JP2014220307A - 多層基板、これを用いた電子装置および多層基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電子部品から多層基板内への放熱性を向上させる。【解決手段】多層基板は、ビルドアップ層３０のうちランド６１の直下に設けられ、内層配線５１とランド６１とを熱的および電気的に接続するフィルドビア９１を備えている。このフィルドビアの形状を、電子部品側の幅Ｌ１が狭く、コア層側の幅Ｌ２が広い形状とする。これにより、電子部品１２１で発生した熱がフィルドビア９１の内部をコア層２０に向かって移動する際に、熱を拡散させることができる。このため、本発明とは反対に、フィルドビアの形状が、電子部品側の幅が広く、コア層側の幅が狭い形状の場合と比較して、フィルドビア９１内における電子部品１２１からコア層２０に向かう方向での熱移動を促進させることができ、電子部品から多層基板内への放熱性を向上できる。【選択図】図２

Description

本発明は、多層基板、これを用いた電子装置および多層基板の製造方法に関するものである。

従来より、この種の電子装置として、次のものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

具体的には、この電子装置は、樹脂等で構成されるコア層とビルドアップ層とが積層され、コア層とビルドアップ層との間に内層配線が形成されていると共にビルドアップ層のうちコア層と反対側の一面にランドが形成された多層基板を備えている。そして、ランド上にパワー素子等の電子部品が搭載されている。

特開平７−２８３５１５号公報

ところで、上記の多層基板において、ビルドアップ層中に内層配線とランドとを熱的および電気的に接続するビアを形成することで、電子部品から発生した熱を、ランドおよびビアを介してコア層に逃がすことができる。すなわち、ランドおよびビアを介して、電子部品から多層基板内へ放熱することができる。このビアは、ビルドアップ層に貫通孔を形成した後、この貫通孔内に導電性材料を配置することで形成される。

しかし、図１０（ａ）に示されるように、コア層２０にビルドアップ層３０が積層された状態で、ビルドアップ層の一面３０ａに対して垂直にレーザ照射して貫通孔９６を形成すると、一面３０ａから離れるにつれてレーザが減衰するので、図１０（ｂ）に示されるように、貫通孔９６は、ビルドアップ層３０の一面３０ａ側の幅が広く、ビルドアップ層３０の他面側（コア層２０側）の幅が狭い形状となる。このため、図１０（ｃ）に示されるように、ビア９７の形状が、電子部品側の幅が広く、コア層側の幅が狭い形状となってしまう。

ビア９７がこのような形状の場合、ビア９７内における電子部品側からコア層側に向かう熱移動が、阻害されてしまう。このため、電子部品から多層基板内への放熱性が低くなり、これが、電子部品の動作不良の要因となる。

本発明は上記点に鑑みて、電子部品から多層基板内への放熱性を向上できる多層基板、これを用いた電子装置およびこの多層基板の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、表面（２０ａ）を有するコア層（２０）と、コア層の表面に形成された内層配線（５１）と、コア層の表面に内層配線を覆う状態で配置されたビルドアップ層（３０）と、ビルドアップ層のうちコア層と反対側の一面（３０ａ）に形成され、電子部品（１２１）が搭載されるランド（６１）と、を備える多層基板において、次のことを特徴としている。

すなわち、ビルドアップ層のうちランドの直下に設けられ、内層配線とランドとを熱的および電気的に接続するビア（９１）を備え、ビアは、電子部品側の幅（Ｌ１）が狭く、コア層側の幅（Ｌ２）が広い形状であることを特徴としている。

これによれば、ビアがこのような形状であるため、電子部品で発生した熱がビアの内部をコア層に向かって移動する際に、熱が拡散しながら移動する。このため、本発明とは反対に、ビアの形状が、電子部品側の幅が広く、コア層側の幅が狭い形状の場合と比較して、ビア内における電子部品からコア層へ向かう方向での熱移動を促進させることができ、電子部品から多層基板内への放熱性を向上できる。

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

本発明の第１実施形態における電子装置の断面図である。 図１中の領域Ａの拡大図である。 図１に示す多層基板の製造工程を示す断面図である。 図３に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。 図４に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。 図５（ａ）の貫通孔の形成工程を示す断面図であり、図５（ａ）中の領域Ｂの拡大図である。 本発明の第２実施形態における多層基板の製造工程を示す断面図である。 本発明の第３実施形態における電子装置の拡大断面図である。 本発明の他の実施形態における多層基板の製造工程を示す断面図である。 本発明が解決しようとする課題を説明するための多層基板の製造工程を示す断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。なお、本実施形態の電子装置は、例えば、自動車等の車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するために適用されると好適である。

図１に示されるように、電子装置は、一面１０ａおよび他面１０ｂを有する多層基板１０と、多層基板１０の一面１０ａ上に搭載された電子部品１２１〜１２３と、を備えている。そして、多層基板１０の一面１０ａ側を電子部品１２１〜１２３と共にモールド樹脂１５０で封止することにより、電子装置が構成されている。

多層基板１０は、絶縁樹脂層としてのコア層２０と、コア層２０の表面２０ａに配置された表面２０ａ側のビルドアップ層３０と、コア層２０の裏面２０ｂ側に配置された裏面２０ｂ側のビルドアップ層４０とを備える積層基板である。

なお、コア層２０およびビルドアップ層３０、４０は、ガラスクロスの両面を樹脂で封止してなるプリプレグ等で構成され、プリプレグの樹脂としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。なお、プリプレグの樹脂は、本実施形態では熱硬化性樹脂であるが、他の樹脂でもよい。また、プレプレグの樹脂には、必要に応じて、アルミナやシリカ等の電気絶縁性かつ放熱性に優れたフィラーが含有されていてもよい。

そして、コア層２０とビルドアップ層３０との界面には、パターニングされた表面側内層配線５１（以下では、単に内層配線５１という）が形成されている。同様に、コア層２０とビルドアップ層４０との界面には、パターニングされた裏面側内層配線５２（以下では、単に内層配線５２という）が形成されている。

また、ビルドアップ層３０の表面３０ａには、パターニングされた表面側表層配線６１〜６３（以下では、単に表層配線６１〜６３という）が形成されている。本実施形態では、表層配線６１〜６３は、電子部品１２１〜１２３が搭載される搭載用のランド６１、電子部品１２１、１２２とボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されるボンディング用のランド６２、外部回路と電気的に接続される表面パターン６３とされている。

同様に、ビルドアップ層４０の表面４０ａには、パターニングされた裏面側表層配線７１、７２（以下では、単に表層配線７１、７２という）が形成されている。本実施形態では、表層配線７１、７２は、後述するフィルドビアを介して内層配線５２と接続される裏面パターン７１、放熱用のヒートシンクが備えられるヒートシンク用パターン７２（以下では、単にＨＳ用パターン７２という）とされている。

なお、ビルドアップ層３０の表面３０ａとは、ビルドアップ層３０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の一面１０ａとなる面のことである。また、ビルドアップ層４０の表面４０ａとは、ビルドアップ層４０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の他面１０ｂとなる面のことである。そして、内層配線５１、５２、表層配線６１〜６３、表層配線７１、７２は、具体的には後述するが、銅等の金属箔や金属メッキが適宜積層されて構成されている。

内層配線５１と内層配線５２とは、コア層２０を貫通して設けられた貫通ビア８１を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、貫通ビア８１は、コア層２０を厚さ方向に貫通する貫通孔８１ａの壁面に銅等の貫通電極８１ｂが形成され、貫通孔８１ａの内部に充填材８１ｃが充填されて構成されている。

また、内層配線５１と表層配線６１〜６３、および内層配線５２と表層配線７１、７２とは、適宜各ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通して設けられたフィルドビア９１、１０１を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、フィルドビア９１、１０１は、各ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通する貫通孔９１ａ、１０１ａが銅等の貫通電極９１ｂ、１０１ｂにて充填された構成とされている。

なお、充填材８１ｃは、樹脂、セラミック、金属等が用いられるが、本実施形態では、エポキシ樹脂とされている。また、貫通電極８１ｂ、９１ｂ、１０１ｂは、導電性材料で構成されるが、本実施形態では、銅等の金属メッキにて構成されている。

そして、各ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａには、表面パターン６３および裏面パターン７１を覆うソルダーレジスト１１０が形成されている。なお、表面パターン６３を覆うソルダーレジスト１１０には、図１とは別断面において、表面パターン６３のうち外部回路と接続される部分を露出させる開口部が形成されている。

電子部品１２１〜１２３は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等の発熱が大きいパワー素子１２１、マイコン等の制御素子１２２、チップコンデンサや抵抗等の受動素子１２３である。そして、各電子部品１２１〜１２３は、はんだ１３０を介してランド６１上に搭載されてランド６１と電気的、機械的に接続されている。また、パワー素子１２１および制御素子１２２は、周囲に形成されているランド６２ともアルミニウムや金等のボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されている。

なお、ここでは、電子部品１２１〜１２３としてパワー素子１２１、制御素子１２２、受動素子１２３を例に挙げて説明したが、電子部品１２１〜１２３はこれらに限定されるものではない。

モールド樹脂１５０は、ランド６１、６２および電子部品１２１〜１２３を封止するものであり、エポキシ樹脂等の一般的なモールド材料が金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等により形成されたものである。

なお、本実施形態では、モールド樹脂１５０は、多層基板１０の一面１０ａのみに形成されている。つまり、本実施形態の電子装置は、いわゆるハーフモールド構造とされている。また、多層基板１０の他面１０ｂ側には、特に図示していないが、ＨＳ用パターン７２に放熱グリス等を介してヒートシンクが備えられている。

以上が本実施形態における電子装置の基本的な構成である。次に、本実施形態の特徴点であるフィルドビア９１の構造について説明する。このフィルドビア９１が特許請求の範囲に記載のビアに対応する。

図２に示されるように、ランド６１の直下に存在するフィルドビア９１は、電子部品１２１側（図２の上側）の幅Ｌ１が狭く、コア層２０側（図２の下側）の幅Ｌ２が広い形状である。具体的には、フィルドビア９１の断面形状は、電子部品１２１側の底辺よりもコア層２０側の底辺の方が長い台形であり、換言すると、電子部品１２１側からコア層２０側に向かうにつれて幅が徐々に広がるテーパ形状となっている。フィルドビア９１の平面形状は円形状である。

以上が本実施形態における電子装置の構成である。次に、上記電子装置の製造方法について図３〜図５を参照しつつ説明する。なお、図３〜図５は、多層基板１０のうちパワー素子１２１が搭載される部分近傍の断面図である。

まず、図３（ａ）に示されるように、コア層２０の表面２０ａおよび裏面２０ｂに銅箔等の金属箔１６１、１６２が配置されたものを用意する。そして、図３（ｂ）に示されるように、ドリル等によって金属箔１６１、コア層２０、金属箔１６２を貫通する貫通孔８１ａを形成する。

その後、図３（ｃ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキを行い、貫通孔８１ａの壁面および金属箔１６１、１６２上に銅等の金属メッキ１６３を形成する。これにより、貫通孔８１ａの壁面に、金属メッキ１６３にて構成される貫通電極８１ｂが形成される。なお、無電解メッキおよび電気メッキを行う場合には、パラジウム等の触媒を用いて行うことが好ましい。

続いて、図３（ｄ）に示されるように、金属メッキ１６３で囲まれる空間に充填材８１ｃを配置する。これにより、貫通孔８１ａ、貫通電極８１ｂ、充填材８１ｃを有する上記貫通ビア８１が形成される。

その後、図４（ａ）に示されるように、無電解メッキおよび電気メッキ等でいわゆる蓋メッキを行い、金属メッキ１６３および充填材８１ｃ上に銅等の金属メッキ１６４、１６５を形成する。

次に、図４（ｂ）に示されるように、金属メッキ１６４、１６５上に図示しないレジストを配置する。そして、当該レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行い、金属メッキ１６４、金属メッキ１６３、金属箔１６１を適宜パターニングして内層配線５１を形成すると共に、金属メッキ１６５、金属メッキ１６３、金属箔１６２を適宜パターニングして内層配線５２を形成する。つまり、本実施形態では、内層配線５１は、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４が積層されて構成され、内層配線５２は、金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５が積層されて構成されている。

なお、次の図４（ｃ）以降では、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４、および金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５をまとめて１層として示してある。

その後、図４（ｃ）に示されるように、コア層２０における表面２０ａ側において、内層配線５１上にビルドアップ層３０および銅等の金属板１６６を積層する。また、コア層２０における裏面２０ｂ側において、内層配線５２上にビルドアップ層４０および銅等の金属板１６７を積層する。このようにして、上から順に、金属板１６６、ビルドアップ層３０、内層配線５１、コア層２０、内層配線５２、ビルドアップ層３０および金属板１６７が順に積層された積層体１６８を構成する。なお、ビルドアップ層３０、４０は、この状態では、流動性を有している。

続いて、図４（ｄ）に示されるように、積層体１６８の積層方向から加圧しつつ加熱することにより積層体１６８を一体化する。具体的には、積層体１６８を加圧することにより、ビルドアップ層３０を構成する樹脂を流動させて内層配線５１の間を埋め込むと共に、ビルドアップ層４０を構成する樹脂を流動させて内層配線５２の間を埋め込む。そして、積層体１６８を加熱することにより、ビルドアップ層３０、４０を硬化して積層体１６８を一体化する。この工程までが、特許請求の範囲に記載のコア層、内層配線およびビルドアップ層の積層体を準備する準備工程に対応する。

次に、図５（ａ）に示されるように、レーザ照射により、金属板１６６、ビルドアップ層３０を貫通して内層配線５１に達する貫通孔９１ａを形成する。また、図５（ａ）とは別断面において、金属板１６７、ビルドアップ層４０を貫通して内層配線５２に達する図１に示した貫通孔１０１ａを形成する。この工程が、特許請求の範囲に記載の貫通孔形成工程に対応する。

このとき、貫通孔９１ａの形成を図６（ａ）〜図６（ｄ）に示される方法により行う。なお、図６（ａ）〜図６（ｄ）では、コア層２０表面の内層配線５１およびコア層２０内の貫通ビア８１を省略している。

図示しないレーザヘッドからレーザ光を照射する際に、図６（ａ）に示されるように、ビルドアップ層３０の表面３０ａに対して垂直でなく斜めにレーザ光を照射する。すなわち、ビルドアップ層３０の表面３０ａに対するレーザ光の入射角度θ１を鋭角とする。これにより、図６（ｂ）に示されるように、金属板１６６およびビルドアップ層３０形成される貫通孔９２の側壁がレーザ光の照射方向と同じ側に傾いた傾斜壁となる。なお、レーザヘッドは、レーザを照射する際の先端部である。

そして、図６（ｃ）に示されるように、この斜めのレーザ照射を、レーザヘッドをビルドアップ層３０の表面３０ａに垂直な方向を回転軸として、回転させながら行う。このとき、レーザヘッドを回転させる替わりに、積層体１６８を回転させても良く、両方を互いに逆方向に回転させても良い。これにより、図６（ｄ）に示されるように、ビルドアップ層３０の表面３０ａ側の幅が狭く、コア層２０側の幅が広い形状の貫通孔９１ａが形成される。なお、貫通孔１０１ａの形成は、ビルドアップ層３０の表面３０ａに対して垂直にレーザ光を照射することにより行われる。

その後、図５（ｂ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキ等でいわゆるフィルドメッキを行い、貫通孔９１ａ、１０１ａを金属メッキ１６９で埋め込む。これにより、ビルドアップ層３０に形成された貫通孔９１ａ、１０１ａに埋め込まれた金属メッキ１６９にて貫通電極９１ｂおよび図１に示した貫通電極１０１ｂが構成される。また、貫通孔９１ａ、１０１ａに貫通電極９１ｂ、１０１ｂが埋め込まれたフィルドビア９１、１０１が形成される。フィルドビア９１は、上記した形状の貫通孔９１ａに貫通電極９１ｂが埋め込まれることで、ビルドアップ層３０の表面３０ａ側の幅Ｌ１が狭く、コア層２０側の幅が広い形状となる。この工程が、特許請求の範囲に記載のビア形成工程に対応する。なお、次の図５（ｃ）以降では、金属板１６６および金属メッキ１６９をまとめて１層として示してある。

続いて、図５（ｃ）に示されるように、金属板１６６、１６７上に図示しないレジストを配置する。そして、レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行って金属板１６６、１６７をパターニングすると共に、適宜金属メッキを形成することにより、表層配線６１〜６３および表層配線７１、７２を形成する。つまり、本実施形態では、表層配線６１〜６３は、金属板１６６および金属メッキ１６９を有する構成とされ、表層配線７１、７２は、金属板１６７および金属メッキ１６９を有する構成とされている。

次に、図５（ｄ）に示されるように、ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａにそれぞれソルダーレジスト１１０を配置して適宜パターニングすることにより、上記多層基板１０が製造される。なお、図５（ｄ）に示される範囲内において、表面３０ａ上のソルダーレジスト１１０がすべて除去されているが、図１に示すように他の領域においてソルダーレジスト１１０が残された状態になっている。

その後は、図１に示されるように、はんだ１３０を介して電子部品１２１〜１２３をランド６１に搭載する。そして、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６２との間でワイヤボンディングを行い、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６２とを電気的に接続する。続いて、ランド６１、６２および電子部品１２１〜１２３が封止されるように、金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等によってモールド樹脂１５０を形成する。これにより、モールド樹脂１５０がランド６１の側面６１ｃに密着した上記電子装置が製造される。

以上説明したように、本実施形態では、フィルドビア９１の形状が、電子部品１２１側の幅Ｌ１が狭く、コア層２０側の幅Ｌ２が広い形状となっている。このため、フィルドビア９１の内部において、電子部品１２１側からコア層２０側へ向かって熱が拡散しやすくなっている。したがって、本実施形態とは反対に、フィルドビア９１の形状が、電子部品１２１側の幅が広く、コア層２０側の幅が狭い形状の場合と比較して、フィルドビア９１内における電子部品１２１側からコア層２０側への熱移動を促進させることができ、電子部品１２１から多層基板１内への放熱性を向上できる。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してフィルドビア９１の形成方法を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

第１実施形態と同様に、図４（ｂ）に示されるように、コア層２０の表面２０ａ、２０ｂに内層配線５１、５２を形成する。このようにして、内層配線５１が形成されたコア層２０を準備する。ここまでの工程が、特許請求の範囲に記載の内層配線が形成されたコア層を準備する準備工程に対応する。

一方、図７（ａ）に示されるように、金属板１６６が積層されたビルドアップ層３０を準備する。この工程が、特許請求の範囲に記載のビルドアップ層を準備する準備工程に対応する。このビルドアップ層３０は、コア層２０に積層する前のものである。

そして、金属板１６６およびビルドアップ層３０にレーザ照射する。このとき、ビルドアップ層３０の表面３１を上面とし、この表面３１にレーザ照射する。すなわち、ビルドアップ層３０のうち、金属板１６６側の表面でなく、その反対側の表面である被照射面３１に対して垂直にレーザ照射する。この工程が、特許請求の範囲に記載の被照射面に対して垂直にレーザ照射して、ビルドアップ層に貫通孔を形成する貫通孔形成工程に対応する。

これにより、図７（ｂ）に示すように、金属板１６６およびビルドアップ層３０に、被照射面３１（図の上側）での幅が広く、その反対側（図の下側）での幅が狭い形状の貫通孔９３が形成される。

その後、図７（ｃ）に示されるように、金属板１６６およびビルドアップ層３０の上下面を反転させて、コア層２０の表面２０ａ上に積層する。すなわち、ビルドアップ層３０の被照射面３１をコア層２０の表面２０ａに対向させて、ビルドアップ層３０をコア層２０に積層する。この工程が、特許請求の範囲に記載のビルドアップ層をコア層に積層する積層工程に対応する。なお、コア層２０の表面２０ａには内層配線５１が形成されているが、図７（ｃ）では、内層配線５１の図示を省略している。

その後、図７（ｄ）に示されるように、コア層２０およびビルドアップ層３０の積層体を、積層方向から加圧しつつ加熱することにより一体化する。これにより、コア層２０およびビルドアップ層３０の積層体において、ビルドアップ層３０の表面３０ａ側の幅Ｌ１が狭く、コア層２０側の幅が広い形状の貫通孔９１ａが形成される。なお、ビルドアップ層３０は、熱硬化性樹脂で構成されており、レーザ照射によって貫通孔９３（９１ａ）が形成された部位は硬化しているので、貫通孔９３（９１ａ）の形成部位では樹脂は流動しない。

その後、第１実施形態と同様に、図５（ｂ）に示されるように、フィルドメッキを行う。これにより、図２に示す形状のフィルドビア９１が形成される。この工程が、特許請求の範囲に記載のビア形成工程に対応する。なお、ビルドアップ層４０のフィルドビア１０１については、第１実施形態と同様に形成される。

（第３実施形態）
本実施形態は、第１実施形態の多層基板１０に対してビルドアップ層３０、４０を２層構造に変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

図８に示されるように、表面側のビルドアップ層３０は、第１ビルドアップ層３０１と第２ビルドアップ層３０２の２つが積層されている。そして、第１、第２ビルドアップ層３０１、３０２のそれぞれにフィルドビア９１（９１１、９１２）が設けられている。これらのフィルドビア９１１、９１２は、第１実施形態のフィルドビア９１と同じ形状である。フィルドビア９１１、９１２同士は、内層配線５３を介して、熱的および電気的に接続されている。

また、裏面側のビルドアップ層４０は、第１ビルドアップ層４０１と第２ビルドアップ層４０２の２つが積層されている。そして、第１ビルドアップ層４０１に、内層配線５２と内層配線５４とを熱的および電気的に接続するフィルドビア１０１が設けられている。

このような２層構造のビルドアップ層３０、４０は、次のようにして形成される。第１ビルドアップ層３０１、４０１を積層した状態で、第１実施形態と同様に、フィルドビア９１、１０１を形成した後、第２ビルドアップ層３０２、４０２を積層する。そして、第２ビルドアップ層３０２に、第１実施形態と同様の方法により、フィルドビア９１を形成する。これにより、図８に示す形状のフィルドビア９１１、９１２が形成される。

本実施形態においても、第１、第２ビルドアップ層３０１、３０２のそれぞれに第１実施形態と同じ形状のフィルドビア９１を設けているので、第１実施形態と同様の効果が得られる。

なお、第２実施形態と同様に、予め貫通孔９１ａを形成した第１、第２ビルドアップ層３０１、３０２を順に積層することによっても、図８に示す形状のフィルドビア９１１、９１２を形成できる。また、本実施形態では、ビルドアップ層３０を２層構造としたが、ビルドアップ層３０を３層以上の積層構造としても良い。この場合においても、それぞれの層に第１実施形態と同じ形状のフィルドビア９１を形成することで、第１実施形態と同様の効果が得られる。

（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。

例えば、上記各実施形態では、フィルドビア９１は、断面形状が台形であり、コア層２０に向かうにつれて徐々に幅が広がる形状であったが、電子部品側の幅が狭く、コア層側の幅が広い形状であれば、他の形状としても良い。コア層２０に向かうにつれて段階的に幅が広がる形状であってもよい。これは、図９（ａ）〜（ｄ）に示す方法により実現可能である。

すなわち、図９（ａ）に示されるように、コア層２０に積層される前のビルドアップ層３０に対して、大きな照射径でレーザ照射して凹部９４ａを形成した後、図９（ｂ）に示されるように、小さな照射径でレーザ照射して凹部９４ａの底に貫通孔９４ｂを形成する。凹部９４ａおよび貫通孔９４ｂによって段階的に幅が広がる貫通孔９４が構成される。その後、図９（ｃ）に示されるように、ビルドアップ層３０の照射面３１をコア層２０に対向させて、ビルドアップ層３０をコア層２０に積層し、一体化させる。その後、図９（ｄ）に示されるように、貫通孔９４に対してフィルドメッキを行うことで、コア層２０に向かうにつれて段階的に幅が広がる形状のフィルドビア９５が形成される。

また、上記各実施形態では、ビルドアップ層３０に金属板１６６を積層した後、ビルドアップ層３０および金属板１６６に対してフィルドビア９１を形成したが、ビルドアップ層３０にフィルドビア９１を形成した後に、金属板１６６を積層してもよい。

また、上記各実施形態において、コア層２０およびビルドアップ層３０、４０として、プリプレグの単層から構成されるものを図示しているが、コア層２０およびビルドアップ層３０、４０をプリプレグの多層から構成されるものとしてもよい。

１０ 多層基板
２０ コア層
３０ ビルドアップ層
３０ａ 一面
６１ ランド
９１ フィルドビア
１２１ 電子部品

Claims (5)

1. 表面（２０ａ）を有するコア層（２０）と、
   前記コア層の表面に形成された内層配線（５１）と、
   前記コア層の表面に前記内層配線を覆う状態で配置されたビルドアップ層（３０）と、
   前記ビルドアップ層のうち前記コア層と反対側の一面（３０ａ）に形成され、電子部品（１２１）が搭載されるランド（６１）と、
   前記ビルドアップ層のうち前記ランドの直下に設けられ、前記内層配線と前記ランドとを熱的および電気的に接続するビア（９１）と、を備え、
   前記ビアは、前記電子部品側の幅（Ｌ１）が狭く、前記コア層側の幅（Ｌ２）が広い形状であることを特徴とする多層基板。
2. 前記ビルドアップ層は、複数積層されており、
   複数積層された前記ビルドアップ層（３０１、３０２）のそれぞれに前記ビア（９１１、９１２）が設けられており、
   前記ビア同士が熱的および電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
3. 請求項１または２に記載の多層基板（１０）と、
   前記ランドに搭載された前記電子部品と、
   前記電子部品および前記ランドを封止するモールド樹脂（１５０）と、
   を備える電子装置。
4. 請求項１または２に記載の多層基板の製造方法において、
   前記コア層、前記内層配線および前記ビルドアップ層の積層体（１６８）を準備する準備工程と、
   前記積層体の前記ビルドアップ層の一面に対してレーザ照射することにより、前記ビルドアップ層に貫通孔（９１ａ）を形成する貫通孔形成工程と、
   前記貫通孔内に導電性材料（１６９）を配置して前記ビアを形成するビア形成工程とを備え、
   前記貫通孔形成工程において、レーザヘッドからレーザを前記一面に対して斜めに照射するとともに、前記レーザヘッドと前記積層体の少なくとも一方を回転させることにより、前記一面側の幅が狭く、前記コア層側の幅が広い形状の貫通孔（９１ａ）を形成することを特徴とする多層基板の製造方法。
5. 請求項１または２に記載の多層基板の製造方法において、
   前記ビルドアップ層を準備する準備工程と、
   前記ビルドアップ層の一方の表面である被照射面（３１）に対して垂直にレーザ照射して、前記ビルドアップ層に貫通孔（９３）を形成する貫通孔形成工程と、
   前記内層配線が形成された前記コア層を準備する準備工程と、
   前記貫通孔が形成された前記ビルドアップ層の前記被照射面を前記コア層に対向させて、前記ビルドアップ層を前記コア層に積層する積層工程と、
   前記貫通孔内に導電性材料を配置して前記ビアを形成するビア形成工程と、を備えることを特徴とする多層基板の製造方法。

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