JP2014228708A5 - - Google Patents

Description

本発明の１つの側面は、電子装置の製造方法に係り、前記製造方法は、部材と、前記部材の上に配置された第１膜とを含む構造体を形成する工程と、
前記第１膜を覆うように第２膜を形成する工程と、フォトマスクを使ったフォトリソグラフィ工程によって前記第２膜をパターニングする工程と、を含み、前記部材は、金属パターンと、前記金属パターンを覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜および前記絶縁膜にわたった溝とを有し、前記第２膜を形成する工程では、前記第２膜における前記溝の上に位置する領域に前記溝に応じた凹部を有するアライメントマークが形成され、前記第２膜をパターニングする工程では、前記アライメントマークを用いて前記構造体に対して前記フォトマスクを位置合わせし、前記構造体を形成する工程は、前記部材を形成する工程と、前記部材の少なくとも表面の上に前記第１膜を形成する工程と、を含み、前記部材を形成する工程は、前記絶縁膜の上に前記パッシベーション膜を形成する工程と、前記金属パターンを露出させる開口とともに前記溝が形成されるように前記パッシベーション膜をエッチングする工程とを含む。

Claims (11)

1. 部材と、前記部材の上に配置された第１膜とを含む構造体を形成する工程と、
   前記第１膜を覆うように第２膜を形成する工程と、
   フォトマスクを使ったフォトリソグラフィ工程によって前記第２膜をパターニングする工程と、を含み、
   前記部材は、金属パターンと、前記金属パターンを覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜および前記絶縁膜にわたった溝とを有し、
   前記第２膜を形成する工程では、前記第２膜における前記溝の上に位置する領域に前記溝に応じた凹部を有するアライメントマークが形成され、
   前記第２膜をパターニングする工程では、前記アライメントマークを用いて前記構造体に対して前記フォトマスクを位置合わせし、
   前記構造体を形成する工程は、前記部材を形成する工程と、前記部材の少なくとも表面の上に前記第１膜を形成する工程と、を含み、
   前記部材を形成する工程は、前記絶縁膜の上に前記パッシベーション膜を形成する工程と、前記金属パターンを露出させる開口とともに前記溝が形成されるように前記パッシベーション膜をエッチングする工程とを含む、
   ことを特徴とする電子装置の製造方法。
2. 部材と、前記部材の上に配置された第１膜とを含む構造体を形成する工程と、
   前記第１膜を覆うように第２膜を形成する工程と、
   フォトマスクを使ったフォトリソグラフィ工程によって前記第２膜をパターニングする工程と、を含み、
   前記部材は、金属パターンと、前記金属パターンを覆う絶縁膜と、前記絶縁膜に設けられた溝とを有し、
   前記第２膜を形成する工程では、前記第２膜における前記溝の上に位置する領域に前記溝に応じた凹部を有するアライメントマークが形成され、
   前記第２膜をパターニングする工程では、前記アライメントマークを用いて前記構造体に対して前記フォトマスクを位置合わせし、
   前記構造体を形成する工程は、前記部材を形成する工程と、前記部材の上に前記第１膜を形成する工程と、を含み、
   前記部材を形成する工程は、前記金属パターンの上に前記絶縁膜を形成する工程と、前記金属パターンを露出させる開口とともに前記溝が形成されるように前記絶縁膜をエッチングする工程と、前記溝が形成された前記絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、を含む、
   ことを特徴とする電子装置の製造方法。
3. 部材と、前記部材の上に配置された第１膜とを含む構造体を形成する工程と、
   前記第１膜を覆うように第２膜を形成する工程と、
   フォトマスクを使ったフォトリソグラフィ工程によって前記第２膜をパターニングする工程と、を含み、
   前記部材は、絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置された金属パターンと、前記絶縁膜に設けられた溝とを有し、
   前記第２膜を形成する工程では、前記第２膜における前記溝の上に位置する領域に前記溝に応じた凹部を有するアライメントマークが形成され、
   前記第２膜をパターニングする工程では、前記アライメントマークを用いて前記構造体に対して前記フォトマスクを位置合わせし、
   前記構造体を形成する工程は、前記部材を形成する工程と、前記部材の上に前記第１膜を形成する工程と、を含み、
   前記部材を形成する工程は、前記絶縁膜の上に前記金属パターンを形成する工程と、前記金属パターンをエッチングマスクとして用いて前記絶縁膜をエッチングすることによって前記溝を形成する工程と、前記溝が形成された前記絶縁膜の上に前記第１膜を形成する工程と、を含む、
   ことを特徴とする電子装置の製造方法。
4. 前記部材を形成する工程は、前記金属パターンを形成する工程と前記溝を形成する工程との間に、
   前記絶縁膜および前記金属パターンを覆うようにパッシベーション膜を形成する工程と、
   前記アライメントマークを形成すべき領域の前記パッシベーション膜を除去する工程と、を含む、
   ことを特徴とする請求項３に記載の電子装置の製造方法。
5. 前記部材は、光電変換部が形成された半導体基板を含み、
   前記第２膜は、青色カラーフィルタを形成するための青色フォトレジスト膜である、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
6. 前記構造体を形成する工程と前記第２膜を形成する工程との間に、前記部材の上に緑色カラーフィルタおよび赤色カラーフィルタを形成する工程を含む、
   ことを特徴とする請求項５に記載の電子装置の製造方法。
7. 前記第２膜は、金属膜を含む、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
8. 前記パッシベーション膜は、層内レンズを含む、
   ことを特徴とする請求項１、２及び４のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
9. 前記金属パターンはパッドを含み、前記構造体を形成する工程は、前記開口として前記パッドを露出させる開口を形成するとともに前記溝を形成する工程を含む、
   ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置の製造方法。
10. 前記部材は、ビアホールを含み、前記構造体を形成する工程は、前記開口として前記ビアホールを形成するとともに前記溝を形成する工程を含む、
    ことを特徴とする請求項２に記載の電子装置の製造方法。
11. 前記構造体は、無機材料からなり、
    前記第１膜および前記第２膜は、有機材料からなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。