JP2014507488A

JP2014507488A - 共役ポリマー

Info

Publication number: JP2014507488A
Application number: JP2013543553A
Authority: JP
Inventors: ブロウイン，ニコラス; ティアニー，スティーブン; ミッチェル，ウイリアム; カラスコ−オロスコ，ミゲル
Original assignee: Merck Patent GmbH
Current assignee: Merck Patent GmbH
Priority date: 2010-12-17
Filing date: 2011-11-17
Publication date: 2014-03-27
Anticipated expiration: 2031-11-17
Also published as: US9048433B2; KR20130132545A; CN103261204B; CN103261204A; KR101865981B1; WO2012079675A2; EP2651953B1; WO2012079675A3; EP2651953A2; DE112011104436T5; JP5912129B2; TWI519565B; US20130256604A1; GB2501199A; TW201231490A; SG191179A1; GB201312356D0; RU2013132826A

Abstract

本発明は、１種または２種以上のチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジオンおよび／またはフロ［３，２−ｂ］フラン−２，５−ジオン繰り返し単位またはそれらのチオケトン誘導体、それらの調製のためのモノマーおよび方法、有機電子（ＯＥ）デバイスにおける、特に有機光起電（ＯＰＶ）デバイスにおける半導体としてのそれらの使用、ならびにこれらのポリマーを含むＯＥおよびＯＰＶデバイスを含有する新規なポリマーに関する。

Description

発明の分野
本発明は、１種または２種以上のチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジオンおよび／またはフロ［３，２−ｂ］フラン−２，５−ジオン繰り返し単位またはそれらのチオケトン誘導体、それらの調製のためのモノマーおよび方法、有機電子（ＯＥ）デバイスにおける、特に有機光起電（ＯＰＶ）デバイスにおける半導体としてのそれらの使用、ならびにこれらのポリマーを含むＯＥおよびＯＰＶデバイスを含有する新規なポリマーに関する。

発明の背景
近年、共役半導体ポリマー（conjugated, semiconducting polymer）の電子用途ための使用における関心が増大してきている。特に重要な１つの分野は、有機光起電（ＯＰＶ）である。溶解法の手法、回転成形、ディップコーティングまたはインクジェット印刷などによりデバイスを製造することができるため、共役ポリマーのＯＰＶにおける使用が見出された。溶解法を、無機薄膜デバイスを作るために使用される蒸発手法と比較して、より安価におよびより大きなスケールで行うことができる。現在、光起電デバイスをベースにしたポリマーが、８％までの効率を達成している。

共役ポリマーは、太陽エネルギーの主たる吸収体としての役割を果たし、したがって、低いバンドギャップが、太陽スペクトルの最大を吸収するための理想的なポリマー設計の基本的要件である。狭いバンドギャップを共役ポリマーに付与するために一般的に使用される戦略は、ポリマー骨格内で電子が豊富な供与体単位および電子が不足する受容体単位の両方からなる交互コポリマーを利用することである。

しかしながら、ＯＰＶデバイスにおける使用のために従来技術において示唆されてきた共役ポリマーは、未だに特定の欠点を有する。例えば、多くのポリマーは、それらの溶解法に基づくデバイス製造方法へのそれらの適合性を阻害し得る、一般に使用される有機溶媒における限られた溶解性に悩まされるか、またはＯＰＶバルクヘテロ接合デバイスにおける開回路電位（Ｖ_ＯＣ）に悩まされるか、または限られた電荷担体移動度のみを有し、大量生産に不適切な方法により合成することが困難である。

したがって、特に大量生産に好適な方法により合成が容易であり、良好な構造機構および膜形成特性を示し、良好な電子特性、特に高い電荷担体移動度、良好な加工性、特に良好な有機溶媒中での高い溶解性および空気中での高い安定性を示す、有機半導体（ＯＳＣ）材料について未だに必要性がある。特に、ＯＰＶ電池における使用については、低いバンドギャップを有するＯＳＣ材料への必要性があり、これにより、光活性層による集光の改善が可能となり、より高い電池効率をもたらし得、ＯＰＶバルクヘテロ接合デバイスにおける開回路電位（Ｖ_ＯＣ）に悩まされない、またはそれが従来技術からのポリマーより低い程度である。

上述のとおりの従来技術の材料の欠点を有さず、特に大量生産に好適な方法により合成が容易であり、特に良好な加工性、高い安定性、有機溶媒中での良好な溶解性、高い電荷担体移動度および低いバンドギャップを示す、有機半導体材料としての使用のための化合物を提供することが本発明の狙いであった。本発明の別の狙いは、当業者に利用可能なＯＳＣ材料のプールを拡張することであった。本発明の他の狙いは、以下の詳細な説明から当業者には直ちに明白である。

本発明の発明者らは、これらの狙いを、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジオン−３，６−ジイルおよび／またはフロ［３，２−ｂ］フラン−２，５−ジオン−３，６−ジイル繰り返し単位およびそれらのチオケトン誘導体（最初の式における番号は、チエノチオフェンまたはフラン核上の位置を示す）：
を含有する共役ポリマーを提供することにより達成できることを見出した。

これらの単位をベースとする共役ポリマーが、良好な加工性および有機溶媒中での良好な溶解性を示し、これにより、特に、溶解法の方法を使用する大規模生産に好適であることが見出された。同時に、それらは、低いバンドギャップ、高い電荷担体移動度および高い酸化安定性を示し、有機電子ＯＥデバイスのための、特にＯＰＶデバイスのための有望な材料である。

チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジオンの単量体誘導体が、酸化還元系において研究されてきており（Guenther, Erhard; Huenig, Siegfried. Chemische Berichte 1992, 125, 1235-41）、かかる核（すなわち、電子受容体単位である）の電子が不足することを例証する。チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジオンの他の単量体誘導体がまた、電子写真感光体として使用されてきており（Hayata, Hirofumi; Hirano, Akira; Hirose, Hisahiro. Jpn. Kokai Tokkyo Koho 1992, JP04338761 A 19921126.）、感光性および電荷輸送特性を例証する。しかしながら、これまで、かかる化合物を半導体ポリマー中の繰り返し単位として、特にＯＦＥＴまたはＯＰＶデバイスにおける使用のために使用することは示唆されていなかった。

発明の概要
本発明は、式Ｉ
式中、ＸおよびＹは、互いに独立して、ＳまたはＯである、
で表される１個または２個以上の単位を含む共役ポリマーに関する。

式Ｉで表される単位は、好ましくは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジオン−３，６−ジイルまたはフロ［３，２−ｂ］フラン−２，５−ジオン−３，６−ジイルを示し、式中、２位または５位におけるケトン官能性は、代替的に式Ｉａ〜Ｉｄ：

により表されるように、チオケトン官能性であり得る。
特に好ましいのは、式ＩａおよびＩｂで表される単位である。

本発明はさらに、１個または２個以上の繰り返し単位を含む共役ポリマーに関し、ここで、該繰り返し単位は、式Ｉで表される単位および／または任意に置換されたアリールおよびヘテロアリール基から選択される１個または２個以上の基を含有し、およびここで、ポリマー中の少なくとも１個の繰り返し単位は、式Ｉで表される少なくとも１個の繰り返し単位を含有する。
本発明はさらに、式Ｉで表される単位を含有し、さらに１個または２個以上の反応性基を含有するモノマーに関し、それらを、本明細書において記載するように、共役ポリマーの調製のために使用することができる。

本発明はさらに、式Ｉで表される単位の、半導体ポリマーにおける電子受容体単位としての使用に関する。
本発明はさらに、電子受容体単位としての、式Ｉで表される１個または２個以上の単位を含む半導体ポリマーに関し、好ましくは、さらに電子供与特性を有する１個または２個以上の単位を含む。

本発明はさらに、本発明のポリマーの、半導体材料、処方物、混合品（blend）、デバイスまたはデバイスの構成要素における電子受容体構成要素しての使用に関する。
本発明はさらに、本発明のポリマーを電子受容体構成要素として含み、好ましくは、さらに電子供与特性を有する１種または２種以上の化合物またはポリマーを含む、半導体材料、処方物、混合品、デバイスまたはデバイスの構成要素に関する。

本発明はさらに、１種または２種以上の本発明のポリマーおよび、好ましくは、半導体、電荷輸送、ホールまたは電子輸送、ホールまたは電子ブロッキング、導電性、光伝導性または発光特性の１種または２種以上を有する化合物およびポリマーから選択される、１種または２種以上のさらなる化合物またはポリマーを含む、混合物(mixture)または混合品に関する。

本発明はさらに、１種または２種以上の本発明のポリマー、混合物または混合品、および任意に１種または２種以上の、好ましくは、有機溶媒から選択される溶媒を含む処方物に関する。
本発明はさらに、本発明のポリマー、混合物、混合品および処方物の、光学的、電気光学的、電子的、エレクトロルミネッセンスの、またはフォトルミネッセンスの構成要素またはデバイスにおける、電荷輸送、半導体、導電性、光伝導性または発光材料としての使用に関する。

本発明はさらに、１種または２種以上の本発明のポリマー、処方物のポリマー混合品を含む、電荷輸送、半導体、導電性、光伝導性または発光材料もしくは構成要素に関する。
本発明はさらに、１種または２種以上の本発明のポリマー、ポリマー混合品、処方物、構成要素または材料を含む、光学的、電気光学的または電子的構成要素もしくはデバイスに関する。

光学的、電気光学的、電子的、エレクトロルミネッセンスの、およびフォトルミネッセンスの構成要素またはデバイスには、限定するものではないが、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、集積回路（ＩＣ）、論理回路、キャパシタ、電波認識（ＲＦＩＤ）タグ、デバイスまたは部品、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、フラットパネルディスプレイ、ディスプレイのバックライト、有機光起電デバイス（ＯＰＶ）、太陽電池、レーザーダイオード、光伝導体、光検出器、電子写真装置、電子写真記録装置、有機記憶装置、センサーデバイス、電荷注入層、電荷輸送層またはポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）中の中間層、有機プラスモン放射ダイオード（ＯＰＥＤ）、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止フィルム、ポリマー電解膜（ＰＥＭ）、伝導性基板、伝導性パターン、電池における電極材料、整列層、バイオセンサー、バイオチップ、セキュリティマーキング、セキュリティーデバイス、ならびにＤＮＡ配列を検出し、識別するための部品またはデバイスを含む。

図面の簡単な説明
図１は、例１．４のＯＦＥＴについての、電流−電圧特性（Ａ）、線形移動度（Ｂ）および飽和移動度（Ｃ）を示す。

発明の詳細な説明
本発明のモノマーおよびポリマーは、合成するのが容易であり、いくつかの有利な特性、例えば低いバンドギャップ、高い電荷担体移動度、有機溶媒への高い溶解性、デバイス製造プロセスのための良好な加工性、高い酸化安定性および電子デバイスにおける長い寿命を示す。

さらに、それらは、以下の有利な特性を示す：
ｉ）式Ｉで表される単位は、縮合し、それ自身がポリマーの骨格内に含有される２個の５員環からなる。式Ｉで表される単位の予め決められたキノン型バンド構造は、得られるポリマーのキノン型バンド構造を増加させ、したがって、得られるポリマーのバンドギャップを低下させ、これにより、集光能の改善をもたらす。

ｉｉ）さらなる溶解性を、可溶化基を含有する共単位（co-unit）（アリールおよびヘテロアリールなどのもの）の包含により、ポリマー中に導入することができる。
ｉｉｉ）式Ｉで表される単位は、より高い電荷担体移動度の形態におけるより良好な電荷輸送特性を導く固体状態での、強いパイ−パイスタッキングを可能にする平面構造を有する。

ｉｉｉ）式Ｉで表される単位上での、特定の位置（３位および６位）への反応的官能性の付加により、立体規則性またはランダムな、化学重合されたホモポリマーおよびコポリマーの調製を可能にするであろう。かかるポリマーを、山本、鈴木またはスティルカップリング重合法を使用して得ることができる。これらの調製方法により、立体規則性ポリマーは、非選択的重合法を使用して合成された立体規則性材料と比較して、固体状態でより高い構造秩序を有するであろう。これは、ＯＦＥＴおよびＯＰＶデバイスにおける用途のための、より高い電荷担体移動度を有するポリマーを導くであろう。

ｉｖ）式Ｉで表される単位の両側上のアリールおよびヘテロアリール単位（Ａｒ^１−Ａｒ^２などのもの）の慎重な選択、または適切なコモノマー（単数および複数）での共重合のいずれかによる、電子エネルギー（ＨＯＭＯ／ＬＵＭＯ準位）の付加的な微調整によって、有機光起電用途のための候補材料を得ることができなければならない。
式Ｉで表される単位、その官能性誘導体、ホモポリマーおよびこーポリマーの合成は、以下にさらに説明されるように、当業者に知られ、および文献に記載された方法に基づいて達成されることができる。

本明細書において、用語「ポリマー」は一般的に、構造が実際にまたは概念的に本質的に低い相対分子量の分子から誘導された単位の複数の繰り返しを含む高い相対分子量の分子を意味する(PAC, 1996, 68, 2291)。用語「オリゴマー」は一般的に、構造が実際にまたは概念的に本質的により低い相対分子量の分子から誘導された少数の複数の単位を含む中間的な相対分子量の分子を意味する(PAC, 1996, 68, 2291)。本発明による好ましい意味において、ポリマーは、＞１個、好ましくは≧５個の繰り返し単位を有する化合物を意味し、オリゴマーは、＞１個および＜１０個、好ましくは＜５個の繰り返し単位を有する化合物を意味する。

「繰り返し単位」および「モノマー単位」の用語は、構成的繰り返し単位（ＣＲＵ）を意味し、それは、反復が規則的な巨大分子、規則的なオリゴマー分子、規則的なブロックまたは規則的な鎖を構成する最小の構成単位である(PAC, 1996, 68, 2291)。

「脱離基」の用語は、特定の反応に関与する分子の残余の部分または主要な部分であると考えられるものにおける原子から分離される原子または基（帯電したかまたは帯電していない）を意味する（PAC, 1994, 66, 1134をも参照）。

「共役」の用語は、主としてｓｐ^２混成（または任意にまたｓｐ混成）を有するＣ原子を含む化合物を意味し、それはまた、ヘテロ原子によって置き換えられていてもよい。最も単純な場合において、これは、例えば交互のＣ−Ｃ単結合および二重結合（または三重結合）を有する化合物であるが、また１，３−フェニレンのような単位を有する化合物を含む。「主として」は、これに関連して、共役の中断をもたらし得る自然に（自発的に）生じる欠陥を有する化合物が、尚共役化合物と見なされることを意味する。

他に述べない限り、分子量を、数平均分子量Ｍ_ｎまたは重量平均分子量Ｍ_Ｗとして示し、それを、溶離剤溶媒、テトラヒドロフラン、トリクロロメタン（ＴＣＭ、クロロホルム）、クロロベンゼンまたは１，２，４−トリクロロ−ベンゼンなどにおけるポリスチレン基準に対してゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって決定する。他に述べない限り、１，２，４−トリクロロ−ベンゼンは溶媒として使用される。重合度は、ｎ＝Ｍ_ｎ／Ｍ_Ｕとして示した数平均重合度を意味し、式中Ｍ_ｎは、数平均分子量であり、Ｍ_Ｕは、単一の繰り返し単位の分子量であり、J. M. G. Cowie, Polymers: Chemistry & Physics of Modern Materials, Blackie, Glasgow, 1991を参照のこと。

本明細書中で使用する「カルビル基」の用語は、いかなる非炭素原子をも有しない（例えば−Ｃ≡Ｃ−）か、または任意に少なくとも１個の非炭素原子、例えばＮ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅもしくはＧｅと組み合わされた（例えばカルボニルなど）、少なくとも１個の炭素原子を含む、あらゆる１価の、または多価の有機ラジカル部分を示す。「ヒドロカルビル基」の用語は、１個または２個以上のＨ原子をさらに含み、任意に１個または２個以上のヘテロ原子、例えばＮ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅまたはＧｅを含むカルビル基を示す。

３個または４個以上のＣ原子の鎖を含むカルビルまたはヒドロカルビル基はまた、直鎖状、分枝状ならびに／またはスピロおよび／もしくは縮合環を含む環状であってもよい。

好ましいカルビルおよびヒドロカルビル基は、各々が任意に置換されており、１〜４０個、好ましくは１〜２５個、極めて好ましくは１〜１８個のＣ原子を有するアルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシおよびアルコキシカルボニルオキシ、さらに６〜４０個、好ましくは６〜２５個のＣ原子を有する任意に置換されたアリールまたはアリールオキシ、さらに各々が任意に置換されており、６〜４０個、好ましくは７〜４０個のＣ原子を有するアルキルアリールオキシ、アリールカルボニル、アリールオキシカルボニル、アリールカルボニルオキシおよびアリールオキシカルボニルオキシを含み、ここですべてのこれらの基は、好ましくはＮ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅおよびＧｅから選択された１個または２個以上のヘテロ原子を任意に含む。

カルビルまたはヒドロカルビル基は、飽和の、もしくは不飽和の非環式基、または飽和の、もしくは不飽和の環式基であってもよい。不飽和の非環式または環式基、特にアリール、アルケニルおよびアルキニル基（特にエチニル）が、好ましい。Ｃ_１〜Ｃ_４０カルビルまたはヒドロカルビル基が非環式である場合において、当該基は、直鎖状または分枝状であってもよい。Ｃ_１〜Ｃ_４０カルビルまたはヒドロカルビル基は、例えば以下のものを含む：Ｃ_１〜Ｃ_４０アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_４０アルコキシまたはオキサアルキル基、Ｃ_２〜Ｃ_４０アルケニル基、Ｃ_２〜Ｃ_４０アルキニル基、Ｃ_３〜Ｃ_４０アリル基、Ｃ_４〜Ｃ_４０アルキルジエニル基、Ｃ_４〜Ｃ_４０ポリエニル基、Ｃ_６〜Ｃ_１８アリール基、Ｃ_６〜Ｃ_４０アルキルアリール基、Ｃ_６〜Ｃ_４０アリールアルキル基、Ｃ_４〜Ｃ_４０シクロアルキル基、Ｃ_４〜Ｃ_４０シクロアルケニル基など。先の基の中で好ましいのは、それぞれＣ_１〜Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルケニル基、Ｃ_２〜Ｃ_２０アルキニル基、Ｃ_３〜Ｃ_２０アリル基、Ｃ_４〜Ｃ_２０アルキルジエニル基、Ｃ_６〜Ｃ_１２アリール基およびＣ_４〜Ｃ_２０ポリエニル基である。また含まれるのは、炭素原子を有する基とヘテロ原子を有する基との組み合わせ、例えばシリル基で置換されたアルキニル基、好ましくはエチニル、好ましくはトリアルキルシリル基である。

アリールおよびヘテロアリールは、好ましくは、４〜３０個の環Ｃ原子を有し、また縮合環を含んでいてもよく、任意に１個または２個以上の基Ｌで置換されている単環式、二環式または三環式の芳香族またはヘテロ芳香族基を示し、ここでＬは、ハロゲン、−ＣＮ、−ＮＣ、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^０Ｒ^００、−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ^０、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^０、−ＮＨ_２、−ＮＲ^０Ｒ^００、−ＳＨ、−ＳＲ^０、−ＳＯ_３Ｈ、−ＳＯ_２Ｒ^０、−ＯＨ、−ＮＯ_２、−ＣＦ_３、−ＳＦ_５、任意に置換され、任意に１個もしくは２個以上のヘテロ原子を含む、１〜４０個のＣ原子を有する、任意に置換されたシリル、カルビルまたはヒドロカルビル、あるいは本明細書において示された意味を有するＲ^０、Ｒ^０、Ｘ^０、ＰおよびＳｐである、Ｐ−Ｓｐから選択される。

極めて好ましい置換基Ｌは、ハロゲン、最も好ましくはＦ、または１〜１２個のＣ原子を有するアルキル、アルコキシ、オキサアルキル、チオアルキル、フルオロアルキルおよびフルオロアルコキシまたは２〜１２個のＣ原子を有するアルケニル、アルキニルから選択される。

特に好ましいアリールおよびヘテロアリール基は、フェニル、ここでさらに、１個または２個以上のＣＨ基は、Ｎによって置き換えられていてもよく、ナフタレン、チオフェン、セレノフェン、チエノチオフェン、ジチエノチオフェン、フルオレンおよびオキサゾールであり、それらのすべては、非置換であるか、上に定義したＬで単置換または多置換され得る。極めて好ましい環は、ピロール、好ましくはＮ−ピロール、ピリジン、好ましくは２−または３−ピリジン、ピリミジン、チオフェン、好ましくは２−チオフェン、セレノフェン、好ましくは２−セレノフェン、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾールおよびオキサジアゾール、特に好ましくはチオフェン−２−イル、５−置換チオフェン−２−イルまたはピリジン−３−イルから選択され、それらのすべては、非置換であるか、上に定義したＬで単置換または多置換され得る。

アルキルまたはアルコキシラジカル、すなわちここで末端ＣＨ_２基が−Ｏ−によって置き換えられているものは、直鎖状または分枝状であり得る。それは、好ましくは直鎖状であり、２、３、４、５、６、７または８個の炭素原子を有し、したがって好ましくは例えばエチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、ヘプトキシまたはオクトキシ、さらにメチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ノノキシ、デコキシ、ウンデコキシ、ドデコキシ、トリデコキシまたはテトラデコキシである。

１つまたは２つ以上のＣＨ_２基が−ＣＨ＝ＣＨ−によって置き換えられているアルケニル基は、直鎖状または分枝状であり得る。それは、好ましくは直鎖状であり、２〜１０個のＣ原子を有し、したがって好ましくはビニル、プロパ−１−またはプロパ−２−エニル、ブタ−１−、２−またはブタ−３−エニル、ペンタ−１−、２−、３−またはペンタ−４−エニル、ヘキサ−１−、２−、３−、４−またはヘキサ−５−エニル、ヘプタ−１−、２−、３−、４−、５−またはヘプタ−６−エニル、オクタ−１−、２−、３−、４−、５−、６−またはオクタ−７−エニル、ノナ−１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−またはノナ−８−エニル、デカ−１−、２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−またはデカ−９−エニルである。

特に好ましいアルケニル基は、Ｃ_２〜Ｃ_７−１Ｅ−アルケニル、Ｃ_４〜Ｃ_７−３Ｅ−アルケニル、Ｃ_５〜Ｃ_７−４−アルケニル、Ｃ_６〜Ｃ_７−５−アルケニルおよびＣ_７−６−アルケニル、特にＣ_２〜Ｃ_７−１Ｅ−アルケニル、Ｃ_４〜Ｃ_７−３Ｅ−アルケニルおよびＣ_５〜Ｃ_７−４−アルケニルである。特に好ましいアルケニル基についての例は、ビニル、１Ｅ−プロペニル、１Ｅ−ブテニル、１Ｅ−ペンテニル、１Ｅ−ヘキセニル、１Ｅ−ヘプテニル、３−ブテニル、３Ｅ−ペンテニル、３Ｅ−ヘキセニル、３Ｅ−ヘプテニル、４−ペンテニル、４Ｚ−ヘキセニル、４Ｅ−ヘキセニル、４Ｚ−ヘプテニル、５−ヘキセニル、６−ヘプテニルなどである。５個までのＣ原子を有する基が、一般的に好ましい。

オキサアルキル基、すなわちここで１個のＣＨ_２基が−Ｏ−によって置き換えられているものは、好ましくは、例えば直鎖状２−オキサプロピル（＝メトキシメチル）、２−（＝エトキシメチル）もしくは３−オキサブチル（＝２−メトキシエチル）、２−、３−もしくは４−オキサペンチル、２−、３−、４−もしくは５−オキサヘキシル、２−、３−、４−、５−もしくは６−オキサヘプチル、２−、３−、４−、５−、６−もしくは７−オキサオクチル、２−、３−、４−、５−、６−、７−もしくは８−オキサノニルまたは２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−もしくは９−オキサデシルである。オキサアルキル、すなわちここで１つのＣＨ_２基が−Ｏ−によって置き換えられているものは、好ましくは、例えば直鎖状２−オキサプロピル（＝メトキシメチル）、２−（＝エトキシメチル）もしくは３−オキサブチル（＝２−メトキシエチル）、２−、３−もしくは４−オキサペンチル、２−、３−、４−もしくは５−オキサヘキシル、２−、３−、４−、５−もしくは６−オキサヘプチル、２−、３−、４−、５−、６−もしくは７−オキサオクチル、２−、３−、４−、５−、６−、７−もしくは８−オキサノニルまたは２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−もしくは９−オキサデシルである。

１個のＣＨ_２基が−Ｏ−によって置き換えられており、１個が−Ｃ（Ｏ）−によって置き換えられているアルキル基において、これらのラジカルは、好ましくは隣接している。したがって、これらのラジカルは、一緒にカルボニルオキシ基−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−またはオキシカルボニル基−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−を形成する。好ましくは、この基は直鎖状であり、２〜６個のＣ原子を有する。それは、したがって好ましくはアセチルオキシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ、ペンタノイルオキシ、ヘキサノイルオキシ、アセチルオキシメチル、プロピオニルオキシメチル、ブチリルオキシメチル、ペンタノイルオキシメチル、２−アセチルオキシエチル、２−プロピオニルオキシエチル、２−ブチリルオキシエチル、３−アセチルオキシプロピル、３−プロピオニルオキシプロピル、４−アセチルオキシブチル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニル、メトキシカルボニルメチル、エトキシカルボニルメチル、プロポキシカルボニルメチル、ブトキシカルボニルメチル、２−（メトキシカルボニル）エチル、２−（エトキシカルボニル）エチル、２−（プロポキシ−カルボニル）エチル、３−（メトキシカルボニル）プロピル、３−（エトキシカルボニル）プロピル、４−（メトキシカルボニル）−ブチルである。

２個または３個以上のＣＨ_２基が−Ｏ−および／または−Ｃ（Ｏ）Ｏ−によって置き換えられているアルキル基は、直鎖状または分枝状であり得る。それは、好ましくは直鎖状であり、３〜１２個のＣ原子を有する。したがって、それは、好ましくはビス−カルボキシ−メチル、２，２−ビス−カルボキシ−エチル、３，３−ビス−カルボキシ−プロピル、４，４−ビス−カルボキシ−ブチル、５，５−ビス−カルボキシ−ペンチル、６，６−ビス−カルボキシ−ヘキシル、７，７−ビス−カルボキシ−ヘプチル、８，８−ビス−カルボキシ−オクチル、９，９−ビス−カルボキシ−ノニル、１０，１０−ビス−カルボキシ−デシル、ビス−（メトキシカルボニル）−メチル、２，２−ビス−（メトキシカルボニル）−エチル、３，３−ビス−（メトキシカルボニル）−プロピル、４，４−ビス−（メトキシカルボニル）−ブチル、５，５−ビス−（メトキシカルボニル）−ペンチル、６，６−ビス−（メトキシカルボニル）−ヘキシル、７，７−ビス−（メトキシカルボニル）−ヘプチル、８，８−ビス−（メトキシカルボニル）−オクチル、ビス−（エトキシカルボニル）−メチル、２，２−ビス−（エトキシカルボニル）−エチル、３，３−ビス−（エトキシカルボニル）−プロピル、４，４−ビス−（エトキシカルボニル）−ブチル、５，５−ビス−（エトキシカルボニル）−ヘキシルである。

チオアルキル基、すなわちここで１個のＣＨ_２基が−Ｓ−によって置き換えられているものは、好ましくは直鎖状チオメチル（−ＳＣＨ_３）、１−チオエチル（−ＳＣＨ_２ＣＨ_３）、１−チオプロピル（＝−ＳＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）、１−（チオブチル）、１−（チオペンチル）、１−（チオヘキシル）、１−（チオヘプチル）、１−（チオオクチル）、１−（チオノニル）、１−（チオデシル）、１−（チオウンデシル）または１−（チオドデシル）であり、ここで好ましくはｓｐ^２混成ビニル炭素原子に隣接しているＣＨ_２基は、置き換えられている。

フルオロアルキル基は、好ましくは、式中ｉが１〜１５の整数である直鎖状パーフルオロアルキルＣ_ｉＦ_２ｉ＋１、特にＣＦ_３、Ｃ_２Ｆ_５、Ｃ_３Ｆ_７、Ｃ_４Ｆ_９、Ｃ_５Ｆ_１１、Ｃ_６Ｆ_１３、Ｃ_７Ｆ_１５またはＣ_８Ｆ_１７、極めて好ましくはＣ_６Ｆ_１３である。

前述のアルキル、アルコキシ、アルケニル、オキサアルキル、チオアルキル、カルボニルおよびカルボニルオキシ基は、アキラルな、またはキラルな基であり得る。特に好ましいキラルな基は、例えば２−ブチル（＝１−メチルプロピル）、２−メチルブチル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、特に２−メチルブチル、２−メチルブトキシ、２−メチルペントキシ、３−メチルペントキシ、２−エチルヘキソキシ、１−メチルヘキソキシ、２−オクチルオキシ、２−オキサ−３−メチルブチル、３−オキサ−４−メチルペンチル、４−メチルヘキシル、２−ヘキシル、２−オクチル、２−ノニル、２−デシル、２−ドデシル、６−メトキシオクトキシ、６−メチルオクトキシ、６−メチルオクタノイルオキシ、５−メチルヘプチルオキシカルボニル、２−メチルブチリルオキシ、３−メチルバレロイルオキシ、４−メチルヘキサノイルオキシ、２−クロロプロピオニルオキシ、２−クロロ−３−メチルブチリルオキシ、２−クロロ−４−メチル−バレリルオキシ、２−クロロ−３−メチルバレリルオキシ、２−メチル−３−オキサペンチル、２−メチル−３−オキサ−ヘキシル、１−メトキシプロピル−２−オキシ、１−エトキシプロピル−２−オキシ、１−プロポキシプロピル−２−オキシ、１−ブトキシプロピル−２−オキシ、２−フルオロオクチルオキシ、２−フルオロデシルオキシ、１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオキシ、１，１，１−トリフルオロ−２−オクチル、２−フルオロメチルオクチルオキシである。極めて好ましいのは、２−ヘキシル、２−オクチル、２−オクチルオキシ、１，１，１−トリフルオロ−２−ヘキシル、１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルおよび１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオキシである。

好ましいアキラルな分枝状基は、イソプロピル、イソブチル（＝メチルプロピル）、イソペンチル（＝３−メチルブチル）、ｔｅｒｔ．ブチル、イソプロポキシ、２−メチル−プロポキシおよび３−メチルブトキシである。

本発明の他の好ましい態様において、Ｒ^１は、１〜３０個のＣ原子を有する第一、第二または第三級アルキルまたはアルコキシから選択され、ここで１個または２個以上のＨ原子は、任意にＦ、または任意にアルキル化もしくはアルコキシル化されており、４〜３０個の環原子を有するアリール、アリールオキシ、ヘテロアリールもしくはヘテロアリールオキシによって置き換えられている。このタイプの極めて好ましい基は、以下の式からなる群から選択される。

式中、「ＡＬＫ」は、１〜２０個、好ましくは１〜１２個のＣ原子、第三級基の場合においては極めて好ましくは１〜９個のＣ原子を有する、任意にフッ素化された、好ましくは直鎖状のアルキルまたはアルコキシを示し、点線は、これらの基が結合している環への結合を示す。これらの基中で特に好ましいのは、すべてのＡＬＫ従属基が同一であるものである。
−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−は、好ましくは−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−ＣＨ＝Ｃ（ＣＮ）−である。

ハロゲンは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩ、好ましくはＦ、ＣｌまたはＢｒである。
−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−および−Ｃ（Ｏ）−は、カルボニル基、すなわち
を示す。

ポリマーはまた、重合性であるかまたは架橋性の反応性基で置換されていてもよく、それは、任意にポリマーを生成するプロセスの間保護されている。このタイプの特定の好ましいポリマーは、Ｒ^１がＰ−Ｓｐを示す式Ｉで表されるものである。これらのポリマーは、半導体または電荷輸送材料として特に有用である。その理由は、それらが、例えばポリマーを半導体部品のための薄膜に加工している間またはその後のin situでの重合によって、基Ｐを介して架橋して、高い電荷担体移動度ならびに高い熱的、機械的および化学的安定性を有する架橋したポリマーフィルムを生成することができるからである。

好ましくは、重合性であるかまたは架橋性の基Ｐは、ＣＨ_２＝ＣＷ^１−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、ＣＨ_２＝ＣＷ^１−Ｃ（Ｏ）−、
ＣＨ_２＝ＣＷ^２−（Ｏ）_ｋ１−、ＣＷ^１＝ＣＨ−Ｃ（Ｏ）−（Ｏ）_ｋ３−、ＣＷ^１＝ＣＨ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−、ＣＨ_２＝ＣＷ^１−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−、ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−Ｏ−、（ＣＨ_２＝ＣＨ）_２ＣＨ−ＯＣ（Ｏ）−、（ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２）_２ＣＨ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、（ＣＨ_２＝ＣＨ）_２ＣＨ−Ｏ−、（ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２）_２Ｎ−、（ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２）_２Ｎ−Ｃ（Ｏ）−、ＨＯ−ＣＷ^２Ｗ^３−、ＨＳ−ＣＷ^２Ｗ^３−、ＨＷ^２Ｎ−、ＨＯ−ＣＷ^２Ｗ^３−ＮＨ−、ＣＨ_２＝ＣＨ−（Ｃ（Ｏ）−Ｏ）_ｋ１−Ｐｈｅ−（Ｏ）_ｋ２−、ＣＨ_２＝ＣＨ−（Ｃ（Ｏ））_ｋ１−Ｐｈｅ−（Ｏ）_ｋ２−、Ｐｈｅ−ＣＨ＝ＣＨ−、ＨＯＯＣ−、ＯＣＮ−およびＷ^４Ｗ^５Ｗ^６Ｓｉ−から選択され、

Ｗ^１は、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＣＦ_３、フェニルまたは１〜５個のＣ原子を有するアルキル、特にＨ、ＣｌまたはＣＨ_３であり、Ｗ^２およびＷ^３は、互いに独立してＨまたは１〜５個のＣ原子を有するアルキル、特にＨ、メチル、エチルまたはｎ−プロピルであり、Ｗ^４、Ｗ^５およびＷ^６は、互いに独立してＣｌ、１〜５個のＣ原子を有するオキサアルキルまたはオキサカルボニルアルキルであり、Ｗ^７およびＷ^８は、互いに独立してＨ、Ｃｌまたは１〜５個のＣ原子を有するアルキルであり、Ｐｈｅは、上に定義した１個または２個以上の基Ｌによって任意に置換されている１，４−フェニレンであり、ｋ_１、ｋ_２およびｋ_３は、互いに独立して０または１であり、ｋ_３は好ましくは１であり、ｋ_４は１〜１０の整数である。

あるいはまた、Ｐは、本発明のプロセスのために記載した条件の下で非反応性であるこれらの基の保護された誘導体である。好適な保護基は、通常の専門家に知られており、文献、例えばGreen, ‘‘Protective Groups in Organic Synthesis’’, John Wiley and Sons, New York (1981)に記載されており、例えばアセタールまたはケタールである。

特に好ましい基Ｐは、ＣＨ_２＝ＣＨ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、ＣＨ_２＝ＣＦ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、ＣＨ_２＝ＣＨ−Ｏ−、（ＣＨ_２＝ＣＨ）_２ＣＨ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、（ＣＨ_２＝ＣＨ）_２ＣＨ−Ｏ−および
またはその保護された誘導体である。さらなる好ましい基Ｐは、ビニルオキシ、アクリレート、メタクリレート、フルオロアクリレート、クロロアクリレート、オキセタンおよびエポキシ基からなる群から、極めて好ましくはアクリレートまたはメタクリレート基から選択される。

基Ｐの重合を、通常の専門家に知られており、文献、例えばD. J. Broer; G. Challa; G. N. Mol, Macromol. Chem, 1991, 192, 59に記載されている方法によって行うことができる。

「スペーサー基」の用語は、従来技術において知られており、好適なスペーサー基Ｓｐは、通常の専門家に知られている（例えばPure Appl. Chem. 73(5), 888 (2001)を参照）。スペーサー基Ｓｐは、好ましくは式Ｓｐ’−Ｘ’で表され、したがってＰ−Ｓｐ−はＰ−Ｓｐ’−Ｘ’−であり、ここで

Ｓｐ’は、非置換であるか、またはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩもしくはＣＮによって単置換もしくは多置換されている、３０個までのＣ原子を有するアルキレンであり、また１個または２個以上の隣接していないＣＨ_２基が、各場合において互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＮＲ^０−、−ＳｉＲ^０Ｒ^００−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−、−ＯＣ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−によって、Ｏおよび／またはＳ原子が互いに直接結合しないように置き換えられていることが可能であり、

Ｘ’は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ^０−、−ＮＲ^０−Ｃ（Ｏ）−、−ＮＲ^０−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ^００−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｓ−、−ＳＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＲ^０−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合であり、

Ｒ^０およびＲ^００は、互いに独立してＨまたは１〜１２個のＣ原子を有するアルキルであり、
Ｙ^１およびＹ^２は、互いに独立してＨ、Ｆ、ＣｌまたはＣＮである。
Ｘ’は、好ましくは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｓ−、−ＳＣＦ_２−_、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＲ^０−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−、−Ｃ≡Ｃ−または単結合、特に−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−または単結合である。他の好ましい態様において、Ｘ’は、共役系を形成することができる基、例えば−Ｃ=Ｃ−もしくは−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−、または単結合である。

典型的な基Ｓｐ’は、例えば−（ＣＨ_２）_ｐ−、−（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｑ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓ−ＣＨ_２ＣＨ_２−または−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＮＨ−ＣＨ_２ＣＨ_２−または−（ＳｉＲ^０Ｒ^００−Ｏ）_ｐ−であり、ｐは２〜１２の整数であり、ｑは１〜３の整数であり、Ｒ^０およびＲ^００は上に示した意味を有する。

好ましい基Ｓｐ’は、例えばエチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチレン、ノニレン、デシレン、ウンデシレン、ドデシレン、オクタデシレン、エチレンオキシエチレン、メチレンオキシブチレン、エチレン−チオエチレン、エチレン−Ｎ−メチル−イミノエチレン、１−メチルアルキレン、エテニレン、プロペニレンおよびブテニレンである。

好ましくは、基Ｒ^１は、１〜３５個のＣ原子を有する、直鎖状、分枝状または環状アルキルから選択され、ここで、１個または２個以上の隣接していないＣ原子が、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−ＣＲ^０＝Ｒ^００−または−Ｃ≡Ｃ−によって任意に置き換えられ、およびここで、１個または２個以上のＨ原子が、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮによって任意に置き換えられているか、あるいは非置換であるかもしくは１個または２個以上の非芳香族性基Ｌにより置換された、４〜３０個の環原子を有するアリール、ヘテロアリール、アリールオキシ、ヘテロアリールオキシ、アリールカルボニル、ヘテロアリールカルボニル、アリールカルボニルオキシ、ヘテロアリールカルボニルオキシ、アリールオキシカルボニルまたはヘテロアリールオキシカルボニルを示す。

本発明の好ましいポリマーは、１個または２個以上の式Ｉ１：
式中、
Ｕは、式Ｉで表される単位であり、好ましくは、式Ｉａ〜Ｉｄで表される単位から選択され、
Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３は、各出現において同一であるかまたは異なり、互いに独立して、好ましくは５〜３０個の環原子を有する、アリールまたはヘテロアリールであり、任意に、好ましくは１個または２個以上の基Ｒ^１により、置換され、

Ｒ^１は、各出現において同一であるかまたは異なり、Ｆ、Ｂｒ、Ｃｌ、−ＣＮ、−ＮＣ、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^０Ｒ^００、−Ｃ（Ｏ）Ｘ^０、−Ｃ（Ｏ）Ｒ^０、−ＮＨ_２、−ＮＲ^０Ｒ^００、−ＳＨ、−ＳＲ^０、−ＳＯ_３Ｈ、−ＳＯ_２Ｒ^０、−ＯＨ、−ＮＯ_２、−ＣＦ_３、−ＳＦ_５、任意に置換され、任意に１個もしくは２個以上のヘテロ原子を含む、１〜４０個のＣ原子を有する、任意に置換されたシリル、カルビルまたはヒドロカルビル、あるいはＰ−Ｓｐであり、
Ｒ^０およびＲ^００は、互いに独立して、Ｈまたは任意に置換されたＣ_１〜_４０カルビルもしくはヒドロカルビルであり、

Ｐは、重合可能なまたは架橋可能な基であり、
Ｓｐは、スペーサー基または単結合であり、
Ｘ^０は、ハロゲン、好ましくは、Ｆ、ＣｌまたはＢｒであり、
ａ、ｂ、ｃおよびｄは、各出現において同一であるかまたは異なり、０、１または２であり、ここで、少なくとも１個の繰り返し単位ｂは、１である、
で表される繰り返し単位を含有する。

本発明のさらに好ましいポリマーは、式ＩまたはＩ１で表される単位に加え、任意に置換された、単環式または多環式アリールまたはヘテロアリール基から選択される、１個または２個以上のさらなる繰り返し単位を含有する。

これらのさらなる繰り返し単位は、好ましくは、式ＩＩ
式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、式Ｉ１において定義したとおりであり、Ｍは、任意に、本明細書において定義される１個または２個以上の基Ｒ^１により置換された、５〜３０個の環原子を有する、アリールまたはヘテロアリール基であり、好ましくは、電子受容体特性を有するアリールまたはヘテロアリール基から選択される、
で表されるものである。

本発明の共役ポリマーは、好ましくは、式ＩＩＩ：

式中、
Ａは、式ＩもしくはＩ１またはその好ましい従属式で表される単位であり、
Ｂは、任意に置換された、好ましくは式ＩＩで表されるものから選択された、１個または２個以上のアリールまたはヘテロアリール基を含む単位であり、
ｘは、＞０および≦１であり、
ｙは、≧０および＜１であり、
ｘ＋ｙは、１であり、および
ｎは、＞１の整数である、
で表されるものから選択される。

式ＩＩＩで表される好ましいポリマーは、式ＩＩＩａ
式中、Ｕ、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、式Ｉ１において定義したとおりであり、ｎは、式ＩＩＩにおいて定義したとおりであり、ここで、ポリマー中の個別の繰り返し単位［（Ａｒ^１）_ａ−（Ｕ）_ｂ−（Ａｒ^２）_ｃ−（Ａｒ^３）_ｄ］は、互いに同一であるかまたは異なるものであり得る、
で表されるものから選択される。

式ＩＩＩで表されるさらに好ましいポリマーは、式ＩＩＩｂ
式中、Ｕ、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、式Ｉ１において定義したとおりであり、Ｍは、式ＩＩにおいて定義したとおりであり、ｘ、ｙおよびｎは、式ＩＩＩにおいて定義したとおりである、
から選択される。

式ＩＩＩで表される好ましいポリマーは、式ＩＶ
式中、Ａ、Ｂ、ｘ、ｙおよびｎは、式ＩＩＩにおいて定義したとおりであり、Ｒ^２およびＲ^３は、互いに独立して、Ｒ^１の意味の１個、好ましくは、Ｆ、ＢｒまたはＣｌを有し、あるいはＨ、−ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨＯ、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＳｉＲ’Ｒ’’Ｒ’’’、−ＳｎＲ’Ｒ’’Ｒ’’’、−ＢＲ’Ｒ’’、−Ｂ（ＯＲ’）（ＯＲ’’）、−Ｂ（ＯＨ）_２またはＰ−Ｓｐを示し、式中、ＰおよびＳｐは、上記で定義したとおりであり、Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’は、互いに独立して、上記で定義したＲ^０の意味の１個を有し、Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’の２個は、それらが結合しているヘテロ原子と一緒になって環を形成してもよい、
から選択される。

式ＩＶで表される好ましいポリマーは、式ＩＶａおよびＩＶｂ
式中、Ｕ、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、式Ｉ１において定義したとおりであり、Ｍは、式ＩＩにおいて定義したとおりであり、ｘ、ｙおよびｎは、式ＩＩＩにおいて定義したとおりであり、ならびにＲ^２およびＲ^３は式ＩＶにおいて定義したとおりである、
で表されるものから選択される。

本発明のポリマーにおいて、繰り返し単位ｎの総数は、好ましくは、２〜１０，０００である。前述のｎの下限および上限のあらゆる組み合わせを含めて、好ましくは≧５、極めて好ましくは≧１０、最も好ましくは≧５０、および好ましくは≦５００、極めて好ましくは≦１，０００、最も好ましくは≦２，０００である。

本発明のポリマーは、ホモポリマーならびにコポリマー、例えば統計またはランダムコポリマー、交互コポリマーおよびブロックコポリマー、ならびにその組み合わせを含む。

式ＩＩＩもしくはＩＶまたはそれらの従属式により表されるポリマーにおいて、ｘは、単位Ａのモル画分を示し、ｙは、単位Ｂのモル画分を示し、ｎは、単位ＡおよびＢの重合度または総数を示す。これらの式には、ＡおよびＢのブロックコポリマー、ＡおよびＢのランダムまたは統計コポリマーおよび交互コポリマーが含まれ、ｘが、＞０およびｙが０である場合についてのＡのホモポリマーと同様である。

よって、本発明のポリマーにおいて、個別の繰り返し単位を、ポリマーが、同一のおよび/または異なる繰り返し単位を含み得るように、互いに独立して選択することができる。よって、ポリマーには、
− 統計またはランダムコポリマー、例えば、−Ａｒ^１−Ｕ−Ｕ−Ａｒ^２−Ｕ−Ａｒ^３−Ａｒ^１−Ａｒ^２−Ａｒ^３−Ｍ−などのモノマー配列を伴うもの、
− 単位（Ａｒ^１−Ｕ−Ａｒ^２−Ａｒ^３）および単位（Ａｒ^１−Ｍ−Ａｒ^２−Ａｒ^３）で表される統計または交互コポリマー、

− 交互コポリマー、例えば、−Ａｒ^１−Ｕ−Ａｒ^１−Ｕ−Ａｒ^１−Ｕ−、−Ａｒ^１−Ｕ−Ａｒ^２−Ａｒ^１−Ｕ−Ａｒ^２−または−Ａｒ^１−Ｕ−Ａｒ^２−Ａｒ^３−Ａｒ^１−Ｕ−Ａｒ^２−Ａｒ^３などの配列を伴うもの、これらは、それぞれ繰り返し単位（Ａｒ^１−Ｕ）、（Ａｒ^１−Ｕ−Ａｒ^２）および（Ａｒ^１−Ｕ−Ａｒ^２−Ａｒ^３）のホモポリマーとしても捉えることができ、あるいは−（Ａｒ^１−Ｕ−Ａｒ^２）−（Ａｒ^１−Ｕ）−（Ａｒ^１−Ｕ−Ａｒ^２）−（Ａｒ^１−Ｕ）−などの配列を伴うもの、および
− ブロックコポリマー、例えば、−Ａｒ^１−Ａｒ^１−Ｕ−Ｕ−Ｕ−Ｕ−Ａｒ^２−Ａｒ^２−Ａｒ^２−Ａｒ^３−Ａｒ^３−Ａｒ^３−Ａｒ^３（Ａｒ^１、Ｕ、Ａｒ^２およびＡｒ^３が繰り返し単位と捉えられる場合である）などの配列を伴うもの、あるいは−（Ａｒ^１−Ｕ）−（Ａｒ^１−Ｕ）−（Ａｒ^１−Ｕ）−（Ａｒ^１−Ｕ−Ａｒ^２）−（Ａｒ^１−Ｕ−Ａｒ^２）−（Ａｒ^１−Ｕ−Ａｒ^２）など（例えば、（Ａｒ^１−Ｕ）および（Ａｒ^１−Ｕ−Ａｒ^２）が繰り返し単位と捉えられる場合である）の配列を伴うもの、

ここで、基Ａｒ^１、Ｕ、Ａｒ^２およびＡｒ^３は、一緒になって、共役系を形成し、およびここで、さらに、１より多く出現する基（例えば、配列−Ａｒ^１−Ａｒ^１−Ａｒ^１−における、各基Ａｒ^１）は、互いに同一または異なり得る、
の例などのホモポリマーおよびコポリマーが含まれる。

特に、好ましいのは、同一の繰り返し単位からなる、式（Ａｒ^１−Ｕ）_ｎ、（Ａｒ^１−Ｕ−Ａｒ^２）_ｎ、（Ａｒ^１−Ｕ−Ａｒ^３）_ｎ、（Ａｒ^１−Ｕ−Ａｒ^２−Ａｒ^３）_ｎで表されるポリマーである。

さらに好ましいのは、以下の式
式中、Ｕ、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、式Ｉ１において定義したとおりであり、Ｍは、式ＩＩにおいて定義したとおりであり、ｘ、ｙおよびｎは、式ＩＩＩにおいて定義したとおりであり、ここで、これらのポリマーは、交互またはランダムコポリマーであり得る、
で表されるコポリマーである。

本発明の別の側面は、式Ｖ
式中、Ｕ、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ｒ^２およびＲ^３は、式Ｉ１およびＩＶで表される意味を、または本明細書において記載するとおりの好ましい意味を有する、
で表されるモノマーに関する。

特に好ましいのは、式Ｖで表されるモノマーであって、ここで、Ｒ^２およびＲ^３は、好ましくは、互いに独立して、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｏ−トシラート、Ｏ−トリフラート、Ｏ−メシラート、Ｏ−ノナフラート、−ＳｉＭｅ_２Ｆ、−ＳｉＭｅＦ_２、−Ｏ−ＳＯ_２Ｚ^１、−Ｂ（ＯＺ_２）_２、−ＣＺ^３＝Ｃ（Ｚ^３）_２、−Ｃ≡ＣＨおよび−Ｓｎ（Ｚ^４）_３からなる群から選択され、ここで、Ｚ^１〜４は、アルキルおよびアリールからなる群から選択され、その各々が、任意に置換され、２個のＺ^２はまた、環式基を形成してもよい。

式Ｉ、Ｉ１、ＩＩ、ＩＩ、ＩＶ、Ｖおよびそれらの従属式で表される、好ましい繰り返し単位、モノマーおよびポリマーは、好ましい態様の以下の：
− ｙは、≧０および≦１であり、
− ｂ＝ｄ＝１およびａ＝ｃ＝０、好ましくは、全ての繰り返し単位において、
− ａ＝ｂ＝ｃ＝ｄ＝１、好ましくは、全ての繰り返し単位において、
− ａ＝ｂ＝ｄ＝１およびｃ＝０、好ましくは、全ての繰り返し単位において、
− ａ＝ｂ＝ｃ＝１およびｄ＝０、好ましくは、全ての繰り返し単位において、
− ａ＝ｃ＝２、ｂ＝１およびｄ＝０、好ましくは、全ての繰り返し単位において、
− ａ＝ｃ＝２およびｂ＝ｄ＝１、好ましくは、全ての繰り返し単位において、

− Ａｒ^１およびＡｒ^２は、チオフェン−２，５−ジイル、チアゾール−２，５−ジイル、セレノフェン−２，５−ジイル、フラン−２，５−ジイル、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、チエノ［２，３−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［３，２−ｂ］セレノフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［２，３−ｂ］セレノフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、またはセレノフェノ［２，３−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、２，２’−ビチオフェン−５，５’−ジイルからなる群から選択され、それらの全ては非置換であるか、または好ましくは、本明細書において定義されるとおりのＲ^１で、一置換または多置換され、

− Ａｒ^３は、１，４−フェニレン、２，３−ジシアノ−１，４−フェニレン、２，５−ジシアノ、２，３−ジフルロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，３，５，６−テトラフルオロ、３，４−ジフルオロチオフェン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、チオフェン−２，５−ジイル、フラン−２，５−ジイル、セレノフェン−２，５−ジイル、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、チエノ［２，３−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［３，２−ｂ］セレノフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［２，３−ｂ］セレノフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［２，３−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン−２，６−ジイル、ベンゾ［２，１−ｂ；３，４−ｂ’］ジチオフェン−２，７−ジイル、２，２−ジチオフェン、２，２−ジセレノフェン、ジチエノ［３，２−ｂ：２’，３’−ｄ］シロール−５，５−ジイル、ジチエノ［３，２−ｂ；２’，３’−ｄ］ピロール−５，５−ジイル、４Ｈ−シクロペンタ［２，１−ｂ：３，４−ｂ’］ジチオフェン−２，６−ジイル、カルバゾール−２，７−ジイル、フルオレン−２，７−ジイル、インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン−２，７−ジイル、

ベンゾ［１’’，２’’：４，５；４’’，５’’：４’，５’］ビス（シロロ［３，２−ｂ：３’，２’−ｂ’］チオフェン）−２，７−ジイル、フェナントロ［１，１０，９，８−ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇ］カルバゾール−２，７−ジイル、ジヒドロベンゾ［ｄｅｆ］カルバゾール−２，７−ジイル、ベンゾ［２，１，３］チアジアゾール−４，７−ジイル、ベンゾ［２，１，３］セレナジアゾール−４，７−ジイル、ベンゾ［２，１，３］オキサジアゾール−４，７−ジイル、２Ｈ−ベンゾトリアゾール−４，７−ジイル、キノキサリン−５，８−ジイル、チエノ［３，４−ｂ］ピラジン−２，５−ジイル、チエノ［３，４−ｂ］チオフェン−４，６−ジイル、チエノ［３，４−ｂ］チオフェン−６，４−ジイル、チエノ［２，１，３］チアジアゾール−２，５−ジイル、ピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン−３，６−ジイル、または［１，３］チアゾロ［５，４−ｄ］［１，３］チアゾール−２，５−ジイル、チエノ［３，４−ｃ］ピロール−４，６−ジオン−１，３−ジイル、４−オキサ−１，８−ジチア−ａｓ−インダセン−２，７−ジイル、ベンゾ［ｃ］クロメン−３，８−ジイルからなる群から選択され、それらの全ては非置換であるか、または好ましくは本明細書において定義されるとおりのＲ^１で、一置換または多置換され、

− Ｍは、１，４−フェニレン、２，３−ジシアノ−１，４−フェニレン、２，５−ジシアノ、２，３−ジフルロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，３，５，６−テトラフルオロ、３，４−ジフルオロチオフェン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、チオフェン−２，５−ジイル、フラン−２，５−ジイル、セレノフェン−２，５−ジイル、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、チエノ［２，３−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［３，２−ｂ］セレノフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［２，３−ｂ］セレノフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、

セレノフェノ［２，３−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン−２，６−ジイル、ベンゾ［２，１−ｂ；３，４−ｂ’］ジチオフェン−２，７−ジイル、２，２−ジチオフェン、２，２−ジセレノフェン、ジチエノ［３，２−ｂ：２’，３’−ｄ］シロール−５，５−ジイル、ジチエノ［３，２−ｂ；２’，３’−ｄ］ピロール−５，５−ジイル、４Ｈ−シクロペンタ［２，１−ｂ：３，４−ｂ’］ジチオフェン−２，６−ジイル、カルバゾール−２，７−ジイル、フルオレン−２，７−ジイル、インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン−２，７−ジイル、ベンゾ［１’’，２’’：４，５；４’’，５’’：４’，５’］ビス（シロロ［３，２−ｂ：３’，２’−ｂ’］チオフェン）−２，７−ジイル、フェナントロ［１，１０，９，８−ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇ］カルバゾール−２，７−ジイル、ジヒドロベンゾ［ｄｅｆ］カルバゾール−２，７−ジイル、ベンゾ［２，１，３］チアジアゾール−４，７−ジイル、

ベンゾ［２，１，３］セレナジアゾール−４，７−ジイル、ベンゾ［２，１，３］オキサジアゾール−４，７−ジイル、２Ｈ−ベンゾトリアゾール−４，７−ジイル、キノキサリン−５，８−ジイル、チエノ［３，４−ｂ］ピラジン−２，５−ジイル、チエノ［３，４−ｂ］チオフェン−４，６−ジイル、チエノ［３，４−ｂ］チオフェン−６，４−ジイル、チエノ［２，１，３］チアジアゾール−２，５−ジイル、ピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン−３，６−ジイル、または［１，３］チアゾロ［５，４−ｄ］［１，３］チアゾール−２，５−ジイル、チエノ［３，４−ｃ］ピロール−４，６−ジオン−１，３−ジイル、４−オキサ−１，８−ジチア−ａｓ−インダセン−２，７−ジイル、ベンゾ［ｃ］クロメン−３，８−ジイルからなる群から選択され、それらの全ては非置換であるか、または好ましくは本明細書において定義されるとおりのＲ^１で、一置換または多置換され、

− ｎは、少なくとも５、好ましくは少なくとも１０、極めて好ましくは少なくとも５０であり、２，０００まで、好ましくは５００までであり、
− Ｍ_ｗは、少なくとも５，０００、好ましくは少なくとも８，０００、極めて好ましくは少なくとも１０，０００であり、好ましくは３００，０００まで、極めて好ましくは１００，０００までであり、
− Ｒ^１は、１〜３０個のＣ原子を有する、第一級アルキルまたはアルコキシ、３〜３０個のＣ原子を有する、第二級アルキルまたはアルコキシ、および４〜３０個のＣ原子を有する、第三級アルキルまたはアルコキシからなる群から選択され、ここで、これらの全ての基において、１個または２個以上のＨ原子は、任意にＦにより置き換えられ、

− Ｒ^１は、アリール、ヘテロアリール、アリールオキシ、ヘテロアリールオキシからなる群から選択され、その各々は、任意にアルキル化またはアルコキシ化され、４〜３０個の環原子を有し、

− Ｒ^１は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、Ｒ^４、−Ｃ（Ｏ）−Ｒ^４、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｒ^４、または−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ^４であり、ここで、Ｒ^４は、１〜３０個のＣ原子を有する、直鎖状、分枝状または環状アルキルであり、ここで、１個または２個以上の隣接していないＣ原子は、任意に、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−ＣＲ^０＝ＣＲ^０−または−Ｃ≡Ｃ−によって置き換えられ、ここで、１個または２個以上のＨ原子は、任意に、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮにより置き換えられ、あるいはＲ^１は、４〜３０個の環原子を有する、アリール、アリールオキシ、ヘテロアリールまたはヘテロアリールオキシであり、これらは、非置換であるか、または１個または２個以上のハロゲン原子により、もしくは上記で定義したとおりの１個または２個以上の基Ｒ^４、−Ｃ（Ｏ）−Ｒ^４、−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｒ^４、もしくは−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ^４により置換され、

− Ｒ^４は、１〜３０個のＣ原子を、極めて好ましくは１〜１５個のＣ原子を有する第一級アルキル、３〜３０個のＣ原子を有する第二級アルキル、または４〜３０個のＣ原子を有する第三級アルキルであり、ここで、これらの全ての基において、１個または２個以上のＨ原子は、任意に、Ｆにより置き換えられ、
− Ｒ^０およびＲ^００は、ＨまたはＣ_１〜Ｃ_１０アルキルから選択され、

− Ｒ^２およびＲ^３は、Ｈ、ハロゲン、−ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨＯ、−ＣＨ＝ＣＨ_２−ＳｉＲ’Ｒ’’Ｒ’’’、−ＳｎＲ’Ｒ’’Ｒ’’’、−ＢＲ’Ｒ’’、−Ｂ（ＯＲ’）（ＯＲ’’）、−Ｂ（ＯＨ）_２、Ｐ−Ｓｐ、Ｃ_１〜Ｃ_２０−アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_２０−アルコキシ、Ｃ_２〜Ｃ_２０−アルケニル、Ｃ_１〜Ｃ_２０−フルオロアルキルおよび任意に、置換されたアリールまたはヘテロアリールからなる群から選択され、

− Ｒ^２およびＲ^３は、好ましくは互いに独立して、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｏ−トシラート、Ｏ−トリフラート、Ｏ−メシラート、Ｏ−ノナフラート、−ＳｉＭｅ_２Ｆ、−ＳｉＭｅＦ_２、−Ｏ−ＳＯ_２Ｚ^１、−Ｂ（ＯＺ_２）_２、−ＣＺ^３＝Ｃ（Ｚ^４）_２、−Ｃ≡ＣＨおよび−Ｓｎ（Ｚ^４）_３からなる群から選択され、ここで、Ｚ^１〜４は、アルキルおよびアリールからなる群から選択され、その各々が、任意に置換され、２個のＺ^２はまた、環式基を形成してもよく、極めて好ましくはＢｒである、
リストから選択される。

式ＩＩＩで表される好ましいポリマーは、以下の式：

式中、ｎ、ｘおよびｙは、式ＩＩＩにおいて示された意味の１個または本明細書において示された好ましい意味の１個を有し、Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’、Ｒ’’’、Ｒ’’’’、Ｒ’’’’’、Ｒ’’’’’’、Ｒ’’’’’’’およびＲ’’’’’’’’は、各出現において同一であるかまたは異なり、互いに独立して、Ｈを示すか、または式ＩＩにおいて示されたＲ^１の意味の１個または本明細書において示されたＲ^１の好ましい意味の１個を有し
からなる群から選択される。

式ＩＩＩ１〜ＩＩＩ２６において、Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’、Ｒ’’’、Ｒ’’’’、Ｒ’’’’’、Ｒ’’’’’’、Ｒ’’’’’’’およびＲ’’’’’’’’は、Ｈとは異なる場合には、好ましくは、１〜３０個のＣ原子を有する、第一級アルキルまたはアルコキシ、３〜３０個のＣ原子を有する、第二級アルキルまたはアルコキシ、および４〜３０個のＣ原子を有する、第三級アルキルまたはアルコキシからなる群から選択され、ここで、これらの全ての基において、１個または２個以上のＨ原子は、任意にＦにより置き換えられている。

式ＩＩＩで表されるさらに好ましいポリマーは、式
Ｒ^２−ｃｈａｉｎ−Ｒ^３
式中、「ｃｈａｉｎ」は、上記の式ＩＩＩ１〜ＩＩＩ２６から選択されたポリマー鎖であり、Ｒ^２およびＲ^３は、式ＩＶにおいて示した意味の１個または本明細書において示した好ましい意味の１個を有する、
で表されるものから選択される。

本発明のポリマーを、当業者に知られており、文献に記載されている方法に従って、またはそれと同様にして合成することができる。他の調製方法を、例から採用することができる。例えば、それらを、アリール−アリールカップリング反応、例えば山本カップリング、鈴木カップリング、スティルカップリング、薗頭カップリング、ヘックカップリングまたはバックウォルドカップリングによって好適に調製することができる。鈴木カップリング、スティルカップリングおよび山本カップリングが、特に好ましい。

重合させてポリマーの繰り返し単位を形成するモノマーを、当業者に知られている方法に従って調製することができる。
好ましくは、ポリマーを、式Ｉａで表されるモノマーまたは本明細書中に記載したその好ましい態様から調製する。

本発明の他の側面は、式Ｉで表される１個もしくは２個以上の同一であるかもしくは異なるモノマー単位または式Ｉａで表されるモノマーを、互いに、および／または１種もしくは２種以上のコモノマーと、重合反応において、好ましくはアリール−アリールカップリング反応においてカップリングさせることによる、ポリマーを調製する方法である。

好適であり、好ましいコモノマーは、式
Ｒ^２−Ａｒ^３−Ｒ^３
式中、Ｒ^２およびＲ^３は、式ＩＶの意味の１個または本明細書中に示した好ましい意味の１個を有し、Ａｒ^３は、式ＩＩの意味の１個、または本明細書中に示した好ましい意味の１個を有する、
で表されるものである。

重合のための好ましい方法は、Ｃ−ＣカップリングまたはＣ−Ｎカップリングをもたらすもの、例えば、例えばWO 00/53656に記載されている鈴木重合、例えばT. Yamamoto et al., Progress in Polymer Science 1993, 17, 1153-1205またはWO 2004/022626 A1に記載されている山本重合、およびスティルカップリングである。例えば、直線状重合体を山本重合によって合成する場合には、２個の反応性ハロゲン化物基Ｒ^２およびＲ^３を有する上に記載したモノマーを、好ましくは使用する。直線状重合体を鈴木重合によって合成する場合には、好ましくは上に記載したモノマーを使用し、ここで少なくとも１個の反応性基Ｒ^２またはＲ^３は、ボロン酸またはボロン酸誘導体基である。

鈴木重合を使用して、ホモポリマー、ならびに統計、交互およびブロックランダムコポリマーを調製してもよい。統計またはブロックコポリマーを、例えば式Ｖで表され、ここで反応性基Ｒ^２およびＲ^３の一方がハロゲンであり、他方の反応性基がボロン酸またはボロン酸誘導体基である上記のモノマーから調製することができる。統計、交互およびブロックコポリマーの合成は、例えばWO 03/048225 A2またはWO 2005/014688 A2に詳細に記載されている。

鈴木重合は、Ｐｄ（０）錯体またはＰｄ（ＩＩ）塩を使用する。好ましいＰｄ（０）錯体は、少なくとも１個のホスフィン配位子を保有するもの、例えばＰｄ（Ｐｈ_３Ｐ）_４である。他の好ましいホスフィン配位子は、トリス（オルト−トリル）ホスフィン、すなわちＰｄ（ｏ−Ｔｏｌ）_４である。好ましいＰｄ（ＩＩ）塩は、酢酸パラジウム、すなわちＰｄ（ＯＡｃ）_２を含む。鈴木重合を、塩基、例えば炭酸ナトリウム、リン酸カリウムまたは有機塩基、例えばテトラエチルアンモニウムカーボネートの存在下で行う。山本重合は、Ｎｉ（０）錯体、例えばビス（１，５−シクロオクタジエニル）ニッケル（０）を使用する。

上に記載したハロゲンの代替として、式−Ｏ−ＳＯ_２Ｚ^１で表される脱離基を使用することができ、ここでＺ^１は上に記載したとおりである。そのような脱離基の特定の例は、トシラート、メシラートおよびトリフラートである。
式Ｉ、Ｉ１、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶおよびＶで表される、繰り返し単位、モノマーおよびポリマーの特に好適で好ましい合成方法を、以下に示す合成スキーム中で図解し、ここで、Ａｒ^１、Ａｒ^２およびＡｒ^３は、式ＩＩにおいて定義したとおりである。

３，６−ジブロモ−チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジオンおよび３，６−ジヨード−チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジオンが、Guenther, Erhard; Huenig, Siegfried. Chemische Berichte 1992, 125, 1235-41において記載されてきた。３，６−ジブロモ−フロ［３，２−ｂ］フラン−２，５−ジオンが、Stachel, Hans-Dietrich; Jungkenn, Michael; Koser-Gnoss, Christiane; Poschenrieder, Hermann; Redlin, Jutta. Liebigs Annalen der Chemie 1994, 961-4において記載されてきた。代替的に、対称または非対称な３，６−ジアリール−フロ［３，２−ｂ］フラン−２，５−ジオン核の一般的調製が、例えば、US 3,780,064において記載されてきた。

チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジオン核のさらなる感応化のための合成スキームを、スキーム１および２において示し、ここで、Ｘは、ハロゲン、例えばヨウ素または臭素などであり、あるいはＸは、スルホナート、例えばトリファートまたはノナフラートなどである。対応するフロ［３，２−ｂ］フラン−２，５−ジオン核を、これと同様に官能化させることができる。

チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジオンの共重合のための合成スキームを、スキーム３および４において示す。フロ［３，２−ｂ］フラン−２，５−ジオンの対応するコポリマーを、これと同様に調製することができる。

本明細書において記載したモノマーおよびポリマーの調製の新規な方法は、本発明の別の側面である。
本発明のポリマーをまた、混合物またはポリマー混合品において、例えばモノマー化合物と一緒に、または電荷輸送、半導体、導電性、光伝導性および／または発光半導体特性を有する他のポリマーと一緒に、または例えばＯＬＥＤ装置において中間層もしくは電荷遮断層として使用するための正孔遮断もしくは電子遮断特性を有するポリマーと共に使用することができる。

したがって、本発明の他の観点は、前述の特性の１つまたは２つ以上を有する本発明の１種または２種以上のポリマーおよび１種または２種以上のさらなるポリマーを含むポリマー混合品に関する。これらの混合品を、従来技術に記載されており、当業者に知られている慣用の方法によって調製することができる。典型的には、ポリマーを、互いに混合するかまたは好適な溶媒に溶解し、溶液を合わせる。

本発明の他の側面は、本明細書中に記載した１種または２種以上のポリマー、混合物またはポリマー混合品および１種または２種以上の有機溶媒を含む処方物に関する。

好ましい溶媒は、脂肪族炭化水素、塩素化炭化水素、芳香族炭化水素、ケトン、エーテルおよびその混合物である。使用することができる付加的な溶媒は、１，２，４−トリメチルベンゼン、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、ペンチルベンゼン、メシチレン、クメン、シメン、シクロヘキシルベンゼン、ジエチルベンゼン、テトラリン、デカリン、２，６−ルチジン、２−フルオロ−ｍ−キシレン、３−フルオロ−ｏ−キシレン、２−クロロベンゾトリフルオリド、ジメチルホルムアミド、２−クロロ−６フルオロトルエン、２−フルオロアニソール、アニソール、２，３−ジメチルピラジン、４−フルオロアニソール、３−フルオロアニソール、３−トリフルオロ−メチルアニソール、２−メチルアニソール、フェネトール、

４−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−フルオロ−３−メチルアニソール、２−フルオロベンゾニトリル、４−フルオロベラトロール、２，６−ジメチルアニソール、３−フルオロベンゾニトリル、２，５−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ベンゾニトリル、３，５−ジメチルアニソール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、安息香酸エチル、１−フルオロ−３，５−ジメトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、Ｎ−メチルピロリジノン、３−フルオロベンゾトリフルオリド、ベンゾトリフルオリド、ベンゾトリフルオリド、ジオキサン、トリフルオロメトキシベンゼン、４−フルオロベンゾトリフルオリド、３−フルオロピリジン、

トルエン、２−フルオロトルエン、２−フルオロベンゾトリフルオリド、３−フルオロトルエン、４−イソプロピルビフェニル、フェニルエーテル、ピリジン、４−フルオロトルエン、２，５−ジフルオロトルエン、１−クロロ−２，４−ジフルオロベンゼン、２−フルオロピリジン、３−クロロフルオロベンゼン、３−クロロフルオロベンゼン、１−クロロ−２，５−ジフルオロベンゼン、４−クロロフルオロベンゼン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、２−クロロフルオロベンゼン、ｐ−キシレン、ｍ−キシレン、ｏ−キシレンまたはｏ−、ｍ−およびｐ−異性体の混合物を含む。比較的低い極性を有する溶媒が、一般的に好ましい。インクジェット印刷のために、高い沸点を有する溶媒および溶媒混合物が、好ましい。スピンコーティングのために、アルキル化ベンゼン、例えばキシレンおよびトルエンが、好ましい。

特に好ましい溶媒の例は、限定されずにジクロロメタン、トリクロロメタン、モノクロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン、アニソール、モルホリン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、１，４−ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、テトラリン、デカリン、インダン、安息香酸メチル、安息香酸エチル、メシチレンおよび／またはその混合物を含む。

ポリマーの溶液中の濃度は、好ましくは０．１〜１０重量％、より好ましくは０．５〜５重量％である。任意に、当該溶液はまた、例えばWO 2005/055248 A1に記載されているように、レオロジー特性を調整するための１種または２種以上の結合剤を含む。

適切な混合および熟成の後に、溶液を、以下のカテゴリーの１つとして評価する：完全な溶液、境界的な溶液または不溶物。等高線を描画して、溶解性と不溶性とを分割する溶解度パラメーター−水素結合限界の外形を描く。溶解性領域内にある「完全な」溶媒を、例えば’’Crowley, J.D., Teague, G.S. Jr and Lowe, J.W. Jr., Journal of Paint Technology, 38, No 496, 296 (1966)’’に公表されている文献値から選択することができる。溶媒混合品をまた使用してもよく、’’Solvents, W.H.Ellis, Federation of Societies for Coatings Technology, p9-10, 1986’’に記載されているように同定することができる。少なくとも１種の真溶媒を混合品中に有するのが望ましいが、そのような手順によって、本発明の両方のポリマーを溶解する「非」溶媒の混合品がもたらされ得る。

本発明のポリマーをまた、本明細書中に記載したデバイス中のパターン形成したＯＳＣ層において使用することができる。現代のマイクロエレクトロニクスの用途のために、小さい構造またはパターンを生成して、コスト（より大きいデバイス／単位面積）および電力消費を低下させることが、一般的に望ましい。本発明のポリマーを含む薄層のパターン形成を、例えばフォトリソグラフィー、電子ビームリソグラフィーまたはレーザーパターニング(laser patterning)によって行うことができる。

電子または電気光学的デバイスにおいて薄層として使用するために、本発明のポリマー、ポリマー混合品または処方物を、任意の好適な方法によって堆積させてもよい。デバイスの液体コーティングは、真空蒸着手法よりも望ましい。溶液堆積法が、特に好ましい。本発明の処方物によって、多数の液体コーティング手法の使用が可能になる。

好ましい堆積手法は、限定されずに浸漬コーティング、スピンコーティング、インクジェット印刷、文字プレス印刷(letter-press printing)、スクリーン印刷、ドクターブレードコーティング、ローラー印刷、逆ローラー印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷、ウェブ印刷(web printing)、スプレーコーティング(spray coating)、はけ塗りまたはパッド印刷を含む。インクジェット印刷は、それによって高解像度層およびデバイスを製造することが可能になるので、特に好ましい。

本発明の選択された処方物を作成済みのデバイス基板に、インクジェット印刷またはマイクロディスペンシングによって適用してもよい。好ましくは、産業用圧電型印字ヘッド、例えば、しかし限定されずにAprion、日立工機、InkJet Technology、On Target Technology、Picojet、Spectra、Trident、Xaarによって供給されているものを使用して、有機半導体層を基板に適用してもよい。さらに、準工業ヘッド、例えばブラザー、エプソン、コニカ、セイコーインスツル、東芝ＴＥＣによって製造されているものまたは単一ノズルマイクロディスペンサー、例えばMicrodropおよびMicrofabによって生産されているものを、使用してもよい。

インクジェット印刷またはマイクロディスペンシングによって適用するために、ポリマーを、先ず好適な溶媒に溶解しなければならない。溶媒は、上に述べた要件を満たさなければならず、選択した印字ヘッドに対していかなる有害な効果をも有してはならない。さらに、溶媒は、＞１００℃、好ましくは＞１４０℃およびより好ましくは＞１５０℃の沸点を有して、印字ヘッドの内側で乾燥する溶液によって引き起こされた操作性の問題を防止しなければならない。上記で述べた溶媒とは別に、好適な溶媒は、置換および非置換のキシレン誘導体、ジ−Ｃ_１〜２−アルキルホルムアミド、置換および非置換アニソールおよび他のフェノールエーテル誘導体、置換複素環式化合物、例えば置換ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピロリジノン、置換および非置換Ｎ，Ｎ−ジ−Ｃ_１〜２−アルキルアニリンおよび他のフッ素化または塩素化芳香族化合物を含む。

本発明のポリマーをインクジェット印刷によって堆積させるための好ましい溶媒は、１つまたは２つ以上の置換基によって置換されており、ここで当該１つまたは２つ以上の置換基中の炭素原子の総数が少なくとも３であるベンゼン環を有するベンゼン誘導体を含む。例えば、ベンゼン誘導体は、プロピル基または３つのメチル基で置換されていてもよく、いずれの場合においても、合計で少なくとも３個の炭素原子がある。そのような溶媒によって、ポリマーを有する溶媒を含むインクジェット流体が生成することが可能になり、それによって、噴霧の間のジェットの目詰まりおよび部品の分離が低減または防止される。

溶媒（単数または複数）は、例の以下のリストから選択されたものを含んでもよい：ドデシルベンゼン、１−メチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、テルピネオールリモネン、イソズレン(isodurene)、テルピノレン、シメン、ジエチルベンゼン。溶媒は溶媒混合物であり得、それは２種または３種以上の溶媒の組み合わせであり、各溶媒は好ましくは＞１００℃、より好ましくは＞１４０℃の沸点を有する。そのような溶媒（単数または複数）はまた、堆積した層におけるフィルム形成を増強し、層中の欠陥を低減する。

インクジェット流体（それは溶媒、結合剤および半導体化合物の混合物である）は、好ましくは２０℃で１〜１００ｍＰａ・ｓ、より好ましくは１〜５０ｍＰａ・ｓおよび最も好ましくは１〜３０ｍＰａ・ｓの粘度を有する。

本発明のポリマーまたは処方物はさらに、例えば界面活性化合物、潤滑剤、湿潤剤、分散剤、疎水剤(hydrophobing agent)、接着剤、流動性向上剤、消泡剤、脱気剤、反応性または非反応性であり得る希釈剤、補助剤、着色剤、染料または顔料、感光剤、安定剤、ナノ粒子または阻害剤から選択された１種または２種以上のさらなる構成成分または添加剤を含むことができる。

本発明のポリマーは、光学的、電気光学的、電子的、エレクトロルミネセントまたはフォトルミネセント部品またはデバイスにおける電荷輸送、半導体、導電性、光伝導性または発光材料(light mitting material)として有用である。これらのデバイスにおいて、本発明のポリマーを、典型的には薄層またはフィルムとして適用する。

したがって、本発明はまた、電子デバイスにおける半導体ポリマー、ポリマー混合品、処方物または層の使用を提供する。当該処方物を、様々なデバイスおよび機器における高移動度の半導体材料として使用してもよい。当該処方物を、例えば半導体層またはフィルムの形態で使用してもよい。したがって、他の側面において、本発明は、電子デバイスにおいて使用するための半導体層を提供し、当該層は、本発明のポリマー、ポリマー混合品または処方物を含む。層またはフィルムは、約３０ミクロン未満であり得る。様々な電子デバイス用途のために、厚さは、厚さ約１ミクロン未満であり得る。当該層を、例えば電子デバイスの部分上に、前述の溶液コーティングまたは印刷手法のいずれかによって堆積させてもよい。

本発明はさらに、本発明のポリマー、ポリマー混合品、処方物または有機半導体層を含む電子デバイスを提供する。特に好ましいデバイスは、ＯＦＥＴ、ＴＦＴ、ＩＣ、論理回路、キャパシタ、ＲＦＩＤタグ、ＯＬＥＤ、ＯＬＥＴ、ＯＰＥＤ、ＯＰＶ、太陽電池、レーザーダイオード、光伝導体、光検出器、電子写真装置、電子写真記録装置、有機記憶装置、センサーデバイス、電荷注入層、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止フィルム、伝導性基板および伝導性パターンである。

特に好ましい電子デバイスは、ＯＦＥＴ、ＯＬＥＤおよびＯＰＶデバイス、特にバルクヘテロ接合(bulk heterojunction)（ＢＨＪ）ＯＰＶデバイスである。ＯＦＥＴにおいて、例えば、ドレインとソースとの間の活性な半導体チャネルは、本発明の層を含んでもよい。他の例として、ＯＬＥＤデバイスにおいて、電荷（正孔または電子）注入または輸送層は、本発明の層を含んでもよい。

ＯＰＶデバイスにおいて使用するために、本発明のポリマーを、好ましくはｐ型（電子供与）半導体およびｎ型（電子受容）半導体を含む(comprise)かまたは含有し(contain)、より好ましくは本質的にそれからなり、極めて好ましくは専らそれからなる処方物中で使用する。ｐ型半導体を、本発明のポリマーによって構成する。ｎ型半導体は、無機物質、例えば酸化亜鉛もしくはセレン化カドミウム、または有機物質、例えばフラーレン誘導体、例えば、例えばG. Yu, J. Gao, J.C. Hummelen, F. Wudl, A.J. Heeger, Science 1995、第２７０巻、p. 1789 ffに開示されている「ＰＣＢＭ」もしくは「Ｃ_６０ＰＣＢＭ」としても知られており、例えば（６，６）−フェニル−酪酸メチルエステル誘導体化されたメタノＣ_６０フラーレンのようなフラーレン誘導体、または、例えばＣ_７０フラーレン基を有する構造的に類似した化合物（Ｃ_７０ＰＣＢＭ）、またはポリマーであり得る（例えばCoakley, K. M.およびMcGehee, M. D. Chem. Mater. 2004, 16, 4533を参照）。

このタイプの好ましい材料は、本発明のポリマーの、Ｃ_６０もしくはＣ_７０フラーレンまたは修飾フラーレン、例えばＰＣＢＭとの混合品または混合物である。好ましくは、ポリマー：フラーレンの比率は、重量比で２：１〜１：２、より好ましくは重量比で１．２：１〜１：１．２、最も好ましくは重量比で１：１である。配合された混合物について、任意のアニーリングステップが、混合化された形態およびしたがってＯＰＶデバイス性能を最適化するために必要であり得る。

ＯＰＶデバイスは、例えば文献から知られている任意のタイプであり得る［例えばWaldauf et al., Appl. Phys. Lett. 89, 233517 (2006)を参照］。
本発明の第１の好ましいＯＰＶデバイスは、以下のものを含む：
− 一方が透明である、低い仕事関数の電極（１１）（例えば金属、例えばアルミニウム）および高い仕事関数の電極（１２）（例えばＩＴＯ）、
− 好ましくはＯＳＣ材料から選択され、電極（１１、１２）間に位置する正孔輸送材料および電子輸送材料を含む層（１３）（また「活性層」と称される）；当該活性層は、例えば二重層もしくは２つの別個の層またはｐ型およびｎ型半導体の混合品もしくは混合物として存在することができ、バルクヘテロ接合（ＢＨＪ）を形成する（例えばCoakley, K. M.およびMcGehee, M. D. Chem. Mater. 2004, 16, 4533を参照）、

− 例えばＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレンスルホネート））の混合品を含み、活性層（１３）と高い仕事関数の電極（１２）との間に位置して、高い仕事関数の電極の仕事関数を修正して、正孔についての抵抗接点を提供する、任意の導電性ポリマー層（１４）、
− 電子についての抵抗接点を提供するための、活性層（１３）に面する低い仕事関数の電極（１１）の側の任意のコーティング（１５）（例えばＬｉＦの）。

本発明の第２の好ましいＯＰＶデバイスは、逆ＯＰＶデバイスであり、以下のものを含む：
− 一方が透明である、低い仕事関数の電極（２１）（例えば金属、例えば金）および高い仕事関数の電極（２２）（例えばＩＴＯ）、
− 正孔輸送材料および電子輸送材料を含み、好ましくはＯＳＣ材料から選択され、電極（２１、２２）間に位置する層（２３）（また「活性層」と称される）；当該活性層は、例えば二重層もしくは２つの別個の層またはｐ型およびｎ型半導体の混合品もしくは混合物として存在することができ、ＢＨＪを形成する、

− 例えばＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの混合品を含み、活性層（２３）と低い仕事関数の電極（２１）との間に位置して、電子についての抵抗接点を提供する、任意の導電性ポリマー層（２４）、
− 正孔についての抵抗接点を提供するための、活性層（２３）に面する高い仕事関数の電極（２２）の側の任意のコーティング（２５）（例えばＴｉＯｘの）。

本発明のＯＰＶデバイスにおいて、ｐ型およびｎ型半導体材料を、好ましくは、上で記載したように、材料、例えばポリマー／フラーレン系から選択する。二重層が混合品である場合には、任意のアニーリングステップが、デバイス性能を最適化するために必要であり得る。

本発明の化合物、処方物および層はまた、ＯＦＥＴにおいて半導体チャネルとして使用するのに適している。したがって、本発明はまた、ゲート電極、絶縁（またはゲート絶縁体）層、ソース電極、ドレイン電極および、ソース電極とドレイン電極とを接続する有機半導体チャネルを含むＯＦＥＴであって、有機半導体チャネルが、本発明のポリマー、ポリマー混合品、処方物または有機半導体層を含む、前記ＯＦＥＴを提供する。ＯＦＥＴの他の特徴は、当業者に周知である。

ＯＳＣ材料がゲート誘電体とドレインおよびソース電極との間に薄膜として配置されているＯＦＥＴは、一般的に知られており、例えばUS 5,892,244、US 5,998,804、US 6,723,394および背景の章において引用されている参考文献に記載されている。利点、例えば本発明の化合物の可溶特性を使用した低コスト生産およびしたがって大きい表面の加工性により、これらのＦＥＴの好ましい用途は、例えば集積回路工学、ＴＦＴディスプレイおよびセキュリティー用途である。

ＯＦＥＴデバイス中のゲート、ソースおよびドレイン電極ならびに絶縁および半導体層を、任意の順序で配置してもよく、ただしソースおよびドレイン電極をゲート電極から絶縁層によって分離させ、ゲート電極および半導体層は共に、絶縁層と接触しており、ソース電極およびドレイン電極は共に、半導体層と接触している。

本発明のＯＦＥＴデバイスは、好ましくは以下のものを含む：
− ソース電極、
− ドレイン電極、
− ゲート電極、
− 半導体層、
− １つまたは２つ以上のゲート絶縁体層、
− 任意に基板。
ここで半導体層は、好ましくは、本明細書中に記載したポリマー、ポリマー混合品または処方物を含む。

ＯＦＥＴデバイスは、最上部のゲートデバイスまたは底部のゲートデバイスであり得る。ＯＦＥＴデバイスの好適な構造および製造方法は、当業者に知られており、文献、例えばUS 2007/0102696 A1に記載されている。

ゲート絶縁体層は、好ましくはフルオロポリマー、例えば商業的に入手できるCytop 809M（登録商標）またはCytop 107M（登録商標）（旭硝子から）を含む。好ましくは、ゲート絶縁体層を、例えばスピンコーティング、ドクターブレーディング、ワイヤー棒コーティング(wire bar coating)、噴霧もしくは浸漬コーティングまたは他の既知の方法によって、絶縁体材料および１個または２個以上のフッ素原子を有する１種または２種以上の溶媒（フルオロ溶媒(fluorosolvent)）、好ましくはパーフルオロ溶媒(perfluorosolvent)を含む処方物から堆積させる。好適なパーフルオロ溶媒は、例えばFC75（登録商標）（Acrosから入手可能、カタログ番号１２３８０）である。他の好適なフルオロポリマーおよびフルオロ溶媒は、従来技術において知られており、例えばパーフルオロポリマーTeflon AF（登録商標）1600もしくは2400（DuPontから）またはFluoropel（登録商標）（Cytonixから）またはパーフルオロ溶媒FC 43（登録商標）（Acros、番号12377）である。特に好ましいのは、例えばUS 2007/0102696 A1またはUS 7,095,044に開示されているように、１．０〜５．０、極めて好ましくは１．８〜４．０の低い誘電率（または誘電定数）を有する有機誘電材料（「low k材料」）である。

セキュリティー用途において、本発明の半導性材料を有するＯＦＥＴおよび他のデバイス、例えばトランジスタまたはダイオードを、ＲＦＩＤタグまたはセキュリティーマーキングのために使用して、有価証券、例えば銀行券、クレジットカードまたは身分証明書、国家のＩＤ文書、免許証または金銭的価値を有する任意の製品、例えば切手、チケット、株式、小切手などを確証し、偽造を防止することができる。

あるいはまた、本発明の材料を、ＯＬＥＤにおいて、例えばフラットパネルディスプレイ用途におけるアクティブディスプレイ材料として、またはフラットパネルディスプレイ、例えば液晶ディスプレイのバックライトとして使用することができる。一般的なＯＬＥＤを、多層構造を使用して実現する。発光層は、一般的に１つまたは２つ以上の電子輸送および／または正孔輸送層の間にはさまれている。電気的電圧を印加することによって、電荷担体としての電子および正孔は、発光相の方向に移動し、ここでそれらの再結合によって、発光層中に含まれるルモフォア(lumophor)単位の励起およびしたがってルミネセンスがもたらされる。
本発明の化合物、材料およびフィルムを、それらの電気的および／または光学的特性に対応して、電荷輸送層の１つもしくは２つ以上において、および／または発光層において使用してもよい。

さらに、本発明の化合物、材料およびフィルムがそれら自体エレクトロルミネセント特性を示すかまたはエレクトロルミネセント基もしくは化合物を含む場合には、発光層内でのそれらの使用は、特に有利である。ＯＬＥＤにおいて使用するのに適しているモノマー、オリゴマーおよびポリマー化合物または材料の選択、特徴づけおよび加工は、当業者によって一般的に知られている。例えばMeerholz, Synthetic Materials, 111-112, 2000, 31-34, Alcala, J. Appl. Phys., 88, 2000, 7124-7128およびそこに引用されている文献を参照。

他の使用において、本発明の材料、特にフォトルミネセント特性を示すものを、例えばEP 0 889 350 A1に、またはC. Weder et al., Science, 279, 1998, 835-837によって記載されているように、ディスプレイデバイスにおいて光源の材料として使用してもよい。

本発明のさらなる側面は、本発明の化合物の酸化形態および還元形態の両方に関する。電子の損失または獲得のいずれかの結果、高い伝導性を有する高度に非局在化されたイオン形態の生成がもたらされる。これは、一般的なドーパントへの接触で生じ得る。ドーピングの好適なドーパントおよび方法は、例えばEP 0 528 662、US 5,198,153またはWO 96/21659から当業者に知られている。

ドーピングプロセスは、典型的には半導体材料を酸化還元反応において酸化剤または還元剤で処理して、材料中に非局在化されたイオン中心を形成し、対応する対イオンは、適用されたドーパントから誘導されることを意味する。好適なドーピング方法は、例えばドーピング蒸気への大気圧における、または減圧における曝露、ドーパントを含む溶液中での電気化学的ドーピング、ドーパントを半導体材料と接触させて熱的に拡散させること、およびドーパントの半導体材料中へのイオン注入を含む。

電子を担体として使用する場合には、好適なドーパントは、例えばハロゲン（例えばＩ_２、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、ＩＣｌ、ＩＣｌ_３、ＩＢｒおよびＩＦ）、ルイス酸（例えばＰＦ_５、ＡｓＦ_５、ＳｂＦ_５、ＢＦ_３、ＢＣｌ_３、ＳｂＣｌ_５、ＢＢｒ_３およびＳＯ_３）、プロトン酸、有機酸またはアミノ酸（例えばＨＦ、ＨＣｌ、ＨＮＯ_３、Ｈ_２ＳＯ_４、ＨＣｌＯ_４、ＦＳＯ_３ＨおよびＣｌＳＯ_３Ｈ）、遷移金属化合物（例えばＦｅＣｌ_３、ＦｅＯＣｌ、Ｆｅ（ＣｌＯ_４）_３、Ｆｅ（４−ＣＨ_３Ｃ_６Ｈ_４ＳＯ_３）_３、ＴｉＣｌ_４、ＺｒＣｌ_４、ＨｆＣｌ_４、ＮｂＦ_５、ＮｂＣｌ_５、ＴａＣｌ_５、ＭｏＦ_５、ＭｏＣｌ_５、ＷＦ_５、ＷＣｌ_６、ＵＦ_６およびＬｎＣｌ_３（ここでＬｎはランタノイドである）、アニオン（例えばＣｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、Ｉ_３ ⁻、ＨＳＯ_４ ⁻、ＳＯ_４ ^２−、ＮＯ_３ ⁻、ＣｌＯ_４ ⁻、ＢＦ_４ ⁻、ＰＦ_６ ⁻、ＡｓＦ_６ ⁻、ＳｂＦ_６ ⁻、ＦｅＣｌ_４ ⁻、Ｆｅ（ＣＮ）_６ ^３−および様々なスルホン酸のアニオン、例えばアリール−ＳＯ_３ ⁻である。正孔を担体として使用する場合には、ドーパントの例は、カチオン（例えばＨ^＋、Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｒｂ^＋およびＣｓ^＋）、アルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓ）、アルカリ土類金属（例えばＣａ、ＳｒおよびＢａ）、Ｏ_２、ＸｅＯＦ_４、（ＮＯ_２ ^＋）（ＳｂＦ_６ ⁻）、（ＮＯ_２ ^＋）（ＳｂＣｌ_６ ⁻）、（ＮＯ_２ ^＋）（ＢＦ_４ ⁻）、ＡｇＣｌＯ_４、Ｈ_２ＩｒＣｌ_６、Ｌａ（ＮＯ_３）_３・６Ｈ_２Ｏ、ＦＳＯ_２ＯＯＳＯ_２Ｆ、Ｅｕ、アセチルコリン、Ｒ_４Ｎ^＋（Ｒはアルキル基である）、Ｒ_４Ｐ^＋（Ｒはアルキル基である）、Ｒ_６Ａｓ^＋（Ｒはアルキル基である）およびＲ_３Ｓ^＋（Ｒはアルキル基である）である。

本発明の化合物の伝導性形態を、ＯＬＥＤ用途における電荷注入層およびＩＴＯ平坦化層、フラットパネルディスプレイのためのフィルムおよびタッチスクリーン、帯電防止フィルム、印刷された伝導性基板、電子的用途、例えば印刷回路板およびコンデンサーにおけるパターンまたは区域を含むが、これらに限定されない用途における有機「金属」として使用することができる。

本発明の化合物および処方物はまた、例えばKoller et al., Nature Photonics 2008（２００８年９月２８日にオンラインで公表された）に記載されているように、有機プラスモン発光ダイオード（ＯＰＥＤ）において使用するのに好適であり得る。

他の使用において、本発明の材料を、例えばUS 2003/0021913に記載されているように、ＬＣＤまたはＯＬＥＤデバイスにおける整列層において、または整列層として、単独でまたは他の材料と一緒に使用することができる。本発明の電荷輸送化合物の使用によって、整列層の電気伝導率を増大させることができる。ＬＣＤにおいて使用した場合には、この増大した電気伝導率によって、切り替え可能なＬＣＤセルにおける悪影響の残留ｄｃ効果を低減させ、画像固着(image sticking)を抑制させるか、または、例えば強誘電体ＬＣＤにおいては、強誘電体ＬＣの自発的な分極電荷の切り替えによって発生した残留電荷を低減させることができる。

整列層上に提供された発光材料を含むＯＬＥＤデバイスにおいて使用した場合には、この増大した電気伝導率によって、発光材料のエレクトロルミネセンスを増強させることができる。メソゲン性または液晶特性を有する本発明の化合物または材料は、上に記載したように配向した異方性フィルムを形成することができ、それは、前記異方性フィルム上に提供された液晶媒体における整列を誘発または増強するための整列層として特に有用である。本発明の材料をまた、US 2003/0021913に記載されているように、光配向層において、または光配向層として使用するための光異性体化可能な(photoisomerisable)化合物および／または発色団と組み合わせてもよい。

他の使用において、本発明の材料、特にそれらの水溶性誘導体（例えば極性もしくはイオン性側基を有する）またはイオン的にドープした形態を、ＤＮＡ配列を検出し、識別するための化学的センサーまたは材料として使用することができる。そのような使用は、例えばL. Chen, D. W. McBranch, H. Wang, R. Helgeson, F. WudlおよびD. G. Whitten, Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 1999, 96, 12287；D. Wang, X. Gong, P. S. Heeger, F. Rininsland, G. C. BazanおよびA. J. Heeger, Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2002, 99, 49；N. DiCesare, M. R. Pinot, K. S. SchanzeおよびJ. R. Lakowicz, Langmuir 2002, 18, 7785；D. T. McQuade, A. E. Pullen, T. M. Swager, Chem. Rev. 2000, 100, 2537に記載されている。

文脈が他に明白に示さない限り、本明細書中で使用した用語の複数形は、本明細書中で単数形を含むものと解釈するべきであり、逆もまた同様である。
本明細書の記載および特許請求の範囲の全体にわたって、「含む(comprise)」および「含有する(contain)」の語ならびに例えば当該語の変化形、例えば「含む(comprising)」および「含む(comprises)」は、「含むがこれらには限定されない」を意味し、他の構成成分を除外することを意図しない（および除外しない）。

本発明の先の態様に対する変法を、尚本発明の範囲内にある一方で、なすことができることが、認識される。本明細書中に開示した各特徴は、他に述べない限り同一であるか、同等であるかまたは同様の目的を果たす代替の特徴によって置き換えられ得る。したがって、他に述べない限り、開示した各特徴は、同等であるかまたは同様の特徴の包括的な一連のもののみの１つの例である。

本明細書中に開示したすべての特徴を、そのような特徴および／またはステップの少なくともいくつかが相互に排他的である組み合わせを除き、あらゆる組み合わせにおいて組み合わせてもよい。特に、本発明の好ましい特徴は、本発明のすべての観点に適用可能であり、あらゆる組み合わせにおいて使用され得る。同様に、本質的でない組み合わせにおいて記載した特徴を、別個に（組み合わせにおいてではなく）使用してもよい。

上に記載した特徴の、特に好ましい態様の多くが、独立して進歩性を有し、本発明の態様の一部であるに過ぎないわけではないことが、認識される。独立した保護が、これらの特徴について、目下クレームされているあらゆる発明に加えて、またはその代替として求められ得る。

本発明をここで、以下の例への参照によってより詳細に記載し、それは例示的であるに過ぎず、本発明の範囲を限定しない。

例１
１．１３，６−ビス−（３−オクチル−チオフェン−２−イル）−チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジオン

３，６−ジヨード−チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジオン（１．０００ｇ；２．３７０ｍｍｏｌ）、トリブチル−（３−オクチル−チオフェン−２−イル）−スタンナン（Bras, Jerome; Guillerez, Stephane; Pepin-Donat, Brigitte. Chem. Mater. 2000, 12, 2372-2384）（２．９７７ｇ；５．２１３ｍｍｏｌ）、ＰｄＣｌ_２（ＰＰｈ_３）_２（１６６ｍｇ；０．２３７ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（４５ｍｇ；０．２３７ｍｍｏｌ）およびトルエン（１００ｃｍ^３）を、２５０ｃｍ^３フラスコ中に加える。得られた混合物を、３０分間注意深く脱気し、次いで窒素保護下で、９０℃で１６ｈ加熱する。シリカを加え、溶媒を真空中で除去する。粗生成物を、カラムクロマトグラフィーにより精製し（溶離剤：石油エーテル４０〜６０：ＤＣＭ；７０：３０の比）、赤色粉末として純粋な生成物を回収する（６１２ｍｇ、収率：４６％）。

１．２３，６−ビス−（５−ブロモ−３−オクチル−チオフェン−２−イル）−チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジオン

３，６−ビス−（３−オクチル−チオフェン−２−イル）−チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジオン（１．１）（４１８ｍｇ；０．７４８ｍｍｏｌ）を、不活性雰囲気および光の保護下で１−ブロモ−ピロリジン−２，５−ジオン（ＮＢＳ）（２５３ｍｇ；１．４２１ｍｍｏｌ）を１回でゆっくりと加える前に、無水ＤＭＦ中に６０℃で溶解する。２４ｈ後、反応混合物を、チオ硫酸ナトリウムの５％水溶液に注ぐ。水層を、ＤＣＭ（３×１００ｃｍ^３）で抽出し、合わせた有機画分を硫酸マグネシウムで乾燥し、真空中で除去する。粗生成物を、カラムクロマトグラフィーにより数回精製し（溶離剤：石油エーテル４０〜６０：ＤＣＭ；７０：３０の比）、赤色粉末として純粋な生成物を回収する（２０５ｍｇ、収率：３８％）。

１．３ポリ（２，６−［４，８−ジドデシル−ベンゾ｛１，２−ｂ；４，５−ｂ’｝ジチオフェン］−ａｌｔ−［５，５’−（３，６−ビス−｛３−オクチル−チオフェン−２−イル｝−チエノ｛３，２−ｂ｝チオフェン−２，５−ジオン）］）

マイクロ波管中に、４，８−ジドデシル−２，６−ビス−トリメチルスタンナニル−ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン（２３７．９ｍｇ；０．２７９ｍｍｏｌ）、３，６−ビス−（５−ブロモ−３−オクチルチオフェン−２−イル）−チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジオン（２００．０ｍｇ；０．２７９ｍｍｏｌ）、Ｐｄ_２ｄｂａ_３（２．６ｍｇ；０．００３ミリモル）およびトリ−ｏ−トリル−ホスフィン（３．４ｍｇ；０．０１１ｍｍｏｌ）を、脱気したトルエン（８．０ｃｍ^３）および脱気したＤＭＦ（２．０ｃｍ^３）に溶解する。反応混合物を、３０分間さらに脱気し、反応混合物を、マイクロ波（Initiator, Biotage AB）で、１８０℃で２０分間加熱する。ポリマーを、メタノール（１５０ｃｍ^３）中への沈殿により精製し、ろ過し、アセトン、石油エーテル４０〜６０、クロロホルムおよびクロロベンゼンでのソックスレー抽出を介して連続的に洗浄する。クロロベンゼン画分を、真空中でより小さな体積に減少させ、メタノール（２００ｃｍ^３）中へ沈殿させる。沈殿したポリマーを、ろ過し、真空下で、２５℃で一晩乾燥し、生成物（１８８ｍｇ、収率６２％）を得る。ＧＰＣ（１４０℃、１，２，４−トリクロロベンゼン）Ｍ_ｎ：６８．４ｋｇ．ｍｏｌ^−１、Ｍｗ：１８５．９ｋｇ．ｍｏｌ^−１、ＰＤＩ：２．７１

１．４トランジスタ作製および測定
トップゲート薄膜有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）を、Ａｕソースドレイン電極をフォトリソグラフィー的に定義したガラス基板上に作製する。薄膜半導体を、次いで、ｏ−ジクロロベンゼン（７ｍｇ・ｃｍ^−３）中のポリマー（１．３）の溶液をスピンコーティングすることにより、基板上へ堆積させる。サンプルを、次いで乾燥し、１００℃で、窒素下で１０分間アニールする。次に、フルオロポリマー誘電材料（Lisicon（商標） D139 Merck KGaAからのもの）を、上にスピンコーティングする。最後に、フォトリソグラフィー的に定義したＡｕゲート電極を、堆積させる。

トランジスタデバイスの電気特性評価を、外気雰囲気中で、コンピュータ制御されたAgilent 4155C Semiconductor Parameter Analyserを使用して行う。電界効果移動度を、飽和領域（Ｖ_ｄ＞（Ｖ_ｇ−Ｖ_０））において、方程式（１）：
式中、Ｗは、チャネル幅であり、Ｌは、チャネル長であり、Ｃ_ｉは、絶縁層のキャパシタンスであり、Ｖ_ｇは、ゲート電圧であり、Ｖ_０は、起動電圧であり、μ_ｓａｔは、飽和領域における電荷担体移動度である。起動電圧（Ｖ_０）を、ソース−ドレイン電流の開始として決定する、
を使用して算出する。

ポリマー（１．３）について、７×１０^−３ｃｍ^２・Ｖ^−１・ｓ^−１の飽和領域（μ_ｓａｔ）における電界効果移動度を、算出し、１×１０^４の電流のオン／オフ比を観測する。
図１は、ポリマー（１．３）でのＯＦＥＴについての、電流−電圧特性（Ａ）、線形移動度（Ｂ）および飽和移動度（Ｃ）を示す。

Claims

１個または２個以上の式Ｉ
式中、ＸおよびＹは、互いに独立して、ＳまたはＯである、
で表される単位を含むポリマー。
請求項１に記載のポリマーであって、式Ｉで表される単位が、式Ｉａ〜Ｉｄ：
から選択される、前記ポリマー。
請求項１または２に記載のポリマーであって、１個または２個以上の式Ｉ１：
式中、
Ｕは、式Ｉまたは請求項１もしくは２において定義されたとおりの式Ｉａ〜Ｉｄで表される単位であり、
Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３は、各出現において同一であるかまたは異なり、互いに独立して、好ましくは５〜３０個の環原子を有する、アリールまたはヘテロアリールであり、任意に、好ましくは１個または２個以上の基Ｒ^１により、置換され、
Ｒ^１は、各出現において同一であるかまたは異なり、Ｆ、Ｂｒ、Ｃｌ、−ＣＮ、−ＮＣ、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^０Ｒ^００、−Ｃ（Ｏ）Ｘ^０、−Ｃ（Ｏ）Ｒ^０、−ＮＨ_２、−ＮＲ^０Ｒ^００、−ＳＨ、−ＳＲ^０、−ＳＯ_３Ｈ、−ＳＯ_２Ｒ^０、−ＯＨ、−ＮＯ_２、−ＣＦ_３、−ＳＦ_５、任意に置換され、任意に１個もしくは２個以上のヘテロ原子を含む、１〜４０個のＣ原子を有する、任意に置換されたシリル、カルビルまたはヒドロカルビル、あるいはＰ−Ｓｐであり、
Ｒ^０およびＲ^００は、互いに独立して、Ｈまたは任意に置換されたＣ_１〜_４０カルビルもしくはヒドロカルビルであり、
Ｐは、重合可能なまたは架橋可能な基であり、
Ｓｐは、スペーサー基または単結合であり、
Ｘ^０は、ハロゲン、好ましくは、Ｆ、ＣｌまたはＢｒであり、
ａ、ｂ、ｃ、ｄは、各出現において同一であるかまたは異なり、０、１または２であり、ここで、少なくとも１個の繰り返し単位ｂは、１である、
で表される単位を含有することを特徴とする、前記ポリマー。
請求項１〜３のいずれか一項に記載のポリマーであって、１個または２個以上の式ＩＩ
式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、請求項３において定義したとおりであり、Ｍは、任意に、請求項３において定義されたとおりの１個または２個以上の基Ｒ^１により置換された、５〜３０個の環原子を有する、アリールまたはヘテロアリール基である、
で表されるものから選択されるさらなる繰り返し単位を含有することを特徴とする、前記ポリマー。
請求項１〜４のいずれか一項に記載のポリマーであって、１個または２個以上の式ＩＩＩ：
式中、
Ａは、請求項１、２または３において定義したとおりの、式Ｉ、Ｉａ〜ＩｄまたはＩ１で表される単位であり、
Ｂは、任意に置換された、好ましくは請求項４において定義したとおりの式ＩＩで表されるものから選択された、１個または２個以上のアリールまたはヘテロアリール基を含む単位であり、
ｘは、＞０および≦１であり、
ｙは、≧０および＜１であり、
ｘ＋ｙは、１であり、および
ｎは、＞１の整数である、
で表されるものから選択されることを特徴とする、前記ポリマー。
請求項１〜５のいずれか一項に記載のポリマーであって、１個または２個以上の式ＩＩＩａ：
式中、Ｕ、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、請求項３において定義したとおりであり、ｎは、請求項５において定義したとおりであり、ここで、ポリマー中の個別の繰り返し単位［（Ａｒ^１）_ａ−（Ｕ）_ｂ−（Ａｒ^２）_ｃ−（Ａｒ^３）_ｄ］は、互いに同一であるかまたは異なるものであり得る、
で表されるものから選択されることを特徴とする、前記ポリマー。
請求項１〜６のいずれか一項に記載のポリマーであって、１個または２個以上の式ＩＩＩｂ：
式中、Ｕ、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、請求項３において定義したとおりであり、Ｍは、請求項４において定義したとおりであり、ｘ、ｙおよびｎは、請求項５において定義したとおりである、
で表されるものから選択されることを特徴とする、前記ポリマー。
請求項１〜７のいずれか一項に記載のポリマーであって、１個または２個以上の式ＩＶ：
式中、Ａ、Ｂ、ｘ、ｙおよびｎは、請求項５、６または７において定義したとおりであり、Ｒ^２およびＲ^３は、互いに独立して、請求項３において示したＲ^１の意味の１個、好ましくは、Ｆ、ＢｒまたはＣｌを有し、あるいはＨ、−ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨＯ、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＳｉＲ’Ｒ’’Ｒ’’’、−ＳｎＲ’Ｒ’’Ｒ’’’、−ＢＲ’Ｒ’’、−Ｂ（ＯＲ’）（ＯＲ’’）、−Ｂ（ＯＨ）_２またはＰ−Ｓｐを示し、式中、ＰおよびＳｐは、上記で定義したとおりであり、Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’は、互いに独立して、請求項３において定義したＲ^０の意味の１個を有し、Ｒ’、Ｒ’’およびＲ’’’の２個は、それらが結合しているヘテロ原子を一緒になって環を形成してもよい、
から選択されることを特徴とする、前記ポリマー。
請求項３〜８のいずれか一項に記載のポリマーであって、
Ａｒ^１およびＡｒ^２が、互いに独立して、チオフェン−２，５−ジイル、チアゾール−２，５−ジイル、セレノフェン−２，５−ジイル、フラン−２，５−ジイル、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、チエノ［２，３−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［３，２−ｂ］セレノフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［２，３−ｂ］セレノフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、およびセレノフェノ［２，３−ｂ］チオフェン−２，５−ジイルからなる群から選択され、それらの全ては非置換であるか、または請求項３において定義されるとおりのＲ^１で、一置換または多置換され、Ａｒ^１およびＡｒ^２の１個はまた、単結合であり得る、
前記ポリマー。
請求項３〜９のいずれか一項に記載のポリマーであって、
Ａｒ^３が、各出現において同一であるかまたは異なり、１，４−フェニレン、２，３−ジシアノ−１，４−フェニレン、２，５−ジシアノ、２，３−ジフルロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，３，５，６−テトラフルオロ、３，４−ジフルオロチオフェン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、チオフェン−２，５−ジイル、フラン−２，５−ジイル、セレノフェン−２，５−ジイル、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、チエノ［２，３−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［３，２−ｂ］セレノフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［２，３−ｂ］セレノフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［２，３−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン−２，６−ジイル、ベンゾ［２，１−ｂ；３，４−ｂ’］ジチオフェン−２，７−ジイル、２，２’−ジチオフェン、２，２’−ジセレノフェン、ジチエノ［３，２−ｂ：２’，３’−ｄ］シロール−５，５−ジイル、ジチエノ［３，２−ｂ；２’，３’−ｄ］ピロール−５，５−ジイル、４Ｈ−シクロペンタ［２，１−ｂ：３，４−ｂ’］ジチオフェン−２，６−ジイル、カルバゾール−２，７−ジイル、フルオレン−２，７−ジイル、インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン−２，７−ジイル、
ベンゾ［１’’，２’’：４，５；４’’，５’’：４’，５’］ビス（シロロ［３，２−ｂ：３’，２’−ｂ’］チオフェン）−２，７−ジイル、フェナントロ［１，１０，９，８−ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇ］カルバゾール−２，７−ジイル、ジヒドロベンゾ［ｄｅｆ］カルバゾール−２，７−ジイル、ベンゾ［２，１，３］チアジアゾール−４，７−ジイル、ベンゾ［２，１，３］セレナジアゾール−４，７−ジイル、ベンゾ［２，１，３］オキサジアゾール−４，７−ジイル、２Ｈ−ベンゾトリアゾール−４，７−ジイル、キノキサリン−５，８−ジイル、チエノ［３，４−ｂ］ピラジン−２，５−ジイル、チエノ［３，４−ｂ］チオフェン−４，６−ジイル、チエノ［３，４−ｂ］チオフェン−６，４−ジイル、チエノ［２，１，３］チアジアゾール−２，５−ジイル、２，５−ジ−チエン−２−イル−チエノ［２，１，３］チアゾール、ピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン−３，６−ジイル、［１，３］チアゾロ［５，４−ｄ］［１，３］チアゾール−２，５−ジイルまたは２，５−ジ−チエン−２−イル−［１，３］チアゾロ［５，４−ｄ］［１，３］チアゾール、チエノ［３，４−ｃ］ピロール−４，６−ジオン−１，３−ジイル、４−オキサ−１，８−ジチア−ａｓ−インダセン−２，７−ジイル、ベンゾ［ｃ］クロメン−３，８−ジイルからなる群から選択され、それらの全ては非置換であるか、または請求項３において定義されるとおりのＲ^１で、一置換または多置換されている、
前記ポリマー。
Ｍが、請求項１０において示されるとおりのＡｒ^３の意味の１個を有する、請求項４〜１０のいずれか一項に記載のポリマー。
請求項３〜１１のいずれか一項に記載のポリマーであって、
Ｒ^１が、１〜３０個のＣ原子を有する、第一級アルキルまたはアルコキシ、３〜３０個のＣ原子を有する、第二級アルキルまたはアルコキシ、および４〜３０個のＣ原子を有する、第三級アルキルまたはアルコキシからなる群から選択され、ここで、これらの全ての基において、１個または２個以上のＨ原子は、任意にＦにより置き換えられ、あるいは
Ｒ^１が、任意にアルキル化またはアルコキシ化され、４〜３０個の環原子を有する、アリール、アリールオキシ、ヘテロアリールおよびヘテロアリールオキシからなる群から選択される、
前記ポリマー。
請求項１〜１２のいずれか一項に記載のポリマーであって、以下の従属式
式中、ｘ、ｙおよびｎは、請求項５において示された意味の１個を有し、Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’、Ｒ’’’、Ｒ’’’’、Ｒ’’’’’、Ｒ’’’’’’、Ｒ’’’’’’’およびＲ’’’’’’’’は、各出現において同一であるかまたは異なり、請求項３または１２において示されたＲ^１の意味の１個を有するか、あるいはＨを示す、
から選択されることを特徴とする、前記ポリマー。
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の１種または２種以上のポリマー、および半導体、電荷輸送、ホールまたは電子輸送、ホール／電子ブロッキング、ホール／電子輸送、導電性、光伝導性または発光特性を有する１種または２種以上の化合物またはポリマーを含む、混合物または混合品。
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の１種または２種以上のポリマー、混合物または混合品、および１種または２種以上の溶媒、好ましくは、有機溶媒から選択されるものを含む、処方物。
請求項１〜１５のいずれか一項に記載のポリマー、混合物、混合品または処方物の、電荷輸送、半導体、導電性、光伝導性または発光材料としての、光学的、電気光学的、電子的、エレクトロルミネッセンスの、またはフォトルミネッセンスの構成要素またはデバイスにおける、使用。
請求項１〜１５のいずれか一項に記載の１種または２種以上のポリマー、混合物、混合品または処方物を含む、光学的、電気光学的または電子的構成要素またはデバイス。
有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、集積回路（ＩＣ）、論理回路、キャパシタ、電波認識（ＲＦＩＤ）タグ、デバイスまたは部品、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、フラットパネルディスプレイ、ディスプレイのバックライト、有機光起電デバイス（ＯＰＶ）、太陽電池、レーザーダイオード、光伝導体、光検出器、電子写真装置、電子写真記録装置、有機記憶装置、センサーデバイス、電荷注入層、電荷輸送層またはポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）中の中間層、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止フィルム、ポリマー電解膜（ＰＥＭ）、伝導性基板、伝導性パターン、電池における電極材料、整列層、バイオセンサー、バイオチップ、セキュリティマーキング、セキュリティーデバイス、ならびにＤＮＡ配列を検出し、識別するための部品またはデバイスからなる群から選択される、請求項１７に記載の構成要素またはデバイス。
ＯＦＥＴまたはバルクヘテロ接合ＯＰＶデバイスである、請求項１７または１８に記載の構成要素またはデバイス。
式Ｖ
式中、Ｕは、請求項３において定義した通りのものであり、Ｒ^２およびＲ^３は、請求項８において定義した通りのものであり、Ａｒ^１、Ａｒ^２は、請求項３または９において定義した通りのものである、
で表されるモノマー。
請求項２０に記載の１種または２種以上のモノマーを互いに、および／または式
Ｒ^２−Ａｒ^３−Ｒ^３
式中、Ｒ^２およびＲ^３は、請求項８において定義した通りのものであり、Ａｒ^３は、請求項３または１０において定義した通りのものである、
で表される１種または２種以上のモノマーと、アリール−アリールカップリング反応においてカップリングすることにより、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のポリマーを調製する方法。