1 고굴절 투명박막(62-1), 은(Ag)과 알루미늄(Al)이 도핑된 산화아연(AZO)의 혼합물로 이루어진 제1 전도성 박막(63-1), 제1 전도성 박막(63-1) 위에 제2 고굴절 투명박막(62-2), 제2 고굴절 투명박막(62-2) 위에 제2 전도성 박막(63-2), 제2 전도성 박막(63-2) 위에 제3 고굴절 투명박막(62-3), 제3 고굴절 투명박막(62-3) 위에 제3 전도성 박막(63-3), 제3 전도성 박막(63-3) 위에 제4 고굴절 투명박막(62-4), 제4 고굴절 투명박막(62-4) 위에 제4 전도성 박막(63-4), 제4 전도성 박막(63-4) 위에 제5 고굴절 투명박막(64)이 순차적으로 적층된 구조이다.
여기서, 제1 고굴절 투명박막(62-1)의 두께는 20nm 이상, 40nm 이하이고, 제1 전도성 박막(63-1)의 두께는 10nm 이상, 30nm 이하이고, 제2 고굴절 투명박막(62-2)의 두께는 40nm 이상, 80nm 이하이고, 제2 전도성 박막(63-2)의 두께는 20nm 이상, 40nm 이하이고, 제3 고굴절 투명박막(62-3)의 두께는 40nm 이상, 80nm 이하이고, 제3 전도성 박막(63-3)의 두께는 20nm 이상, 40nm 이하이고, 제4 고굴절 투명박막(62-4)의 두께는 20nm 이상, 40nm 이하이고, 제4 전도성 박막(63-4)의 두께는 10nm 이상, 30nm 이하이고, 제5 고굴절 투명박막(64)의 두께는 40nm 이상, 80nm 이하이다.
본 발명에서는 오산화니오브(Nb2O5) 코팅 시, 니오브(Nb) 타겟과 반응성 스퍼터링 기법을 사용하여 코팅하는 대신, 산화물 타겟(Nb2O5, 세라믹 타겟)을 사용하여 아르곤 분위기에서 코팅하였다. 반응성 스퍼터링 시에는 아르곤과 산소 가스의 주입량이 각각 200sccm 인데 반하여, 세라믹 타겟을 사용하는 경우에는 아르곤을 140∼210sccm, 산소를 아르곤 대비 4∼12%의 더욱 바람직하게는 8∼12%의 양을 사용한다. 이에 따라 은(Ag)과 알루미늄(Al)이 도핑된 산화아연(AZO)의 혼합물로 이루어진 제1, 제2, 제3, 제4 전도성 박막(63-1, 63-2, 63-3, 63-4) 위에 오산화니오브(Nb2O5)를 코팅하더라도 은(Ag)의 전기 전도도가 열화되지 않기 때문에 별도의 산화보호층이 없어도 정상적인 특성을 나타낼 수 있다.
실험결과, 도 6에 따른 투명 도전막을 채용한 PDP 필터는 0.3Ω/□ 이상, 1.9Ω/□ 이하의 면저항(Ω/□)을 갖고, 61% 이상, 71% 이하의 광투과율을 갖는 것으로 확인되었다.
도 7 은 본 발명의 제3 실시예에 따른 투명 도전막의 단면도이다.
도 5와 도 6에 따른 투명 도전막은 외부의 환경변화 특히 Cl와 OH의 음이온 환경하에서는 막의 부식이 발생할 확률이 높다. 이러한 외부 환경에도 저항이 강한 투명 도전막을 제조하기 위해, 도 7에 도시한 바와 같이 투명기판(61) 바로 위에 위치한 제1 고굴절 투명박막(62-1)과 은(Ag)과 알루미늄(Al)이 도핑된 산화아연(AZO)의 혼합물로 이루어진 제1 전도성 박막(63-1) 사이에, 그리고 최외각에 위치한 제5 고굴절 투명박막(64)과 제4 전도성 박막(63-4) 사이에 산화보호막(65)을 형성할 수 있다.
일례로, 산화보호막은 알루미늄(Al)이 도핑된 산화아연(AZO), 산화규소(SiO2), 산화티탄(TiO2), 주석인듐산화물(ITO), 아연(Zn)계 산화물로 구현될 수 있다.
본 명세서에서는, 고굴절 투명박막과 전도성 박막의 반복 개수가 3개 및 4개인 것을 예시하였지만 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 한편, 본 발명에 따른 투명 도전막은 전도성 박막의 내습성 또는 전도성 박막과 고굴절 투명박막과의 밀착성 등을 향상시키기 위해 전도성 박막과 고굴절 투명박막 사이에 도전성, 광학특성을 손상하지 않을 정도로 임의의 금속합금을 만들어 사용할 수 있다. 이러한 합금물질로서, 구리, 니켈, 크롬, 금, 백금, 아연, 지르코늄, 티탄, 텅스텐, 주석, 팔라듐 또는 이들 중 둘 이상을 포함하는 합금을 들 수 있다. 그 두께는 바람직하게는 0.02nm∼2nm 정도이고, 두께가 지나치게 얇으면 밀착력 향상의 충분한 효과를 얻을 수 없다. 또한 최외각 고굴절 투명박막 위에 단층 또는 다층의 반사방지층을 형성함으로써, 광 투과율이 높은 다층박막을 얻을 수도 있다.
도 8 은 본 발명의 일 실시에 따른 투명 도전막을 포함하는 태양전지의 구조를 도시한다.
도시한 태양전지(110)는 비정질 실리콘(예컨대, a-Si:H) 태양전지로서, 투명기판(111)/투명 도전막(112)/불순물이 도핑된 P형 비정질 실리콘(a-Si:H)(113)/불순물이 도핑되지 않은 i형 비정질 실리콘(a-Si:H)(114)/불순물이 도핑된 n형 비정질 실리콘(a-Si:H)(115)/후면 반사막(Back reflector)(116)을 포함한다. 이러한 p-i-n형 비정질 실리콘(a-Si:H)에서 불순물이 도핑되지 않은 i형 비정질 실리콘(a-Si:H)(114)은 불순물이 도핑된 P형과 n형 비정질 실리콘(a-Si:H)(113, 115)에 의해 공핍(depletion)되며 내부에서 전기장이 발생하게 된다. 입사광(hv)에 의하여 i형 비정질 실리콘(a-Si:H)(114)에서 생성된 정공-전자 쌍은 내부 전기장에 의한 드리프트에 의해 각각 P형 비정질 실리콘(a-Si:H)(113)과 n형 비정질 실리콘(a-Si:H)(115)에 수집되어 전류를 발생하게 된다.
투명 도전막(112)은 전극기판으로 사용되며, 도 3 내지 도 7에서 상세히 설명한 투명 도전막 중 어느 하나로 구현될 수 있다.
도 8에서 태양전지(110)는 광 흡수층(113 내지 115)으로 실리콘을 사용하는 실리콘 태양전지를 언급하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 광 흡수층(113 내지 115)으로 CIS(CuInSe2)나 CdTe를 이용하는 화합물 태양전지, 다공질막의 나노입자 표면에 가시광 흡수로 전자가 여기되는 광감응 염료 분자가 흡착된 염료 감응형 태양전지 등으로 구현될 수 있다.
지금까지, 본 명세서에는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 지닌 자가 본 발명을 용이하게 이해하고 재현할 수 있도록 도면에 도시한 실시예들을 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에 통상의 지식을 지닌 자라면 본 발명의 실시예들로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 이에 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
30: 투명 도전막
31: 투명기판
32-1, 32-n, 34: 고굴절 투명박막 33-1, 33-n: 전도성 박막
50: 투명 도전막
51: 투명기판
52-1: 제1 고굴절 투명박막 53-1: 제1 전도성 박막
52-2: 제2 고굴절 투명박막 53-2: 제2 전도성 박막
52-3: 제3 고굴절 투명박막 53-3: 제3 전도성 박막
54: 제4 고굴절 투명박막
60: 투명 도전막
61: 투명기판
62-1: 제1 고굴절 투명박막 63-1: 제1 전도성 박막
62-2: 제2 고굴절 투명박막 63-2: 제2 전도성 박막
62-3: 제3 고굴절 투명박막 63-3: 제3 전도성 박막
62-4: 제4 고굴절 투명박막 63-4: 제4 전도성 박막
64: 제5 고굴절 투명박막

Claims (11)

  1. 투명기판 위에 고굴절 투명박막과 전도성 박막이 반복 적층되는 투명 도전막으로서,
    상기 전도성 박막이,
    제1 금속과 금속산화물, 또는 제2 금속과 반도체 화합물을 포함하는 박막인 것을 특징으로 하는 투명 도전막.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 박막의 제1 금속은,
    은(Ag) 또는 은(Ag)을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명 도전막.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 박막의 금속산화물은,
    산화아연(ZnO)에 3가 또는 4가의 양이온이 도핑된 고용체로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명 도전막.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 박막의 제2 금속은,
    몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴(Mo)을 주성분으로 하는 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명 도전막.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 박막의 반도체 화합물은,
    황화카드뮴(CdS), 갈륨비소(GaAs), 알루미늄갈륨비소(AlGaAs), 인듐인(InP), 갈륨인(GaP), CIGS(Copper Indium Galium Selenide), 텔루르화카드뮴(CdTe), 황화구리(Cu2S), 텔루르화아연(ZnTe), 황화납(PbS), 카파인디움다이셀레나이드(CulnSe2 ; CIS), 갈륨안티모니(GaSb)로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명 도전막.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 투명 도전막이:
    상기 투명기판 위에 적층되는 제1 고굴절 투명박막과;
    상기 제1 고굴절 투명박막 위에 적층되는 제1 전도성 박막과;
    상기 제1 전도성 박막 위에 적층되는 제2 고굴절 투명박막과;
    상기 제2 고굴절 투명박막 위에 적층되는 제2 전도성 박막과;
    상기 제2 전도성 박막 위에 적층되는 제3 고굴절 투명박막과;
    상기 제3 고굴절 투명박막 위에 적층되는 제3 전도성 박막과;
    상기 제3 전도성 박막 위에 적층되는 제4 고굴절 투명박막을 포함하고,
    상기 투명 도전막은 0.5Ω/□ 이상, 3.0Ω/□ 이하의 면저항과 70% 이상, 80% 이하의 광투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 투명 도전막.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 투명 도전막이:
    상기 투명기판 위에 적층되는 제1 고굴절 투명박막과;
    상기 제1 고굴절 투명박막 위에 적층되는 제1 전도성 박막과;
    상기 제1 전도성 박막 위에 적층되는 제2 고굴절 투명박막과;
    상기 제2 고굴절 투명박막 위에 적층되는 제2 전도성 박막과;
    상기 제2 전도성 박막 위에 적층되는 제3 고굴절 투명박막과;
    상기 제3 고굴절 투명박막 위에 적층되는 제3 전도성 박막과;
    상기 제3 전도성 박막 위에 적층되는 제4 고굴절 투명박막과;
    상기 제4 고굴절 투명박막 위에 적층되는 제4 전도성 박막과;
    상기 제4 전도성 박막 위에 적층되는 제5 고굴절 투명박막을 포함하고,
    상기 투명 도전막은 0.3Ω/□ 이상, 1.9Ω/□ 이하의 면저항과 61% 이상, 71% 이하의 광투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 투명 도전막.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 고굴절 투명박막은,
    오산화 니오브(Nb2O5)로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 도전막.
  9. 제 12 항에 있어서,
    상기 고굴절 투명박막은,
    산화 니오브(Nb2Ox)(x= 4.5∼4.99) 타겟을 사용한 스퍼터링 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 도전막.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 적어도 어느 한 항에 기재된 투명 도전막을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 필터.
  11. 청구항 1 내지 청구항 9 중 적어도 어느 한 항에 기재된 투명 도전막을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
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