JP2009053075A - 電磁界解析装置、方法及びプログラム - Google Patents

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Abstract

【課題】解析規模を縮退させることなく、少ない計算機資源で大規模電磁界解析を行う。
【解決手段】電磁界解析装置は、解析対象の空間を分割した複数の領域を設定する領域設定部1と、各分割境界面に吸収境界条件を設定する吸収境界条件設定部2と、複数の領域の各々について独立に電磁界解析をしながら、領域の分割境界面の電磁界の時間変化を記録する電磁界解析部3と、隣り合う領域における分割境界面の電磁界の時間変化が収束しているか否かを判定する判定部5と、電磁界の時間変化が収束していると判定された場合は電磁界解析を終了させ、収束していないと判定された場合は、各領域で記録された分割境界面における電磁界の時間変化を、分割境界面を挟んで隣り合う反対側の領域の新たな励振源に設定し、電磁界解析部3に処理を実行させる実行制御部6とを備える。
【選択図】 図1

Description

本発明は、大規模または高密度機器の電磁界を解析する技術に係り、特に有限差分時間領域法を用いて電子機器等を電磁界解析する電磁界解析装置、電磁界解析方法及びプログラムに関するものである。
近年、電磁界シミュレーション方法として、マクスウェルの方程式を時間・空間で差分化して解く有限差分時間領域法(以下、FDTD法)がよく用いられている(例えば特許文献1、特許文献2参照)。FDTD法では、例えば3次元の直角座標系の場合、電界をx,y,z方向の3成分Ex、Ey、Ezに分けると共に、磁界をx,y,z方向の3成分Hx、Hy、Hzに分けて、時間・空間で差分化された時間ステップごとにマクスウェルの方程式を解いて、その結果を逐次更新していくことで、電磁界の時間変化を計算する。
FDTD法は、比較的プログラミングが簡単であり、さまざまな解析対象に適用可能である。その反面、解析対象を周囲の空間を含めて解析しなければならないため、大規模な構造物の電磁界解析にはCPU(Central Processing Unit)の処理能力に加えて、大量の物理メモリが必要である。CPUの処理能力が低ければ総解析時間が増大するものの、電磁界解析が不可能なわけではない。一方、物理メモリが不足すると、スワップ(ハードディスクの領域を仮想メモリとして割り当て処理をすること)が発生して処理速度が著しく低下したり、CPUやOS(Operating System)が管理できる物理メモリの上限を超えると処理そのものができなくなったりする。最近の一般的なPC(Personal Computer)は最大4GB程度の物理メモリを搭載するものが多いが、大規模な構造物の電磁界解析には10GB〜数十GBの物理メモリを要する場合があり、PC1台では解析を行うことができない。
一方、計算リソース不足の解消のため、複数のコンピュータをネットワークで接続して、FDTD法による並列計算が行われている。この並列計算の原理を簡単に説明するために、FDTD法による差分の定式化についてまず述べる。電磁界解析の支配方程式であるマクスウェル方程式を式(1)、式(2)に示す。
Figure 2009053075
ここで、∇×はベクトルの回転を表し、Eは電界、Hは磁界、εは誘電率、μは透磁率、Jは電流密度、Dは電束密度である。式(1)、式(2)をFDTD法の表記に書き直すと、3次元の直角座標(i,j,k)における電界のz成分Ez(i,j,k)は式(3)のようになり、座標(i,j,k)における磁界のz成分Hz(i,j,k)は式(4)のようになる。
Figure 2009053075
Δtは時間ステップ幅、Δx,Δy,Δzは解析対象の空間をそれぞれx,y,z方向について分割した分割幅、σは導電率である。電界Eと磁界Hの右上に付した添え字n,n+1は時間ステップを表す番号である。時間ステップが1進むと、時間が時間ステップ幅Δtだけ進む。FDTD法では、電界Eは整数次、磁界Hは半整数次の時間ステップに割り当てられる。したがって、電界Eと磁界Hでは時間ステップが互いに1/2ステップずれており、式(3)と式(4)は交互に実行されることになる。また、FDTD法では、空間を分割した微小領域をセルと呼ぶ。式(3)、式(4)は電磁界のz成分を算出する式であるが、電磁界のx成分やy成分についても同様の式によって算出することができる。
式(3)、式(4)からわかるように、(n+1)ステップ目の電界Eを求めるには、nステップ目の電界Eと(n−1/2)ステップ目の磁界Hが必要であり、(n+1/2)ステップ目の磁界Hを求めるには、(n−1/2)ステップ目の磁界Hとnステップ目の電界Eの値が必要となる。つまり、電界Eと磁界Hの双方ともに1ステップ前の値を使って現在の電磁界を求めている。言い換えれば、現在の電磁界を求めるためには、1ステップ前の値がわかればよい。
図3は、本発明の第2の実施の形態に係る電磁界解析装置の解析対象を示す平面図であるが、従来においても解析対象の空間の分割の仕方は同様であるので、図3を用いて解析対象の分割について説明する。ここでは、説明を簡単にするために、解析対象の空間を#1〜#4の4つの領域に分割している。図3において、100は領域#1と#2との分割境界面、101は領域#1と#3との分割境界面、102は領域#2と#4との分割境界面、103は領域#3と#4との分割境界面である。
このように解析対象の空間を分割した領域#1〜#4を並列に電磁界解析するためには、時間ステップごとに領域間で分割境界上の電磁界を受け渡す必要がある。そのため、1つでも計算に時間のかかる領域が存在すると、他の領域はその1つの領域の計算が完了するまで待機しなければならない。したがって、領域間で著しい計算時間の差が生じないように、通常は同一の能力の計算機を用い、各解析領域も同一の体積とすることが普通である。このように、並列計算の問題点として、分割した領域間の同期の取り方が挙げられる。
分割された領域間で電磁界を受け渡すためには、式(3)、式(4)より、ある点の電磁界を求めるためには隣接する点の電磁界が必要なだけなので、分割境界面における電磁界のみがわかればよい。この様子を図9に示す。図9は従来のFDTD法による並列計算の様子を模式的に示す図である。
FDTD法による並列計算では、電磁界の時間変化を式(3)、式(4)を用いて繰り返し算出することを、各領域#1〜#4について並列に行う。計算は時間ステップごとに行われ、時間tが終了時刻tmaxを超えた時点で終了する。このとき、時間ステップごとに領域間で分割境界上の電磁界を受け渡す。例えば領域#1の計算と領域#2の計算との間では、領域#1の電磁界解析で計算した、分割境界面100上の電磁界の時間変化E12(t),H12(t)を領域#2の計算に渡し、また領域#2の電磁界解析で計算した、分割境界面100上の電磁界の時間変化E21(t),H21(t)を領域#1の計算に渡す。したがって、時間ステップごとに同期をとる必要がある。
図10に、従来のFDTD法による分割境界の詳細を示す。図10において、1000,1001は領域#1を分割したセル(微小領域)、2000,2001は領域#2を分割したセルである。
領域#1の計算では、分割境界面100に接するセル1000における電磁界の磁界変化E12(t),H12(t)、より詳しくは図10のEx(i,j,k)、Ex(i,j+1,k)、Ey(i,j,k)、Ez(i,j,k)、Ez(i,j+1,k)、Hx(i,j,k)、Hy(i,j,k)、Hy(i,j+1,k)、Hz(i,j,k)の値を領域#2の計算に引き渡す。
一方、領域#2の計算では、分割境界面100に接するセル2000における電磁界の磁界変化E21(t),H21(t)、より詳しくは図10のEx(i+1,j,k)、Ex(i+1,j+1,k)、Ey(i+2,j,k)、Ez(i+2,j,k)、Ez(i+2,j+1,k)、Hx(i+2,j,k)、Hy(i+1,j,k)、Hy(i+1,j+1,k)、Hz(i+1,j,k)の値を領域#1の計算に引き渡す。
特開2005−241283号公報 特開2007−071818号公報
FDTD法の並列計算を実行可能な環境はまだ限られており、一般的な環境では実行できないという問題点があった。また、FDTD法の並列計算をPCの計算機リソースで実行する場合、解析対象の構造を簡略化して対応しなければ計算できないという問題点があった。
本発明の目的は、解析規模を縮退させることなく、少ない計算機資源で大規模電磁界解析を行うことができる電磁界解析装置、方法及びプログラムを提供することを目的とする。
本発明の電磁界解析装置は、解析対象の空間に対してこの空間を分割した複数の領域を設定する領域設定手段と、前記分割した空間の各分割境界面に吸収境界条件を設定する吸収境界条件設定手段と、前記複数の領域の各々について独立に電磁界解析をしながら、電磁界解析した領域の前記分割境界面の電磁界の時間変化を記録する電磁界解析手段と、前記電磁界解析された隣り合う領域における分割境界面の電磁界の時間変化が一定値に収束しているか否かを判定する判定手段と、前記電磁界の時間変化が一定値に収束していると判定された場合は、前記電磁界解析を終了させ、収束していないと判定された場合は、各領域で記録された分割境界面における電磁界の時間変化を、分割境界面を挟んで隣り合う反対側の領域の新たな励振源に設定して、前記電磁界解析手段と判定手段に処理を実行させる実行制御手段とを備えるものである。
また、本発明の電磁界解析装置の1構成例において、前記判定手段は、領域#mを電磁界解析した際に記録される、領域#mとこれに隣り合う領域#nとの分割境界面における電界の時間変化をEmn(t)、磁界の時間変化をHmn(t)とし、領域#nを電磁界解析した際に記録される、領域#nと領域#mとの分割境界面における電界の時間変化をEnm(t)、磁界の時間変化をHnm(t)としたとき、前記Emn(t)とEnm(t)との差が一定の範囲内で、かつ前記Hmn(t)とHnm(t)との差が一定の範囲内であるときに、前記分割境界面の電磁界の時間変化が収束していると判定するものである。
また、本発明の電磁界解析装置の1構成例において、前記電磁界解析手段は、前記複数の領域を並列に電磁界解析するか、あるいは順番に電磁界解析するものである。
また、本発明の電磁界解析方法は、CPUとメモリとを備えたコンピュータにおいて、解析対象の空間に対してこの空間を分割した複数の領域を設定する領域設定ステップと、前記分割した空間の各分割境界面に吸収境界条件を設定する吸収境界条件設定ステップと、前記複数の領域の各々について独立に電磁界解析をしながら、電磁界解析した領域の前記分割境界面の電磁界の時間変化を記録する電磁界解析ステップと、前記電磁界解析された隣り合う領域における分割境界面の電磁界の時間変化が一定値に収束しているか否かを判定する判定ステップと、前記電磁界の時間変化が一定値に収束していると判定された場合は、前記電磁界解析を終了させ、収束していないと判定された場合は、各領域で記録された分割境界面における電磁界の時間変化を、分割境界面を挟んで隣り合う反対側の領域の新たな励振源に設定して、前記電磁界解析ステップと判定ステップに処理を実行させる実行制御ステップとを実行するようにしたものである。
また、本発明の電磁界解析方法の1構成例において、前記判定ステップは、領域#mを電磁界解析した際に記録される、領域#mとこれに隣り合う領域#nとの分割境界面における電界の時間変化をEmn(t)、磁界の時間変化をHmn(t)とし、領域#nを電磁界解析した際に記録される、領域#nと領域#mとの分割境界面における電界の時間変化をEnm(t)、磁界の時間変化をHnm(t)としたとき、前記Emn(t)とEnm(t)との差が一定の範囲内で、かつ前記Hmn(t)とHnm(t)との差が一定の範囲内であるときに、前記分割境界面の電磁界の時間変化が収束していると判定するものである。
また、本発明の電磁界解析方法の1構成例は、前記複数の領域の電磁界解析を、複数のコンピュータで並列に実行するか、あるいは1台のコンピュータで順番に実行するようにしたものである。
また、本発明は、CPUとメモリとを備えたコンピュータを電磁界解析装置として機能させる電磁界解析プログラムであって、解析対象の空間に対してこの空間を分割した複数の領域を設定する領域設定ステップと、前記分割した空間の各分割境界面に吸収境界条件を設定する吸収境界条件設定ステップと、前記複数の領域の各々について独立に電磁界解析をしながら、電磁界解析した領域の前記分割境界面の電磁界の時間変化を記録する電磁界解析ステップと、前記電磁界解析された隣り合う領域における分割境界面の電磁界の時間変化が一定値に収束しているか否かを判定する判定ステップと、前記電磁界の時間変化が一定値に収束していると判定された場合は、前記電磁界解析を終了させ、収束していないと判定された場合は、各領域で記録された分割境界面における電磁界の時間変化を、分割境界面を挟んで隣り合う反対側の領域の新たな励振源に設定して、前記電磁界解析ステップと判定ステップに処理を実行させる実行制御ステップとを、前記CPUに実行させるようにしたものである。
本発明によれば、解析対象の空間を分割した領域の分割境界に吸収境界条件を適用することにより、隣接する領域の影響を排除できるため、分割した領域を別々に独立して電磁界解析することが可能になる。また、本発明では、分割した領域同士の情報をリアルタイムで共有する必要がない。このため、本発明では、単一のコンピュータで電磁界解析が不可能だった大規模構造の解析対象を、分割した領域ごとに順番に解析できるようになるので、解析対象の構造を簡略化する等の規模縮退を行うことなく、単一のコンピュータの少ない資源で大規模構造の電磁界解析を行うことができる。また、本発明では、従来例と異なり、電磁界解析において時間ステップごとに他の解析領域との同期を取る必要がない。さらに、本発明では、各領域を同一の体積に分割しなくても計算効率は低下しない。
[第1の実施の形態]
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は本発明の第1の実施の形態に係る電磁界解析装置の構成を示すブロック図である。
電磁界解析装置は、解析対象の空間に対してこの空間を分割した複数の領域を設定する領域設定部1と、分割した空間の各分割境界面に吸収境界条件を設定する吸収境界条件設定部2と、複数の領域の各々について独立に電磁界解析をしながら、電磁界解析した領域の分割境界面の電磁界の時間変化を記録する電磁界解析部3と、分割境界面の電磁界の時間変化を記憶する記憶部4と、電磁界解析された隣り合う領域における分割境界面の電磁界の時間変化が一定値に収束しているか否かを判定する判定部5と、電磁界の時間変化が一定値に収束していると判定された場合は、電磁界解析を終了させ、収束していないと判定された場合は、各領域で記録された分割境界面における電磁界の時間変化を、分割境界面を挟んで隣り合う反対側の領域の新たな励振源に設定して、電磁界解析部3と判定部5に処理を実行させる実行制御部6と、電磁界解析結果を出力する解析結果出力部7とを有する。
図2は本実施の形態の電磁界解析装置の動作を示すフローチャートである。
まず、電磁界解析装置の領域設定部1は、解析対象の空間(例えば多層回路基板を有する電子機器等)に対してこの空間を分割した複数の領域を設定する(ステップS1)。解析対象の空間を例えば多面体状の複数の領域に分割したときに、各領域間の境界にできる面を分割境界面と呼ぶ。
吸収境界条件設定部2は、分割した空間の各分割境界面に吸収境界条件を設定する(ステップS2)。
続いて、電磁界解析部3は、複数の領域の各々について独立に電磁界解析をしながら、電磁界解析した領域の分割境界面の電磁界の時間変化を記録する(ステップS3)。このステップS3では、時間tが終了時刻tmaxを超えるまで、電磁界の時間変化を式(3)、式(4)を用いて繰り返し算出し、時間tが終了時刻tmaxを超えた時点で算出を終了する。時間tはΔtずつ進む。前記のとおり、式(3)、式(4)は電磁界のz成分を算出する式であるが、電磁界のx成分やy成分についても同様の式によって算出できることは言うまでもない。
電磁界解析の結果得られた分割境界面の電磁界の時間変化は、記憶部4に記録される。解析空間を分割した複数の領域の電磁界解析は並列に実行してもよいし、順番に実行してもよい。
次に、判定部5は、電磁界解析された隣り合う領域における分割境界面の電磁界の時間変化が一定値に収束しているか否かを判定する(ステップS4)。
実行制御部6は、分割境界面の電磁界の時間変化が一定値に収束していないと判定された場合(ステップS4において判定NO)、各領域で記録された分割境界面における電磁界の時間変化を、分割境界面を挟んで隣り合う反対側の領域の新たな励振源に設定し(ステップS5)、ステップS3に戻って電磁界解析部3に処理を実行させる。こうして、隣り合う領域における分割境界面の電磁界の時間変化が一定値に収束するまで、ステップS3〜S5の処理が繰り返し実行されることになる。
そして、実行制御部6は、分割境界面の電磁界の時間変化が一定値に収束していると判定された場合(ステップS4において判定YES)、電磁界解析を終了する。この場合、解析結果出力部7は、電磁界解析部3による電磁界解析結果を例えばグラフ化して表示する等の出力処理を行う。
本実施の形態では、解析対象の空間を分割した領域の分割境界に吸収境界条件を適用することにより、隣接する領域の影響を排除できるため、分割した領域を別々に独立して電磁界解析することが可能になる。また、本実施の形態では、分割した領域同士の情報をリアルタイムで共有する必要がない。このため、本実施の形態では、単一のコンピュータで電磁界解析が不可能だった大規模構造の解析対象を、分割した領域ごとに順番に解析できるようになるので、解析対象の構造を簡略化する等の規模縮退を行うことなく、単一のコンピュータの少ない資源で大規模構造の電磁界解析を行うことができる。
本実施の形態では、従来例と異なり、電磁界解析において時間ステップごとに他の解析領域との同期を取る必要がない。また、従来のFDTD法による並列計算では、領域間で著しい計算時間の差が生じないように、各領域を同一の体積としていたが、本実施の形態では、各領域を同一の体積に分割しなくても計算効率は低下しない。なお、本実施の形態では、すべての解析領域の計算が終了した後で、分割境界面の電磁界の時間変化を隣接する解析領域の新たな励振源として計算を繰り返すことから、総計算時間は繰り返し回数分増大する。
[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態について詳細に説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態をより具体的に説明するものである。本実施の形態においても、電磁界解析装置の構成は第1の実施の形態と同様であるので、図1の符号を用いて説明する。
図3は本実施の形態の電磁界解析装置の解析対象を示す平面図である。ここでは、説明を簡単にするために、解析対象の空間を#1〜#4の4つの領域に分割してある。図3において、100は領域#1と#2との分割境界面、101は領域#1と#3との分割境界面、102は領域#2と#4との分割境界面、103は領域#3と#4との分割境界面である。
図3を例に、電磁界解析装置の処理の流れを示したものが図4である。以下、図4を用いて本実施の形態の電磁界解析装置の動作を説明する。
まず、電磁界解析装置の領域設定部1は、解析対象の空間を図3に示したように#1〜#4の4つの領域に分割する(ステップS102)。本実施の形態では、4つの領域に分割しているが、実際の分割数、分割位置は任意である。したがって、空間を分割した各領域の体積が不均一であっても構わない。ただし、分割境界面は平面であることが望ましい。
次に、吸収境界条件設定部2は、分割した空間の各分割境界面に吸収境界条件を適用する(ステップS103)。ここでは、FDTD法で用いられる吸収境界条件の中で最も高精度であるPML(Perfect Matched Layer )を用いる。PMLは、一般に4〜16層積層し、徐々に損失を大きくして電磁界を十分に吸収させる。反射係数は−120dB程度である。各分割境界面に吸収境界条件を設定した様子を図5に示す。図5において、104は吸収境界である。
図6は本実施の形態の電磁界解析の様子を模式的に示す図であり、図6(A)は1回目の電磁界解析を示す図、図6(B)は2回目以降の電磁界解析を示す図である。図7は本実施の形態の電磁界解析方法による分割境界の詳細を示す図である。
図7は、従来例の図10において、解析領域の最外面に吸収境界条件を適用したものである。PMLの場合は積層するので、解析領域が外側に層数分広がる。図7において、1000,1001は領域#1を分割したセル(微小領域)、2000,2001は領域#2を分割したセルである。
電磁界解析部3は、領域#1を電磁界解析する(ステップS104)。計算は時間ステップごとに行われ、時間tが終了時刻tmaxを超えた時点で終了する。このとき、電磁界解析部3は、領域#1に隣接する領域#2,#3の計算に対して、分割境界面の電磁界の時間変化の値を渡すため、領域#1と#2との分割境界面100の電磁界の時間変化及び領域#1と#3との分割境界面101の電磁界の時間変化を記憶部4に記録する(ステップS105)。
図6(A)に示すように、領域#1と#2との分割境界面100における電界の時間変化をE12(t)、磁界の時間変化をH12(t)とする。同様に、領域#1と#3との分割境界面101における電界の時間変化をE13(t)、磁界の時間変化をH13(t)とする。記録先である記憶部4は、アクセス速度の観点から物理メモリであることが望ましいが、総ステップ数分の大きな配列となるため、通常はハードディスク装置等の大容量の記憶装置であってもよい。このとき、記憶部4は、ローカルのコンピュータに存在する必要はなく、ネットワークを介した他のコンピュータに存在してもよい。
次に、電磁界解析部3は、領域#2を電磁界解析する(ステップS106)。そして、電磁界解析部3は、領域#2と#1との分割境界面100の電磁界の時間変化及び領域#2と#4との分割境界面102の電磁界の時間変化を記憶部4に記録する(ステップS107)。図6(A)に示すように、領域#2と#1との分割境界面100における電界の時間変化をE21(t)、磁界の時間変化をH21(t)とする。同様に、領域#2と#4との分割境界面102における電界の時間変化をE24(t)、磁界の時間変化をH24(t)とする。
続いて、電磁界解析部3は、領域#3を電磁界解析する(ステップS108)。そして、電磁界解析部3は、領域#3と#1との分割境界面101の電磁界の時間変化及び領域#3と#4との分割境界面103の電磁界の時間変化を記憶部4に記録する(ステップS109)。領域#3と#1との分割境界面101における電界の時間変化をE31(t)、磁界の時間変化をH31(t)とし、領域#3と#4との分割境界面103における電界の時間変化をE34(t)、磁界の時間変化をH34(t)とする。
さらに、電磁界解析部3は、領域#4を電磁界解析する(ステップS110)。そして、電磁界解析部3は、領域#4と#2との分割境界面102の電磁界の時間変化及び領域#4と#3との分割境界面103の電磁界の時間変化を記憶部4に記録する(ステップS111)。領域#4と#2との分割境界面102における電界の時間変化をE42(t)、磁界の時間変化をH42(t)とし、領域#4と#3との分割境界面103における電界の時間変化をE43(t)、磁界の時間変化をH43(t)とする。
次に、判定部5は、ステップS105,S107,S109,S111で得られた電磁界の時間変化を評価することにより、隣り合う領域における分割境界面の電磁界の時間変化が一定値に収束しているか否かを判定する(ステップS112)。
領域#mを電磁界解析した際に記録される、領域#mとこれに隣り合う領域#nとの分割境界面における電界の時間変化はEmn(t)、磁界の時間変化はHmn(t)で表される。同様に、領域#nを電磁界解析した際に記録される、領域#nと#mとの分割境界面における電界の時間変化はEnm(t)、磁界の時間変化はHnm(t)で表される。
判定部5は、電界Emn(t)とEnm(t)とが同じ値に収束し、かつ磁界Hmn(t)とHnm(t)とが同じ値に収束するか否かを判定する。
電界Emn(t)とEnm(t)、磁界Hmn(t)とHnm(t)は計算誤差により必ず同一の値になるとは限らない。そこで、例えばEmn(t)とEnm(t)との差が一定の範囲内に入ったときに収束したと判定し、同様にHmn(t)とHnm(t)との差が一定の範囲内に入ったときに収束したと判定する。
判定部5は、以上のような収束判定を、隣り合う全ての領域#1〜#4について行う。実行制御部6は、全ての領域#1〜#4で分割境界面における電磁界の時間変化が収束している場合は(ステップS112において判定YES)、電磁界解析を終了する。
電磁界解析が終了した場合、解析結果出力部7は、電磁界解析部3による電磁界解析結果を例えばグラフ化して表示する等の出力処理を行う。
一方、実行制御部6は、分割境界面の電磁界の時間変化が一定値に収束していないと判定された場合(ステップS112において判定NO)、各領域で記録された分割境界面における電磁界の時間変化を、分割境界面を挟んで隣り合う反対側の領域の新たな励振源に設定する(ステップS113)。
ここでは、例えばn回目の電磁界解析を行った時点とすると、n回目の領域#2の電磁界解析で記録した電磁界の時間変化E21(t)、H21(t)及びn回目の領域#3の電磁界解析で記録した電磁界の時間変化E31(t)、H31(t)を、n+1回目の領域#1の電磁界解析を行う際の新たな励振源として設定する(図6(B))。
電磁界の時間変化E21(t)、H21(t)は、より詳しくは図7に示す分割境界面100に接するセル2000における電磁界の時間変化Ex(i+1,j,k)、Ex(i+1,j+1,k)、Ey(i+2,j,k)、Ez(i+2,j,k)、Ez(i+2,j+1,k)、Hx(i+2,j,k)、Hy(i+1,j,k)、Hy(i+1,j+1,k)、Hz(i+1,j,k)である。
ここで、励振源の設定とは、電磁界解析の数式(式(3)、式(4))の右辺の該当する箇所に、これらの電磁界の時間変化の値を代入することを言う。
同様に、n回目の領域#1の電磁界解析で記録した電磁界の時間変化E12(t)、H12(t)及びn回目の領域#4の電磁界解析で記録した電磁界の時間変化E42(t)、H42(t)を、n+1回目の領域#2の電磁界解析を行う際の新たな励振源として設定する(図6(B))。
電磁界の時間変化E12(t)、H12(t)は、より詳しくは図7に示す分割境界面100に接するセル1000における電磁界の磁界変化Ex(i,j,k)、Ex(i,j+1,k)、Ey(i,j,k)、Ez(i,j,k)、Ez(i,j+1,k)、Hx(i,j,k)、Hy(i,j,k)、Hy(i,j+1,k)、Hz(i,j,k)である。
また、n回目の領域#1の電磁界解析で記録した電磁界の時間変化E13(t)、H13(t)及びn回目の領域#4の電磁界解析で記録した電磁界の時間変化E43(t)、H43(t)を、n+1回目の領域#3の電磁界解析を行う際の新たな励振源として設定する。
さらに、n回目の領域#2の電磁界解析で記録した電磁界の時間変化E24(t)、H24(t)及びn回目の領域#3の電磁界解析で記録した電磁界の時間変化E34(t)、H34(t)を、n+1回目の領域#4の電磁界解析を行う際の新たな励振源として設定する。これで、ステップS113の処理が終了する。
そして、電磁界解析部3は、ステップS104〜S111の処理を再び実行する。こうして、隣り合う全ての領域における分割境界面の電磁界の時間変化が収束するまで、ステップS104〜S113の処理が繰り返し実行されることになる。
第1の実施の形態の具体例である本実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
[第3の実施の形態]
第1、第2の実施の形態では、吸収境界条件としてPMLを用いたが、PMLの他にMurやLiao等の他の吸収境界条件を用いることもできる。また、電磁界を吸収する境界条件であればすべて用いることができる。MurやLiao等の吸収境界条件は、吸収境界面上のみに適用すればよく、PMLのように多層構造としなくてよいので取り扱いが容易である。ただし、電磁界の斜入射に対しては反射が大きくなるため、分割境界の位置に注意する必要がある。また、各種吸収境界条件が混在していてもよい。
[第4の実施の形態]
次に、本発明の第4の実施の形態について詳細に説明する。図8は本発明の第4の実施の形態に係る電磁界解析装置の構成を示すブロック図である。本実施の形態は、第1〜第3の実施の形態の電磁界解析装置をコンピュータで実現する場合の構成を示すものである。
本実施の形態の電磁界解析装置は、コンピュータ80からなる。コンピュータ80は、データの入出力を行うインタフェースである入出力部81と、記録媒体82から読み込まれたプログラムあるいはデータを記憶するメモリ83と、全体を制御したり、計算などの処理を行う演算部(CPU)84と、計算結果を出力して表示する表示部85とを含む。また、バス86は、入出力部81とメモリ83と演算部84と表示部85とを互いに接続している。
このように、電磁界解析装置は、パーソナルコンピュータやワークステーション等のコンピュータ80により実現される。このようなコンピュータを動作させるための電磁界解析プログラムは、ハードディスク、CD−ROM、MO、DVD等の読み取り可能な記録媒体82に記録された状態で提供される。演算部84は、記録媒体82から読み込んだプログラムをメモリ83に書き込み、このプログラムに従って第1〜第3の実施の形態で説明した処理を実行する。
なお、第1〜第4の実施の形態では、1台のコンピュータで電磁界解析する場合について説明しているが、これに限るものではなく、複数の領域の電磁界解析を複数台のコンピュータを用いて並列に実行してもよい。
複数のコンピュータを用いる場合、第2の実施の形態の例では、図4のステップS104,S105の処理と、ステップS106,S107の処理と、ステップS108,S109の処理と、ステップS110,S111の処理とを4台のコンピュータで並列に実行することになる。
本発明は、有限差分時間領域法を用いた、電子機器等の電磁界解析に適用することができる。
本発明の第1の実施の形態に係る電磁界解析装置の構成を示すブロック図である。 本発明の第1の実施の形態に係る電磁界解析装置の動作を示すフローチャートである。 本発明の第2の実施の形態に係る電磁界解析装置の解析対象を示す平面図である。 本発明の第2の実施の形態に係る電磁界解析装置の動作を示すフローチャートである。 本発明の第2の実施の形態において各分割境界面に吸収境界条件を設定した様子を示す図である。 本発明の第2の実施の形態における電磁界解析の様子を模式的に示す図である。 本発明の第2の実施の形態における分割境界の詳細を示す図である。 本発明の第4の実施の形態に係る電磁界解析装置の構成を示すブロック図である。 従来のFDTD法による並列計算の様子を模式的に示す図である。 従来のFDTD法による分割境界の詳細を示す図である。
符号の説明
1…領域設定部、2…吸収境界条件設定部、3…電磁界解析部、4…記憶部、5…判定部、6…実行制御部、7…解析結果出力部、80…コンピュータ、81…入出力部、82…記録媒体、83…メモリ、84…演算部、85…表示部、86…バス、100〜103…分割境界面、104…吸収境界。

Claims (7)

  1. 解析対象の空間に対してこの空間を分割した複数の領域を設定する領域設定手段と、
    前記分割した空間の各分割境界面に吸収境界条件を設定する吸収境界条件設定手段と、
    前記複数の領域の各々について独立に電磁界解析をしながら、電磁界解析した領域の前記分割境界面の電磁界の時間変化を記録する電磁界解析手段と、
    前記電磁界解析された隣り合う領域における分割境界面の電磁界の時間変化が一定値に収束しているか否かを判定する判定手段と、
    前記電磁界の時間変化が一定値に収束していると判定された場合は、前記電磁界解析を終了させ、収束していないと判定された場合は、各領域で記録された分割境界面における電磁界の時間変化を、分割境界面を挟んで隣り合う反対側の領域の新たな励振源に設定して、前記電磁界解析手段と判定手段に処理を実行させる実行制御手段とを備えることを特徴とする電磁界解析装置。
  2. 請求項1記載の電磁界解析装置において、
    前記判定手段は、領域#mを電磁界解析した際に記録される、領域#mとこれに隣り合う領域#nとの分割境界面における電界の時間変化をEmn(t)、磁界の時間変化をHmn(t)とし、領域#nを電磁界解析した際に記録される、領域#nと領域#mとの分割境界面における電界の時間変化をEnm(t)、磁界の時間変化をHnm(t)としたとき、前記Emn(t)とEnm(t)との差が一定の範囲内で、かつ前記Hmn(t)とHnm(t)との差が一定の範囲内であるときに、前記分割境界面の電磁界の時間変化が収束していると判定することを特徴とする電磁界解析装置。
  3. 請求項1記載の電磁界解析装置において、
    前記電磁界解析手段は、前記複数の領域を並列に電磁界解析するか、あるいは順番に電磁界解析することを特徴とする電磁界解析装置。
  4. CPUとメモリとを備えたコンピュータにおいて、
    解析対象の空間に対してこの空間を分割した複数の領域を設定する領域設定ステップと、
    前記分割した空間の各分割境界面に吸収境界条件を設定する吸収境界条件設定ステップと、
    前記複数の領域の各々について独立に電磁界解析をしながら、電磁界解析した領域の前記分割境界面の電磁界の時間変化を記録する電磁界解析ステップと、
    前記電磁界解析された隣り合う領域における分割境界面の電磁界の時間変化が一定値に収束しているか否かを判定する判定ステップと、
    前記電磁界の時間変化が一定値に収束していると判定された場合は、前記電磁界解析を終了させ、収束していないと判定された場合は、各領域で記録された分割境界面における電磁界の時間変化を、分割境界面を挟んで隣り合う反対側の領域の新たな励振源に設定して、前記電磁界解析ステップと判定ステップに処理を実行させる実行制御ステップとを実行することを特徴とする電磁界解析方法。
  5. 請求項4記載の電磁界解析方法において、
    前記判定ステップは、領域#mを電磁界解析した際に記録される、領域#mとこれに隣り合う領域#nとの分割境界面における電界の時間変化をEmn(t)、磁界の時間変化をHmn(t)とし、領域#nを電磁界解析した際に記録される、領域#nと領域#mとの分割境界面における電界の時間変化をEnm(t)、磁界の時間変化をHnm(t)としたとき、前記Emn(t)とEnm(t)との差が一定の範囲内で、かつ前記Hmn(t)とHnm(t)との差が一定の範囲内であるときに、前記分割境界面の電磁界の時間変化が収束していると判定することを特徴とする電磁界解析方法。
  6. 請求項4記載の電磁界解析方法において、
    前記複数の領域の電磁界解析を、複数のコンピュータで並列に実行するか、あるいは1台のコンピュータで順番に実行することを特徴とする電磁界解析方法。
  7. CPUとメモリとを備えたコンピュータを電磁界解析装置として機能させる電磁界解析プログラムであって、
    解析対象の空間に対してこの空間を分割した複数の領域を設定する領域設定ステップと、
    前記分割した空間の各分割境界面に吸収境界条件を設定する吸収境界条件設定ステップと、
    前記複数の領域の各々について独立に電磁界解析をしながら、電磁界解析した領域の前記分割境界面の電磁界の時間変化を記録する電磁界解析ステップと、
    前記電磁界解析された隣り合う領域における分割境界面の電磁界の時間変化が一定値に収束しているか否かを判定する判定ステップと、
    前記電磁界の時間変化が一定値に収束していると判定された場合は、前記電磁界解析を終了させ、収束していないと判定された場合は、各領域で記録された分割境界面における電磁界の時間変化を、分割境界面を挟んで隣り合う反対側の領域の新たな励振源に設定して、前記電磁界解析ステップと判定ステップに処理を実行させる実行制御ステップとを、前記CPUに実行させることを特徴とする電磁界解析プログラム。
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JP2015001923A (ja) * 2013-06-18 2015-01-05 清水建設株式会社 物理量シミュレーション方法及びそれを用いた物理量シミュレーションシステム
CN117092415A (zh) * 2023-10-18 2023-11-21 深圳市城市公共安全技术研究院有限公司 一种区域电磁环境监测方法、装置、设备及介质

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