JP5836637B2 - パターン形成方法、固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
パターン形成方法、固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 Download PDFInfo
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このような問題に対して、特許文献1では、アライメント用の光の透過率が高い材料を用いてアライメントマークを新たに形成する。この新たなアライメントマークを用いることによって光の透過率が低い材料のパターン形成のための位置合わせを行う手法が提案されている。
また、特許文献2では、アライメントマーク上に存在する光の透過率が低い材料を選択的に除去してからアライメントマークの検出を行う手法が提案されている。
また、特許文献2に記載の技術を用いた場合には、アライメントマーク上に存在する光の透過率が低い材料をフォトリソグラフィ技術によって除去するため、除去のためのフォトレジストマスクパターンの形成等の工程が必要となる。つまり、特許文献2に記載の技術では、工程数が増加してしまう。
そこで、本発明では、高いアライメント精度、および少ない工程数でアライメント用の光の透過率が低い材料のパターン形成方法を提供することを目的とする。また、高いアライメント精度、および少ない工程数でアライメント用の光の透過率が低い材料のパターンの形成を可能とするアライメントマークの構造を提供することを目的とする。
また、本発明の固体撮像装置の製造方法は、光電変換部を有する基板の上に凹部または凸部を有するアライメントマークを含む配線層を形成する工程と、前記配線層の上に平坦化層を形成する工程と、前記配線層のアライメントマークの上に対応する前記平坦化層の一部を除去する工程と、前記一部が除去された平坦化層の上に、青色レジスト層を形成する工程と、前記アライメントマークの位置を前記青色レジスト層の上から光を用いて光学的に検出し、位置合わせを行う工程と、前記位置合わせに基づき前記青色レジスト層をパターニングして青色カラーフィルターを形成する工程と、前記アライメントマークの上の前記青色レジスト層の一部を除去する工程と、前記青色レジスト層の一部を除去する工程の後に、前記アライメントマークの上にマイクロレンズ層を形成する工程と、前記アライメントマークの位置を前記フォトレジストの上から光を用いて光学的に検出し、位置合わせを行う工程と、前記位置合わせに基づき前記マイクロレンズ層をパターニングしてマイクロレンズを形成する工程と、を含む。
本実施例では、三板式カムコーダに適用されるCMOS型固体撮像装置を例に、図1、図2および図4を用いて説明を行う。
図1(a)の構成において、絶縁層105の上面は、配線層(不図示)による凹凸が生じる場合がある。また、パッシベーション層106の上面には、有効画素領域101と有効画素領域外102の金属パターン108の有無によって、有効画素領域101と有効画素領域外102の境界部に凹凸が存在する場合がある。また、パッシベーション層106が層内レンズを有する場合には、パッシベーション層106の上面には凹凸が存在する。次の工程以降に様々なパターンを安定して形成するためにも、この凹凸を埋めて平坦にする(平坦化)必要がある。
次に、アライメント用の光の透過率が低い材料(被加工層)を成膜する。アライメント用の光の透過率が低い材料としては、例えば、アライメント用の光の波長域における平均分光透過率をTとした場合、T≦5%の材料である。アライメント用の光としてHe−Neレーザーを用いた場合(波長633nm付近)である。このHe−Neレーザーを用いた場合における平均透過率Tが5%以下である材料とは、例えば青色レジストや黒色レジスト等である。本実施例では、青色レジストを用い、図1(d)に示すように、有効画素領域101および有効画素領域外102に青色レジスト層110を成膜する。
このアライメントマークの検出方法は、アライメントマーク107上に成膜した材料を透過してくるアライメント用の光の反射光を利用する方法ではなく、アライメントマーク107上に成膜した材料の表面形状(表面段差)による散乱光を利用した方法である。よって、アライメントマーク107上に成膜した材料の透過率によらず、アライメントマーク107を正しく検出することができる。したがって、アライメントマーク107上にアライメント用の光の透過率が低い青色レジスト層110を成膜した場合であっても、アライメントマーク107を正しく検出することが可能となる。
また、本実施例のアライメントマーク107は絶縁層105の上に配置されているが、配置場所はこれに限らない。また、アライメントマーク107は図4におけるパッド104よりも固体撮像装置100の外周に配置されていてもよく、例えばスクライブ領域に配置されていてもよい。アライメントマーク107がスクライブ領域に配置されている場合には、固体撮像装置100として完成する際に除去されうる。なお、図1では、有効画素領域101と有効画素外領域102との間には遮光パターン103が配置されていないが、有効画素領域101と有効画素外領域102との間に遮光パターン103が延在していてもよい。
本実施例では、単板式のCMOS型の固体撮像装置を例に説明を行う。本実施例では複数の色のカラーフィルター層を有することが実施例1と異なる。本実施例における光の透過率が低い材料からなるパターンとは、複数の色のカラーフィルター層に含まれる青色レジストパターン(青色カラーフィルター層)である。以下、実施例1と同様の構成については、説明を省略する。
本実施例のパターン形成方法は、絶縁層105上に平坦化層109を成膜した後、除去する工程(図1(c))までは、実施例1と同様である。
本実施例では、実施例2の単板式のCMOS型の固体撮像装置を例に説明を行う。本実施例では実施例2の固体撮像装置のカラーフィルター層の形成後の工程を説明する。以下、実施例2と同様の構成については、説明を省略する。なお、本実施例は実施例1の構成にも適用可能である。
アライメントマーク107及びカラーフィルター層の上に、樹脂からなる平坦化層504を形成する。その後、感光性材料からなるマイクロレンズ層を形成する。マイクロレンズ層に対して露光・現像することで、マイクロレンズ層を矩形にパターニングする。この露光において、アライメントマーク107を用いて位置合わせがなされる。パターニングされたマイクロレンズ層は光電変換部に対応して配置される。そして、パターニングされたマイクロレンズ層をリフローによって、半球状に変形させ、マイクロレンズ505を形成する(図5)。
102 有効画素領域外
103 遮光パターン
105 絶縁層
106 パッシベーション層
107 アライメントマーク
108 金属パターン
109 平坦化層
110 青色レジスト層
Claims (9)
- 基板の上に凹部または凸部を有するアライメントマークを含む第1のパターンを形成する工程と、
前記第1のパターンの上に平坦化層を形成する工程と、
前記平坦化層の前記アライメントマークの上に形成された部分を除去して開口部を形成する工程と、
前記アライメントマークの上に形成された部分が除去された平坦化層の上に、前記開口部を充填するように、青色レジスト層である被加工層を形成する工程と、
前記アライメントマークの形状を踏襲した前記被加工層上面の段差を、前記被加工層の上から光を用いて光学的に検出し、位置合わせを行う工程と、
前記位置合わせに基づき前記被加工層をパターニングして第2のパターンを形成する工程と、
前記第2のパターンを形成する工程の後に、前記アライメントマークを用いて、前記第2のパターンの上部に、第3のパターンを形成する工程と、
を含むことを特徴としたパターン形成方法。 - 前記第3のパターンはマイクロレンズである請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記平坦化層は感光性材料であり、
前記平坦化層の前記アライメントマークの上に形成された部分を除去する工程は、前記平坦化層に露光をする工程と、前記露光された後の平坦化層を現像する工程とを含む請求項1または2に記載のパターン形成方法。 - 前記第1のパターンは配線層である請求項1乃至3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記第2のパターンを形成する工程において、前記被加工層の前記アライメントマークの上に形成された部分を除去する工程を含む請求項1乃至4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 光電変換部を有する基板の上に凹部または凸部を有するアライメントマークを含む配線層を形成する工程と、
前記配線層の上に平坦化層を形成する工程と、
前記配線層のアライメントマークの上に対応する前記平坦化層の一部を除去して開口部を形成する工程と、
前記平坦化層の一部が除去された平坦化層の上に、前記開口部を充填するように、青色レジスト層を形成する工程と、
前記アライメントマークの形状を踏襲した青色レジスト層上面の段差を、前記青色レジスト層の上から光を用いて光学的に検出し、位置合わせを行う工程と、
前記位置合わせに基づき前記青色レジスト層をパターニングして青色カラーフィルターを形成する工程と、
前記アライメントマークの上の前記青色レジスト層の一部を除去する工程と、
前記青色レジスト層の一部を除去する工程の後に、前記アライメントマークの上にマイクロレンズ層を形成する工程と、
前記アライメントマークの位置を前記青色レジスト層の上から光を用いて光学的に検出し、位置合わせを行う工程と、
前記位置合わせに基づき前記マイクロレンズ層をパターニングしてマイクロレンズを形成する工程と、
を含むことを特徴とした固体撮像装置の製造方法。 - 前記マイクロレンズ層は、感光性材料からなる層からなり、
前記位置合わせに基づき前記マイクロレンズ層をパターニングしてマイクロレンズを形成する工程は、前記パターニングされた感光性材料をリフローする工程を含む請求項6に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記マイクロレンズ層は、マイクロレンズ材料層と、該マイクロレンズ材料層の上に形成された感光性材料からなる層からなり、
前記位置合わせに基づき前記マイクロレンズ層をパターニングしてマイクロレンズを形成する工程は、前記パターニングされた感光性材料をリフローする工程と、前記リフローされた感光性材料をマスクに前記マイクロレンズ材料層をエッチングする工程を含む請求項6に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記マイクロレンズ層は、感光性材料からなる層からなり、
前記位置合わせに基づき前記マイクロレンズ層をパターニングしてマイクロレンズを形成する工程では、面積諧調マスクを用いた露光が行われる請求項6に記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011107731A JP5836637B2 (ja) | 2011-05-13 | 2011-05-13 | パターン形成方法、固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
US13/113,230 US8283192B2 (en) | 2010-06-02 | 2011-05-23 | Method of forming pattern and method of producing solid-state image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011107731A JP5836637B2 (ja) | 2011-05-13 | 2011-05-13 | パターン形成方法、固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012237909A JP2012237909A (ja) | 2012-12-06 |
JP2012237909A5 JP2012237909A5 (ja) | 2014-06-26 |
JP5836637B2 true JP5836637B2 (ja) | 2015-12-24 |
Family
ID=47460845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011107731A Expired - Fee Related JP5836637B2 (ja) | 2010-06-02 | 2011-05-13 | パターン形成方法、固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5836637B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6222989B2 (ja) * | 2013-05-22 | 2017-11-01 | キヤノン株式会社 | 電子装置の製造方法 |
JP6266402B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-01-24 | 株式会社ディスコ | 積層デバイスの製造方法 |
JP6595788B2 (ja) * | 2015-04-06 | 2019-10-23 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置ならびにカメラ |
JP7356184B2 (ja) | 2022-02-18 | 2023-10-04 | 有限会社アキュラス | 光吸収体の製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000002805A (ja) * | 1998-06-16 | 2000-01-07 | Citizen Watch Co Ltd | カラーフィルタ基板とカラーフィルタ基板の製造方法 |
JP4497076B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2010-07-07 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2008032912A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Dainippon Printing Co Ltd | マイクロレンズの製造方法 |
JP4167707B2 (ja) * | 2006-08-08 | 2008-10-22 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4927024B2 (ja) * | 2008-04-28 | 2012-05-09 | シャープ株式会社 | マイクロレンズの形成方法、アライメントマーク最適化方法、固体撮像装置の製造方法、および電子情報機器 |
-
2011
- 2011-05-13 JP JP2011107731A patent/JP5836637B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012237909A (ja) | 2012-12-06 |
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Legal Events
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A521 | Written amendment |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150226 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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