CN110416185A - 图像传感器及其形成方法 - Google Patents
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Abstract
一种图像传感器及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括若干相互分立的单元区，相邻单元区之间具有切割区；在所述基底的单元区表面和切割区表面形成初始透镜层；刻蚀切割区表面的部分所述初始透镜层，直至暴露出基底表面，在切割区表面形成若干相互分立的对准标记。所述方法能够提高对对准标记的检测效率。
Description
技术领域
本发明涉及本半导体技术领域，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法。
背景技术
集成电路是由许多形成在基底上的电路元件以及多层堆叠在衬底上方的 介电层与金属互连线所构成。随着集成电路设计线宽的缩小以及集成度的不 断提高，在对晶圆进行曝光步骤时，晶圆对准精确度(alignment accuracy)就 显得相当重要。
现有的半导体的制作过程中，在晶圆上制作半导体器件之前，需对晶圆 进行布局设计，将晶圆划分为若干单元区(Die)和位于单元区之间的切割槽 (Scribe line)。所述单元区用于后续形成半导体器件，切割槽用于在半导体器 件制作完成时，作为封装阶段单元区分割时的切割线。在设计用于划分晶圆 表面的单元区和切割槽的光刻版图时，通常将光刻对准标记(alignment mark) 和套刻测量标记(overlay mark)等光刻工艺中所需要用到的标记图形形成在 切割道。
在利用对准标记进行晶圆对准的过程中，需要对对准标记进行检测，但 是现有技术在检测对准标记的过程中存在着各种误差，导致现有技术的对准 标记检测效率低。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种图像传感器及其形成方法，以提高对 对准标记的检测效率。
为解决上述技术问题，本发明提供一种图像传感器的形成方法，包括： 提供基底，所述基底包括若干相互分立的单元区，相邻单元区之间具有切割 区；在所述基底的单元区表面和切割区表面形成初始透镜层；刻蚀切割区表 面的部分所述初始透镜层，直至暴露出基底表面，在切割区表面形成若干相 互分立的对准标记。
可选的，还包括：形成对准标记之后，在所述基底表面形成遮光层，所 述遮光层位于所述对准标记顶部表面和侧壁表面，所述遮光层包括第一部和 第二部，所述第一部位于对准标记顶部表面，所述第二部位于相邻对准标记 之间的基底表面，且第一部的表面高于第二部的表面。
可选的，对所述遮光层进行光刻图形化工艺；在所述光刻图形化工艺中， 以所述对准标记进行对准。
可选的，所述遮光层的材料为黑色光刻胶；所述黑色光刻胶吸收的光波 长范围为300纳米～1200纳米。
可选的，刻蚀部分所述初始透镜层的方法包括：在所述初始透镜层表面 形成初始掩膜层；刻蚀部分初始掩膜层，直至暴露出初始透镜层表面，在所 述切割区表面的初始透镜层表面形成若干相互分立的掩膜层；以所述掩膜层 为掩膜刻蚀所述初始透镜层，在切割区表面形成若干相互分立的对准标记。
可选的，所述单元区包括相邻的第一区和第二区，第二区位于第一区和 切割区之间，所述第二区内具有互连结构，且基底暴露出互连结构表面。
可选的，所述掩膜层还暴露出第二区表面的初始透镜层；刻蚀部分所述 初始透镜层的方法还包括：以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述单元区上的部分初 始透镜层，在所述单元区上形成透镜层，所述透镜层暴露出第二区表面。
可选的，所述第一区包括若干相互分立的像素区，且相邻像素区之间具 有隔离区。
可选的，还包括：形成初始透镜层之前，在所述像素区表面形成滤光片， 在所述隔离区表面形成栅格，且所述初始透镜层覆盖滤光片表面和栅格表面。
可选的，所述初始掩膜层的材料为光刻胶；形成所述掩膜层的方法包括： 对所述初始掩膜层进行曝光显影，形成所述掩膜层。
可选的，所述初始透镜层的材料包括：透明有机材料；所述透明有机材 料包括：环氧树脂或者聚甲基丙烯酸甲酯。
可选的，所述对准标记沿垂直于基底表面方向上的厚度为0.5微米～1.5 微米。
可选的，所述基底表面具第一抗反射材料层；所述第一抗反射材料层的 材料包括：氮化硅、氧化铝、氧化钴或者氧化钽。
可选的，其特征在于，形成初始透镜层之后，形成所述对准标记之前， 还包括：在所述初始透镜层表面形成第二抗反射材料层。
相应的，本发明还采用上述任一项所述方法形成的图像传感器，包括： 基底，所述基底包括若干相互分立的单元区，相邻单元区之间具有切割区； 位于所述切割区表面的若干相互分立的对准标记。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案提供的图像传感器的形成方法中，通过刻蚀部分初始透 镜层，在切割区表面形成若干相互分立的对准标记，即，所述对准标记突出 于基底表面。由于所述对准标记突出于切割区表面，后续在基底表面形成遮 光层的过程中，能够使在切割区表面形成的遮光层表面具有高度差。所述具 有高度差的遮光层表面有利于光线的反射，从而在后续进行的光刻工艺中， 能够通过反射的光线，获取有关对准标记的信号反馈，进而提高对对准标记 的检测效率。
进一步，所述对准标记沿垂直于基底表面方向上的厚度为0.5微米～1.5 微米。若所述厚度大于1.5微米，则会相应增大形成初始透镜层的工艺成本和 工艺时间，造成不必要的浪费；若所述厚度小于0.5微米，即，所述对准标记 顶部表面高于基底表面的距离较小，则后续在基底表面形成遮光层时，不利 于在切割区表面形成具有高度差明显的遮光层，从而不利于对光线的反射， 进而对对准标记的检测效率仍较低。
附图说明
图1是一种图像传感器的结构示意图；
图2至图7是本发明一实施例中的图像传感器形成过程的各步骤的剖面 示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有的对准标记检测效率低。
图1是一种图像传感器的结构示意图。
请参考图1，图像传感器包括：基底100，基底100包括相邻的单元区A 和切割区B；所述切割区A内具有若干相互分立的对准标记110，且所述对准 标记110位于基底100底部。
采用对准标记110进行图形识别时，需要预先存储对准标记的参考图形， 接着，检测后续进入机台的晶圆上的对准标记获得检测图形，并将其与参考 图形进行匹配，确定对准标记位置，进行对准。
根据实际需要，通常会在基底100表面形成黑色光阻以降低杂讯，从而 提高图像传感器的成像质量。然而，由于所述黑色光阻对入射光线的吸光率 较高，导致位于基底100底部的对准标记110不能被检测到，进而容易发生 对准失败
为解决所述技术问题，本发明提供了一种图像传感器的形成方法，包括： 提供基底，所述基底包括若干相互分立的单元区，相邻单元区之间具有切割 区；在所述基底的单元区表面和切割区表面形成初始透镜层；刻蚀切割区表 面的部分所述初始透镜层，直至暴露出基底表面，在切割区表面形成若干相 互分立的对准标记。所述方法有利于提高对对准标记的检测效率。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合 附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图2至图7是本发明一实施例中的图像传感器的形成方法各步骤的剖面 示意图。
请参考图2，提供基底200，所述基底200包括若干相互分立的单元区A， 相邻单元区A之间具有切割区B。
在本实施例中，所述基底200的材料为单晶硅。所述基底还可以是多晶 硅或非晶硅。所述基底的材料还可以为锗、锗化硅、砷化镓等半导体材料。 所述基底还能够是绝缘体上半导体结构，所述绝缘体上半导体结构包括绝缘 体及位于绝缘体上的半导体材料层，所述半导体材料层的材料包括硅、锗、 硅锗、砷化镓或铟镓砷等半导体材料。
在本实施例中，所述基底200内具有阱区(图中未示出)，所述阱区内具 有第一掺杂离子。
在本实施例中，所述第一掺杂离子为P型离子，例如：硼离子或BF2-离 子。在其他实施例中，所述第一掺杂离子为N型离子，例如：磷离子、砷离 子或锑离子。
在本实施例中，所述基底200表面具第一抗反射材料层201。
所述第一抗反射材料层201用于减少对光线的反射，有利于使后续透过 滤光片的光线更多地进入光电掺杂区，从而提高光电转换效率，有利于提高 形成的图像传感器的性能。
所述第一抗反射材料层201的材料包括：氮化硅、氧化铝、氧化钴或者 氧化钽。
在本实施例中，所述第一抗反射材料层201的材料为氮化硅。
在本实施例中，所述单元区A包括相邻的第一区I和第二区II，第二区I 位于第一区I和切割区B之间。
所述第一区I用于形成像素器件和逻辑器件。
在本实施例中，所述第一区I包括若干相互分立的像素区(图中未示出)， 且相邻的像素区之间具有隔离区(图中未示出)。
部分所述像素区内具有光电掺杂区203，所述光电掺杂区203内具有第二 掺杂离子，所述第二掺杂离子的导电类型与第一掺杂离子的导电类型相反， 从而形成光电二极管，实现光电转换。
在本实施例中，所述第二掺杂离子为N型离子，例如：磷离子或砷离子。 在其他实施例中，所述第二掺杂离子`为P型离子，例如：硼离子或BF2-离子。
部分像素区内具有逻辑器件。在本实施例，所述逻辑器件包括：传输栅 极结构(图中未示出)。
所述隔离区内具有隔离结构204，所述隔离结构204用于防止相邻像素区 之间的光学串扰。
在本实施例中，后续形成初始透镜层之前，还包括：在所述像素区表面 形成滤光片205，在所述隔离区表面形成栅格206。
所述滤光片205用于过滤光，以通过特定波长的光。
所述栅格206用于防止入射光进入相邻的像素区内，有利于减少光学串 扰，从而提高图像传感器的性能。
所述第二区II用于与外围电路形成电连接。
在本实施例中，所述第二区II内具有互连结构207，所述基底200暴露 出互连结构207表面。
请参考图3，在所述基底200的单元区A表面和切割区B表面形成初始 透镜层210。
所述初始透镜层210用于后续在切割区B表面形成对准标记。
由于所述切割区B位于相邻单元区A之间，通常单元区A用于形成图像 传感器，切割区B用于在图像传感器制作完成时，作为封装阶段单元区A分 割时的切割线，因此后续将对准标记形成在切割区B表面，有利于后续对所 述对准标记进行对准时，避免对单元区A内的像素器件和逻辑器件的影响， 从而使形成的图像传感器的性能较好。
在本实施例中，所述初始透镜层210还用于后续在单元区A上形成透镜 层，且所述透镜层暴露出基底200的第二区I表面。
所述初始透镜层210的材料包括透明有机材料，例如：环氧树脂或者聚 甲基丙烯酸甲酯。
在本实施例中，所述初始透镜层210的材料为环氧树脂。
在本实施例中，所述初始透镜层210还覆盖像素区表面的滤光片205表 面、以及隔离区表面的栅格206表面。
在本实施例中，形成所述初始透镜层210之后，后续形成所述对准标记 之前，还包括：在所述初始透镜层210表面形成第二抗反射材料层(图中未 示出)。
所述第二抗反射材料层，一方面，能够减少对光线的反射，有利于使后 续透过滤光片205的光线更多地进入光电掺杂区203，从而提高光电转换效率， 有利于提高形成的图像传感器的性能；另一方面，能够防止后续的封装工艺 对器件造成的污染，从而提高形成的图像传感器的良率。
所述第二抗反射材料层的材料和第一抗反射材料层的材料相同，在此不 再赘述。
接着，刻蚀切割区表面的部分所述初始透镜层，直至暴露出基底表面， 在切割区表面形成若干相互分立的对准标记，具体形成所述对准标记的过程 请结合图4至图6。
请参考图4，在所述初始透镜层210表面形成初始掩膜层220。
所述初始掩膜层220用于后续形成刻蚀初始透镜层210的掩膜层。
在本实施例中，所述初始掩膜层220的材料为光刻胶。形成所述初始掩 膜层220的工艺包括：旋涂工艺。
后续通过对所述初始掩膜层220进行曝光显影，从而形成具有图形的掩 膜层。
请参考图5，刻蚀部分初始掩膜层220，直至暴露出初始透镜层210表面， 在所述切割区B表面的初始透镜层210表面形成若干相互分立的掩膜层230。
所述掩膜层230用于后续作为刻蚀初始透镜层210的掩膜。
在本实施例中，所述掩膜层230还暴露出第二区II表面的初始透镜层210。
在本实施例中，由于所述初始掩膜层220的材料为光刻胶，因此，对所 述初始掩膜层220进行曝光显影，从而形成所述掩膜层230。
请参考图6，以所述掩膜层230为掩膜刻蚀所述初始透镜层210，在切割 区B表面形成若干相互分立的对准标记240。
在本实施例中，以所述初始透镜层210形成所述对准标记240的过程中， 所述初始透镜层210还能够在单元区A上的滤光片205表面和栅格206表面 形成透镜层250，从而减少了工艺步骤，使工艺得到简化。
在其它实施例，所述对准标记和位于滤光片表面和栅格表面的透镜层先 后形成。
在其他实施例中，所述对准标记的材料和透镜层的材料不同。
所述相互分立的对准标记240突出于基底200表面，有利于后续在切割 区B表面形成具有高度差的遮光层表面，从而提高对对准标记240的检测效 率。
所述对准标记240沿垂直于基底200表面方向上的厚度为0.5微米～1.5 微米。
选择所述厚度范围的意义在于：若所述厚度大于1.5微米，则会相应增大 形成初始透镜层210的工艺成本和工艺时间，造成不必要的浪费；若所述厚 度小于0.5微米，即，所述对准标记140顶部表面高于基底200表面的距离较 小，则后续在基底200表面形成遮光层时，不利于在切割区B表面形成具 有高度差明显的遮光层，从而不利于对光线的反射，进而对对准标记240的 检测效率仍较低。
相邻对准标记240之间的间距d的范围为10微米～16微米。
所述间距d用于在后续在基底200表面形成遮光层时，能够使位于对准 标记240顶部表面和位于基底200表面的遮光层的高度不同，即具有高度差， 从而有利于对光线的反射，进而提高对对准标记240的检测效率。
选择所述范围的意义在于：若所述间距d小于10微米，则不利于后续在 切割区B表面形成的遮光层具有一定的高度差，从而不利于对光线的反射， 进而使对对准标记240的检测效率仍较低；若所述间距大于16微米，在切割 区B面积一定时，导致在切割区B表面形成的对准标记240的数量较少，从 而不利于后续对准的准确性。
在本实施例中，还包括：以所述掩膜层230为掩膜刻蚀所述单元区A上 的部分初始透镜层，在所述单元区A上形成透镜层250，所述透镜层250暴 露出第二区II表面。
所述透镜层250用于聚焦光线，使经过透镜层250的入射光能够照射到 光电掺杂区203。
在其他实施例中，所述掩膜层覆盖第二区表面的初始透镜层，因此，以 掩膜层为掩膜刻蚀初始透镜层，在单元区上形成的透镜层不仅位于第一区表 面的滤光片表面和栅格表面，还位于基底的第二区表面。
请参考图7，形成对准标记240之后，在所述基底200表面形成遮光层 260，所述遮光层260位于所述对准标记240顶部表面和侧壁表面，所述遮光 层260包括第一部2611和第二部2612，所述第一部2611位于对准标记240 顶部表面，所述第二部2612位于相邻对准标记240之间的基底200表面，且 第一部2611的表面高于第二部2612的表面。
由于位于部分像素区内形成有逻辑器件，当有入射光进入到部分像素区 内，容易导致逻辑器件接收到光子之后产生电信号，从而产生杂讯，因此需 要在具有逻辑器件的部分像素区表面覆盖遮光层，从而避免产生杂讯。
在本实施例中，所述遮光层260的材料为黑色光刻胶；所述黑色光刻胶 吸收的光波长范围为300纳米～1200纳米。
所述黑色光刻胶形成的遮光层260吸收的光范围较广，从而起到较好的 遮光作用，从而减少杂讯的产生。
由于位于切割区B表面的遮光层260包括：包括第一部2611和第二部 2612，且第一部2611的表面高于第二部2612的表面。进而所述具有高度差 的遮光层260表面有利于光线的反射，从而在后续进行的光刻工艺中，能够 通过反射的光线，获取有关对准标记的信号反馈，进而提高对对准标记的检 测效率。
在本实施例中，所述遮光层260的厚度范围0.5微米～1.0微米。
所述遮光层260高于对准标记240顶部表面，能够使位于切割区B表面 的遮光层260具有高度差，从而有利于对光线的反射，进而提高对对准标记 240的检测效率。
在本实施例中，形成所述遮光层260之后，还包括：对所述遮光层260 进行光刻图形化工艺；在所述光刻图形化工艺中，以所述对准标记240进行 对准。
由于所述具有高度差的遮光层260表面有利于光线的反射，从而在进行 的光刻工艺中，能够通过反射的光线，获取有关对准标记的信号反馈，进而 提高对对准标记240的检测效率。
相应的，本发明实施例还提供一种采用上述方法形成的图像传感器，请 参考图7，包括：基底200，所述基底200包括若干相互分立的单元区A，相 邻单元区A之间具有切割区B；位于所述切割区B表面的若干相互分立的对 准标记240。
由于所述对准标记240突出于切割区B表面，后续在基底200表面形成 遮光层的过程中，能够使在切割区表面形成的遮光层表面具有高度差。所述 具有高度差的遮光层表面有利于光线的反射，从而在后续进行的光刻工艺中， 能够通过反射的光线，获取有关对准标记的信号反馈，进而提高对对准标记 的检测效率。
以下进行详细说明。
所述对准标记240沿垂直于基底200表面方向上的厚度为0.5微米～1.5 微米。
选择所述厚度范围的意义在于：若所述厚度大于1.5微米，则会相应增大 形成初始透镜层210的工艺成本和工艺时间，造成不必要的浪费；若所述厚 度小于0.5微米，即，所述对准标记140顶部表面高于基底200表面的距离较 小，则后续在基底200表面形成遮光层时，不利于在切割区B表面形成具 有高度差明显的遮光层，从而不利于对光线的反射，进而对对准标记240的 检测效率仍较低。
相邻对准标记240之间的间距d范围为10微米～16微米。
所述间距d在后续在基底200表面形成遮光层时，能够使位于对准标记 240顶部表面和位于基底200表面的遮光层的高度不同，即位于切割区B表 面的遮光层具有高度差，从而有利于对光线的反射，进而提高对对准标记240 的检测效率。
选择所述范围的意义在于：若所述间距d小于10微米，则不利于后续在 切割区B表面形成的遮光层具有一定的高度差，从而不利于对光线的反射， 进而使对对准标记240的检测效率仍较低；若所述间距大于16微米，在切割 区B面积一定时，导致在切割区B表面形成的对准标记240的数量较少，从 而不利于后续对准的准确性。
在本实施例中，所述基底200内具有阱区(图中未示出)，所述阱区内具 有第一掺杂离子。
在本实施例中，所述第一掺杂离子为P型离子，例如：硼离子或BF2-离 子。在其他实施例中，所述第一掺杂离子为N型离子，例如：磷离子、砷离 子或锑离子。
在本实施例中，所述基底200表面具第一抗反射材料层201。
所述第一抗反射材料层201用于减少对光线的反射，有利于使后续透过 滤光片的光线更多地进入光电掺杂区，从而提高光电转换效率，有利于提高 形成的图像传感器的性能。
所述第一抗反射材料层201的材料包括：氮化硅、氧化铝、氧化钴或者 氧化钽。
在本实施例中，所述第一抗反射材料层201的材料为氮化硅。
在本实施例中，所述单元区A包括相邻的第一区I和第二区II，第二区I 位于第一区I和切割区B之间。
所述第一区I用于形成像素器件和逻辑器件。
在本实施例中，所述第一区I包括若干相互分立的像素区(图中未示出)， 且相邻的像素区之间具有隔离区(图中未示出)。
部分所述像素区内具有光电掺杂区203，所述光电掺杂区203内具有第二 掺杂离子，所述第二掺杂离子的导电类型与第一掺杂离子的导电类型相反， 从而形成光电二极管，实现光电转换。
在本实施例中，所述第二掺杂离子为N型离子，例如：磷离子或砷离子。 在其他实施例中，所述第二掺杂离子`为P型离子，例如：硼离子或BF2-离子。
部分像素区内具有逻辑器件。在本实施例，所述逻辑器件包括：传输栅 极结构(图中未示出)。
所述隔离区内具有隔离结构204，所述隔离结构204用于防止相邻像素区 之间的光学串扰。
在本实施例中，所述像素区表面具有滤光片205，所述隔离区表面具有栅 格206。
所述滤光片205用于过滤光，以通过特定波长的光。
所述栅格206用于防止入射光进入相邻的像素区内，有利于减少光学串 扰，从而提高图像传感器的性能。
所述第二区II用于与外围电路形成电连接。
在本实施例中，所述第二区II内具有互连结构207，所述基底200暴露 出互连结构207表面。
在本实施例中，所述图像传感器还包括：位于所述单元区A上的透镜层 250，所述透镜层250暴露出第二区II表面。
所述透镜层250用于聚焦光线，使经过透镜层250的入射光能够照射到 光电掺杂区203。
在本实施例中，所述图像传感器还包括：位于透镜层250表面和对准标 记表面的第二抗反射材料层。
所述第二抗反射材料层，一方面，能够减少对光线的反射，有利于使后 续透过滤光片205的光线更多地进入光电掺杂区203，从而提高光电转换效率， 有利于提高形成的图像传感器的性能；另一方面，能够防止后续的封装工艺 对器件造成的污染，从而提高形成的图像传感器的良率。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员， 在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保 护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (15)
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括若干相互分立的单元区，相邻单元区之间具有切割区；
在所述基底的单元区表面和切割区表面形成初始透镜层；
刻蚀切割区表面的部分所述初始透镜层，直至暴露出基底表面，在切割区表面形成若干相互分立的对准标记。
2.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：形成对准标记之后，在所述基底表面形成遮光层，所述遮光层位于所述对准标记顶部表面和侧壁表面，所述遮光层包括第一部和第二部，所述第一部位于对准标记顶部表面，所述第二部位于相邻对准标记之间的基底表面，且第一部的表面高于第二部的表面。
3.如权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，对所述遮光层进行光刻图形化工艺；在所述光刻图形化工艺中，以所述对准标记进行对准。
4.如权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述遮光层的材料为黑色光刻胶；所述黑色光刻胶吸收的光波长范围为300纳米～1200纳米。
5.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，刻蚀部分所述初始透镜层的方法包括：在所述初始透镜层表面形成初始掩膜层；刻蚀部分初始掩膜层，直至暴露出初始透镜层表面，在所述切割区表面的初始透镜层表面形成若干相互分立的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述初始透镜层，在切割区表面形成若干相互分立的对准标记。
6.如权利要求5所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述单元区包括相邻的第一区和第二区，第二区位于第一区和切割区之间，所述第二区内具有互连结构，且基底暴露出互连结构表面。
7.如权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述掩膜层还暴露出第二区表面的初始透镜层；刻蚀部分所述初始透镜层的方法还包括：以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述单元区表面的部分初始透镜层，在所述单元区上形成透镜层，所述透镜层暴露出第二区表面。
8.如权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一区包括若干相互分立的像素区，且相邻像素区之间具有隔离区。
9.如权利要求8所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：形成初始透镜层之前，在所述像素区表面形成滤光片，在所述隔离区表面形成栅格，且所述初始透镜层覆盖滤光片表面和栅格表面。
10.如权利要求5所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述初始掩膜层的材料为光刻胶；形成所述掩膜层的方法包括：对所述初始掩膜层进行曝光显影，形成所述掩膜层。
11.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述初始透镜层的材料包括：透明有机材料；所述透明有机材料包括：环氧树脂或者聚甲基丙烯酸甲酯。
12.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述对准标记沿垂直于基底表面方向上的厚度为0.5微米～1.5微米。
13.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述基底表面具第一抗反射材料层；所述第一抗反射材料层的材料包括：氮化硅、氧化铝、氧化钴或者氧化钽。
14.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成初始透镜层之后，形成所述对准标记之前，还包括：在所述初始透镜层表面形成第二抗反射材料层。
15.一种采用权利要求1至14任一项所述方法形成的图像传感器，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括若干相互分立的单元区，相邻单元区之间具有切割区；
位于所述切割区表面的若干相互分立的对准标记。
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