JP4868412B2 - 解析装置、解析方法、解析プログラムおよび解析プログラムが格納された記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、時間領域有限差分法（Finite Difference Time Domain Method,FDTD）・有限要素法（Finite Element Method,FEM）・モーメント法（Moment Method,MoM）等に代表されるフルウェーブ電磁界解析法によるプリント基板の電磁界解析結果を評価し、配線間の結合箇所を抽出する技術に関するものである。

近年の回路素子の高速化・プリント基板の高密度化に伴って電磁ノイズによる誤動作対策、電磁ノイズの放射対策が以前にも増して重要視されている。電磁ノイズ対策を行うにあたって、基板のどの部分から電磁ノイズが漏洩しているのか特定する技術が重要となる。

特許文献１では、配線パターンの解析対象となる部分を２つの平行する信号線等の標準基板モデルとして近似し、その結合係数を予め算出した結合係数テーブルによって求め、２線間のクロストーク量を算出する技術が詳述されている。

また、電磁界分布を計算することを目的として、ＦＤＴＤ法やＦＥＭ法を利用した手法が研究されており、非特許文献１に開示されているような基板全体に適用できるシミュレータも開発され、設計現場に適用されている。
特許第３２１７９３１号公報 "Parallel-Distributed FDTD-Based Full-Wave Simulator for Large-Scale Printed Wiring Boards" Proc. EPEP2002 (IEEE Topical Meeting on Electrical Performance of Electronic Packaging)

特許文献１に記載の発明は、クロストーク解析対象部を平行２配線として扱うため、平行２配線以外の形状の配線間で発生するクロストークを評価することができないという問題を有する。また、クロストーク解析対象とする領域中の基板の構造を表すためのパラメータ設定の良否によって解析精度が低下してしまうという問題を有する。

特にビア／スルーホールで発生するクロストーク成分については、グランド等の帰路電流が流れるビアの個数や配置位置によって大きく変化し、漏洩する経路も複数の配線を跨ぐ場合もあるため、配線構造からクロストークの発生箇所を抽出する解析は困難を極める。

本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであって、平行２配線以外の形状の配線間で発生するクロストークの発生箇所についても抽出できる装置を提供することを課題とする。

上述の課題を解決するために、１つの局面に係る本願発明は、複数の配線を有する基板におけるクロストーク発生箇所を抽出する解析装置であって、基板の設計データから基板を含む解析空間の解析モデルを作成する作成手段と、作成手段により作成された解析モデルを用いて電磁界解析を実行する解析手段と、設計データからプリント基板における複数の配線の位置する座標を示す配線座標情報を取得する取得手段と、複数の配線の中から１つの配線を指定する配線指定手段と、解析手段の解析結果および取得手段により取得された配線座標情報に基づいて、配線指定手段により指定された配線の表面の電流あるいは電力を計算する計算手段と、解析手段の解析結果および計算手段の計算結果に基づき、指定された配線と結合する配線を抽出する抽出手段とを備える。

好ましくは、解析手段は、解析空間中の、電界ベクトルおよび磁界ベクトルを算出し、計算手段の計算結果に基づいて、指定された配線の各表面座標の中から１つの表面座標を指定する表面指定手段をさらに備え、抽出手段は、電界ベクトルを用いて、表面指定手段により指定された表面座標から発生する電界ベクトルを追跡し、結合する配線を抽出する。

好ましくは、前記解析手段は、前記解析空間中の、電界ベクトルおよび電流ベクトルを算出し、前記計算手段の計算結果に基づいて、前記指定された配線の各表面座標の中から１つの表面座標を指定する表面指定手段をさらに備え、前記抽出手段は、前記電流ベクトルを追跡する電流ベクトル追跡手段と、前記電界ベクトルを追跡する電界ベクトル追跡手段と、前記基板の設計データに基づき追跡時の経路における媒質を判断する判断手段とを含み、前記抽出手段は、前記指定された表面座標を始点とし、前記媒質が導体であると判断された場合には前記電流ベクトル追跡手段により前記電流ベクトルを追跡し、前記媒質が誘電体である場合と判断された場合には前記電界ベクトル追跡手段により前記電界ベクトルを追跡する。

さらに好ましくは、前記抽出手段は、前記経路が、ビアまたはスルーホールに達した場合に、前記ビアまたは前記スルーホールを前記結合する配線として抽出する。

さらに好ましくは、前記抽出手段は、前記指定された表面座標を始点とし、前記電流ベクトル追跡手段および前記電界ベクトル追跡手段により、前記電流ベクトルおよび前記電界ベクトルを正負の両方向に追跡する。

さらに好ましくは、表面指定手段は、外部からの指示を受付け、受付けた指示に基づいて、指定された配線の各表面座標の中から１つの表面座標を指定する。

さらに好ましくは、各表面座標と計算手段により計算された各表面座標の電流あるいは電力を対応付けて表示する表示手段をさらに備え、表面指定手段は、表示手段により表示された各表面座標の中から１つの表面座標を指定する外部からの指示を受付ける。

さらに好ましくは、前記表面指定手段は、前記計算手段によって算出された前記指定された配線の表面の電力値を強度の大きい順に並べ、予め設定された順位より上位となった表面座標を指定する。

好ましくは、作成手段は、解析空間をメッシュ分割した解析モデルを作成する。
好ましくは、取得手段は、記憶された設計データおよび作成された解析モデルに基づき、配線座標情報で示される複数の配線の位置する座標に対応する解析モデル座標を取得し、記憶手段は、配線座標情報と解析モデル座標とを関連付けて記憶し、計算手段は、解析手段の解析結果および取得手段により取得された配線座標情報と関連付けられて記憶されている解析モデル座標に基づいて、配線指定手段により指定された配線の各表面座標について電流あるいは電力を計算する。

好ましくは、解析結果を外部記憶装置に書き込む書込手段と、外部記憶装置に書き込まれた解析結果を読み出す読出手段をさらに備え、計算手段は、読出手段により読み出された解析結果および取得された配線座標情報に基づいて、電流あるいは電力を計算し、抽出手段は、読出手段により読み出された解析結果および計算結果に基づき、指定された配線と結合する配線を抽出する。

好ましくは、計算手段は、取得された配線座標情報に基づき、指定された配線の表面座標を計算する表面計算手段を含む。

好ましくは、計算手段は、解析結果に基づき、各表面座標における電磁界成分を取得し、磁界から電流、あるいは電界と磁界から電力を計算する。

他の局面に係る本願発明は、複数の配線を有する基板におけるクロストーク発生箇所の抽出をコンピュータに実行させるための解析方法であって、設計データから基板を含む解析空間の解析モデルを作成するステップと、作成された解析モデルを用いて電磁界解析を実行するステップと、記憶された設計データからプリント基板における複数の配線の位置する座標を示す配線座標情報を取得するステップと、複数の配線の中から１つの配線を指定するステップと、電磁界解析の解析結果および取得された配線座標情報に基づいて、指定された配線の表面の電流あるいは電力を計算するステップと、解析結果および電流あるいは電力を計算するステップの計算結果に基づき、指定された配線と結合する配線を抽出するステップとをコンピュータに実行させる。

さらに他の局面に係る本願発明は、複数の配線を有する基板におけるクロストーク発生箇所の抽出をコンピュータに実行させるための解析プログラムであって、基板の設計データから基板を含む解析空間の解析モデルを作成するステップと、作成された解析モデルを用いて電磁界解析を実行するステップと、記憶された設計データからプリント基板における複数の配線の位置する座標を示す配線座標情報を取得するステップと、複数の配線の中から１つの配線を指定するステップと、電磁界解析の解析結果および取得された配線座標情報に基づいて、指定された配線の表面の電流あるいは電力を計算するステップと、解析結果および電流あるいは電力を計算するステップの計算結果に基づき、指定された配線と結合する配線を抽出するステップとをコンピュータに実行させる。

さらに他の局面に係る本願発明は、上述の解析プログラムを格納したコンピュータ読取可能な記録媒体である。

本発明によれば、基板を含む解析領域の電磁界解析を行い、解析対象として指定された配線表面の電流あるいは電力を計算し、電磁界解析の解析結果および電流あるいは電力の計算結果に基づき、指定された配線と結合する配線を抽出する。その結果、平行２配線以外の形状の配線間で発生するクロストークの発生箇所についても抽出できる。

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部分には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがってそれらについての詳細な説明は繰り返さない。

図１は、本発明に係る解析装置１００の構成をブロック図形式で示す図である。以下、図１を参照して、プリント基板電磁界解析評価装置１００の構成について説明する。

解析装置１００は、コンピュータ本体１０２と、表示装置としてのモニタ１０４、入力装置としてのキーボード１１０およびマウス１１２とを備える。モニタ１０４、キーボード１１０、マウス１１２は、コンピュータ本体１０２とバス１０５を介して接続される
コンピュータ本体１０２は、フレキシブルディスク（Flexible Disk、以下「ＦＤ」と呼ぶ）１１６の情報を読み書きするためのＦＤドライブ１０６と、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc Read-Only Memory）１１８等の光ディスク上の情報を読み込むための光ディスクドライブ１０８と、外部とデータの授受を行なうための通信インターフェイス１２８と、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１２０と、ＲＯＭ（Read Only Memory）およびＲＡＭ（Random Access Memory）を含むメモリ１２２と、直接アクセスメモリ装置、たとえば、ハードディスク１２４を含む。ＦＤドライブ１０６、光ディスクドライブ１０８、通信インターフェイス１２８、ＣＰＵ１２０、メモリ１２２、ハードディスク１２４は、相互にバス１０５を介して接続されている。

ハードディスク１２４は、基板設計データ１３０と、回路基板上に配置される各部品に対応する等価回路モデルが格納されたモデルデータベース（以下、「モデルＤＢ」と呼ぶ）１３１と、電磁界解析を実行するための解析プログラム１３２と、解析結果を分析するプログラム１３４と、電磁界解析の条件が格納された解析条件１３６と、基板を含む解析領域の解析モデル１３８と、配線名、配線の材質、配線座標情報、配線の位置する解析モデル座標を対応付けて関連付けて保存している配線情報１４０、電磁界解析の解析結果１４２と、配線間の結合情報が格納された分析結果１４４とを記憶する。

ここで、たとえば、基板設計データ１３０、モデルＤＢ１３１、解析条件１３６については、通信インターフェイス１２８を介して、外部のデータベースから供給されてもよい。解析条件１３６については、ユーザがマウス１１２およびキーボード１１０等の入力装置を介して設定してもよい。

また、本発明に係るシミュレーションを行なうプログラムは、ＦＤ１１６、またはＣＤ−ＲＯＭ１１８等の記憶媒体によって供給されてもよいし、他のコンピュータにより通信インターフェイス１２８を経由して供給されてもよい。

また、ＣＰＵ１２０は、電磁界解析を、通信インターフェイス１２８を介して、外部のコンピュータに実行させ、その結果をハードディスク１２４に格納させてもよい。あるいは、ＣＰＵ１２０は、電磁界解析の解析結果１４２を、外部記憶装置に記憶させ、必要に応じてメモリ１２２などに読み出してもよい。

演算処理装置として機能するＣＰＵ１２０は、メモリ１２２をワーキングメモリとして、上述した各プログラムに対応した処理を実行する。

なお、ＣＤ−ＲＯＭ１１８は、コンピュータ本体に対してインストールされるプログラム等の情報を記録可能な媒体であれば、他の媒体、たとえば、ＤＶＤ−ＲＯＭ（Digital Versatile Disc）やメモリーカードなどでもよく、その場合は、コンピュータ本体１０２には、これらの媒体を読み取ることが可能なドライブ装置が設けられる。また、バス１０５には、カセット形式の磁気テープを着脱自在に装着してアクセスする磁気テープ装置が接続されていてもよい。

発明に係るシミュレーションを行なうプログラムは、上述の通り、ＣＰＵ１２０により実行されるソフトウェアである。一般的に、こうしたソフトウェアは、ＣＤ−ＲＯＭ１１８、ＦＤ１１６等の記憶媒体に格納されて流通し、光ディスクドライブ１０８またはＦＤドライブ１０６等により記憶媒体から読み取られてハードディスク１２４に一旦格納される。または、コンピュータ１００がネットワークに接続されている場合には、ネットワーク上のサーバから一旦ハードディスク１２４にコピーされる。そうしてさらにハードディスク１２４からメモリ１２２中のＲＡＭに読み出されてＣＰＵ１２０により実行される。なお、ネットワーク接続されている場合には、ハードディスク１２４に格納することなくＲＡＭに直接ロードして実行するようにしてもよい。

図１に示したコンピュータのハードウェア自体およびその動作原理は一般的なものである。したがって、本発明の機能を実現するに当り本質的な部分は、ＦＤ１１６、ＣＤ−ＲＯＭ１１８、ハードディスク１２４等の記憶媒体に記憶されたソフトウェアである。

次に、図２を用いて、本発明に係る解析装置１００の機能的構成について説明する。図２は、本発明に係る解析装置１００の機能的構成を示すブロック図である。

解析装置１００は、演算に必要な情報を記憶する記憶部２１０と、電磁界解析および解析結果の評価を行なうための演算部２２０と、ユーザへの装置内部の情報の表示、ユーザからの指示の受付けを行なうインターフェース部２３０とからなる。

記憶部２１０は、基板設計データ１３０、モデルＤＢ１３１、解析条件１３６、解析モデル情報１３８、配線情報１４０、電磁界解析結果１４２を記憶する。

基板設計データ１３０は、層構成情報１３０ａ、材質情報１３０ｂ、配線座標情報１３０ｃとを含む。

層構成情報１３０ａは、基板の各層の層厚を示す情報である。層構成情報１３０ａの具体例を、図３を用いて説明する。図３は、層構成情報１３０ａの一例を示す図である。図３に示すように、層構成情報１３０ａは、各層の層名称と、層厚とからなる。図３の層構成情報は、基板が、導体１層、絶縁１層、導体２層、絶縁２層、導体３層からなり、各層の厚さがすべて０．０２５ｍｍであることを表している。

材質情報１３０ｂは、基板を構成する材質の物性値を示す情報である。材質情報１３０ｂの具体例を、図４を用いて説明する。図４は、材質情報１３１ｂの一例を示す図である。図４に示すように、材質情報１３１ｂは、材質名と材質名に対応して与えられる物性値とからなる。物性値としては、図４に示すように、比誘電率、導電率、比透磁率などが用いられる。

配線座標情報１３０ｃは、配線の存在する位置を示すための情報である。配線座標情報１３０ｃは、例えば、図５に示すように、配線名と、配線構成点とからなる。配線構成点としては、円弧の中心点、半径、開始・終了角度、直線の始点、終点などを用いることができる。円弧（Ｘ，Ｙ，Ｒ，θ１，θ２）とは、中心ｘ座標がＸ、中心ｙ座標がＹ、円弧半径がＲ、開始角度がθ１、終了角度がθ２で表される円弧上に配線が存在することを表す。また、始点（Ｘ１，Ｙ１）終点（Ｘ２，Ｙ２）とは、始点の座標が（Ｘ１，Ｙ１）、終点の座標が（Ｘ２，Ｙ２）である直線状の２配線を表す。従って、図５に示す配線構成点に対応する配線は、図６のようになる。なお、ここでは、配線のある層（ｘ−ｙ平面）内の位置を指定する情報を示したが、３次元空間内の配線の位置を特定するには、この配線がいずれの層に存在するかを指定する情報を追加することで与えられる。あるいは、構成点が３次元座標で与えられていてもよい。

配線構成点の指定の仕方は、基板ＣＡＤソフトによっても異なり、上で説明した例に限られるわけではない。配線構成点に、さらに、配線の幅を指定する情報が付加されていてもよい。また、配線座標情報１３０ｃは、配線の位置する座標を示すことができればよく、配線構成点以外のものを用いても構わない。例えば、配線が存在する領域の座標を直接指定するような情報が基板設計データ１３０に含まれている場合、それを用いてもよい。

図７は、基板設計データ１３０に含まれる配線に関するデータをまとめたものを示す図である。すでに説明したように、基板設計データ１３０に含まれる配線に関するデータには、配線名、配線構成点、材質名がある。記憶部２１０には、これらが関連付けて記憶されている。

解析条件１３６には、電磁界解析における解析空間の大きさ、解析モデルのメッシュ分割の幅などが含まれる。解析条件１３６は、ユーザの指示に応じて解析条件設定部２３１により設定されるものとする。ただし、解析条件１３６は、予め定められているものであってもよい。あるいは、初期設定が与えられており、解析条件設定部１３１により変更されるものであってもよい。

演算部２２０は、解析モデル構築部２２１と、配線情報取得部２２２と、電磁界解析部２２３と、表面電磁界計算部２２４と、結合配線抽出部２２５とを含む。

解析モデル構築部２２１は、基板設計データ１３０、モデルＤＢ１３１、および解析条件１３６を読み込み、基板を含む解析空間についての解析モデルを構築し、構築した解析モデル情報１３８を記憶部２１０に記憶する。ただし、ここで基板設計データ１３０、モデルＤＢ１３１、解析条件１３６に関しては、通信インターフェース１２８を介して、外部から取得してもよい。また、本実施例では、ＦＤＴＤ法により電磁界解析を行なうものとする。よって、構築される解析モデルは、解析領域をメッシュに分割したものになる。ただし、電磁界解析手法は、ＦＥＭ、ＭｏＭなどの他の電磁界解析手法でも構わない。したがって、解析モデルも、上記のものに限られない。解析モデルは、図８に示すように、各解析モデル座標にどのような材質が存在するかの情報を含む。

配線情報取得部２２２は、基板設計データ１３０に含まれる配線座標情報１３０ｃと解析モデル情報１３８とから、配線の位置する座標に対応する解析モデル座標を取得する。ここで解析モデル座標は、連続量ではなく、解析空間を分割して得られるセルに対応した離散的なものであり、以下では、３次元モデルの解析モデル座標は、一般に（ｉ，ｊ，ｋ）と表すこととする。配線情報取得部２２２は、配線名、配線構成点、材質名、および配線の位置する座標に対応する解析モデル座標を関連付けた配線情報１４０を作成し、記憶部２１０に記憶する。図９に、配線情報１４０の一例を示す。図９において、配線の位置する座標に対応する解析モデル座標が３次元座標で表されているのは、配線の存在する層（本実施例ではｚ＝５の位置に存在する層とする）を考慮しているからである。

電磁界解析部２２３は、解析モデル情報１３８に基づき、解析空間の電磁界解析を行い、電磁界解析結果１４２を記憶部２１０に記憶する。

本実施例では、既に述べたように、電磁界解析部２２３は、ＦＤＴＤ法を用いて電磁界解析を行なう。従って、図１０に示すように、解析空間を分割して得られるセルの各辺上の電界成分、磁界成分が求められる。このように、算出された電磁界のＸ，Ｙ，Ｚ成分は、セルの中心座標と半セルずれ、かつ、それぞれ異なった座標について算出されるので、電磁界解析部２２３は、セルの座標中心の電磁界を、周囲の電磁界成分から補間することによって求める。これにより、共通の座標における電磁界の各成分が求められる。

３次元のＦＤＴＤ法の場合、電界の補間は、次の式（１）に従って行なわれる。ここで、左辺のＥＸ_{ｉ，ｊ，ｋ}、ＥＹ_{ｉ，ｊ，ｋ}、ＥＺ_{ｉ，ｊ，ｋ}は、それぞれ、解析モデル座標（ｉ，ｊ，ｋ）で指定されるセルの中心における電界のＸ，Ｙ，Ｚ成分である。また、右辺の各量は、ＦＤＴＤ法で算出される電界である。

また、磁界の補間は、次の式（２）に従って行なわれる。ここで、左辺のＨＸ_{ｉ，ｊ，ｋ}、ＨＹ_{ｉ，ｊ，ｋ}、ＨＺ_{ｉ，ｊ，ｋ}は、それぞれ、解析モデル座標（ｉ，ｊ，ｋ）で指定されるセルの中心における磁界のＸ，Ｙ，Ｚ成分である。また、右辺の各量は、ＦＤＴＤ法で算出される磁界である。

電流／電力計算部２２４は、配線指定部２３３で指定された配線の表面の電流あるいは電力を計算する。電流／電力計算部２２４の行なう処理は次のとおりである。

まず、電流／電力計算部２２４は、配線情報１４０から解析モデル座標を取得し、表面座標、すなわち、配線の表面が存在する位置に含まれる解析モデル座標を計算する。この計算は、例えば、次のようにして行なわれる。ここでは、説明の簡単のため、まず、２次元のＦＤＴＤ法を例として説明する。２次元配列を２つ（配列Ａ，配列Ｂ）用意し、対象配線の存在する領域に１を、存在しない領域に０を書き込む。続いて、配列Ａを縦の正方向に１ずらし、値が１の座標に対して配列Ｂも１を書き込む。この処理を、縦の負方向、横の正方向、横の負方向の４パターン行う。最後に、配列Ｂから配列Ａを引いて、値が１となる座標が、対象配線の表面座標である。解析対象が３次元構造を持つ配線の場合には、配列を３次元配列にし、縦方向、横方向への移動に加え、上下方向への移動を行なえばよい。電流／電力計算部２２４は、このようにして抽出した表面座標を配線情報１４０に追加保存する。

さらに、電流／電力計算部２２４は、指定された配線の各表面座標の電磁界を求める。このとき、すでに説明したように、補間によって得られたセル中心座標における電磁界を用いる。

電流／電力計算部２２４は、配線の各表面座標における電磁界に基づき、各表面座標について、配線表面の電流ベクトルｉ、ポインティングベクトルＳｐを、電磁解析結果１４２に基づき、例えば、次の式（３）、式（４）により算出し、また、その大きさを算出する。ここで、Ｈは配線表面の磁界、Ｄは配線表面の電束密度、Ｅは配線表面の電場Ｅである。なお、ここでは、電流ベクトルの大きさを、単に「電流」と呼び、ポインティングベクトルの大きさを「電力」と呼ぶ。電流、電力は、漏洩量の指標（以下、単に、「漏洩量」とよぶ）として用いられる。

なお、ＦＤＴＤ法で得られる電磁界が周波数領域データである場合、電流／電力計算部２２４は、式（３）、式（４）中のＨ，Ｄ，Ｅの値（value）を、周波数領域データの絶対値(abs)と位相(phase)を用いて次の式（５）で計算する。ＦＤＴＤ法で得られる電磁界が時間領域データの場合は、データを直接用いる。

電流／電力計算部２２４は、上記計算を、配線表面のすべての点に対して行い、計算された電流あるいは電力を、配線情報１４０に追加保存する。配線情報１４０に、配線表面座標および電力を付加した例を図１１に示す。

表面座標指定部２３３は、配線表面座標の中からクロストーク抽出の対象となる座標を指定する。具体的には、配線情報１４０に含まれる各表面座標と各表面座標における電流あるいは電力を記憶部２１０から取得し、表面座標と表面電流あるいは表面電力を対応付けた座標選択画面をモニタ１０４に表示し、座標選択画面の中から利用者が選択した表面座標を、クロストーク抽出の対象となる座標として指定する。

表面座標指定部２３３は、例えば、導体層ごとに表面電流分布、表面電力分布を表示する画面を座標選択画面として作成する。この場合、表面座標ごとの電流値、電力値が分かるような画面を作成する。例えば、セルで分割した基板を図示し、電流値、電力値によって、各セルを色分けする。あるいは、図１２に示すような座標選択画面を作成してもよい。図１２は、座標選択画面の一例を示す図であって、表面座標指定部２３３が、電力の多い順に表面座標を並び替えて、モニタ１０４に表示した場合のものである。クロストークの発生している箇所は漏洩量が多いと考えられるので、このように漏洩量の多い順に表面座標を表示し、利用者に選択させることで、クロストーク発生箇所の抽出を効率的に行なえる。

以上は、利用者が、表面座標を選択する例を示したが、表面座標指定部２３３は、利用者の選択によらず、漏洩量が多い表面座標を、クロストーク抽出の対象となる座標として指定してもよい。例えば、特に限定されないが、漏洩量が最大となる座標を指定してもよい。あるいは、表面座標指定部２３３が、表面座標のうち、漏洩量が大きいものから予め設定された順位までの座標を指定し、後述する結合配線抽出部２２５が、指定された座標について、順次、クロストーク抽出処理を行なっていくという構成であってもよい。

結合配線抽出部２２５は、表面座標指定部２３３により指定された配線表面と結合する配線の抽出を行う。以下、抽出方法について図１３〜図１６を用いて説明する。ここでは、２次元ＦＤＴＤ法における解析モデル例を用いて説明する。

図１３は、抽出処理開始時の基板の解析モデルを示す図である。各セルのｘ座標は、枠の左に示した１〜４のいずれかで指定され、各セルのｙ座標は、枠の上に示した１〜４のいずれかで指定される。以下では、各セルを、そのｘ座標、ｙ座標によって指定する。例えば、セル（２，３）は、ｘ座標が２、ｙ座標が３のセルを指すものとする。セルは、誘電体あるいは空気の存在するセル（以下、誘電体・空気のセルとよぶ）と、配線の存在するセル（以下、配線のセルとよぶ）に分けられる。また、図１３中では、現在抽出処理の対象となっているセル（以下、現在のセルとよぶ）を網掛けで示している。本実施例では、表面座標指定部２３３により、座標（２，２）が指定されたものとする。従って、現在のセルは、セル（２，２）である。

また、図１３中の、各セル内部の数字（Ｅｘ，Ｅｙ）は、ｘ方向、ｙ方向の電界値を示している。これらの値は、電磁界解析部２２３で算出されたものである。

図１４は、クロストーク抽出の対象となる座標が指定された後に行なわれる処理を説明するための図である。現在のセルの電界の値は、（０，１０）である。よって、電界ベクトルが向いている方向はＹ座標の正の向きである。このことから、＋移動方向をＹ座標の正の向き、−移動方向はＹ座標の負の向きと定める。次に、現在のセルを、＋移動方向、−移動方向に１セル分移動したセルを、それぞれ、新たな現在のセルとする。−方向に移動したセル（２，１）は配線セルのため、処理を終了する。＋方向に移動したセル（２，３）は誘電体・空気のセルである。従って、これ以降は、＋移動方向、すなわち、そのセルにおいて電界ベクトルが向いている方向に、処理対象となるセルを移動していく。つまり、この場合は、電界の漏洩元から、漏洩先へと電界を追跡する処理になる。逆に、最初の処理において、＋方向に移動したセルが配線セルである場合（例えば、セル（２，４）から処理を開始した場合）は、−移動方向に、処理対象となるセルを移動していくことで、電界の漏洩先から、漏洩元へと電界を追跡する処理が行なえる。

図１５は図１４で説明した処理の後に行なわれる処理を説明するための図である。現在のセル（２，３）での電界ベクトルから、処理対象のセルの移動方向を決定する。セル（２，３）での電界ベクトルは（２，８）であり、Ｙ成分の大きさのほうが大きい。また、Ｙ成分は正の値である。従って、Ｙ座標の正の向きが＋の移動方向になる。よって、結合配線抽出部２２５は、現在セルを（２，３）から（２，４）に移動する。

図１６は図１５で説明した処理の後に行なわれる処理を説明するための図である。現在のセル（２，４）での電界ベクトルから、処理対象のセルの移動方向を決定する。セル（２，４）での電界ベクトルは（１０，０）であり、Ｘ成分の大きさのほうが大きい。また、Ｘ成分は正の値である。従って、Ｘ座標の正の向きが＋の移動方向になる。よって、結合配線抽出部２２５は、現在セルを（２，４）から（３，４）に移動する。ここで、セル（３，４）は、配線のセルであるため、結合配線抽出部２２５は処理を終了する。以上の手順で、指定された配線表面と結合する配線を抽出する。結合配線抽出部２２５は、ここまでの追跡経路（２，１）→（２，２）→（２，３）→（２，４）→（３，４）、結合先の配線などの分析結果１４４を記憶部２１０に記憶する。また、分析結果１４４を結果表示部２３４に表示させる。

以上の例では、処理対象のセルの電界が、Ｅｘ＞ＥｙあるいはＥｙ＞Ｅｘを満たす場合について説明したが、Ｅｘ＝Ｅｙのときはセルを斜め方向に移動すればよい。あるいは、電界ベクトルの方向を算出し、その方向に応じて、移動方向を定めるようにしてもよい。

結合配線抽出部２２５は、表面座標指定部２３３により、他の表面座標が指定されれば、その表面座標について、図１３から図１６を用いて説明した処理を再度行なう。また、配線指定部２３２により他の配線が指定された場合、すでに説明したような配線表面座標の算出、漏洩量の計算、表面座標の指定の処理が行なわれた後、図１３から図１６で説明した処理が行なわれる。

次に、本発明の他の局面に従った実施例に関し、ビアまたはスルーホールから漏洩するクロストークについて図１８から図２０を用いて説明する。以下では、ビアから漏洩するクロストークについて説明するが、スルーホールから漏洩するクロストークについても下記の説明と同様である。

図１８は、多層プリント基板の一部のパターン図である。多層プリント基板は、ノイズ源となる電源配線３０１、帰路電流経路となるグランド３０２、ノイズ耐性の低い電源３０３、その他の信号線３０４〜３０６からなる。また、ノイズ源となる電源配線３０１はビア３１０をはじめとする複数のビアで隣接層の電源配線と接続されている。また、グランド３０２はグランドビア３１１で隣接層と接続されている。

図１９は、図１８に示した多層プリント基板の一部の電流分布図である。図２０は、図１８に示した多層プリント基板の一部の中に存在する誘電体内に発生する電界分布図である。これらの結果は、解析条件として電源配線３０１の端子にノイズを印加し、電磁界解析部２２３による電磁界解析を行なって得られた電磁界解析結果１４２から算出したものである。

電源配線３０１に接続されたビア３１０からグランド３０２に接続されたグランドビア３１１に向かって電流が流れていることが図１９から分かる。この電流は、クロストーク成分であるノイズ電流である。これは、電源配線３０１を流れるノイズ成分がビア３１０によって層を移動する際に、図２０に示す電源配線３０１とグランド３０２間の導体間の電界の発生に伴って発生する。

このように、ビア３１０から発生したノイズは、信号線３０６およびグランド３０２を介して、ノイズ耐性の低い電源３０３に漏洩する。ノイズは、漏洩の経路上の導体中では電流で、導体間、すなわち誘電体中では電界で結合する。

次に、上記のノイズ漏洩の経路を抽出する際の、結合配線抽出部２２５の動作について図２１を用いて説明する。

本実施例では、表面座標指定部２３３により、ノイズ耐性の低い電源３０３上の表面座標３５０が指定されているものとする。

結合配線抽出部２２５は、配線情報１４０を参照し、指定された表面座標３５０が導体上に位置するか、および、表面座標３５０はビアであるかどうか判定する。指定された表面座標３５０が導体上に位置し、かつ、表面座標３５０はビアでないので、結合配線抽出部２２５は、結合の経路を図１９で示される電流ベクトルにより追跡する。電流ベクトルの追跡の方法については、前記した電界ベクトルの追跡方法と同様の方法を用いるものとする。

本実施例では、結合配線抽出部２２５は、電源配線３０３上で正方向に電流ベクトルを追跡するものとする。また、その追跡経路は、経路３６０であるとする。

追跡の途中、結合配線抽出部２２５は、追跡経路上の座標の配線情報１４０を参照する。追跡経路が座標３５１に到達すると、結合配線抽出部２２５は、配線情報１４０を参照し、移動先の座標における媒質が誘電体であるとの判断により、電流ベクトルの追跡を終了し、図２０に示す電界ベクトルの追跡を開始する。本実施例においては、電界ベクトルの追跡経路は、経路３６１であるとする。

追跡経路が座標３５２に到達すると、結合配線抽出部２２５は、配線情報を参照し、移動先の座標における媒質が導体であり、かつ、移動先の座標はビアでないとの判定により、電界ベクトルの追跡を終了し、電流ベクトルの追跡を開始する。

上記の様に、結合配線抽出部２２５は、移動先の座標における媒質に応じて、追跡の方法を切り替える。その結果、結合配線抽出部２２５は、経路３６２を通って、座標３５３に達するまで、ノイズの追跡を行なう。

座標３５３に達した際、結合配線抽出部２２５は、配線情報１４０を参照し、座標３５３の媒質が導体であり、かつ、座標３５３には、グランド３０２に設置された帰路電流が流れるビア３１１以外のビアが配置されていると判断する。そして、分析結果１４４に、座標３５３に存在するビア３１０をノイズ発生箇所として保存する。あるいは、経路３６０から経路３６２で形成される経路または電源配線３０１の少なくとも一つを保存する。

さらに、結合配線抽出部２２５は、前記の処理後、表面座標指定部２２３で指定される表面座標３５０を起点として、電流ベクトルを前記の処理とは逆の負の方向に追跡してもよい。

結合配線抽出部２２５は、前記の処理同様、配線情報１４０を参照し、移動後の座標における媒質に応じて、追跡の方法を切り替え、表面座標３５０から、経路３６０を通って、座標３５５に達するまで追跡処理を行なう。

結合配線抽出部２２５は、座標３５５における媒質が導体で、かつ、帰路電流が流れるグランドビアが配置されているとの判定により、電源ビア３１０、グランドビア３５５、経路３６０から経路３６２で形成される経路、経路３６５の少なくとも一つを分析結果１４４に保存する。

結合配線抽出部２２５は、逆方向の追跡を、追跡により到達したビアが帰路電流が流れるビアである時に行なうものとしてもよい。あるいは、ビアが配置されている座標に到達した時点で、逆向きベクトルについての処理を行なったかどうかを判定し、その処理を行なっていない場合には、逆向きにノイズの追跡を行なってもよい。

ここからは、解析装置１００の行なう処理の流れを図１７を用いて説明する。図１７は、解析装置１００の行なう処理を示すフローチャートである。

ＣＰＵ１２０は、ステップＳ１００において、ハードディスク１２４から基板設計データ１３０、モデルＤＢ１３１、および解析条件１３６を取得する。

ＣＰＵ１２０は、ステップＳ１０２において、ステップＳ１００で取得した基板設計データ１３０、モデルＤＢ１３１、および解析条件１３６に基づき、基板を含む解析空間について、解析モデルを構築し、電磁界解析を行ない、解析結果１４２をハードディスク１２４に記憶する。

また、ＣＰＵ１２０は、ステップＳ１０４において、クロストーク抽出の対象となる配線を指定する。なお、ここでは、電磁解析のあとに配線指定を行なうように説明しているが、これらの処理の順序関係はこれに限られない。

次に、ＣＰＵ１２０は、ステップＳ１０６において、指定された配線表面の座標を算出する。

次に、ＣＰＵ１２０は、ステップＳ１０８において、電磁界解析結果に基づき、ステップＳ１０６で算出した各表面座標における電流あるいは電力を計算する。

ＣＰＵ１２０は、ステップＳ１１０において、指定された配線の各表面座標の電流あるいは電力を各表面座標と対応付けた座標選択画面をモニタ１０４に表示させる。さらに、ステップＳ１１２において、座標選択画面から利用者が選択した表面座標を、クロストーク抽出処理の対象となる表面座標として指定する。

次に、ＣＰＵ１２０は、ステップＳ１１４において、指定された表面座標と結合する配線を抽出するための処理を行なう。このステップＳ１１４でＣＰＵ１２０が行なう処理は、図１３から図１６を用いて説明したとおりである。

結合する配線の抽出処理後、ＣＰＵ１２０は、ステップＳ１１６において、結合先の配線や、電界の追跡経路などの分析結果をモニタ１０４に表示させる。

ＣＰＵ１２０は、ステップＳ１１８において、検出対象となる他の配線表面座標が指定されたかどうか判断する。他の配線表面座標が指定されたと判断した場合には（ステップＳ１１６においてＹｅｓ）、ステップＳ１１０からの処理を繰り返す。

他の配線表面座標が指定されていないと判断した場合には（ステップＳ１１８においてＮｏ）、ＣＰＵ１２０は、ステップＳ１２０において、検出対象となる他の配線が指定されたかどうか判断する。他の配線が指定されたと判断した場合には（ステップＳ１１８においてＹｅｓ）、ステップＳ１０４からの処理を繰り返す。他の配線表面座標が指定されていないと判断した場合には（ステップＳ１２０においてＮｏ）、ＣＰＵ１２０は、処理を終了する。

次に、本発明の他の局面において、解析装置１００が行う処理のうち、結合配線抽出部２２５が行なう処理について、図２２を用いて説明する。すなわち、図２２は、本発明の他の局面における、図１７のステップＳ１１４に示される結合配線抽出の詳細な処理を示すフローチャートである。

図１７のステップＳ１１２において指定された表面座標に対して、ＣＰＵ１２０は、ステップＳ２０１において、正／負のいずれかのベクトル追跡方向を選択する。

次に、ＣＰＵ１２０は、ステップＳ２０２において、ハードディスク１２４上に保存された配線情報１４０より、処理対象となるセルの媒質情報を参照する。

次に、ＣＰＵ１２０は、ステップＳ２０３において、ステップＳ２０２で参照した媒質が導体かどうか判定する。

媒質が導体である場合（ステップＳ２０３においてＹｅｓ）、ＣＰＵ１２０は電流ベクトルを追跡する（ステップＳ２０４）。また、媒質が導体でない場合（ステップＳ２０３においてＮｏ）、ＣＰＵ１２０は電界ベクトルを追跡する（ステップＳ２０５）。

ステップＳ２０６でＣＰＵ１２０は、配線情報１４０を参照し、移動後のセルが導体、かつ、移動後のセルにビアが配置されているか判定する。

ステップＳ２０６で移動先のセルが導体でないか、または、ビアが配置されていないと判定された場合は（ステップＳ２０６においてＮｏ）、ＣＰＵ１２０は、ステップＳ２０２からの追跡処理を再び行なう。

ステップＳ２０６で移動先のセルが導体、かつ、ビアが配置されていると判定された場合は（ステップＳ２０６においてＹｅｓ）、ステップＳ２０７にて配線情報１４０を参照し、ビアがグランド等の帰路電流が流れる配線かどうか判別する。

ビアが帰路電流が流れる配線の場合は（ステップＳ２０７においてＹｅｓ）、ＣＰＵ１２０は、処理対象のセルを配線表面座標で指定されたセルに戻し、逆向きのベクトルを追跡する（ステップＳ２０８）。この逆向きのベクトルの追跡処理は、ステップＳ２０２以降の処理と同様である。

ビアが帰路電流が流れる配線以外の場合は（ステップＳ２０７においてＮｏ）、ＣＰＵ１２０は、ステップＳ２０９にて結合箇所を分析結果１４４として、ハードディスク１２４上に保存し、結合配線抽出の処理を終える。

さらに、本発明の他の局面に従い、解析装置１００が行う処理のうち、結合配線抽出部２２５の行なう処理について、図２３を用いて説明する。本発明のさらに他の局面における、図１７のステップＳ１１４に示される結合配線抽出の詳細な処理を示すフローチャートである。

ステップＳ２５０からステップＳ２５６においては、図２２を用いて説明した、ステップＳ２００からステップＳ２０６と同様の処理を行なう。

図２２における処理との相違点は、ベクトル追跡を正・負の両方の方向について行う点である。ＣＰＵ１２０はステップＳ２５７にて、逆向きベクトルについて処理を行なったか判断する。

逆向きベクトルについて処理を行なっていない場合（ステップＳ２５７においてＮｏ）、ＣＰＵ１２０は、指定された表面座標に戻り逆向きのベクトルを追跡する（ステップＳ２５８）。

逆向きベクトルについて処理が行なわれている場合（ステップＳ２５７においてＹｅｓ）、ステップＳ２５９において、ＣＰＵ１２０は正・負の方向の追跡で到達したビアの一方が、帰路電流が流れる配線、かつ、もう一方がそれ以外の配線であるか判別する。

ビアの一方が、帰路電流が流れる配線、かつ、もう一方がそれ以外の配線であれば（ステップＳ２５９においてＹｅｓ）、ステップＳ２６０にて、分析結果をハードディスク１２４上に保存し、結合配線抽出の処理を終える。ビアが上記の条件を満たさない場合（ステップＳ２５９においてＮｏ）、分析結果を保存せず、結合配線抽出の処理を終える。

以上が、結合配線抽出部２２５の詳細な処理の説明となる。
電子機器のプリント基板解析などの配線が複雑な対象に本手法を適用した場合、ノイズの影響を受ける配線箇所および漏洩元となる配線の抽出をモデルの良否によらず精度よく計算し、ユーザに表示出来る。その結果を参考にし、プリント基板を設計することで、クロストークの影響が少ない、高品質なプリント基板を提供することが可能となる。

本発明に係る解析装置１００の構成をブロック図形式で示す図である。 本発明に係る解析装置１００の機能的構成を示すブロック図である。 層構成情報１３０ａの一例を示す図である。 材質情報１３０ｂの一例を示す図である。 配線座標情報１３０ｃの一例を示す図である。 図５の配線構成点に対応する配線を示す図である。 基板設計データ１３０に含まれる配線に関するデータをまとめたものを示す図である。 解析モデル座標と材質の対応を示す図である。 配線情報１４０の一例を示す図である。 ＦＤＴＤ法で算出される電磁界成分を示す図である。 配線情報１４０に、配線表面座標および電力を付加した例を示す図である。 座標選択画面の一例を示す図である。 抽出処理開始時の基板の解析モデルを示す図である。 クロストーク抽出の対象となる座標が指定された後に行なわれる処理を説明するための図である。 図１４で説明した処理の後に行なわれる処理を説明するための図である。 図１５で説明した処理の後に行なわれる処理を説明するための図である。 解析装置１００の行なう処理を示すフローチャートである。 多層プリント基板の一部のパターン図である。 図１８に示した多層プリント基板の一部の電流分布図である。 図１８に示した多層プリント基板の一部の中に存在する誘電体内に発生する電界分布図である。 結合配線抽出部２２５による漏洩経路追跡を説明するための図である。 本発明の他の局面における結合配線抽出の詳細な処理を示すフローチャートである。 本発明のさらに他の局面における結合配線抽出の詳細な処理を示すフローチャートである。

符号の説明

１００ 解析装置、１０２ コンピュータ本体、１０４ モニタ、１０５ バス、１０６ ＦＤドライブ、１０８ 光ディスクドライブ、１１０ キーボード、１１２ マウス、１１６ ＦＤ、１１８ ＣＤ−ＲＯＭ、１２０ ＣＰＵ、１２２ メモリ、１２４ ハードディスク、１２８ 通信インターフェイス、１３０ 基板設計データ、１３０ａ 層構成情報、１３０ｂ 材質情報、１３０ｃ 配線座標情報、１３１ モデルＤＢ、１３２ 解析プログラム、１３４ 解析結果を分析するプログラム、１３６ 解析条件、１３８ 解析モデル、１４０ 配線情報、１４２ 解析結果、１４４ 分析結果、２２１ 解析モデル構築部、２２２ 配線情報取得部、２２３ 電磁界解析部、２２４ 電流／電力計算部、２２５ 結合配線抽出部、２３１ 解析条件設定部、２３２ 配線指定部、２３３ 表面座標指定部、２３４ 結果表示部、３０１ 電源配線、３０２ グランド、３０３ ノイズ耐性の低い電源配線、３０４〜３０６ その他の信号線、３１０ ビア、３１１ ビア、３５０ 指定された表面座標、３５１〜３５３ 電流追跡手段によって追跡された座標、３５５ 電流追跡手段によって追跡された座標、３６０〜３６２ 追跡経路、３６５ 追跡経路。

Claims (16)

1. 複数の配線を有する基板におけるクロストーク発生箇所を抽出する解析装置であって、
   前記基板の設計データから前記基板を含む解析空間の解析モデルを作成する作成手段と、
   前記作成手段により作成された解析モデルを用いて電磁界解析を実行する解析手段と、
   前記設計データから前記プリント基板における前記複数の配線の位置する座標を示す配線座標情報を取得する取得手段と、
   前記複数の配線の中から１つの配線を指定する配線指定手段と、
   前記解析手段の解析結果および前記取得手段により取得された配線座標情報に基づいて、前記配線指定手段により指定された配線の表面の電流あるいは電力を計算する計算手段と、
   前記解析手段の解析結果および前記計算手段の計算結果に基づき、前記指定された配線と結合する配線を抽出する抽出手段とを備える、解析装置。
2. 前記解析手段は、前記解析空間中の、電界ベクトルおよび磁界ベクトルを算出し、
   前記計算手段の計算結果に基づいて、前記指定された配線の各表面座標の中から１つの表面座標を指定する表面指定手段をさらに備え、
   前記抽出手段は、前記電界ベクトルを用いて、前記表面指定手段により指定された表面座標から発生する電界ベクトルを追跡し、前記結合する配線を抽出する、請求項１に記載の解析装置。
3. 前記解析手段は、前記解析空間中の、電界ベクトルおよび電流ベクトルを算出し、
   前記計算手段の計算結果に基づいて、前記指定された配線の各表面座標の中から１つの表面座標を指定する表面指定手段をさらに備え、
   前記抽出手段は、
   前記電流ベクトルを追跡する電流ベクトル追跡手段と、
   前記電界ベクトルを追跡する電界ベクトル追跡手段と、
   前記基板の設計データに基づき追跡時の経路における媒質を判断する判断手段とを含み、
   前記抽出手段は、前記指定された表面座標を始点とし、前記媒質が導体であると判断された場合には前記電流ベクトル追跡手段により前記電流ベクトルを追跡し、前記媒質が誘電体である場合と判断された場合には前記電界ベクトル追跡手段により前記電界ベクトルを追跡する、請求項１に記載の解析装置。
4. 前記抽出手段は、前記経路が、ビアまたはスルーホールに達した場合に、前記ビアまたは前記スルーホールを前記結合する配線として抽出する、請求項３に記載の解析装置。
5. 前記抽出手段は、前記指定された表面座標を始点とし、前記電流ベクトル追跡手段および前記電界ベクトル追跡手段により、前記電流ベクトルおよび前記電界ベクトルを正負の両方向に追跡する、請求項３または４に記載の解析装置。
6. 前記表面指定手段は、外部からの指示を受付け、受付けた前記指示に基づいて、前記指定された配線の各表面座標の中から１つの表面座標を指定する、請求項２から５のいずれか１項に記載の解析装置。
7. 前記各表面座標と前記計算手段により計算された前記各表面座標の電流あるいは電力を対応付けて表示する表示手段をさらに備え、
   前記表面指定手段は、前記表示手段により表示された前記各表面座標の中から１つの表面座標を指定する外部からの指示を受付ける、請求項６に記載の解析装置。
8. 前記表面指定手段は、前記計算手段によって算出された前記指定された配線の表面の電力値を強度の大きい順に並べ、予め設定された順位より上位となった表面座標を指定する、請求項２から５のいずれか１項に記載の解析装置。
9. 前記作成手段は、前記解析空間をメッシュ分割した解析モデルを作成する、請求項１から８のいずれか１項に記載の解析装置。
10. 前記取得手段は、前記記憶された設計データおよび前記作成された解析モデルに基づき、前記配線座標情報で示される前記複数の配線の位置する座標に対応する解析モデル座標を取得し、
    前記記憶手段は、前記配線座標情報と前記解析モデル座標とを関連付けて記憶し、
    前記計算手段は、前記解析手段の解析結果および前記取得手段により取得された配線座標情報と関連付けられて記憶されている解析モデル座標に基づいて、前記配線指定手段により指定された配線の各表面座標について電流あるいは電力を計算する、請求項１から８のいずれか１項に記載の解析装置。
11. 前記解析結果を外部記憶装置に書き込む書込手段と、
    前記外部記憶装置に書き込まれた解析結果を読み出す読出手段をさらに備え、
    前記計算手段は、前記読出手段により読み出された解析結果および前記取得された配線座標情報に基づいて、前記電流あるいは前記電力を計算し、
    前記抽出手段は、前記読出手段により読み出された解析結果および前記計算結果に基づき、前記指定された配線と結合する配線を抽出する、請求項１から８のいずれか１項に記載の解析装置。
12. 前記計算手段は、前記取得された配線座標情報に基づき、前記指定された配線の表面座標を計算する表面計算手段を含む、請求項１から８のいずれか１項に記載の解析装置。
13. 前記計算手段は、前記解析結果に基づき、前記各表面座標における電磁界成分を取得し、磁界から前記電流、あるいは電界と磁界から前記電力を計算する、請求項１から８のいずれか１項に記載の解析装置。
14. 複数の配線を有する基板におけるクロストーク発生箇所の抽出をコンピュータに実行させるための解析方法であって、
    設計データから前記基板を含む解析空間の解析モデルを作成するステップと、
    前記作成された解析モデルを用いて電磁界解析を実行するステップと、
    前記記憶された設計データから前記プリント基板における前記複数の配線の位置する座標を示す配線座標情報を取得するステップと、
    前記複数の配線の中から１つの配線を指定するステップと、
    前記電磁界解析の解析結果および前記取得された配線座標情報に基づいて、前記指定された配線の表面の電流あるいは電力を計算するステップと、
    前記解析結果および前記電流あるいは電力を計算するステップの計算結果に基づき、前記指定された配線と結合する配線を抽出するステップとを前記コンピュータに実行させる、解析方法。
15. 複数の配線を有する基板におけるクロストーク発生箇所の抽出をコンピュータに実行させるための解析プログラムであって、
    前記基板の設計データから前記基板を含む解析空間の解析モデルを作成するステップと、
    前記作成された解析モデルを用いて電磁界解析を実行するステップと、
    前記記憶された設計データから前記プリント基板における前記複数の配線の位置する座標を示す配線座標情報を取得するステップと、
    前記複数の配線の中から１つの配線を指定するステップと、
    前記電磁界解析の解析結果および前記取得された配線座標情報に基づいて、前記指定された配線の表面の電流あるいは電力を計算するステップと、
    前記解析結果および前記電流あるいは電力を計算するステップの計算結果に基づき、前記指定された配線と結合する配線を抽出するステップとを前記コンピュータに実行させる、解析プログラム。
16. 請求項１５に記載の解析プログラムを格納したコンピュータ読取可能な記録媒体。

Images