JP2014229071A - シミュレーション方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】３次元数値解析ツールによる電磁界解析の計算コストを抑え、高精度なスキュー分布を高速に取得することを可能とする。【解決手段】差動配線の上側に１枚のガラスクロスを含む第１配線基板内部構造モデルの複数の位置パターンに対して３次元電磁界解析を行なってスキューを算出するとともに、差動配線の下側に１枚のガラスクロスを含む第２配線基板内部構造モデルの複数の位置パターンに対して３次元電磁界解析を行なってスキューを算出し（ステップＳ２０）、第１配線基板内部構造モデルの複数の位置パターンを組み合わせた複数の組合パターンと、第２配線基板内部構造モデルの複数の位置パターンを組み合わせた複数の組合パターンを組み合わせた複数の配線基板パターンについて、算出したスキューを足し合わせて合計スキューを算出し、これに基づいて、ある配線長を有する配線基板におけるスキュー分布を取得する（ステップＳ３０）。【選択図】図９

Description

本発明は、シミュレーション方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラムに関する。

電子機器における信号伝送速度の高速化に伴い、伝送損失の増加によるＳ／Ｎ比の低下を補う技術として、差動伝送を用いることが一般的である。差動伝送ではＰ配線とＮ配線の２本の配線を一組として用い、それぞれ逆位相の信号を伝送する。この結果、受信側において、２本の配線にはほぼ同じ同位相のコモンノイズが乗るため、信号の差を取ることでコモンノイズがキャンセルされ、これによってＳ／Ｎ比を向上させることができる。

例えば、ガラスクロス及び差動配線を含む配線基板では、一般にガラスクロスの誘電率が樹脂の誘電率よりも高いため、ガラスクロスが少ない領域では伝播遅延が小さくなり、ガラスクロスが多い領域では伝播遅延が大きくなるため、配線間での伝播遅延時間差（スキュー）が発生してコモンノイズの除去率が低下してしまう。近年の信号伝送の高速化に伴い、このスキューによる伝送特性への影響が無視できなくなっている。

このため、精度の高い伝送路設計を行なうためには、スキューを考慮した伝送シミュレーションが必要となる。例えば、ガラスクロス及び差動配線を含む配線基板におけるスキューを予測するために、配線基板の内部構造を、３次元数値解析ツールを用いてモデル化し、電磁界解析を行なうことになる。

特開２００９−１５６７８号公報 特開２０１１−８２２７１号公報

ところで、スキューは、ガラスクロスと差動配線の位置関係に依存するため、一定の分布を有していると考えられる。また、配線基板内における差動配線とガラスクロスの位置関係は、差動配線に対するガラスクロスの傾きによって幾通りにもなり得る。このため、ある配線基板におけるスキューを予測するには、その配線基板におけるスキュー分布（スキュー統計データ）の取得が必要であり、その精度は解析検体数に依存している。

しかしながら、３次元数値解析ツールは、対象構造を３次元的に直接メッシュ化するため、解析検体数を増やすと、計算時間及び計算容量が膨大になる。
そこで、３次元数値解析ツールによる電磁界解析の計算コストを抑え、高精度なスキュー分布を高速に取得することが可能なシミュレーション方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラムを提供することを目的とする。

本シミュレーション方法は、コンピュータが、一対の第１差動配線の上側に１枚の第１ガラスクロスを含む基本配線長分の第１配線基板内部構造モデルの第１差動配線と第１ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第１位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、複数の第１位置パターンのそれぞれにおいて一対の第１差動配線間に生じる第１スキューを算出するとともに、一対の第２差動配線の下側に１枚の第２ガラスクロスを含む基本配線長分の第２配線基板内部構造モデルの第２差動配線と第２ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第２位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、複数の第２位置パターンのそれぞれにおいて一対の第２差動配線間に生じる第２スキューを算出し、第１配線基板内部構造モデルの複数の第１位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第１組合パターンと、第２配線基板内部構造モデルの複数の第２位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第２組合パターンとを組み合わせた複数の配線基板パターンのそれぞれについて、複数の第１組合パターンのそれぞれを構成する複数の第１位置パターンのそれぞれの第１スキューを足し合わせるとともに、複数の第２組合パターンのそれぞれを構成する複数の第２位置パターンのそれぞれの第２スキューを足し合わせて、合計スキューを算出し、算出された合計スキューに基づいて、ある配線長を有する配線基板におけるスキュー分布を取得する、各処理を実行することを要件とする。

本シミュレーションプログラムは、コンピュータに、一対の第１差動配線の上側に１枚の第１ガラスクロスを含む基本配線長分の第１配線基板内部構造モデルの第１差動配線と第１ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第１位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、複数の第１位置パターンのそれぞれにおいて一対の第１差動配線間に生じる第１スキューを算出するとともに、一対の第２差動配線の下側に１枚の第２ガラスクロスを含む基本配線長分の第２配線基板内部構造モデルの第２差動配線と第２ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第２位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、複数の第２位置パターンのそれぞれにおいて一対の第２差動配線間に生じる第２スキューを算出し、第１配線基板内部構造モデルの複数の第１位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第１組合パターンと、第２配線基板内部構造モデルの複数の第２位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第２組合パターンとを組み合わせた複数の配線基板パターンのそれぞれについて、複数の第１組合パターンのそれぞれを構成する複数の第１位置パターンのそれぞれの第１スキューを足し合わせるとともに、複数の第２組合パターンのそれぞれを構成する複数の第２位置パターンのそれぞれの第２スキューを足し合わせて、合計スキューを算出し、算出された合計スキューに基づいて、ある配線長を有する配線基板におけるスキュー分布を取得する、各処理を実行させることを要件とする。

本シミュレーション装置は、一対の第１差動配線の上側に１枚の第１ガラスクロスを含む基本配線長分の第１配線基板内部構造モデルの第１差動配線と第１ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第１位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、複数の第１位置パターンのそれぞれにおいて一対の第１差動配線間に生じる第１スキューを算出するとともに、一対の第２差動配線の下側に１枚の第２ガラスクロスを含む基本配線長分の第２配線基板内部構造モデルの第２差動配線と第２ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第２位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、複数の第２位置パターンのそれぞれにおいて一対の第２差動配線間に生じる第２スキューを算出するスキュー算出部と、第１配線基板内部構造モデルの複数の第１位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第１組合パターンと、第２配線基板内部構造モデルの複数の第２位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第２組合パターンとを組み合わせた複数の配線基板パターンのそれぞれについて、複数の第１組合パターンのそれぞれを構成する複数の第１位置パターンのそれぞれの第１スキューを足し合わせるとともに、複数の第２組合パターンのそれぞれを構成する複数の第２位置パターンのそれぞれの第２スキューを足し合わせて、合計スキューを算出し、算出された合計スキューに基づいて、ある配線長を有する配線基板におけるスキュー分布を取得するスキュー分布取得部とを備えることを要件とする。

したがって、本シミュレーション方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラムによれば、３次元数値解析ツールによる電磁界解析の計算コストを抑え、高精度なスキュー分布を高速に取得することが可能であるという利点がある。

本実施形態にかかるシミュレーション装置の機能ブロック図である。 （Ａ）、（Ｂ）は、本実施形態にかかるシミュレーション装置においてモデル化した、一対の差動配線の上側に１枚のガラスクロスを含む基本単位の第１配線基板内部構造モデルを示す模式図であって、（Ａ）は配線が延びる方向に直交する方向に沿う断面図であり、（Ｂ）は配線が延びる方向に沿う断面図である。 （Ａ）、（Ｂ）は、本実施形態にかかるシミュレーション装置においてモデル化した、一対の差動配線の下側に１枚のガラスクロスを含む基本単位の第２配線基板内部構造モデルを示す模式図であって、（Ａ）は配線が延びる方向に直交する方向に沿う断面図であり、（Ｂ）は配線が延びる方向に沿う断面図である。 （Ａ）、（Ｂ）は、一対の差動配線の上側に１枚のガラスクロスを含む基本単位の第１配線基板内部構造を示す模式図であって、（Ａ）は配線が延びる方向に直交する方向に沿う断面図であり、（Ｂ）は配線が延びる方向に沿う断面図である。 （Ａ）、（Ｂ）は、一対の差動配線の下側に１枚のガラスクロスを含む基本単位の第２配線基板内部構造を示す模式図であって、（Ａ）は配線が延びる方向に直交する方向に沿う断面図であり、（Ｂ）は配線が延びる方向に沿う断面図である。 （Ａ）〜（Ｄ）は、一対の差動配線の上側に１枚のガラスクロスを含む基本単位の第１配線基板内部構造の配線位置を変えた場合を例示した模式図であって、配線が延びる方向に直交する方向に沿う断面図である。 （Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態にかかるシミュレーション装置における一対の差動配線の上側に１枚のガラスクロスを含む基本単位の第１配線基板内部構造モデルの配線位置を変えた複数の位置パターンを例示した模式図であって、配線が延びる方向に直交する方向に沿う断面図である。 本実施形態にかかるシミュレーション装置に備えられるスキュー分布取得部の機能及び処理を説明するための模式図である。 本実施形態にかかるシミュレーション装置における処理（シミュレーション方法）を示すフローチャートである。 （Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態にかかるシミュレーション装置においてモデル化した第１配線基板内部構造モデル及びそれを定義したデータを示す図である。 （Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態にかかるシミュレーション装置においてモデル化した第２配線基板内部構造モデル及びそれを定義したデータを示す図である。 本実施形態にかかるシミュレーション装置における電磁界解析の結果を示す図である。 本実施形態にかかるシミュレーション装置におけるスキューの算出結果を示す図である。 配線基板を構成するガラスクロスの模式的平面図である。 ガラスクロスを用いた配線基板の模式図であって、配線が延びる方向に直交する方向に沿う断面図である。 ガラスクロスを用いた配線基板をモデル化した３次元電磁界解析モデルを示す模式図であって、配線が延びる方向に直交する方向に沿う断面図である。 差動配線に対してガラスクロスが傾いていない、ガラスクロスを用いた配線基板を示す模式的平面図である。 差動配線に対してガラスクロスが傾いている、ガラスクロスを用いた配線基板を示す模式的平面図である。 本実施形態にかかるシミュレーション装置のハードウェア構成の一例を示す図である。

以下、図面により、本発明の実施の形態にかかるシミュレーション方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラムについて、図１〜図１８を参照しながら説明する。
本実施形態にかかるシミュレーション装置は、配線基板における信号伝搬をシミュレートするシミュレーション装置であり、特に、ガラスクロスを用いた高速伝送用配線基板の差動配線間に生じる伝搬遅延時間差（スキュー）を解析するシミュレーション装置である。

ここで、図１４は、高速伝送用配線基板を構成するガラスクロスの模式図である。
図１４に示すように、ガラスクロス１１は、Ｘ軸と平行な方向に並設されたガラス繊維束１２と、Ｙ軸と平行な方向に並設されたガラス繊維束１３とが格子状に平織りされている。ここでは、ガラス繊維束１２及びガラス繊維束１３は、例えば数μｍ程度のガラス繊維を複数本束ねて数１００μｍ程度の幅にしたものである。

図１５は、ガラスクロスを用いた高速伝送用配線基板における配線方向に垂直な断面図である。
図１５に示すように、ガラスクロスを用いた高速伝送用配線基板（以下、ガラスクロス配線基板という）２１は、導体層と絶縁層から構成される。このうち、導体層は、Ｐ配線又はＮ配線で構成される差動配線２２と、Ｎ配線又はＰ配線で構成される差動配線２３と、グランドプレーン２４、２５とによって構成される。また、絶縁層は、ガラスクロス１１と、ガラスクロス１１を硬化させる樹脂２６とによって構成される。このように、ガラスクロス配線基板２１は、２本一組の差動配線（一対の差動配線）２２、２３と、２層のグランドプレーン２４、２５と、一対の差動配線２２、２３とグランドプレーン２４、２５との間にそれぞれ挟まれた、ガラスクロス１１と樹脂２６とからなる２層の絶縁層とを備える。なお、ガラスクロス配線基板２１は、図１５に示すように、コア層とプリプレグ層（接続層）とに区分することもできる。

なお、ここでは、ガラスクロス配線基板２１を、一対の差動配線２２、２３の上側に１枚のガラスクロス１１を備え、下側に１枚のガラスクロス１１を備えるものとしているが、これに限られるものではなく、ガラスクロス配線基板２１は、一対の差動配線２２、２３の上側に少なくとも１枚のガラスクロス１１を備え、下側に少なくとも１枚のガラスクロス１１を備えるものであれば良い。

絶縁層に含まれるガラスクロス１１は、図１４を用いて説明したように、ガラス製のガラス繊維束（縦糸）１２とガラス繊維束（横糸）１３とが編まれた構造となっており、ガラス繊維束１２及びガラス繊維束１３の両方が存在する交差領域、ガラス繊維束１２及びガラス繊維束１３のいずれも存在しない領域、ガラス繊維束１２のみが存在する領域、及びガラス繊維束１３のみが存在する領域から成る。

一般に、ガラスクロス配線基板２１では、ガラスクロス１１の誘電率は樹脂２６の誘電率よりも高い。そして、図１５に示すように、ガラスクロス配線基板２１の内部は誘電率の高いガラスクロス１１の密度が高い領域と、誘電率の低い樹脂２６の密度が高い領域とが混在しており、誘電率が不均質な構造となっている。この結果、差動配線２２及び２３の周囲における誘電率に差異が生じる。これにより、ガラスクロス１１が少ない領域では伝播遅延が小さくなり、ガラスクロス１１が多い領域では伝播遅延が大きくなり、配線間での伝播遅延時間差（スキュー；クロックスキュー）が発生してコモンノイズの除去率が低下する。近年の信号伝送の高速化に伴い、このスキューによる伝送特性への影響が無視できなくなっている。

このため、精度の高い伝送路設計を行うためには、スキューを考慮した伝送シミュレーションが必要となる。
ここで、図１６は、ガラスクロス配線基板２１をモデル化した３次元電磁界解析モデルを示す模式的断面図である。また、図１７は、ガラスクロス配線基板２１において差動配線２２、２３に対してガラスクロス１１が傾いていない場合を示す模式的平面図である。また、図１８は、ガラスクロス配線基板２１において差動配線２２、２３に対してガラスクロス１１が傾いている場合を示す模式的平面図である。

ガラスクロス配線基板２１におけるスキューを予測するには、ガラスクロス配線基板２１の内部構造を、図１６に示すように、３次元数値解析ツールを用いてモデル化し、電磁界解析を行なうことになる。
ここで、スキューは、ガラスクロス１１の織目と差動配線２２及び２３の位置関係に依存するため一定の分布を有していると考えられる。また、ガラスクロス配線基板２１内における差動配線２２及び２３とガラスクロス１１の位置関係は、図１７、図１８に示すように、差動配線２２、２３に対するガラスクロス１１の傾きによって幾通りにもなり得る。このため、あるガラスクロス配線基板２１におけるスキューを予測するには、そのガラスクロス配線基板２１のスキュー分布（スキュー統計データ）の取得が必要であり、その精度は解析検体数に依存している。

しかしながら、３次元数値解析ツールは、対象構造を３次元的に直接メッシュ化するため、解析検体数を増やすと、計算時間及び計算容量が膨大になる。
そこで、本実施形態にかかるシミュレーション装置は、３次元数値解析ツールによる電磁界解析の計算コストを抑え、高精度なスキュー分布を高速に取得するために、以下のように構成されている。

ここで、図１は、本シミュレーション装置の機能ブロック図である。
図１に示すように、本シミュレーション装置５０は、配線基板内部構造モデル作成部５１と、スキュー算出部５２と、スキュー分布取得部（スキュー統計値取得部）５３と、スキュー分布表示部（スキュー統計値表示部）５４とを備える。
ここで、配線基板内部構造モデル作成部５１は、一対の差動配線（第１差動配線）２２、２３の上側に１枚のガラスクロス（第１ガラスクロス）１１を含む基本配線長分の第１配線基板内部構造モデル、及び、一対の差動配線（第２差動配線）２２、２３の下側に１枚のガラスクロス（第２ガラスクロス）１１を含む基本配線長分の第２配線基板内部構造モデルを作成する。なお、ガラスクロス１１を格子状構造体ともいう。

ここでは、図２（Ｂ）に示すように、基本配線長分の第１配線基板内部構造モデル１は、ガラスクロス１１を構成するガラス繊維束（縦ガラス繊維束；縦糸；クロス束）１２の一対の差動配線２２、２３が延びる方向の１周期分の長さを有する。また、図３（Ｂ）に示すように、基本配線長分の第２配線基板内部構造モデル２は、ガラスクロス１１を構成するガラス繊維束（縦ガラス繊維束；縦糸；クロス束）１２の一対の差動配線２２、２３が延びる方向の１周期分の長さを有する。これらの場合、基本配線長は、縦ガラス繊維束１２の１周期分の長さである。また、図２（Ａ）に示すように、第１配線基板内部構造モデル１は、一対の差動配線２２、２３が延びる方向に直交する方向に、ガラスクロス１１を構成するガラス繊維束（横ガラス繊維束；横糸；クロス束）１３の１周期分の長さを有する。また、図３（Ａ）に示すように、第２配線基板内部構造モデル２は、一対の差動配線２２、２３が延びる方向に直交する方向に、ガラスクロス１１を構成するガラス繊維束（横ガラス繊維束；横糸；クロス束）１３の１周期分の長さを有する。

このように、図４（Ａ）、図４（Ｂ）に示すような一対の差動配線２２、２３の上側に１枚のガラスクロス１１を含むガラスクロス配線基板２１の一部の内部構造を、縦方向及び横方向の長さをガラスクロス１１のガラス繊維束１２、１３の１周期分の長さとして、３次元数値解析ツールを用いてモデル化（３次元電磁界解析モデル化）して、図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示すような第１配線基板内部構造モデル１を作成する。この場合、一対の差動配線２２、２３の上側に１枚のガラスクロス１１を含み、縦方向及びの横方向にガラス繊維束１２、１３の１周期分の長さを有する矩形領域が、モデル化の基本単位となる。また、図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示すような一対の差動配線２２、２３の下側に１枚のガラスクロス１１を含むガラスクロス配線基板２１の一部の内部構造を、縦方向及び横方向の長さをガラスクロス１１のガラス繊維束１２、１３の１周期分の長さとして、３次元数値解析ツールを用いてモデル化して、図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示すような第２配線基板内部構造モデル２を作成する。この場合、一対の差動配線２２、２３の下側に１枚のガラスクロス１１を含み、縦方向及びの横方向にガラス繊維束１２、１３の１周期分の長さを有する矩形領域が、モデル化の基本単位となる。なお、第１及び第２配線基板内部構造モデル１、２に含まれるガラスクロス１１を格子状構造体ともいう。

また、ここでは、互いに平行に設けられる一対の差動配線２２、２３が、ガラスクロス１１を構成する縦方向に延びる縦ガラス繊維束１２又は横方向に延びる横ガラス繊維束１３に平行（並行）になっているものとして、第１及び第２配線基板内部構造モデル１、２を作成する。つまり、ここでは、複数の縦ガラス繊維束１２及び複数の横ガラス繊維束１３は互いに平行にかつ周期的に並んでおり、縦ガラス繊維束１２は一対の差動配線２２、２３に平行になっており、横ガラス繊維束１３は一対の差動配線２２、２３に直交しているものとして、第１及び第２配線基板内部構造モデル１、２を作成する。なお、ここでは、第１配線基板内部構造モデル１に含まれるガラスクロス１１と、第２配線基板内部構造モデル２に含まれるガラスクロス１１とは、同一の構造を有するものとする。また、ここでは、第１配線基板内部構造モデル１に含まれる一対の差動配線２２、２３と、第２配線基板内部構造モデル２に含まれる一対の差動配線２２、２３とは、同一の構造を有するものとする。

なお、ここでは、第１及び第２配線基板内部構造モデル１、２を、縦方向及び横方向にガラスクロス１１のガラス繊維束１２、１３の１周期分の長さを有するものとしているが、これに限られるものではなく、少なくとも１周期分の長さを有するものとすれば良く、例えば複数周期分の長さを有するものとしても良い。つまり、基本配線長分の第１配線基板内部構造モデルは、第１ガラスクロスを構成するガラス繊維束の第１差動配線が延びる方向の複数周期分の長さを有するものとしても良い。また、基本配線長分の第２配線基板内部構造モデルは、第２ガラスクロスを構成するガラス繊維束の第２差動配線が延びる方向の複数周期分の長さを有するものとしても良い。これらの場合、第１及び第２配線基板内部構造モデルは、配線伝送方向の長さは、ガラスクロスを構成する配線伝送方向に延びるガラス繊維束の１周期の長さの整数倍の長さとなる。また、第１配線基板内部構造モデルは、第１差動配線が延びる方向に直交する方向に、第１ガラスクロスを構成するガラス繊維束の複数周期分の長さを有するものとしても良い。また、第２配線基板内部構造モデルは、第２差動配線が延びる方向に直交する方向に、第２ガラスクロスを構成するガラス繊維束の複数周期分の長さを有するものとしても良い。これらの場合、第１及び第２配線基板内部構造モデルは、配線伝送方向に直交する方向の長さは、ガラスクロスを構成する配線伝送方向に直交する方向に延びるガラス繊維束の１周期の長さの整数倍の長さとなる。なお、第１及び第２配線基板内部構造モデルを、縦方向及び横方向にガラスクロスのガラス繊維束の何周期分の長さを有するものとするかは、モデル化の基本単位に一対の差動配線が含まれるか否かによって決めれば良い。例えば、ある配線基板のスキューを算出するのに、第１及び第２配線基板内部構造モデルを、縦方向及び横方向にガラスクロスのガラス繊維束の１周期分の長さを有するものとした場合、モデル化の基本単位に一対の差動配線がおさまらず、はみ出してしまうようなときは、第１及び第２配線基板内部構造モデルを、縦方向及び横方向にガラスクロスのガラス繊維束の２周期分の長さを有するものとすれば良い。

スキュー算出部５２は、配線基板内部構造モデル作成部５１で作成された第１配線基板内部構造モデル１の一対の差動配線２２、２３とガラスクロス１１との相対位置を変えた複数の位置パターン１Ｘ（第１位置パターン；図８参照）のそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、複数の位置パターン１Ｘのそれぞれにおいて一対の差動配線２２、２３間に生じるスキュー（第１スキュー）を算出する。例えば、３次元数値解析ツールを用いて、図７（Ａ）〜図７（Ｄ）に示すように、第１配線基板内部構造モデル１のガラスクロス１１（格子状構造体）の格子の中心線に対して、一対の差動配線２２，２３の中心線を横方向（又は厚さ方向）へずらして、第１配線基板内部構造モデル１の一対の差動配線２２、２３とガラスクロス１１との相対位置を変えた複数の位置パターン１Ｘとして例えば４つの位置パターン１Ａ〜１Ｄを作成し、これらの４つの位置パターン１Ａ〜１Ｄのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なってスキューを算出すれば良い。なお、複数の位置パターン１Ｘとしては、少なくとも２つの位置パターンを作成すれば良い。また、位置関係の決定方法の例については、図６及び図７を用いて後述する。

同様に、スキュー算出部５２は、配線基板内部構造モデル作成部５１で作成された第２配線基板内部構造モデル２の一対の差動配線２２、２３とガラスクロス１１との相対位置を変えた複数の位置パターン２Ｘ（第２位置パターン；図８参照）のそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、複数の位置パターン２Ｘのそれぞれにおいて一対の差動配線２２、２３間に生じるスキュー（第２スキュー）を算出する。例えば、第１配線基板内部構造モデル１における場合［図７（Ａ）〜図７（Ｄ）参照］と同様に、３次元数値解析ツールを用いて、第２配線基板内部構造モデル２のガラスクロス１１（格子状構造体）の格子の中心線に対して、一対の差動配線２２、２３の中心線を横方向（又は厚さ方向）へずらして、第２配線基板内部構造モデル２の一対の差動配線２２、２３とガラスクロス１１との相対位置を変えた複数の位置パターン２Ｘとして例えば４つの位置パターンを作成し、これらの４つの位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なってスキューを算出すれば良い。なお、複数の位置パターンとしては、少なくとも２つの位置パターンを作成すれば良い。

なお、本シミュレーション装置５０では、配線基板内部構造モデル作成部５１で、第１及び第２配線基板内部構造モデル１、２を作成し、スキュー算出部５２で、第１及び第２配線基板内部構造モデル１、２のそれぞれに対して複数の位置パターンを作成し、これらの複数の位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なってスキューを算出しているが、これに限られるものではない。例えば、シミュレーション装置は、一対の第１差動配線の上側に１枚の第１ガラスクロスを含む基本配線長分の第１配線基板内部構造モデルの第１差動配線と第１ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第１位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、複数の第１位置パターンのそれぞれにおいて一対の第１差動配線間に生じる第１スキューを算出するとともに、一対の第２差動配線の下側に１枚の第２ガラスクロスを含む基本配線長分の第２配線基板内部構造モデルの第２差動配線と第２ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第２位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、複数の第２位置パターンのそれぞれにおいて一対の第２差動配線間に生じる第２スキューを算出するスキュー算出部を備えるものとすれば良い。なお、本シミュレーション装置５０では、スキュー算出部５２で、第１及び第２配線基板内部構造モデル１、２のそれぞれに対して複数の位置パターンを作成しているが、これは、第１差動配線と第１ガラスクロスとの相対位置が異なる複数の第１配線基板内部構造モデル、及び、第２差動配線と第２ガラスクロスとの相対位置が異なる複数の第２配線基板内部構造モデルを作成していると見ることもできる。つまり、配線基板内部構造モデル作成部で、第１配線基板内部構造モデルの複数の第１位置パターンとして、第１差動配線と第１ガラスクロスとの相対位置が異なる複数の第１配線基板内部構造モデルを作成するとともに、第２配線基板内部構造モデルの複数の第２位置パターンとして、第２差動配線と第２ガラスクロスとの相対位置が異なる複数の第２配線基板内部構造モデルを作成し、スキュー算出部で、これらの複数の第１配線基板内部構造モデル及び複数の第２配線基板内部構造モデルのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なってスキューを算出するようにしても良い。

スキュー分布取得部５３は、図８に示すように、第１配線基板内部構造モデル１の複数の第１位置パターン１Ｘをある配線長分だけ組み合わせた複数の第１組合パターン３と、第２配線基板内部構造モデル２の複数の第２位置パターン２Ｘをある配線長分だけ組み合わせた複数の第２組合パターン４とを組み合わせた複数の配線基板パターン５のそれぞれについて、複数の第１組合パターン３のそれぞれを構成する複数の第１位置パターン１Ｘのそれぞれの第１スキューを足し合わせるとともに、複数の第２組合パターン４のそれぞれを構成する複数の第２位置パターン２Ｘのそれぞれの第２スキューを足し合わせて、合計スキューを算出し、算出された合計スキューに基づいて、ある配線長を有する配線基板におけるスキュー分布を取得する。

ここでは、スキュー分布取得部５３は、第１配線基板内部構造モデル１の複数の第１位置パターン１Ｘの中から、任意にある配線長分だけ抽出して組み合わせて、第１組合パターン３を複数作成し、これらの複数の第１組合パターン３のそれぞれを構成する複数の第１位置パターン１Ｘのそれぞれの第１スキューを足し合わせて、複数の第１組合パターン３のそれぞれの合計スキューを算出する。また、スキュー分布取得部５３は、第２配線基板内部構造モデル２の複数の第２位置パターン２Ｘの中から、任意にある配線長分だけ抽出して組み合わせて、第２組合パターン４を複数作成し、これらの複数の第２組合パターン４のそれぞれを構成する複数の第２位置パターン２Ｘのそれぞれの第２スキューを足し合わせて、複数の第２組合パターン４のそれぞれの合計スキューを算出する。また、スキュー分布取得部５３は、複数の第１組合パターン３及び複数の第２組合パターン４の中から、任意に一つずつ抽出して組み合わせて、配線基板パターン５を複数作成し、これらの複数の配線基板パターン５のそれぞれを構成する第１組合パターン３の合計スキューと第２組合パターン４の合計スキューを足し合わせて、複数の配線基板パターン５のそれぞれの合計スキューを算出する。そして、スキュー分布取得部５３は、このようにして算出された、複数の配線基板パターン５のそれぞれの合計スキューに基づいて、ある配線長を有する配線基板におけるスキュー分布を取得する。ここでは、複数の配線基板パターン５のそれぞれの合計スキューを、スキューの値毎にカウントし、横軸にスキューの値、縦軸にカウント数をとって、スキュー分布（スキュー統計値）を取得する。

スキュー分布表示部５４は、スキュー分布取得部５３で取得したスキュー分布を画面上に表示させる。
次に、本実施形態のシミュレーション装置５０における処理（シミュレーション方法）について、図９を参照しながら説明する。
ここで、図９は本実施形態におけるシミュレーション方法における処理の流れを示すフローチャートである。

まず、ステップＳ１０において、配線基板内部構造モデル作成部５１が、一対の差動配線（第１差動配線）２２、２３の上側に１枚のガラスクロス（第１ガラスクロス）１１を含む基本配線長分の第１配線基板内部構造モデル１、及び、一対の差動配線（第２差動配線）２２、２３の下側に１枚のガラスクロス（第２ガラスクロス）１１を含む基本配線長分の第２配線基板内部構造モデル２を作成する。

ここでは、図４（Ａ）、図４（Ｂ）に示すような一対の差動配線２２、２３の上側に１枚のガラスクロス１１を含むガラスクロス配線基板２１の一部の内部構造を、縦方向及び横方向の長さをガラスクロス１１のガラス繊維束１２、１３の１周期分の長さとして、３次元数値解析ツールを用いてモデル化（３次元電磁界解析モデル化）して、図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示すような第１配線基板内部構造モデル１を作成する。また、図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示すような一対の差動配線２２、２３の下側に１枚のガラスクロス１１を含むガラスクロス配線基板２１の一部の内部構造を、縦方向及び横方向の長さをガラスクロス１１のガラス繊維束１２、１３の１周期分の長さとして、３次元数値解析ツールを用いてモデル化して、図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示すような第２配線基板内部構造モデル２を作成する。なお、詳細は、上述の配線基板内部構造モデル作成部５１の機能を説明した部分で説明しているため、ここでは省略する。

ここで、図１０は、上述のようにしてモデル化した第１配線基板内部構造モデル１及びそれを定義したデータ、即ち、第１ガラスクロス１１を構成するガラス繊維束１２及びガラス繊維束１３と、一対の差動配線２２、２３との位置関係を定義したデータを示す図である。
配線基板内部構造モデル作成部５１によって作成される、図１０（Ａ）及び図１０（Ｃ）に示すような第１配線基板内部構造モデル１は、図１０（Ｂ）及び図１０（Ｄ）に示すようなデータとして定義される。例えば、第１配線基板内部構造モデル１では、図１０（Ｂ）に示すように、差動配線２２は、「形状」が「直方体」、「サイズ」が「幅１３０μｍ×高さ３０μｍ」、「中心座標」が「（２３５，１６３）」と定義される。また、差動配線２３は、「形状」が「四角柱」、「サイズ」が「幅１３０μｍ×高さ３０μｍ」、「中心座標」が「（６６５，１６３）」と定義される。また、第１ガラスクロス１１を構成する一の縦ガラス繊維束１２ａは、「形状」が「六角柱」、「サイズ」が「幅３５０μｍ×高さ３０μｍ」、「中心座標」が「（２４５，２０５）」と定義される。また、第１ガラスクロス１１を構成する他の縦ガラス繊維束１２ｂは、「形状」が「六角柱」、「サイズ」が「幅３５０μｍ×高さ３０μｍ」、「中心座標」が「（７３５，２０５）」と定義される。また、樹脂２６は、「形状」が「直方体」、「サイズ」が「幅９８０μｍ×高さ２００μｍ」、「中心座標」が「（４９０，１５０）」と定義される。また、下側のグランドプレーン２５は、「形状」が「直方体」、「サイズ」が「幅９８０μｍ×高さ５０μｍ」、「中心座標」が「（４９０，２５）」と定義される。また、上側のグランドプレーン２４は、「形状」が「直方体」、「サイズ」が「幅９８０μｍ×高さ３０μｍ」、「中心座標」が「（４９０，２６５）」と定義される。なお、差動配線２２、差動配線２３、一及び他の縦ガラス繊維束１２ａ，１２ｂ、樹脂２６、上下のグランドプレーン２４，２５のそれぞれの奥行き（Ｘ方向のサイズ）は、全て、１０００μｍと定義される。また、図１０（Ｄ）に示すように、第１ガラスクロス１１を構成する一の横ガラス繊維束１３ａは、「形状」が「六角柱」、「サイズ」が「幅５００μｍ×高さ２０μｍ」、「中心座標」が「（２５０，２０５）」と定義される。また、第１ガラスクロス１１を構成する他の横ガラス繊維束１３ｂは、「形状」が「六角柱」、「サイズ」が「幅５００μｍ×高さ２０μｍ」、「中心座標」が「（７５０，２０５）」と定義される。なお、一及び他の横ガラス繊維束１３ａ，１３ｂのそれぞれの奥行き（Ｙ方向のサイズ）は、全て、９８０μｍと定義される。なお、第１配線基板内部構造モデル１では、縦ガラス繊維束１２ａ，１２ｂ（１２）と横ガラス繊維束１３（１３ａ，１３ｂ）とは同一平面内に並んでいるものとして定義される。

また、図１１は、上述のようにしてモデル化した第２配線基板内部構造モデル２及びそれを定義したデータ、即ち、第２ガラスクロス１１を構成するガラス繊維束１２及びガラス繊維束１３と、一対の差動配線２２、２３との位置関係を定義したデータを示す図である。
配線基板内部構造モデル作成部５１によって作成される、図１１（Ａ）及び図１１（Ｃ）に示すような第２配線基板内部構造モデル２は、図１１（Ｂ）及び図１１（Ｄ）に示すようなデータとして定義される。例えば、第２配線基板内部構造モデル２では、図１１（Ｂ）及び図１１（Ｄ）に示すように、差動配線２２は、「形状」が「直方体」、「サイズ」が「幅１３０μｍ×高さ３０μｍ」、「中心座標」が「（２３５，１６３）」と定義される。また、差動配線２３は、「形状」が「四角柱」、「サイズ」が「幅１３０μｍ×高さ３０μｍ」、「中心座標」が「（６６５，１６３）」と定義される。また、第２ガラスクロス１１を構成する一の縦ガラス繊維束１２ｃは、「形状」が「六角柱」、「サイズ」が「幅３５０μｍ×高さ３０μｍ」、「中心座標」が「（２４５，９５）」と定義される。また、第２ガラスクロス１１を構成する他の縦ガラス繊維束１２ｄは、「形状」が「六角柱」、「サイズ」が「幅３５０μｍ×高さ３０μｍ」、「中心座標」が「（７３５，９５）」と定義される。また、樹脂２６は、「形状」が「直方体」、「サイズ」が「幅９８０μｍ×高さ２００μｍ」、「中心座標」が「（４９０，１５０）」と定義される。また、下側のグランドプレーン２５は、「形状」が「直方体」、「サイズ」が「幅９８０μｍ×高さ５０μｍ」、「中心座標」が「（４９０，２５）」と定義される。また、上側のグランドプレーン２４は、「形状」が「直方体」、「サイズ」が「幅９８０μｍ×高さ３０μｍ」、「中心座標」が「（４９０，２６５）」と定義される。なお、差動配線２２、差動配線２３、一及び他の縦ガラス繊維束１２ｃ、１２ｄ、樹脂２６、上下のグランドプレーン２４、２５のそれぞれの奥行き（Ｘ方向のサイズ）は、全て、１０００μｍと定義される。また、図１０（Ｄ）に示すように、第２ガラスクロス１１を構成する一の横ガラス繊維束１３ｃは、「形状」が「六角柱」、「サイズ」が「幅５００μｍ×高さ２０μｍ」、「中心座標」が「（２５０，９５）」と定義される。また、第２ガラスクロス１１を構成する他の横ガラス繊維束１３ｄは、「形状」が「六角柱」、「サイズ」が「幅５００μｍ×高さ２０μｍ」、「中心座標」が「（７５０，９５）」と定義される。なお、一及び他の横ガラス繊維束１３ｃ，１３ｄのそれぞれの奥行き（Ｙ方向のサイズ）は、全て、９８０μｍと定義される。なお、第２配線基板内部構造モデル２では、縦ガラス繊維束１２ｃ，１２ｄ（１２）と横ガラス繊維束１３（１３ｃ，１３ｄ）とは同一平面内に並んでいるものとして定義される。

次に、ステップＳ２０において、スキュー算出部５２が、上述のようにして作成された第１配線基板内部構造モデル１の一対の差動配線２２、２３とガラスクロス１１との相対位置を変えた複数の位置パターン１Ｘ（第１位置パターン；図８参照）のそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、複数の位置パターン１Ｘのそれぞれにおいて一対の差動配線２２、２３間に生じるスキュー（第１スキュー）を算出する。例えば、３次元数値解析ツールを用いて、図７（Ａ）〜図７（Ｄ）に示すように、第１配線基板内部構造モデル１のガラスクロス１１（格子状構造体）の格子の中心線に対して、一対の差動配線２２，２３の中心線を横方向（又は厚さ方向）へずらして、第１配線基板内部構造モデル１の一対の差動配線２２、２３とガラスクロス１１との相対位置を変えた複数の位置パターン１Ｘとして４つの位置パターン１Ａ〜１Ｄを作成し、これらの４つの位置パターン１Ａ〜１Ｄのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なってスキューを算出すれば良い。

同様に、スキュー算出部５２は、上述のようにして作成された第２配線基板内部構造モデル２の一対の差動配線２２、２３とガラスクロス１１との相対位置を変えた複数の位置パターン２Ｘ（第２位置パターン；図８参照）のそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、複数の位置パターン２Ｘのそれぞれにおいて一対の差動配線２２、２３間に生じるスキュー（第２スキュー）を算出する。例えば、第１配線基板内部構造モデル１における場合［図７（Ａ）〜図７（Ｄ）参照］と同様に、３次元数値解析ツールを用いて、第２配線基板内部構造モデル２のガラスクロス１１（格子状構造体）の格子の中心線に対して、一対の差動配線２２、２３の中心線を横方向（又は厚さ方向）へずらして、第２配線基板内部構造モデル２の一対の差動配線２２、２３とガラスクロス１１との相対位置を変えた複数の位置パターン２Ｘとして４つの位置パターンを作成し、これらの４つの位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なってスキューを算出すれば良い。

以下、第１配線基板内部構造モデル１において配線位置を変化させて４つの位置パターン１Ａ〜１Ｄを作成し、３次元電磁界解析を行なう場合を例に挙げて説明する。
ここで、図６（Ａ）〜図６（Ｄ）は、一対の差動配線の上側に１枚のガラスクロスを含む基本単位の第１配線基板内部構造の配線位置を４通り変化させた場合を例示した模式的断面図である。また、図７（Ａ）〜図７（Ｄ）は、一対の差動配線の上側に１枚のガラスクロスを含む基本単位の第１配線基板内部構造モデル１の配線位置を変えた４つの位置パターン１Ａ〜１Ｄを例示した模式的断面図である。

図６（Ａ）〜図６（Ｄ）に例示するように、一対の差動配線２２、２３の位置を４通り変化させる。具体的には、図７（Ａ）に示すように、上述のようにして作成された第１配線基板内部構造モデル１を、基本位置パターン１Ａとし、これに含まれる一対の差動配線２２、２３を、図７（Ｂ）に示すように、Ｙ方向にマイナス１００マイクロメートル（−１００μｍ）ずらした位置パターン１Ｂ、図７（Ｃ）に示すように、Ｙ方向に１００マイクロメートル（＋１００μｍ）ずらした位置パターン１Ｃ、図７（Ｄ）に示すように、Ｙ方向に２００マイクロメートル（＋２００μｍ）ずらした位置パターン１Ｄを作成する。

そして、上記のようにして作成した４つの位置パターン１Ａ〜１Ｄのそれぞれに対して３次元電磁界解析を実行し、それぞれの位置パターン１Ａ〜１Ｄでの差動配線２２と差動配線２３との間におけるスキューを算出する。なお、第１配線基板内部構造モデル１は、縦ガラス繊維束一周期分の長さを有するため、ここでのスキューの算出は、縦ガラス繊維束一周期分だけ行なわれることになる。

ここで、図１２は、電磁界解析の結果を示す図であり、図１３は、スキューの算出結果を示す図である。
図１２に示した例は、図７（Ａ）及び図１０（Ａ）〜図１０（Ｄ）に示した第１配線基板内部構造モデル１における電磁界解析の結果を示しており、また、図１３に示した例は、図７（Ａ）及び図１０（Ａ）〜図１０（Ｄ）の第１配線基板内部構造モデル１におけるスキューの算出結果を示している。

上述のように第１配線基板内部構造モデル１を用いて電磁界解析を実行し、差動配線２２及び差動配線２３を伝搬させる信号については、周波数を０．１〜３０ＧＨｚまで０．１ＧＨｚ刻みでスイープさせ、その結果として、図１２に示すように、差動配線２２（図１２中、実線Ａで示す）と差動配線２３（図１２中、実線Ｂで示す）のそれぞれにおいて、周波数ごとの群遅延（Group Delay）が表示される。

そして、差動配線２３（図１２中、実線Ｂで示す）の群遅延から、差動配線２２（図１２中、実線Ａで示す）の群遅延を減算し、図１３に示すように、スキュー（３０ＧＨｚではマイナス０．０２ｐｓｅｃ）を算出する。
そして、ステップＳ３０において、スキュー分布取得部５３は、図８に示すように、第１配線基板内部構造モデル１の複数の第１位置パターン１Ｘをある配線長分だけ組み合わせた複数の第１組合パターン３と、第２配線基板内部構造モデル２の複数の第２位置パターン２Ｘをある配線長分だけ組み合わせた複数の第２組合パターン４とを組み合わせた複数の配線基板パターン５のそれぞれについて、複数の第１組合パターン３のそれぞれを構成する複数の第１位置パターン１Ｘのそれぞれの第１スキューを足し合わせるとともに、複数の第２組合パターン４のそれぞれを構成する複数の第２位置パターン２Ｘのそれぞれの第２スキューを足し合わせて、合計スキューを算出し、算出された合計スキューに基づいて、ある配線長を有する配線基板におけるスキュー分布を取得する。

ここでは、スキュー分布取得部５３は、第１配線基板内部構造モデル１の複数の第１位置パターン１Ｘの中から、任意にある配線長分だけ抽出して組み合わせて、第１組合パターン３を複数作成し、これらの複数の第１組合パターン３のそれぞれを構成する複数の第１位置パターン１Ｘのそれぞれの第１スキューを足し合わせて、複数の第１組合パターン３のそれぞれの合計スキューを算出する。また、スキュー分布取得部５３は、第２配線基板内部構造モデル２の複数の第２位置パターン２Ｘの中から、任意にある配線長分だけ抽出して組み合わせて、第２組合パターン４を複数作成し、これらの複数の第２組合パターン４のそれぞれを構成する複数の第２位置パターン２Ｘのそれぞれの第２スキューを足し合わせて、複数の第２組合パターン４のそれぞれの合計スキューを算出する。また、スキュー分布取得部５３は、複数の第１組合パターン３及び複数の第２組合パターン４の中から、任意に一つずつ抽出して組み合わせて、配線基板パターン５を複数作成し、これらの複数の配線基板パターン５のそれぞれを構成する第１組合パターン３の合計スキューと第２組合パターン４の合計スキューを足し合わせて、複数の配線基板パターン５のそれぞれの合計スキューを算出する。そして、スキュー分布取得部５３は、このようにして算出された、複数の配線基板パターン５のそれぞれの合計スキューに基づいて、ある配線長を有する配線基板におけるスキュー分布を取得する。ここでは、複数の配線基板パターン５のそれぞれの合計スキューを、スキューの値毎にカウントし、横軸にスキューの値、縦軸にカウント数をとって、スキュー分布（スキュー統計値）を取得する。

そして、ステップＳ４０において、スキュー分布表示部５４は、スキュー分布取得部５３で取得したスキュー分布を画面上に表示させる。
なお、上述の実施形態では、ある配線長を有する配線基板が、一対の差動配線２２、２３の上側及び下側に１枚のガラスクロス１１を備える場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、例えば、ある配線長を有する配線基板が、一対の差動配線２２、２３の上側又は下側に複数枚のガラスクロス１１を備える場合にも本発明を適用することができる。

例えば、ある配線長を有する配線基板が、一対の差動配線２２、２３の上側に複数枚のガラスクロス１１を備える場合、配線基板内部構造モデル作成部５１において、一対の差動配線（第１差動配線）２２、２３の上側に１枚のガラスクロス（第１ガラスクロス）１１を含む基本配線長分の第１配線基板内部構造モデル１として、一対の差動配線２２、２３と１枚のガラスクロス１１との間の距離（厚さ方向距離）が異なる複数の第１配線基板内部構造モデル１を、ガラスクロス１１の枚数に応じた数だけ作成し、スキュー算出部５２において、複数の第１配線基板内部構造モデル１のそれぞれの複数の第１位置パターンのそれぞれにおいて第１スキューを算出すれば良い。つまり、スキュー算出部が、ガラスクロスの枚数に応じた、一対の差動配線２２、２３とガラスクロス１１との間の距離が異なる複数の第１配線基板内部構造モデルのそれぞれの複数の第１位置パターンのそれぞれにおいて第１スキューを算出すれば良い。そして、スキュー分布取得部５３において、複数の第１組合パターンとして、複数の第１配線基板内部構造モデル１のそれぞれについての複数の第１組合パターンを組み合わせた複数の配線基板パターンのそれぞれについて、第１スキューとして、複数の第１配線基板内部構造モデル１のそれぞれについての複数の第１組合パターンのそれぞれを構成する複数の第１位置パターン１Ｘのそれぞれの第１スキューを足し合わせて、合計スキューを算出すれば良い。

例えば、ある配線長を有する配線基板が、一対の差動配線２２、２３の上側に２枚のガラスクロス１１を備える場合、第１配線基板内部構造モデル１として、一対の差動配線２２、２３と１枚のガラスクロス１１との間の距離（厚さ方向距離）が異なる２つの第１配線基板内部構造モデル１を作成し、スキュー算出部５２において、一方の第１配線基板内部構造モデル１の第１差動配線と第１ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第１位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、複数の第１位置パターンのそれぞれにおいて一対の第１差動配線間に生じる第１スキューを算出するとともに、他方の第１配線基板内部構造モデル１の第１差動配線と第１ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第１位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、複数の第１位置パターンのそれぞれにおいて一対の第１差動配線間に生じる第１スキューを算出し、スキュー分布取得部５３において、複数の第１組合パターンとして、一方の第１配線基板内部構造モデル１の複数の第１位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第１組合パターンと、他方の第１配線基板内部構造モデル１の複数の第１位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第１組合パターンとを組み合わせた複数の配線基板パターンのそれぞれについて、第１スキューとして、一方の第１配線基板内部構造モデル１についての複数の第１組合パターンのそれぞれを構成する複数の第１位置パターン１Ｘのそれぞれの第１スキューと、他方の第１配線基板内部構造モデル１についての複数の第１組合パターンのそれぞれを構成する複数の第１位置パターン１Ｘのそれぞれの第１スキューを足し合わせて、合計スキューを算出すれば良い。

また、ある配線長を有する配線基板が、一対の差動配線２２、２３の下側に複数枚のガラスクロス１１を備える場合、配線基板内部構造モデル作成部５１において、一対の差動配線（第１差動配線）２２、２３の下側に１枚のガラスクロス（第２ガラスクロス）１１を含む基本配線長分の第２配線基板内部構造モデル２として、一対の差動配線２２、２３と１枚のガラスクロス１１との間の距離（厚さ方向距離）が異なる複数の第２配線基板内部構造モデル２を、ガラスクロス１１の枚数に応じた数だけ作成し、スキュー算出部５２において、複数の第２配線基板内部構造モデル２のそれぞれの複数の第２位置パターンのそれぞれにおいて第２スキューを算出すれば良い。つまり、スキュー算出部が、ガラスクロスの枚数に応じた、一対の差動配線２２、２３とガラスクロス１１との間の距離が異なる複数の第２配線基板内部構造モデルのそれぞれの複数の第２位置パターンのそれぞれにおいて第２スキューを算出すれば良い。そして、スキュー分布取得部５３において、複数の第２組合パターンとして、複数の第２配線基板内部構造モデル２のそれぞれについての複数の第２組合パターンを組み合わせた複数の配線基板パターンのそれぞれについて、第２スキューとして、複数の第２配線基板内部構造モデル２のそれぞれについての複数の第２組合パターンのそれぞれを構成する複数の第２位置パターン１Ｘのそれぞれの第２スキューを足し合わせて、合計スキューを算出すれば良い。

例えば、ある配線長を有する配線基板が、一対の差動配線２２、２３の下側に２枚のガラスクロス１１を備える場合、第２配線基板内部構造モデル２として、一対の差動配線２２、２３と１枚のガラスクロス１１との間の距離（厚さ方向距離）が異なる２つの第２配線基板内部構造モデル２を作成し、スキュー算出部５２において、一方の第２配線基板内部構造モデル２の第２差動配線と第２ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第２位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、複数の第２位置パターンのそれぞれにおいて一対の第２差動配線間に生じる第２スキューを算出するとともに、他方の第２配線基板内部構造モデル２の第２差動配線と第２ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第２位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、複数の第２位置パターンのそれぞれにおいて一対の第２差動配線間に生じる第２スキューを算出し、スキュー分布取得部５３において、複数の第２組合パターンとして、一方の第２配線基板内部構造モデル２の複数の第２位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第２組合パターンと、他方の第２配線基板内部構造モデル２の複数の第２位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第２組合パターンとを組み合わせた複数の配線基板パターンのそれぞれについて、第２スキューとして、一方の第２配線基板内部構造モデル２についての複数の第２組合パターンのそれぞれを構成する複数の第２位置パターン２Ｘのそれぞれの第２スキューと、他方の第２配線基板内部構造モデル２についての複数の第２組合パターンのそれぞれを構成する複数の第２位置パターン２Ｘのそれぞれの第２スキューを足し合わせて、合計スキューを算出すれば良い。

したがって、本実施形態にかかるシミュレーション方法及びシミュレーション装置によれば、３次元数値解析ツールによる電磁界解析の計算コストを抑え、高精度なスキュー分布（スキュー統計データ）を高速に取得することが可能であるという利点がある。
つまり、計算時間及び計算容量を抑えながら、３次元数値解析ツールによる解析検体数を増やすことができ、この結果、高精度なスキュー分布を取得することができ、これにより、ある配線長を有する配線基板におけるスキューを予測することが可能となる。

特に、第１及び第２配線基板内部構造モデル１、２は、一対の差動配線２２、２３及び１枚のガラスクロス１１を含むだけであるため、これを用いて３次元電磁界解析を行なう際のメッシュ数を必要最小限に抑えることができ、また、変動させるパラメータは配線の位置のみであるため、スキュー計算時間を短縮し、高速化することができる。これにより、３次元数値解析ツールによる電磁界解析の計算コストを抑えることが可能となる。

また、第１及び第２配線基板内部構造モデル１、２のそれぞれの複数の位置パターン１Ｘ、２Ｘにおけるスキューをある配線長分ずつ抽出して足し合わせて合計スキューを算出し、これに基づいて、ある配線長を有する配線基板におけるスキュー分布を短時間で取得することが可能となる。特に、一対の差動配線２２、２３がガラスクロス１１に対して傾いている場合も含めて、高精度なスキュー分布を短時間で高速に取得することが可能である。

また、上述の実施形態のように、一対の差動配線２２、２３の上側に１枚のガラスクロス１１を含む第１配線基板内部構造モデル１と、一対の差動配線２２、２３の下側に１枚のガラスクロス１１を含む第２配線基板内部構造モデル２とを用いることで、一対の差動配線２２、２３の上下のガラスクロス１１の位置がずれている配線基板パターンも含めて、高精度なスキュー分布を得ることができ、スキューの解析精度を向上させることができる。例えば、一対の差動配線の上下に１枚ずつガラスクロスを含む配線基板内部構造モデルを用いると、上下のガラスクロスの位置関係は固定されてしまうため、上下のガラスクロスの位置がずれている配線基板パターンのスキュー分布を得ることができない。これに対し、上述の実施形態のように、一対の差動配線２２、２３の上側に１枚のガラスクロス１１を含む第１配線基板内部構造モデル１と、一対の差動配線２２、２３の下側に１枚のガラスクロス１１を含む第２配線基板内部構造モデル２とを用いることで、上下のガラスクロス１１の位置がずれている配線基板パターンのスキュー分布を得ることもできる。

なお、本発明は、上述した実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
例えば、上述の実施形態のシミュレーション装置の各機能及びシミュレーション方法の各処理は、ハードウェア、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）ボードやＣＰＵ（Central Processing Unit）ボードでのファームウェア、又は、ソフトウェアによって実現することができる。

例えば、上述の実施形態のシミュレーション装置の各機能及びシミュレーション方法の各処理は、コンピュータ（ＣＰＵなどのプロセッサ，情報処理装置，各種端末を含む）がプログラムを実行することによって実現することができる。この場合、上述の実施形態のシミュレーション装置の各機能及びシミュレーション方法の各処理を、一のプログラム又は複数のプログラムを実行することによって実現すれば良い。例えば、上述の実施形態の配線基板内部構造モデル作成部及びスキュー算出部の各機能及び各処理を、３次元電磁界解析を行なうためのプログラムである３次元数値解析ツールを実行することによって実現し、上述の実施形態のスキュー分布取得部の機能及び処理を、例えば表計算ソフトを実行することによって実現すれば良い。また、上述の実施形態の配線基板内部構造モデル作成部、スキュー算出部、スキュー分布取得部及びスキュー分布表示部の各機能及び各処理を、一のプログラムを実行することによって実現する場合、一のプログラムの指示に基づいて、３次元数値解析ツールが実行されることで、上述の実施形態の配線基板内部構造モデル作成部及びスキュー算出部の各機能及び各処理が実現され、また、一のプログラムの指示に基づいて、例えば表計算ソフトが実行されることで、上述の実施形態のスキュー分布取得部の機能及び処理が実現されるようにすれば良い。このように、コンピュータがプログラムを実行することによって、上述の実施形態のシミュレーション装置の各機能及びシミュレーション方法の各処理を実現する場合、そのプログラム（一又は複数のプログラム）は、シミュレーションに用いられるものであるため、シミュレーションプログラムという。

また、上述の実施形態のシミュレーション装置の各機能及びシミュレーション方法の各処理を、コンピュータがプログラムを実行することによって実現する場合、上述の実施形態のシミュレーション装置５０は、例えば図１９に示すようなハードウェア構成を備えるコンピュータによって実現することができる。つまり、上述の実施形態のシミュレーション装置５０は、ＣＰＵ１０２、メモリ１０１、通信制御部１０９、入力装置１０６、表示制御部１０３、表示装置１０４、記憶装置１０５、可搬型記録媒体１０８のドライブ装置１０７を備え、これらがバス１１０によって相互に接続された構成になっているコンピュータによって実現することができる。なお、上述の実施形態のシミュレーション装置としてのコンピュータのハードウェア構成はこれに限られるものではない。

ここで、ＣＰＵ１０２は、コンピュータ全体を制御するものであり、プログラムをメモリ１０１に読み出して実行し、上述の実施形態のシミュレーション装置に必要な処理を行なうものである。
メモリ１０１は、例えばＲＡＭなどの主記憶装置であり、プログラムの実行、データの書き換え等を行なう際に、プログラム又はデータを一時的に格納するものである。

通信制御部１０９（通信インターフェース）は、例えばＬＡＮやインターネットなどのネットワークを介して、他の装置と通信するために用いられるものである。この通信制御部１０９は、コンピュータに元から組み込まれていても良いし、後からコンピュータに取り付けられたＮＩＣ（Network Interface Card）でも良い。
入力装置１０６は、例えば、タッチパネル、マウスなどのポインティングデバイス、キーボードなどである。

表示装置１０４は、例えば液晶ディスプレイなどの表示装置である。
表示制御部１０３は、例えばスキュー分布などを表示装置１０４に表示させるための制御を行なうものである。
記憶装置１０５は、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ）やＳＳＤなどの補助記憶装置であり、各種のプログラム及び各種のデータが格納されている。ここでは、記憶装置１０５には、シミュレーションプログラムが格納されている。なお、メモリ１０１として、例えばＲＯＭ（Read Only Memory）を備えるものとし、これに各種のプログラムや各種のデータを格納しておいても良い。

ドライブ装置１０７は、例えばフラッシュメモリ等の半導体メモリ、光ディスク、光磁気ディスク等の可搬型記録媒体１０８の記憶内容にアクセスするためのものである。
このようなハードウェア構成を備えるコンピュータにおいて、ＣＰＵ１０２が、例えば記憶装置１０５に格納されているシミュレーションプログラムをメモリ１０１に読み出して実行することで、上述の実施形態のシミュレーション装置の各機能及びシミュレーション方法の各処理が実現される。

また、ここでは、上述の実施形態のシミュレーション装置を、コンピュータにシミュレーションプログラムをインストールしたものとして構成しているが、上述の実施形態のシミュレーション装置の各機能をコンピュータに実現させるためのシミュレーションプログラム又は上述の実施形態のシミュレーション方法の各処理をコンピュータに実行させるシミュレーションプログラムは、コンピュータ読取可能な記録媒体に格納した状態で提供される場合もある。

ここで、記録媒体には、例えば半導体メモリなどのメモリ，磁気ディスク，光ディスク［例えばＣＤ（Compact Disc）−ＲＯＭ，ＤＶＤ（Digital Versatile Disk），ブルーレイディスク等］，光磁気ディスク（ＭＯ：Magneto optical Disc）等のプログラムを記録することができるものが含まれる。なお、磁気ディスク，光ディスク，光磁気ディスク等を可搬型記録媒体ともいう。

この場合、ドライブ装置を介して、可搬型記録媒体からシミュレーションプログラムを読み出し、読み出されたシミュレーションプログラムを記憶装置にインストールすることになる。これにより、上述の実施形態のシミュレーション装置及びシミュレーション方法が実現され、上述の場合と同様に、記憶装置にインストールされたシミュレーションプログラムを、ＣＰＵがメインメモリ上に読み出して実行することで、上述の実施形態のシミュレーション装置の各機能及びシミュレーション方法の各処理が実現されることになる。なお、コンピュータは、可搬型記録媒体から直接プログラムを読み取り、そのプログラムに従った処理を実行することもできる。

また、上述の実施形態のシミュレーション装置の各機能をコンピュータに実現させるためのシミュレーションプログラム又は上述の実施形態のシミュレーション方法の各処理をコンピュータに実行させるシミュレーションプログラムは、例えば伝送媒体としてのネットワーク（例えばインターネット，公衆回線や専用回線等の通信回線等）を介して提供される場合もある。

例えば、プログラム提供者が例えばサーバなどの他のコンピュータ上で提供しているシミュレーションプログラムを、例えばインターネットやＬＡＮ等のネットワーク及び通信インタフェースを介して、記憶装置にインストールしても良い。これにより、上述の実施形態のシミュレーション装置及びシミュレーション方法が実現され、上述の場合と同様に、記憶装置にインストールされたシミュレーションプログラムを、ＣＰＵがメインメモリ上に読み出して実行することで、上述の実施形態のシミュレーション装置の各機能及びシミュレーション方法の各処理が実現されることになる。なお、コンピュータは、例えばサーバなどの他のコンピュータからプログラムが転送されるごとに、逐次、受け取ったプログラムに従った処理を実行することもできる。

また、ここでは、ＣＰＵ１０２、メモリ１０１、通信制御部１０９、入力装置１０６、表示制御部１０３、表示装置１０４、記憶装置１０５、可搬型記録媒体１０８のドライブ装置１０７などのハードウェア構成を備える単体の装置として本シミュレーション装置を実現する場合を例に挙げて説明したが、これに限られるものではない。例えば、上述の実施形態のシミュレーション装置の各機能及びシミュレーション方法の各処理が実現されるのであれば、単体の装置でなくても良く、複数の装置からなるシステムあるいは統合装置であっても、ＬＡＮ、ＷＡＮ等のネットワークを介して処理が行なわれるシステムであっても良い。例えば、クラウドサーバなどのサーバが上述の実施形態のシミュレーション装置の各機能及びシミュレーション方法の各処理を実現するものとして構成され、インターネットやイントラネットのようなコンピュータネットワークを介して利用可能になっていても良い。

また、ここでは、コンピュータにおいてＣＰＵがメモリ上に読み出したプログラムを実行することによって、上述の実施形態のシミュレーション装置の各機能及びシミュレーション方法の各処理が実現される場合を例に挙げて説明したが、これに限られるものではなく、そのプログラムの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳなどが実際の処理の一部又は全部を行なって、上述の実施形態のシミュレーション装置の各機能及びシミュレーション方法の各処理が実現されるようになっていても良い。また、可搬型記録媒体から読み出されたプログラムやプログラム（データ）提供者から提供されたプログラム（データ）が、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部又は全部を行なって、上述の実施形態のシミュレーション装置の各機能及びシミュレーション方法の各処理が実現されるようになっていても良い。

以下、上述の実施形態及び変形例に関し、更に、付記を開示する。
（付記１）
コンピュータが、
一対の第１差動配線の上側に１枚の第１ガラスクロスを含む基本配線長分の第１配線基板内部構造モデルの前記第１差動配線と前記第１ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第１位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、前記複数の第１位置パターンのそれぞれにおいて前記一対の第１差動配線間に生じる第１スキューを算出するとともに、一対の第２差動配線の下側に１枚の第２ガラスクロスを含む基本配線長分の第２配線基板内部構造モデルの前記第２差動配線と前記第２ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第２位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、前記複数の第２位置パターンのそれぞれにおいて前記一対の第２差動配線間に生じる第２スキューを算出し、
前記第１配線基板内部構造モデルの前記複数の第１位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第１組合パターンと、前記第２配線基板内部構造モデルの前記複数の第２位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第２組合パターンとを組み合わせた複数の配線基板パターンのそれぞれについて、前記複数の第１組合パターンのそれぞれを構成する前記複数の第１位置パターンのそれぞれの前記第１スキューを足し合わせるとともに、前記複数の第２組合パターンのそれぞれを構成する前記複数の第２位置パターンのそれぞれの前記第２スキューを足し合わせて、合計スキューを算出し、算出された前記合計スキューに基づいて、ある配線長を有する配線基板におけるスキュー分布を取得する、各処理を実行することを特徴とするシミュレーション方法。

（付記２）
前記基本配線長分の前記第１配線基板内部構造モデルは、前記第１ガラスクロスを構成するガラス繊維束の前記第１差動配線が延びる方向の１周期分の長さ又は複数周期分の長さを有し、
前記基本配線長分の前記第２配線基板内部構造モデルは、前記第２ガラスクロスを構成するガラス繊維束の前記第２差動配線が延びる方向の１周期分の長さ又は複数周期分の長さを有することを特徴とする、付記１に記載のシミュレーション方法。

（付記３）
前記第１配線基板内部構造モデルは、前記第１差動配線が延びる方向に直交する方向に、前記第１ガラスクロスを構成するガラス繊維束の１周期分の長さ又は複数周期分の長さを有し、
前記第２配線基板内部構造モデルは、前記第２差動配線が延びる方向に直交する方向に、前記第２ガラスクロスを構成するガラス繊維束の１周期分の長さ又は複数周期分の長さを有することを特徴とする、付記１又は２に記載のシミュレーション方法。

（付記４）
前記ある配線長を有する配線基板が、一対の差動配線の上側に複数枚のガラスクロスを備える場合、
前記第１スキュー及び前記第２スキューを算出する工程において、前記ガラスクロスの枚数に応じた、前記第１差動配線と前記第１ガラスクロスとの間の距離が異なる複数の前記第１配線基板内部構造モデルのそれぞれの前記複数の第１位置パターンのそれぞれにおいて前記第１スキューを算出し、
前記スキュー分布を取得する工程において、前記複数の第１組合パターンとして、前記複数の第１配線基板内部構造モデルのそれぞれについての複数の第１組合パターンを組み合わせた前記複数の配線基板パターンのそれぞれについて、前記第１スキューとして、前記複数の第１配線基板内部構造モデルのそれぞれについての前記複数の第１組合パターンのそれぞれを構成する前記複数の第１位置パターンのそれぞれの前記第１スキューを足し合わせて、合計スキューを算出する処理を前記コンピュータが実行することを特徴とする、付記１〜３のいずれか１項に記載のシミュレーション方法。

（付記５）
前記ある配線長を有する配線基板が、一対の差動配線の下側に複数枚のガラスクロスを備える場合、
前記第１スキュー及び前記第２スキューを算出する工程において、前記ガラスクロスの枚数に応じた、前記第２差動配線と前記第２ガラスクロスとの間の距離が異なる複数の前記第２配線基板内部構造モデルのそれぞれの前記複数の第２位置パターンのそれぞれにおいて前記第２スキューを算出し、
前記スキュー分布を取得する工程において、前記複数の第２組合パターンとして、前記複数の第２配線基板内部構造モデルのそれぞれについての複数の第２組合パターンを組み合わせた前記複数の配線基板パターンのそれぞれについて、前記第２スキューとして、前記複数の第２配線基板内部構造モデルのそれぞれについての前記複数の第２組合パターンのそれぞれを構成する前記複数の第２位置パターンのそれぞれの前記第２スキューを足し合わせて、合計スキューを算出する処理を前記コンピュータが実行することを特徴とする、付記１〜４のいずれか１項に記載のシミュレーション方法。

（付記６）
コンピュータに、
一対の第１差動配線の上側に１枚の第１ガラスクロスを含む基本配線長分の第１配線基板内部構造モデルの前記第１差動配線と前記第１ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第１位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、前記複数の第１位置パターンのそれぞれにおいて前記一対の第１差動配線間に生じる第１スキューを算出するとともに、一対の第２差動配線の下側に１枚の第２ガラスクロスを含む基本配線長分の第２配線基板内部構造モデルの前記第２差動配線と前記第２ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第２位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、前記複数の第２位置パターンのそれぞれにおいて前記一対の第２差動配線間に生じる第２スキューを算出し、
前記第１配線基板内部構造モデルの前記複数の第１位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第１組合パターンと、前記第２配線基板内部構造モデルの前記複数の第２位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第２組合パターンとを組み合わせた複数の配線基板パターンのそれぞれについて、前記複数の第１組合パターンのそれぞれを構成する前記複数の第１位置パターンのそれぞれの前記第１スキューを足し合わせるとともに、前記複数の第２組合パターンのそれぞれを構成する前記複数の第２位置パターンのそれぞれの前記第２スキューを足し合わせて、合計スキューを算出し、算出された前記合計スキューに基づいて、ある配線長を有する配線基板におけるスキュー分布を取得する、各処理を実行させることを特徴とするシミュレーションプログラム。

（付記７）
前記基本配線長分の前記第１配線基板内部構造モデルは、前記第１ガラスクロスを構成するガラス繊維束の前記第１差動配線が延びる方向の１周期分の長さ又は複数周期分の長さを有し、
前記基本配線長分の前記第２配線基板内部構造モデルは、前記第２ガラスクロスを構成するガラス繊維束の前記第２差動配線が延びる方向の１周期分の長さ又は複数周期分の長さを有することを特徴とする、付記６に記載のシミュレーションプログラム。

（付記８）
前記第１配線基板内部構造モデルは、前記第１差動配線が延びる方向に直交する方向に、前記第１ガラスクロスを構成するガラス繊維束の１周期分の長さ又は複数周期分の長さを有し、
前記第２配線基板内部構造モデルは、前記第２差動配線が延びる方向に直交する方向に、前記第２ガラスクロスを構成するガラス繊維束の１周期分の長さ又は複数周期分の長さを有することを特徴とする、付記６又は７に記載のシミュレーションプログラム。

（付記９）
前記ある配線長を有する配線基板が、一対の差動配線の上側に複数枚のガラスクロスを備える場合、
前記第１スキュー及び前記第２スキューを算出する工程において、前記ガラスクロスの枚数に応じた、前記第１差動配線と前記第１ガラスクロスとの間の距離が異なる複数の前記第１配線基板内部構造モデルのそれぞれの前記複数の第１位置パターンのそれぞれにおいて前記第１スキューを算出し、
前記スキュー分布を取得する工程において、前記複数の第１組合パターンとして、前記複数の第１配線基板内部構造モデルのそれぞれについての複数の第１組合パターンを組み合わせた前記複数の配線基板パターンのそれぞれについて、前記第１スキューとして、前記複数の第１配線基板内部構造モデルのそれぞれについての前記複数の第１組合パターンのそれぞれを構成する前記複数の第１位置パターンのそれぞれの前記第１スキューを足し合わせて、合計スキューを算出する処理を前記コンピュータに実行させることを特徴とする、付記６〜８のいずれか１項に記載のシミュレーションプログラム。

（付記１０）
前記ある配線長を有する配線基板が、一対の差動配線の下側に複数枚のガラスクロスを備える場合、
前記第１スキュー及び前記第２スキューを算出する工程において、前記ガラスクロスの枚数に応じた、前記第２差動配線と前記第２ガラスクロスとの間の距離が異なる複数の前記第２配線基板内部構造モデルのそれぞれの前記複数の第２位置パターンのそれぞれにおいて前記第２スキューを算出し、
前記スキュー分布を取得する工程において、前記複数の第２組合パターンとして、前記複数の第２配線基板内部構造モデルのそれぞれについての複数の第２組合パターンを組み合わせた前記複数の配線基板パターンのそれぞれについて、前記第２スキューとして、前記複数の第２配線基板内部構造モデルのそれぞれについての前記複数の第２組合パターンのそれぞれを構成する前記複数の第２位置パターンのそれぞれの前記第２スキューを足し合わせて、合計スキューを算出する処理を前記コンピュータに実行させることを特徴とする、付記６〜９のいずれか１項に記載のシミュレーションプログラム。

（付記１１）
一対の第１差動配線の上側に１枚の第１ガラスクロスを含む基本配線長分の第１配線基板内部構造モデルの前記第１差動配線と前記第１ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第１位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、前記複数の第１位置パターンのそれぞれにおいて前記一対の第１差動配線間に生じる第１スキューを算出するとともに、一対の第２差動配線の下側に１枚の第２ガラスクロスを含む基本配線長分の第２配線基板内部構造モデルの前記第２差動配線と前記第２ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第２位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、前記複数の第２位置パターンのそれぞれにおいて前記一対の第２差動配線間に生じる第２スキューを算出するスキュー算出部と、
前記第１配線基板内部構造モデルの前記複数の第１位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第１組合パターンと、前記第２配線基板内部構造モデルの前記複数の第２位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第２組合パターンとを組み合わせた複数の配線基板パターンのそれぞれについて、前記複数の第１組合パターンのそれぞれを構成する前記複数の第１位置パターンのそれぞれの前記第１スキューを足し合わせるとともに、前記複数の第２組合パターンのそれぞれを構成する前記複数の第２位置パターンのそれぞれの前記第２スキューを足し合わせて、合計スキューを算出し、算出された前記合計スキューに基づいて、ある配線長を有する配線基板におけるスキュー分布を取得するスキュー分布取得部とを備えることを特徴とするシミュレーション装置。

（付記１２）
前記基本配線長分の前記第１配線基板内部構造モデルは、前記第１ガラスクロスを構成するガラス繊維束の前記第１差動配線が延びる方向の１周期分の長さ又は複数周期分の長さを有し、
前記基本配線長分の前記第２配線基板内部構造モデルは、前記第２ガラスクロスを構成するガラス繊維束の前記第２差動配線が延びる方向の１周期分の長さ又は複数周期分の長さを有することを特徴とする、付記１１に記載のシミュレーション装置。

（付記１３）
前記第１配線基板内部構造モデルは、前記第１差動配線が延びる方向に直交する方向に、前記第１ガラスクロスを構成するガラス繊維束の１周期分の長さ又は複数周期分の長さを有し、
前記第２配線基板内部構造モデルは、前記第２差動配線が延びる方向に直交する方向に、前記第２ガラスクロスを構成するガラス繊維束の１周期分の長さ又は複数周期分の長さを有することを特徴とする、付記１１又は１２に記載のシミュレーション装置。

（付記１４）
前記ある配線長を有する配線基板が、一対の差動配線の上側に複数枚のガラスクロスを備える場合、
前記スキュー算出部が、前記ガラスクロスの枚数に応じた、前記第１差動配線と前記第１ガラスクロスとの間の距離が異なる複数の前記第１配線基板内部構造モデルのそれぞれの前記複数の第１位置パターンのそれぞれにおいて前記第１スキューを算出し、
前記スキュー分布取得部が、前記複数の第１組合パターンとして、前記複数の第１配線基板内部構造モデルのそれぞれについての複数の第１組合パターンを組み合わせた前記複数の配線基板パターンのそれぞれについて、前記第１スキューとして、前記複数の第１配線基板内部構造モデルのそれぞれについての前記複数の第１組合パターンのそれぞれを構成する前記複数の第１位置パターンのそれぞれの前記第１スキューを足し合わせて、合計スキューを算出することを特徴とする、付記１１〜１３のいずれか１項に記載のシミュレーション装置。

（付記１５）
前記ある配線長を有する配線基板が、一対の差動配線の下側に複数枚のガラスクロスを備える場合、
前記スキュー算出部が、前記ガラスクロスの枚数に応じた、前記第２差動配線と前記第２ガラスクロスとの間の距離が異なる複数の前記第２配線基板内部構造モデルのそれぞれの前記複数の第２位置パターンのそれぞれにおいて前記第２スキューを算出し、
前記スキュー分布取得部が、前記複数の第２組合パターンとして、前記複数の第２配線基板内部構造モデルのそれぞれについての複数の第２組合パターンを組み合わせた前記複数の配線基板パターンのそれぞれについて、前記第２スキューとして、前記複数の第２配線基板内部構造モデルのそれぞれについての前記複数の第２組合パターンのそれぞれを構成する前記複数の第２位置パターンのそれぞれの前記第２スキューを足し合わせて、合計スキューを算出することを特徴とする、付記１１〜１４のいずれか１項に記載のシミュレーション装置。

（付記１６）
前記スキュー分布取得部で取得したスキュー分布を画面上に表示させるスキュー分布表示部を備えることを特徴とする、付記１１〜１５のいずれか１項に記載のシミュレーション装置。

１ 第１配線基板内部構造モデル
１Ｘ 複数の位置パターン（第１位置パターン）
１Ａ〜１Ｄ 位置パターン（第１位置パターン）
２ 第２配線基板内部構造モデル
２Ｘ 複数の位置パターン（第２位置パターン）
２Ａ〜２Ｄ 位置パターン（第２位置パターン）
３ 第１組合パターン
４ 第２組合パターン
５ 配線基板パターン
１１ ガラスクロス
１２、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１３、１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ ガラス繊維束
２１ 高速伝送用配線基板（ガラスクロス配線基板）
２２、２３ 差動配線
２４、２５ グランドプレーン
２６ 樹脂
５０ シミュレーション装置
５１ 配線基板内部構造モデル作成部
５２ スキュー算出部
５３ スキュー分布取得部
５４ スキュー分布表示部
１０１ メモリ
１０２ ＣＰＵ
１０３ 表示制御部
１０４ 表示装置
１０５ 記憶装置
１０６ 入力装置
１０７ ドライブ装置
１０８ 可搬型記録媒体
１０９ 通信制御部
１１０ バス

Claims (5)

1. コンピュータが、
   一対の第１差動配線の上側に１枚の第１ガラスクロスを含む基本配線長分の第１配線基板内部構造モデルの前記第１差動配線と前記第１ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第１位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、前記複数の第１位置パターンのそれぞれにおいて前記一対の第１差動配線間に生じる第１スキューを算出するとともに、一対の第２差動配線の下側に１枚の第２ガラスクロスを含む基本配線長分の第２配線基板内部構造モデルの前記第２差動配線と前記第２ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第２位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、前記複数の第２位置パターンのそれぞれにおいて前記一対の第２差動配線間に生じる第２スキューを算出し、
   前記第１配線基板内部構造モデルの前記複数の第１位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第１組合パターンと、前記第２配線基板内部構造モデルの前記複数の第２位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第２組合パターンとを組み合わせた複数の配線基板パターンのそれぞれについて、前記複数の第１組合パターンのそれぞれを構成する前記複数の第１位置パターンのそれぞれの前記第１スキューを足し合わせるとともに、前記複数の第２組合パターンのそれぞれを構成する前記複数の第２位置パターンのそれぞれの前記第２スキューを足し合わせて、合計スキューを算出し、算出された前記合計スキューに基づいて、ある配線長を有する配線基板におけるスキュー分布を取得する、各処理を実行することを特徴とするシミュレーション方法。
2. 前記基本配線長分の前記第１配線基板内部構造モデルは、前記第１ガラスクロスを構成するガラス繊維束の前記第１差動配線が延びる方向の１周期分の長さ又は複数周期分の長さを有し、
   前記基本配線長分の前記第２配線基板内部構造モデルは、前記第２ガラスクロスを構成するガラス繊維束の前記第２差動配線が延びる方向の１周期分の長さ又は複数周期分の長さを有することを特徴とする、請求項１に記載のシミュレーション方法。
3. 前記第１配線基板内部構造モデルは、前記第１差動配線が延びる方向に直交する方向に、前記第１ガラスクロスを構成するガラス繊維束の１周期分の長さ又は複数周期分の長さを有し、
   前記第２配線基板内部構造モデルは、前記第２差動配線が延びる方向に直交する方向に、前記第２ガラスクロスを構成するガラス繊維束の１周期分の長さ又は複数周期分の長さを有することを特徴とする、請求項１又は２に記載のシミュレーション方法。
4. コンピュータに、
   一対の第１差動配線の上側に１枚の第１ガラスクロスを含む基本配線長分の第１配線基板内部構造モデルの前記第１差動配線と前記第１ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第１位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、前記複数の第１位置パターンのそれぞれにおいて前記一対の第１差動配線間に生じる第１スキューを算出するとともに、一対の第２差動配線の下側に１枚の第２ガラスクロスを含む基本配線長分の第２配線基板内部構造モデルの前記第２差動配線と前記第２ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第２位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、前記複数の第２位置パターンのそれぞれにおいて前記一対の第２差動配線間に生じる第２スキューを算出し、
   前記第１配線基板内部構造モデルの前記複数の第１位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第１組合パターンと、前記第２配線基板内部構造モデルの前記複数の第２位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第２組合パターンとを組み合わせた複数の配線基板パターンのそれぞれについて、前記複数の第１組合パターンのそれぞれを構成する前記複数の第１位置パターンのそれぞれの前記第１スキューを足し合わせるとともに、前記複数の第２組合パターンのそれぞれを構成する前記複数の第２位置パターンのそれぞれの前記第２スキューを足し合わせて、合計スキューを算出し、算出された前記合計スキューに基づいて、ある配線長を有する配線基板におけるスキュー分布を取得する、各処理を実行させることを特徴とするシミュレーションプログラム。
5. 一対の第１差動配線の上側に１枚の第１ガラスクロスを含む基本配線長分の第１配線基板内部構造モデルの前記第１差動配線と前記第１ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第１位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、前記複数の第１位置パターンのそれぞれにおいて前記一対の第１差動配線間に生じる第１スキューを算出するとともに、一対の第２差動配線の下側に１枚の第２ガラスクロスを含む基本配線長分の第２配線基板内部構造モデルの前記第２差動配線と前記第２ガラスクロスとの相対位置を変えた複数の第２位置パターンのそれぞれに対して３次元電磁界解析を行なって、前記複数の第２位置パターンのそれぞれにおいて前記一対の第２差動配線間に生じる第２スキューを算出するスキュー算出部と、
   前記第１配線基板内部構造モデルの前記複数の第１位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第１組合パターンと、前記第２配線基板内部構造モデルの前記複数の第２位置パターンをある配線長分だけ組み合わせた複数の第２組合パターンとを組み合わせた複数の配線基板パターンのそれぞれについて、前記複数の第１組合パターンのそれぞれを構成する前記複数の第１位置パターンのそれぞれの前記第１スキューを足し合わせるとともに、前記複数の第２組合パターンのそれぞれを構成する前記複数の第２位置パターンのそれぞれの前記第２スキューを足し合わせて、合計スキューを算出し、算出された前記合計スキューに基づいて、ある配線長を有する配線基板におけるスキュー分布を取得するスキュー分布取得部とを備えることを特徴とするシミュレーション装置。

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