JP2015001923A - 物理量シミュレーション方法及びそれを用いた物理量シミュレーションシステム - Google Patents
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Abstract
Description
Domain)法やCIP(Constrained Interpolation Profile)法が提案されている。
「音環境の数値シミュレーション―波動音響解析の技法と応用―」、日本建築学会編、日本建築学会、2011年 "Implementation of the Perfect Matched Layer to the CIP Method",Yoshiaki Ando and Masashi Hayakawa,IEICE Trans.Electron.,Vol.E89−C,No.5,2006.
・「C型CIP法を用いた音場解析に関する検討」、信学技報、Vol.106,No.481,pp.17−22,s2006−98,2006.
・「CIP法による音波伝搬シミュレーションにおけるサブグリッド・テクニックの精度比較」,日本音響学会2011年秋季研究発表会講演論文集,pp.1497−1500,2011.
などに記載のCIP法に関する記載を参照して援用する。
大きくなるように設定する一方で、Ry=0とする。すなわち、図2の(A)の領域では
、下式(1)、(2)のように設定される。
Ryを徐々に大きくなるように設定する。すなわち、図2の(C)の領域では、下式(5
)、(6)のように設定される。
標、dはPML層の厚さ、mはPML層内での吸収係数の分布を求める次数(m=1,2,3,・・・)である。
7)、(8)、(9)の通りである。
インピーダンスである。fx±は、±x方向へ移流する波動の成分を表す特性値である。
移流方程式を演算する上では数値計算を行い、減衰方程式を演算する上ではこれを解析的に演算する。また、時間ステップnにおける演算では、まず移流方程式の演算を実行することで、中間ステップの値を得て、次に減衰方程式の演算を実行することで、時間ステップ(n+1)の値を得る。
的に計算を行うことができる。
1)が得られる。
また、ξx±に関する減衰は、式(22)をx方向に偏微分した次の式で(23)計算で
きる。
計算において、式(1)及び(20)をそれぞれ次のように置き換えて計算する。
11・・・CPU(Central Processing Unit)
12・・・RAM(Random Access Memory)
13・・・ROM(Read Only Memory)
14・・・通信制御部
15・・・入力制御部
16・・・出力制御部
17・・・外部記憶装置制御部
18・・・入力部
19・・・出力部
20・・・外部記憶装置
21・・・インターフェイス部
21・・・グラフィック制御部
22・・・ディスプレイ装置
Claims (6)
- 解析対象領域と前記解析対象領域の周縁に配される吸収境界層とに設定されている格子点に対応する物理量をシミュレーションする物理量シミュレーション方法であって、
前記吸収境界層における吸収係数を格子点の位置の関数として定める吸収境界設定ステップと、
移流方程式に基づいて、前記吸収境界層における格子点の物理量を、CIP法により数値的に演算する第1演算ステップと、
前記第1演算ステップにより演算された物理量と、前記関数と、減衰方程式とに基づいて、前記吸収境界層における格子点の物理量を、解析的に演算する第2演算ステップと、からなることを特徴とする物理量シミュレーション方法。 - 前記第2演算ステップには、2階微分された物理量が含まれることを特徴とする請求項1に記載の物理量シミュレーション方法。
- 物理量は、特定方向に伝搬する移流の成分を表す特性値である請求項1又は請求項2に記載の物理量シミュレーション方法。
- 前記特性値から音圧を求めることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の物理量シミュレーション方法。
- 前記特性値から粒子速度を求めることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の物理量シミュレーション方法。
- 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の方法を実行することを特徴とする物理量シミュレーションシステム。
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