JP2015015355A - 配線基板およびこれを用いた電子装置、配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】一面側に発熱素子を備える電子部品が搭載される配線基板において、電子部品の放熱性を向上しつつ、反りを抑制する。【解決手段】一面１１および他面１２を有するようにガラスクロス４１を樹脂４２で封止する。そして、ガラスクロス４１のうち一面１１上に搭載される発熱素子を備える電子部品１２１の下方に位置する部分に貫通孔４１ａを形成し、当該貫通孔４１ａにガラスクロス４１を封止する樹脂４２と同じ樹脂４２を配置する。【選択図】図２

Description

本発明は、発熱素子を備える電子部品が搭載される配線基板およびこれを用いた電子装置、配線基板の製造方法に関するものである。

従来より、一面および当該一面と反対側の他面を有する配線基板として、樹脂内にガラスクロスが配置されたプリプレグを用いることが知られている。これによれば、ガラスクロスが補強材として機能するため、配線基板の反りを抑制できる。

しかしながら、一般的に、ガラスクロスは、樹脂よりも熱伝導率が低い。このため、配線基板の一面に発熱素子を備える電子部品を搭載して電子装置を構成した場合、ガラスクロスによって電子部品の熱が他面に伝達されることが阻害され、他面からの放熱性が低いという問題がある。

この問題を解決するため、例えば、特許文献１には、プリプレグに貫通孔を形成してガラスクロスの一部および樹脂を除去し、除去された部分に高い熱伝導率を有するものを埋め込むことが提案されている。なお、貫通孔に埋め込まれるものは、プリプレグを構成する樹脂と異なる樹脂等である。

特開２００１−１８５６６３号公報

しかしながら、上記特許文献１の配線基板では、貫通孔にプリプレグを構成する樹脂と異なるものを埋め込んでいるため、これらの間に熱膨張係数の差に起因する熱応力が発生する。このため、ガラスクロスによって反りを抑制しているものの、当該熱応力によって配線基板が反ってしまう可能性があるという問題がある。

本発明は上記点に鑑みて、一面側に発熱素子を備える電子部品が搭載される配線基板において、電子部品の放熱性を向上しつつ、反りを抑制できる配線基板およびこれを用いた電子装置、配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、ガラス繊維が平面的に編みこまれたガラスクロス（４１）と、ガラスクロスよりも熱伝導率が高い樹脂（４２）と、を備え、一面（１１）および他面（１２）を有する板状となるようにガラスクロスが樹脂にて封止された配線基板であって、以下の点を特徴としている。

すなわち、ガラスクロスは、一面上に搭載される発熱素子を備える電子部品の下方に位置する部分に貫通孔（４１ａ）が形成され、ガラスクロスの貫通孔に樹脂が配置されていることを特徴としている。

これによれば、電子部品の下方に位置するガラスクロスに貫通孔が形成され、当該貫通孔にガラスクロスより熱伝導率が高い樹脂が配置されている。このため、ガラスクロスが除去されていない場合と比較して、一面と他面との間の熱伝導率を高くでき、電子部品の放熱性を向上できる。

また、ガラスクロスに形成された貫通孔にガラスクロスを封止する樹脂と同じ樹脂が配置されることで熱伝導率が高くされている。このため、別の部材を配置して熱伝導率を高くする場合と比較して、熱膨張係数の差に起因する歪みが発生することを抑制でき、配線基板が反ることを抑制できる。

そして、請求項５に記載の発明では、ガラスクロスが樹脂で封止された基板（１０）を用意する工程と、基板に対して、ガラスクロスのうち電子部品の下方となる部分を樹脂と共に除去する孔（４３）を形成する工程と、基板を加圧することにより、樹脂を流動させて孔を当該樹脂にて閉塞する工程とを行うことを特徴としている。

この場合、請求項６に記載の発明のように、基板を用意する工程では、表面（２０ａ）および表面と反対側の裏面（２０ｂ）を有するコア層（２０）、コア層の表面側に配置される第１ビルドアップ層（３０）、およびコア層の裏面側に配置される第２ビルドアップ層（４０）の三層をそれぞれ用意し、孔を形成する工程では、第２ビルドアップ層に孔を形成し、孔を形成する工程の後、第２ビルドアップ層、コア層、第１ビルドアップ層を順に積層した積層体（１６８）によって基板を形成する工程を行い、閉塞する工程では、積層体にて構成された基板を積層方向から加圧することによって積層体を一体化しつつ、孔を樹脂にて閉塞することを特徴としている。

これによれば、第２ビルドアップ層、コア層、第１ビルドアップ層を積層した積層体にて基板を構成する場合、積層体を一体化しつつ、孔を閉塞でき、製造工程が増加することを抑制できる。

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

本発明の第１実施形態における電子装置の断面図である。 （ａ）は図１中の領域Ａの拡大図、（ｂ）は図１中の領域Ｂの拡大図である。 図１に示す多層基板の製造工程を示す断面図である。 図３に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。 図４に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。 第２ビルドアップ層を用意する際の断面図である。 本発明の第２実施形態における第２ビルドアップ層のうちランドの下方に位置する部分の拡大図である。 本発明の他の実施形態における電子装置の断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。なお、本実施形態の電子装置は、例えば、自動車等の車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するために適用されると好適である。

図１に示されるように、電子装置は、一面１０ａおよび他面１０ｂを有する多層基板１０と、多層基板１０の一面１０ａ上に搭載された電子部品１２１〜１２３と、を備えている。そして、多層基板１０の一面１０ａ側を電子部品１２１〜１２３と共にモールド樹脂１５０で封止することにより、電子装置が構成されている。なお、本実施形態では、多層基板１０が本発明の配線基板に相当している。

多層基板１０は、絶縁樹脂層としてのコア層２０と、コア層２０の表面２０ａに配置された第１ビルドアップ層３０と、コア層２０の裏面２０ｂに配置された第２ビルドアップ層４０とを備える積層基板である。

そして、コア層２０と第１ビルドアップ層３０との界面には、パターニングされた表面側内層配線５１（以下では、単に内層配線５１という）が形成されている。同様に、コア層２０と第２ビルドアップ層４０との界面には、パターニングされた裏面側内層配線５２（以下では、単に内層配線５２という）が形成されている。

なお、本実施形態の内層配線５１、５２は、一部が後述するランド６１と対向するように形成されている。そして、内層配線５１、５２のうちランド６１と対向する部分は、図１とは別断面において、内層配線５１、５２のうちランド６１と対向しない部分と適宜接続されている。また、本実施形態では、内層配線５１が本発明の第１内層配線に相当し、内層配線５２が本発明の第２内層配線に相当している。

第１ビルドアップ層３０の表面３０ａには、パターニングされた表面側表層配線６１〜６６（以下では、単に表層配線６１〜６６という）が形成されている。本実施形態では、表層配線６１〜６６は、電子部品１２１〜１２３が搭載される搭載用のランド６１〜６３、電子部品１２１、１２２とボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されるボンディング用のランド６４、６５、外部回路と電気的に接続される表面パターン６６とされている。

同様に、第２ビルドアップ層４０の表面４０ａには、パターニングされた裏面側表層配線７１、７２（以下では、単に表層配線７１、７２という）が形成されている。本実施形態では、表層配線７１、７２は、後述するフィルドビアを介して内層配線５２と電気的に接続される裏面パターン７１、放熱用のヒートシンクが備えられるヒートシンク用パターン７２（以下では、単にＨＳ用パターン７２という）とされている。

本実施形態では、裏面パターン７１とＨＳ用パターン７２とは、図１とは別断面においても接続されておらず、互いに電気的に独立している。また、ＨＳ用パターン７２は、第２ビルドアップ層４０の表面４０ａのうちランド６１と対向する部分に形成されている。

なお、第１ビルドアップ層３０の表面３０ａとは、第１ビルドアップ層３０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の一面１０ａとなる面のことである。また、第２ビルドアップ層４０の表面４０ａとは、第２ビルドアップ層４０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の他面１０ｂとなる面のことである。そして、内層配線５１、５２、表層配線６１〜６６、表層配線７１、７２は、具体的には後述するが、銅等の金属箔や金属メッキが適宜積層されて構成されている。

内層配線５１と内層配線５２とは、コア層２０を貫通して設けられた貫通ビア８１、８２を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、内層配線５１、５２のうちランド６１と対向する部分は、貫通ビア８１を介して接続されている。つまり、貫通ビア８１は、ランド６１の直下に形成されているともいえる。また、内層配線５１、５２のうちランド６１と対向する部分と異なる部分は、貫通ビア８２を介して接続されている。

なお、このような貫通ビア８１、８２は、コア層２０を厚さ方向に貫通する貫通孔８１ａ、８２ａの壁面に銅等の貫通電極８１ｂ、８２ｂが形成され、貫通孔８１ａの内部に充填材８１ｃ、８２ｃが充填されて構成されている。

また、内層配線５１と表層配線６１〜６６とは、第１ビルドアップ層３０を厚さ方向に貫通して設けられたフィルドビア９１、９２を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、ランド６１と内層配線５１のうちランド６１と対向する部分とは、フィルドビア９１を介して接続されている。つまり、フィルドビア９１は、ランド６１の直下に形成されているともいえる。また、ランド６２〜６５や表面パターン６６と、内層配線５１のうちランド６１と対向する部分と異なる部分とは、フィルドビア９２を介して接続されている。

同様に、内層配線５２と裏面パターン７１とは、第２ビルドアップ層４０を厚さ方向に貫通して設けられたフィルドビア１０１を介して電気的および熱的に接続されている。なお、内層配線５２とＨＳ用パターン７２とはフィルドビア１０１を介して電気的には接続されていない。

このような、フィルドビア９１、９２、１０１は、それぞれ第１、第２ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通する貫通孔９１ａ、９２ａ、１０１ａが銅等の貫通電極９１ｂ、９２ｂ、１０１ｂにて充填された構成とされている。

なお、充填材８１ｃは、樹脂、セラミック、金属等が用いられるが、本実施形態では、エポキシ樹脂とされている。また、貫通電極８１ｂ、９１ｂ、１０１ｂは、銅等の金属メッキにて構成されている。

そして、各第１、第２ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａには、表面パターン６６および裏面パターン７１を覆うソルダーレジスト１１０が形成されている。なお、表面パターン６６を覆うソルダーレジスト１１０には、図１とは別断面において、表面パターン６６のうち外部回路と接続される部分を露出させる開口部が形成されている。

電子部品１２１〜１２３は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等の発熱素子を備えるパワー素子１２１、マイコン等の制御素子１２２、チップコンデンサや抵抗等の受動素子１２３である。そして、各電子部品１２１〜１２３は、はんだ１３０を介してランド６１〜６３上に搭載されてランド６１と電気的、機械的に接続されている。また、パワー素子１２１および制御素子１２２は、周囲に形成されているランド６４、６５ともアルミニウムや金等のボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されている。

なお、ここでは、電子部品１２１としてパワー素子１２１を例に挙げて説明したが、電子部品１２１は発熱素子を備えるものであればパワー素子１２１に限定されるものではない。同様に、電子部品１２２、１２３として、制御素子１２２、受動素子１２３を例に挙げて説明したが、電子部品１２２、１２３はこれらに限定されるものではない。

モールド樹脂１５０は、ランド６１〜６５および電子部品１２１〜１２３を封止するものであり、エポキシ樹脂等の一般的なモールド材料が金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等により形成されたものである。

なお、本実施形態では、モールド樹脂１５０は、多層基板１０の一面１０ａのみに形成されている。つまり、本実施形態の電子装置は、いわゆるハーフモールド構造とされている。

また、多層基板１０の他面１０ｂ側には、ＨＳ用パターン７２に放熱グリス７３を介して放熱部材としてのブロック状のヒートシンク７４が備えられている。言い換えると、ヒートシンク７４は、ランド６１（電子部品１２１）と対向するように備えられている。

以上が本実施形態における電子装置の基本的な構成である。次に、本実施形態の特徴点である第２ビルドアップ層４０の構成について具体的に説明する。

第２ビルドアップ層４０は、図２に示されるように、ガラスクロス４１がガラスクロス４１より熱伝導率が高いエポキシ樹脂等の樹脂４２で封止されたプリプレグで構成されている。そして、ランド６１の下方に位置する部分では、ガラスクロス４１に貫通孔４１ａが形成され、当該貫通孔４１ａにガラスクロス４１を封止する樹脂４２と同じ樹脂４２が配置されている。このため、第２ビルドアップ層４０は、ランド６１の下方に位置する部分でガラスクロス４１が部分的に除去されていない場合と比較して、ランド６１の下方に位置する内層配線５２とＨＳ用パターン７２との間の熱伝導率が高くなる。

また、コア層２０および第１ビルドアップ層３０は、第２ビルドアップ層４０と同様にガラスクロスがエポキシ樹脂等で封止されたプリプレグで構成されているが、本実施形態では、ランド６１の下方に位置する部分でもガラスクロスに貫通孔は形成されていない。

なお、ガラスクロス４１は、ガラス繊維が平面的に編みこまれたものである。また、コア層２０、第１、第２ビルドアップ層３０、４０のうちランド６１の下方に位置する部分とは、ランド６１と対向する部分に加えて、当該部分の近傍も含む意味である。そして、特に限定されるものではないが、コア層２０、第１、第２ビルドアップ層３０、４０には、必要に応じて、アルミナやシリカ等の熱膨張係数を制御するフィラーが混入されていてもよい。

このような電子装置では、電子部品１２１に発生した熱は、ランド６１、フィルドビア９１、内層配線５１、貫通ビア８１を介して内層配線５２に伝達された後、第２ビルドアップ層４０を介してＨＳ用パターン７２に伝達されてヒートシンク７４から放熱される。この場合、上記のように、第２ビルドアップ層４０は、ランド６１の下方に位置する内層配線５２とＨＳ用パターン７２との間の熱伝導率が高くされているため、電子部品１２１の放熱性を向上できる。

以上が本実施形態における電子装置の構成である。次に、上記電子装置の製造方法について図３〜図６を参照しつつ説明する。なお、図３〜図６は、多層基板１０のうちパワー素子１２１が搭載される部分近傍の断面図である。

まず、図３（ａ）に示されるように、コア層２０の表面２０ａおよび裏面２０ｂに銅箔等の金属箔１６１、１６２が配置されたものを用意する。そして、図３（ｂ）に示されるように、ドリル等によって金属箔１６１、コア層２０、金属箔１６２を貫通する貫通孔８１ａを形成すると共に、図３（ｂ）とは別断面において、図１に示されるように、金属箔１６１、コア層２０、金属箔１６２を貫通する貫通孔８２ａを形成する。

その後、図３（ｃ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキを行い、貫通孔８１ａ、８２ａの壁面および金属箔１６１、１６２上に銅等の金属メッキ１６３を形成する。これにより、貫通孔８１ａ、８２ａの壁面に、金属メッキ１６３にて構成される貫通電極８１ｂ、８２ｂが形成される。なお、無電解メッキおよび電気メッキを行う場合には、パラジウム等の触媒を用いて行うことが好ましい。

続いて、図３（ｄ）に示されるように、金属メッキ１６３で囲まれる空間にそれぞれ充填材８１ｃ、８２ｃを配置する。これにより、貫通孔８１ａ、貫通電極８１ｂ、充填材８１ｃを有する上記貫通ビア８１が形成されると共に貫通孔８２ａ、貫通電極８２ｂ、充填材８２ｃを有する上記貫通ビア８２が形成される。

その後、図４（ａ）に示されるように、無電解メッキおよび電気メッキ等でいわゆる蓋メッキを行い、金属メッキ１６３および充填材８１ｃ、８２ｃ上に銅等の金属メッキ１６４、１６５を形成する。

次に、図４（ｂ）に示されるように、金属メッキ１６４、１６５上に図示しないレジストを配置する。そして、当該レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行い、金属メッキ１６４、金属メッキ１６３、金属箔１６１を適宜パターニングして内層配線５１を形成すると共に、金属メッキ１６５、金属メッキ１６３、金属箔１６２を適宜パターニングして内層配線５２を形成する。つまり、本実施形態では、内層配線５１は、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４が積層されて構成され、内層配線５２は、金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５が積層されて構成されている。

なお、次の図４（ｃ）以降では、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４、および金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５をまとめて１層として示してある。

その後、図４（ｃ）に示されるように、コア層２０における表面２０ａ側において、内層配線５１上に第１ビルドアップ層３０および銅等の金属板１６６を積層する。また、コア層２０における裏面２０ｂ側において、内層配線５２上に第２ビルドアップ層４０および銅等の金属板１６７を積層する。このようにして、上から順に、金属板１６６、第１ビルドアップ層３０、内層配線５１、コア層２０、内層配線５２、第２ビルドアップ層４０および金属板１６７が順に積層された積層体１６８を構成する。

なお、図４（ｃ）に示されるように、第２ビルドアップ層４０には、ランド６１の下方となる部分に貫通孔４３が形成されている。ここで、この第２ビルドアップ層４０を用意する際の工程について図６を参照しつつ説明する。

第２ビルドアップ層４０を用意する際には、図６（ａ）に示されるように、まず、ガラスクロスシートを用意し、ガラスクロスシートを液状樹脂に含浸させる。そして、液状樹脂の流動性を維持したまま仮硬化した後、このものを適切な大きさに切断する。その後、図６（ｂ）に示されるように、ランド６１の下方となる部分に位置する部分をプレス等して打ち抜き、ガラスクロス４１および樹脂４２を除去する貫通孔４３を形成する。これにより、ガラスクロス４１に貫通孔４１ａが形成される。

なお、この状態の第２ビルドアップ層４０は、ガラスクロス４１が除去された部分は空洞とされている。そして、ここでは、第２ビルドアップ層４０に貫通孔４３が形成された例を説明するが、ガラスクロス４１に貫通孔４１ａが形成されるのであれば、第２ビルドアップ層４０に形成される孔は貫通していなくてもよい。また、図６は、第２ビルドアップ層４０のうちランド６１の下方となる部分の断面図である。

続いて、図４（ｄ）に示されるように、積層体１６８の積層方向から加圧しつつ加熱することにより積層体１６８を一体化する。具体的には、積層体１６８を加圧することにより、第１ビルドアップ層３０を構成する樹脂を流動させて内層配線５１の間を埋め込むと共に、第２ビルドアップ層４０を構成する樹脂４２を流動させて貫通孔４３を閉塞しつつ、内層配線５２の間を埋め込む。そして、積層体１６８を加熱することにより、第１、第２ビルドアップ層３０、４０を硬化して積層体１６８を一体化する。

つまり、積層体を一体化する工程と、貫通孔４３を閉塞する工程とを同時に行う。そして、第２ビルドアップ層４０は、ランド６１の下方となる部分においてガラスクロス４１が部分的に除去され、除去された部分に樹脂４２が配置された構成となる。

次に、図５（ａ）に示されるように、レーザ等により、金属板１６６、第１ビルドアップ層３０を貫通して内層配線５１に達する貫通孔９１ａを形成する。また、図５（ａ）とは別断面において、図１に示されるように、金属板１６６、第１ビルドアップ層３０を貫通して内層配線５１に達する貫通孔９２ａを形成する。そして、図５（ａ）とは別断面において、図１に示されるように、金属板１６７、第２ビルドアップ層４０を貫通して内層配線５２に達する貫通孔１０１ａを形成する。

続いて、図５（ｂ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキ等でいわゆるフィルドメッキを行い、貫通孔９１ａ、９２ａ、１０１ａを金属メッキ１６９で埋め込む。これにより、第１ビルドアップ層３０に形成された貫通孔９１ａ、９２ａに埋め込まれた金属メッキ１６９にて貫通電極９１ｂおよび図１に示した貫通電極９２ｂが構成される。同様に、第２ビルドアップ層４０に形成された貫通孔１０１ａに埋め込まれた金属メッキ１６９にて図１に示した貫通電極１０１ｂが構成される。また、貫通孔９１ａ、９２ａ、１０１ａに貫通電極９１ｂ、９２ｂ、１０１ｂが埋め込まれたフィルドビア９１、１０１が形成される。なお、次の図５（ｃ）以降では、金属板１６６および金属メッキ１６９をまとめて１層として示してある。

続いて、図５（ｃ）に示されるように、金属板１６６、１６７上に図示しないレジストを配置する。そして、レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行って金属板１６６、１６７をパターニングすると共に、適宜金属メッキを形成することにより、表層配線６１〜６６および表層配線７１、７２を形成する。つまり、本実施形態では、表層配線６１〜６６は、金属板１６６および金属メッキ１６９を有する構成とされ、表層配線７１は、金属板１６７および金属メッキ１６９を有する構成とされ、表層配線７２は金属板１６７を有する構成とされている。

次に、図５（ｄ）に示されるように、第１、第２ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａにそれぞれソルダーレジスト１１０を配置して適宜パターニングすることにより、上記多層基板１０が製造される。なお、図５（ｄ）に示される範囲内において、表面３０ａ上のソルダーレジスト１１０がすべて除去されているが、図１に示すように他の領域においてソルダーレジスト１１０が残された状態になっている。

その後は、特に図示しないが、はんだ１３０を介して電子部品１２１〜１２３をランド６１〜６３に搭載する。そして、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６４、６５との間でワイヤボンディングを行い、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６４、６５とを電気的に接続する。

続いて、ランド６１〜６５および電子部品１２１〜１２３が封止されるように、金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等によってモールド樹脂１５０を形成することにより、上記電子装置が製造される。

以上説明したように、第２ビルドアップ層４０は、ランド６１の下方に位置する部分のガラスクロス４１に貫通孔４１ａが形成され、当該貫通孔４１ａにガラスクロス４１より熱伝導率が高い樹脂４２が配置されている。このため、ガラスクロス４１が除去されていない場合と比較して、ランド６１（電子部品１２１）とＨＳ用パターン７２（ヒートシンク７４）との間の熱伝導率を高くでき、電子部品１２１の放熱性を向上できる。

そして、本実施形態では、第２ビルドアップ層４０に貫通孔４１ａが形成されている。このため、効率的に多層基板１０における一面１０ａと他面１０ｂとの間の熱伝導率を高くできる。すなわち、上記のように、電子部品１２１に発生した熱は、第１ビルドアップ層３０内では主にフィルドビア９１を介して伝達され、コア層２０内では主に貫通ビア８１を介して伝達されるが、第２ビルドアップ層４０では第２ビルドアップ層４０自体を介して伝達される。このため、第２ビルドアップ層４０自体の熱伝導率を高くすることにより、効率的に電子部品の放熱性を向上できる。

さらに、第２ビルドアップ層４０は、ガラスクロス４１に形成された貫通孔４１ａにガラスクロス４１を封止する樹脂４２と同じ樹脂４２が配置されることで熱伝導率が高くされている。このため、樹脂４２中に別の部材を配置して熱伝導率を高くする場合と比較して、第２ビルドアップ層４０の内部で熱膨張係数の差に起因する歪みが発生することを抑制でき、多層基板１０が反ることを抑制できる。

さらに、本実施形態では、積層体１６８を一体化する際に貫通孔４３を樹脂４２で閉塞している。このため、貫通孔４３に樹脂４２を閉塞するための特別な工程を行う必要がない。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して第２ビルドアップ層４０におけるガラスクロス４１の形状を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

図７に示されるように、本実施形態では、第２ビルドアップ層４０におけるガラスクロス４１のうちランド６１と対向する部分には、当該部分を全て除去する貫通孔４１ａが形成されている。なお、図７は、図１中の領域Ａの拡大図に相当している。

これによれば、さらに内層配線５２とＨＳ用パターン７２との間の熱伝導率を高くしつつ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。

例えば、上記第１実施形態では、配線基板として、第２ビルドアップ層４０、コア層２０、第１ビルドアップ層３０が順に積層された多層基板１０を例に挙げて説明した。しかしながら、配線基板１０は、例えば、図８に示されるように、コア層２０（単層）のみで形成されていてもよい。この場合、コア層２０の表面が配線基板１０の一面１０ａとなると共に裏面が配線基板１０の他面１０ｂとなり、表面に電子部品１２１が搭載されるランド６１が形成されると共に裏面に放熱グリス７３を介してヒートシンク７４が備えられる。そして、コア層２０のうちランド６１の下方に位置する部分では、図２（ａ）または図７と同様に、ガラスクロス４１に貫通孔４１ａが形成されていると共に当該貫通孔４１ａに樹脂４２が配置される。

また、上記第１実施形態では、ＨＳ用パターン７２にヒートシンク７４を備える例を説明したが、ヒートシンク７４は第２ビルドアップ層４０を構成する樹脂に直接備えられていてもよい。また、放熱部材はヒートシンク７４ではなく、例えば、ケース等の筐体であってもよい。

さらに、上記第１、第２実施形態では、コア層２０および第１ビルドアップ層３０のうちランド６１の下方に位置する部分において、第２ビルドアップ層４０と同様に、ガラスクロスが除去され、除去された部分にガラスクロスより熱伝導率が高い樹脂が配置されていてもよい。特に、設計上、ランド６１の下方にビア８１を形成できない場合には、第１ビルドアップ層３０のうちランド６１の下方に位置するガラスクロスを除去すると共に除去した部分にガラスクロスより熱伝導率が高い樹脂を配置することにより、ランド６１と内層配線５１との熱伝導率を高くできる。同様に、設計上、ランド６１の下方にビア９１を形成できない場合には、コア層２０のうちランド６１の下方に位置するガラスクロスを除去すると共に除去した部分にガラスクロスより熱伝導率が高い樹脂を配置することにより、内層配線５１と内層配線５２との間の熱伝導率を高くできる。

そして、上記第１、第２実施形態において、第２ビルドアップ層４０のガラスクロス４１が部分的に除去されておらず、コア層２０および第１ビルドアップ層３０のいずれか一方のガラスクロスが部分的に除去されていてもよい。このような多層基板１０を用いた電子装置としても、ガラスクロスが部分的に除去されると共に除去された部分にガラスクロスより熱伝導率が高い樹脂が配置されることにより、電子部品１２１の放熱性を向上できる。

１０ 多層基板
１０ａ 一面
１０ｂ 他面
４１ ガラスクロス
４１ａ 貫通孔
４２ 樹脂
１２１ 電子部品

Claims (6)

1. ガラス繊維が平面的に編みこまれたガラスクロス（４１）と、
   前記ガラスクロスよりも熱伝導率が高い樹脂（４２）と、を備え、
   一面（１１）および他面（１２）を有する板状となるように前記ガラスクロスが前記樹脂にて封止された配線基板であって、
   前記ガラスクロスは、前記一面上に搭載される発熱素子を備える電子部品の下方に位置する部分に貫通孔（４１ａ）が形成され、
   前記ガラスクロスの前記貫通孔に前記樹脂が配置されていることを特徴とする配線基板。
2. 前記基板は、表面（２０ａ）および前記表面と反対側の裏面（２０ｂ）を有するコア層（２０）と、前記コア層の表面側に配置され、前記コア層側と反対側の一面（３０ａ）に前記電子部品が搭載されるランドが形成された第１ビルドアップ層（３０）と、前記コア層の裏面側に配置される第２ビルドアップ層（４０）と、前記コア層と前記第１ビルドアップ層との間のうち前記ランドの下方となる部分に形成された第１内層配線（５１）と、前記第１ビルドアップ層に形成されて前記ランドと前記第１内層配線とを接続するビア（９１）と、前記コア層と前記第２ビルドアップ層との間のうち前記ランドの下方となる部分に形成された第２内層配線（５２）と、前記コア層に形成されて前記第１、第２内層配線を接続するビア（８１）と、を有し、前記第２ビルドアップ層において、前記ガラスクロスに前記貫通孔が形成されていると共に前記貫通孔に前記樹脂が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記第２ビルドアップ層は、前記ガラスクロスのうち前記ランドと対向する部分を全て除去する前記貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
4. 請求項１ないし３のいずれか１つに記載の配線基板と、
   前記一面に搭載された前記電子部品と、を備えることを特徴とする電子装置。
5. ガラス繊維が平面的に編みこまれたガラスクロス（４１）と、
   前記ガラスクロスよりも熱伝導率が高い樹脂（４２）と、を備え、
   一面（１１）および他面（１２）を有する板状となるように前記ガラスクロスが前記樹脂にて封止され、
   前記ガラスクロスは、前記一面上に搭載される発熱素子を備える電子部品の下方に貫通孔（４１ａ）が形成され、
   前記ガラスクロスの前記貫通孔に前記樹脂が配置されている配線基板の製造方法において、
   前記ガラスクロスが前記樹脂で封止された基板（１０）を用意する工程と、
   前記基板に対して、前記ガラスクロスのうち前記電子部品の下方となる部分を前記樹脂と共に除去する孔（４３）を形成する工程と、
   前記基板を加圧することにより、前記樹脂を流動させて前記孔を当該樹脂にて閉塞する工程と、を行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
6. 前記基板を用意する工程では、表面（２０ａ）および前記表面と反対側の裏面（２０ｂ）を有するコア層（２０）、前記コア層の表面側に配置される第１ビルドアップ層（３０）、および前記コア層の裏面側に配置される第２ビルドアップ層（４０）の三層をそれぞれ用意し、
   前記孔を形成する工程では、前記第２ビルドアップ層に前記孔を形成し、
   前記孔を形成する工程の後、前記第２ビルドアップ層、前記コア層、前記第１ビルドアップ層を順に積層した積層体（１６８）によって前記基板を形成する工程を行い、
   前記閉塞する工程では、前記積層体にて構成された前記基板を積層方向から加圧することによって前記積層体を一体化しつつ、前記孔を前記樹脂にて閉塞することを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
   
   

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