JP6111833B2 - 多層基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品がはんだを介して搭載されるランドを有する多層基板の製造方法に関するものである。

従来より、電子装置として、次のものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

具体的には、この電子装置は、樹脂等で構成されるコア層とビルドアップ層とが積層され、コア層とビルドアップ層との間に内層配線が形成されていると共にビルドアップ層のうちコア層と反対側の一面にランドが形成された多層基板を備えている。そして、このランド上に、はんだを介してパワー素子や制御素子等の電子部品が搭載されて電子装置が構成されている。

また、使用環境によっては、耐環境（耐腐食）性を向上させるためのモールド樹脂によって電子部品を含む多層基板の一面側が覆われることによって電子装置が構成されている。

特開平７−２８３５１５号公報

しかしながら、図１２に示されるように、モールド樹脂Ｊ１によって電子部品Ｊ２が覆われる上記電子装置では、モールド樹脂Ｊ１とはんだＪ３との密着力が弱く、モールド樹脂Ｊ１がはんだＪ３との界面から剥離し易い。このため、ビルドアップ層Ｊ４にクラックＪ６が発生する。

すなわち、モールド樹脂Ｊ１がはんだＪ３から剥離することによって生じる応力がビルドアップ層Ｊ４に伝播してビルドアップ層Ｊ４にクラックＪ６が発生する。

また、モールド樹脂Ｊ１が剥離することにより、モールド樹脂Ｊ１にてランドＪ５の変位を抑制できなくなるため、使用環境に応じてランドＪ５の膨張および収縮が可能となる。そして、ランドＪ５とビルドアップ層Ｊ４とは熱膨張係数が異なるため、ビルドアップ層Ｊ４に応力が印加される。特に、低温使用環境では、ランドＪ５が収縮することにより、ビルドアップ層Ｊ４のうちランドＪ５との界面の端部に多大な引張応力が印加され、ビルドアップ層Ｊ４にクラックＪ６が発生する。

そして、ビルドアップ層Ｊ４に発生したクラックＪ６が内層配線に到達すると、当該クラックＪ６に水等の異物が浸入した場合、ランドＪ５と内層配線とがショートするという問題が発生する。

本発明は上記点に鑑みて、ビルドアップ層に発生したクラックが内層配線に到達することを遅らせることができる多層基板の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、コア層に内層配線を形成する工程と、ビルドアップ層を用意する工程と、コア層、ビルドアップ層、金属板（１６７）を順に積層して積層体（１６８）を構成する工程と、積層体を一体化する工程と、金属板をパターニングしてランドを形成する工程とを行う多層基板の製造方法であり、以下の点を特徴としている。

すなわち、ビルドアップ層を用意する工程では、フィラーおよび添加剤が混入された液状樹脂（１７０）にガラスクロスシート（３１ａ）を含浸させる工程と、液状樹脂を含浸させたガラスクロスシートを上方に引き上げ、重力によって液状樹脂を流動させることにより、液状樹脂と添加剤との摩擦力によって添加剤の長手方向を引き上げ方向に近づける工程と、を行い、積層体を構成する工程では、引き上げ方向と積層方向とが直交するようにビルドアップ層を配置することを特徴としている。

そして、請求項２に記載の発明は、ビルドアップ層を用意する工程では、フィラーおよび添加剤が混入された液状樹脂（１７０）をフィルムの一面に塗布する工程と、液状樹脂を塗布したフィルムを上方に引き上げ、重力によって液状樹脂を流動させることにより、液状樹脂と添加剤との摩擦力によって添加剤の長手方向を引き上げ方向に近づける工程と、を行い、積層体を構成する工程の前に、ビルドアップ層からフィルムを除去し、積層体を構成する工程では、引き上げ方向と積層方向とが直交するようにビルドアップ層を配置することを特徴としている。

これら請求項１および２に記載の発明によれば、添加剤の長手方向（引き上げ方向）とビルドアップ層の一面における法線方向（積層方向）とが交差している多層基板を製造できる。

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

本発明の第１実施形態における電子装置の断面図である。 図１中の領域Ａの拡大図である。 図１に示す多層基板の製造工程を示す断面図である。 図３に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。 図４に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。 ビルドアップ層の製造工程を示す断面模式図である。 （ａ）は図６中の領域Ｂの拡大図であり、（ｂ）は図６中の領域Ｃの拡大図である。 図１に示す多層基板にクラックが発生した様子を示す電子装置の拡大図である。 本発明の第２実施形態におけるビルドアップ層の製造工程を示す断面模式図である。 本発明の他の実施形態におけるビルドアップ層の拡大図である。 本発明の他の実施形態におけるビルドアップ層の拡大図である。 多層基板にクラックが発生した様子を示す電子装置の拡大図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。なお、本実施形態の電子装置は、例えば、自動車等の車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するために適用されると好適である。

図１に示されるように、電子装置は、一面１０ａおよび他面１０ｂを有する多層基板１０と、多層基板１０の一面１０ａ上に搭載された電子部品１２１〜１２３と、を備えている。そして、多層基板１０の一面１０ａ側を電子部品１２１〜１２３と共にモールド樹脂１５０で封止することにより、電子装置が構成されている。

多層基板１０は、絶縁樹脂層としてのコア層２０と、コア層２０の表面２０ａに配置された表面２０ａ側のビルドアップ層３０と、コア層２０の裏面２０ｂ側に配置された裏面２０ｂ側のビルドアップ層４０とを備える積層基板である。

そして、コア層２０とビルドアップ層３０との界面には、パターニングされた表面側内層配線５１（以下では、単に内層配線５１という）が形成されている。同様に、コア層２０とビルドアップ層４０との界面には、パターニングされた裏面側内層配線５２（以下では、単に内層配線５２という）が形成されている。

また、ビルドアップ層３０の表面３０ａには、パターニングされた表面側表層配線６１〜６３（以下では、単に表層配線６１〜６３という）が形成されている。本実施形態では、表層配線６１〜６３は、電子部品１２１〜１２３が搭載される搭載用のランド６１、電子部品１２１、１２２とボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されるボンディング用のランド６２、外部回路と電気的に接続される表面パターン６３とされている。

同様に、ビルドアップ層４０の表面４０ａには、パターニングされた裏面側表層配線７１、７２（以下では、単に表層配線７１、７２という）が形成されている。本実施形態では、表層配線７１、７２は、後述するフィルドビアを介して内層配線５２と接続される裏面パターン７１、放熱用のヒートシンクが備えられるヒートシンク用パターン７２（以下では、単にＨＳ用パターン７２という）とされている。

なお、ビルドアップ層３０の表面３０ａとは、ビルドアップ層３０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の一面１０ａとなる面のことである。また、ビルドアップ層４０の表面４０ａとは、ビルドアップ層４０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の他面１０ｂとなる面のことである。そして、内層配線５１、５２、表層配線６１〜６３、表層配線７１、７２は、具体的には後述するが、銅等の金属箔や金属メッキが適宜積層されて構成されている。

内層配線５１と内層配線５２とは、コア層２０を貫通して設けられた貫通ビア８１を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、貫通ビア８１は、コア層２０を厚さ方向に貫通する貫通孔８１ａの壁面に銅等の貫通電極８１ｂが形成され、貫通孔８１ａの内部に充填材８１ｃが充填されて構成されている。

また、内層配線５１と表層配線６１〜６３、および内層配線５２と表層配線７１、７２とは、適宜各ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通して設けられたフィルドビア９１、１０１を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、フィルドビア９１、１０１は、各ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通する貫通孔９１ａ、１０１ａが銅等の貫通電極９１ｂ、１０１ｂにて充填された構成とされている。

なお、充填材８１ｃは、樹脂、セラミック、金属等が用いられるが、本実施形態では、エポキシ樹脂とされている。また、貫通電極８１ｂ、９１ｂ、１０１ｂは、銅等の金属メッキにて構成されている。

そして、各ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａには、表面パターン６３および裏面パターン７１を覆うソルダーレジスト１１０が形成されている。なお、表面パターン６３を覆うソルダーレジスト１１０には、図１とは別断面において、表面パターン６３のうち外部回路と接続される部分を露出させる開口部が形成されている。

電子部品１２１〜１２３は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等の発熱が大きいパワー素子１２１、マイコン等の制御素子１２２、チップコンデンサや抵抗等の受動素子１２３である。そして、各電子部品１２１〜１２３は、はんだ１３０を介してランド６１上に搭載されてランド６１と電気的、機械的に接続されている。また、パワー素子１２１および制御素子１２２は、周囲に形成されているランド６２ともアルミニウムや金等のボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されている。

なお、ここでは、電子部品１２１〜１２３としてパワー素子１２１、制御素子１２２、受動素子１２３を例に挙げて説明したが、電子部品１２１〜１２３はこれらに限定されるものではない。

モールド樹脂１５０は、ランド６１、６２および電子部品１２１〜１２３を封止するものであり、エポキシ樹脂等の一般的なモールド材料が金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等により形成されたものである。

なお、本実施形態では、モールド樹脂１５０は、多層基板１０の一面１０ａのみに形成されている。つまり、本実施形態の電子装置は、いわゆるハーフモールド構造とされている。また、多層基板１０の他面１０ｂ側には、特に図示していないが、ＨＳ用パターン７２に放熱グリス等を介してヒートシンクが備えられている。

以上が本実施形態における電子装置の基本的な構成である。次に、本実施形態の特徴点であるビルドアップ層３０の構造について説明する。

ビルドアップ層３０は、図２に示されるように、ガラスクロス３１の両面がエポキシ樹脂等の樹脂３２で封止され、樹脂３２中にフィラー３３および添加剤３４が混入されたものである。

具体的には、フィラー３３は、球状とされており、ビルドアップ層３０の熱膨張係数を制御するアルミナやシリカ等にて構成されている。添加剤３４は、扁平状とされており、長手方向（平面方向）がビルドアップ層３０の表面３０ａと略平行となるように配置されている。言い換えると、添加剤３４は、長手方向がビルドアップ層３０の表面３０ａに対する法線方向（ビルドアップ層３０の厚さ方向）と略垂直となるよう（交差するよう）に配置されている。

そして、このような添加剤３４は、ビルドアップ層３０の熱膨張係数の制御を容易にするためにガラスクロス３１またはフィラー３３と同じ材質で構成されることが好ましく、本実施形態ではフィラー３３と同じ材質とされている。

なお、コア層２０およびビルドアップ層４０は、ガラスクロス３１の両面がエポキシ樹脂等で封止されて構成されている。そして、必要に応じて、アルミナやシリカ等の熱膨張係数を制御するフィラー３３が混入されているが、添加剤３４は含まれていない。

以上が本実施形態における電子装置の構成である。次に、上記電子装置の製造方法について図３〜図６を参照しつつ説明する。なお、図３〜図５は、多層基板１０のうちパワー素子１２１が搭載される部分近傍の断面図である。

まず、図３（ａ）に示されるように、コア層２０の表面２０ａおよび裏面２０ｂに銅箔等の金属箔１６１、１６２が配置されたものを用意する。そして、図３（ｂ）に示されるように、ドリル等によって金属箔１６１、コア層２０、金属箔１６２を貫通する貫通孔８１ａを形成する。

その後、図３（ｃ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキを行い、貫通孔８１ａの壁面および金属箔１６１、１６２上に銅等の金属メッキ１６３を形成する。これにより、貫通孔８１ａの壁面に、金属メッキ１６３にて構成される貫通電極８１ｂが形成される。なお、無電解メッキおよび電気メッキを行う場合には、パラジウム等の触媒を用いて行うことが好ましい。

続いて、図３（ｄ）に示されるように、金属メッキ１６３で囲まれる空間に充填材８１ｃを配置する。これにより、貫通孔８１ａ、貫通電極８１ｂ、充填材８１ｃを有する上記貫通ビア８１が形成される。

その後、図４（ａ）に示されるように、無電解メッキおよび電気メッキ等でいわゆる蓋メッキを行い、金属メッキ１６３および充填材８１ｃ上に銅等の金属メッキ１６４、１６５を形成する。

次に、図４（ｂ）に示されるように、金属メッキ１６４、１６５上に図示しないレジストを配置する。そして、当該レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行い、金属メッキ１６４、金属メッキ１６３、金属箔１６１を適宜パターニングして内層配線５１を形成すると共に、金属メッキ１６５、金属メッキ１６３、金属箔１６２を適宜パターニングして内層配線５２を形成する。つまり、本実施形態では、内層配線５１は、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４が積層されて構成され、内層配線５２は、金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５が積層されて構成されている。

なお、次の図４（ｃ）以降では、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４、および金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５をまとめて１層として示してある。

その後、図４（ｃ）に示されるように、コア層２０における表面２０ａ側において、内層配線５１上にビルドアップ層３０および銅等の金属板１６６を積層する。また、コア層２０における裏面２０ｂ側において、内層配線５２上にビルドアップ層４０および銅等の金属板１６７を積層する。このようにして、上から順に、金属板１６６、ビルドアップ層３０、内層配線５１、コア層２０、内層配線５２、ビルドアップ層３０および金属板１６７が順に積層された積層体１６８を構成する。なお、この状態において、ビルドアップ層３０の表面３０ａは、積層方向と直交している。

ここで、ビルドアップ層３０の製造方法について説明する。ビルドアップ層３０を用意する際には、図６に示されるように、まず、ガラスクロスシート３１ａを用意し、ガラスクロスシート３１ａをフィラー３３および添加剤３４が混入された液状樹脂１７０に含浸させる含浸工程を行う。このとき、図７（ａ）に示されるように、液状樹脂１７０内において、添加剤３４は長手方向が固定されていない。言い換えると、添加剤３４は、液状樹脂１７０内にランダムに配置されている。

次に、ガラスクロスシート３１ａを上方（天地方向における天方向）に引き上げる引き上げ工程を行う。これにより、ガラスクロスシート３１ａに付着している液状樹脂１７０の一部は、重力によって下方（天地方向における地方向）に流れ落ちる。このとき、添加剤３４は、扁平状とされているため、液状樹脂１７０が流れ落ちる際の液状樹脂１７０との摩擦力により、長手方向が引き上げ向に近づく。つまり、添加剤３４は、長手方向と引き上げ方向（ビルドアップ層３０の表面３０ａの面方向）とが略平行な状態で液状樹脂１７０内に配置される。

その後、液状樹脂１７０を乾燥する乾燥工程を行う。なお、この乾燥工程は、液状樹脂１７０の流動性を維持したまま仮硬化する工程である。そして、仮硬化したものを適切な大きさに切断する切断工程を行うことにより、上記ビルドアップ層３０が形成される。

続いて、図４（ｄ）に示されるように、積層体１６８の積層方向から加圧しつつ加熱することにより積層体１６８を一体化する。具体的には、積層体１６８を加圧することにより、ビルドアップ層３０を構成する樹脂を流動させて内層配線５１の間を埋め込むと共に、ビルドアップ層４０を構成する樹脂を流動させて内層配線５２の間を埋め込む。そして、積層体１６８を加熱することにより、ビルドアップ層３０、４０を硬化して積層体１６８を一体化する。

なお、積層体１６８を加圧するとき、ビルドアップ層３０に扁平状の添加剤３４のみが混入されていると、ビルドアップ層３０を構成する樹脂の流動性が低下し、内層配線５１の間に樹脂が流動せずに空洞が形成される可能性がある。しかしながら、本実施形態では、フィラー３３が球状とされているため、フィラー３３によってビルドアップ層３０を構成する樹脂の流動性を向上でき、内層配線５１の間とビルドアップ層３０との間に空洞が形成されることを抑制できる。

次に、図５（ａ）に示されるように、レーザ等により、金属板１６６、ビルドアップ層３０を貫通して内層配線５１に達する貫通孔９１ａを形成する。同様に、図５（ａ）とは別断面において、図１に示されるように、金属板１６７、ビルドアップ層４０を貫通して内層配線５２に達する貫通孔１０１ａを形成する。

そして、図５（ｂ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキ等でいわゆるフィルドメッキを行い、貫通孔９１ａ、１０１ａを金属メッキ１６９で埋め込む。これにより、ビルドアップ層３０、４０に形成された貫通孔９１ａ、１０１ａに埋め込まれた金属メッキ１６９にて貫通電極９１ｂおよび図１に示した貫通電極１０１ｂが構成される。また、貫通孔９１ａ、１０１ａに貫通電極９１ｂ、１０１ｂが埋め込まれたフィルドビア９１、１０１が形成される。なお、次の図５（ｃ）以降では、金属板１６６および金属メッキ１６９をまとめて１層として示してある。

続いて、図５（ｃ）に示されるように、金属板１６６、１６７上に図示しないレジストを配置する。そして、レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行って金属板１６６、１６７をパターニングすると共に、適宜金属メッキを形成することにより、表層配線６１〜６３および表層配線７１、７２を形成する。つまり、本実施形態では、表層配線６１〜６３は、金属板１６６および金属メッキ１６９を有する構成とされ、表層配線７１、７２は、金属板１６７および金属メッキ１６９を有する構成とされている。

次に、図５（ｄ）に示されるように、ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａにそれぞれソルダーレジスト１１０を配置して適宜パターニングすることにより、上記多層基板１０が製造される。なお、図５（ｄ）に示される範囲内において、表面３０ａ上のソルダーレジスト１１０がすべて除去されているが、図１に示すように他の領域においてソルダーレジスト１１０が残された状態になっている。

その後は、特に図示しないが、まず、はんだ１３０を介して電子部品１２１〜１２３をランド６１に搭載する。そして、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６２との間でワイヤボンディングを行い、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６２とを電気的に接続する。続いて、ランド６１、６２および電子部品１２１〜１２３が封止されるように、金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等によってモールド樹脂１５０を形成することにより、上記電子装置が製造される。

以上説明したように、本実施形態では、ビルドアップ層３０に、扁平状とされ、長手方向がビルドアップ層３０の表面３０ａと略平行となるように添加剤３４が配置されている。このため、図８に示されるようにビルドアップ層３０にクラック３５が発生して当該クラック３５が添加剤３４に達すると、クラック３５は添加剤３４に沿って伸展する。したがって、ビルドアップ層３０に添加剤３４が配置されていない場合、またはビルドアップ層３０に球状のフィラー３３のみが配置されている場合と比較して、クラック３５が内層配線５２（ビルドアップ層３０におけるコア層２０側の一面）に到達することを遅らせることができ、ひいては耐用年数を向上できる。

なお、図８では、ランド６１の側面にはんだ１３０が濡れ広がっていないものを図示しているが、図１２のようにランド６１の側面にはんだ１３０が濡れ広がっている場合も同様の効果を得ることができる。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してビルドアップ層３０の製造工程を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

図９に示されるように、本実施形態では、ビルドアップ層３０を形成する際、まず、フィルム１７１を用意する。このフィルム１７１は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等が用いられる。

そして、フィルム１７１の一面にフィラー３３および添加剤３４が混入された液状樹脂１７０を塗布する塗布工程を行う。その後は、上記と同様に、引き上げ工程、乾燥工程、切断工程を行うことにより、ビルドアップ層３０を形成する。

なお、引き上げ工程では、フィルム１７１を上方（天地方向における天方向）に引き上げることにより、上記と同様に、液状樹脂１７０が流れ落ちる際の液状樹脂１７０と添加剤３４との摩擦力により、添加剤３４の長手方向を引き上げ方向に近づける。

以上説明したようにビルドアップ層３０を用意しても、添加剤３４の長手方向がビルドアップ層３０の表面３０ａと略平行となるため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

なお、上記のようにビルドアップ層３０を形成した場合には、図４（ｃ）の積層体１６８を構成する前に、フィルム１７１をビルドアップ層３０から剥離する工程を行う。

（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。

例えば、図１０に示されるように、ビルドアップ層３０にガラスクロス３１が含まれていなくてもよい。また、図１１に示されるように、ビルドアップ層３０にガラスクロス３１が複数枚含まれていてもよい。なお、図１０および図１１は、図１中の領域Ａの拡大図に相当している。

また、上記各実施形態では、添加剤３４が扁平状のものを例に挙げて説明したが、添加剤３４は長手方向を有するものであればよく、例えば、棒状（針状）とされていてもよいし、燐片状とされていてもよい。

１０ 多層基板
２０ コア層
２０ａ 表面
３０ ビルドアップ層
３０ａ 一面
３２ 樹脂
３３ フィラー
３４ 添加剤
６１ ランド
１２１〜１２３ 電子部品
１３０ はんだ

Claims (2)

1. 表面（２０ａ）を有するコア層（２０）と、
   前記コア層の表面に形成された内層配線（５１）と、
   前記コア層の表面に前記内層配線を覆う状態で配置されたビルドアップ層（３０）と、
   前記ビルドアップ層のうち前記コア層と反対側の一面（３０ａ）に形成され、はんだ（１３０）を介して電子部品（１２１〜１２３）が搭載されるランド（６１）と、を備え、
   前記ビルドアップ層は、樹脂内に、熱膨張係数を制御する球状のフィラー（３３）に加えて、棒状、扁平状、燐片状の添加剤（３４）の少なくともいずれか１つが混入されており、
   前記添加剤の長手方向と前記ビルドアップ層の一面における法線方向とが交差している多層基板の製造方法において、
   前記コア層に前記内層配線を形成する工程と、
   前記ビルドアップ層を用意する工程と、
   前記コア層、前記ビルドアップ層、金属板（１６６）を順に積層して積層体（１６８）を構成する工程と、
   前記積層体を一体化する工程と、
   前記金属板をパターニングして前記ランドを形成する工程と、を行い、
   前記ビルドアップ層を用意する工程では、前記フィラーおよび前記添加剤が混入された液状樹脂（１７０）にガラスクロスシート（３１ａ）を含浸させる工程と、前記液状樹脂を含浸させた前記ガラスクロスシートを上方に引き上げ、重力によって前記液状樹脂を流動させることにより、前記液状樹脂と前記添加剤との摩擦力によって前記添加剤の長手方向を前記引き上げ方向に近づける工程と、を行い、
   前記積層体を構成する工程では、前記引き上げ方向と前記積層方向とが直交するように前記ビルドアップ層を配置することを特徴とする多層基板の製造方法。
2. 表面（２０ａ）を有するコア層（２０）と、
   前記コア層の表面に形成された内層配線（５１）と、
   前記コア層の表面に前記内層配線を覆う状態で配置されたビルドアップ層（３０）と、
   前記ビルドアップ層のうち前記コア層と反対側の一面（３０ａ）に形成され、はんだ（１３０）を介して電子部品（１２１〜１２３）が搭載されるランド（６１）と、を備え、
   前記ビルドアップ層は、樹脂内に、熱膨張係数を制御する球状のフィラー（３３）に加えて、棒状、扁平状、燐片状の添加剤（３４）の少なくともいずれか１つが混入されており、
   前記添加剤の長手方向と前記ビルドアップ層の一面における法線方向とが交差している多層基板の製造方法において、
   前記コア層に前記内層配線を形成する工程と、
   前記ビルドアップ層を用意する工程と、
   前記コア層、前記ビルドアップ層、金属板（１６６）を順に積層して積層体（１６８）を構成する工程と、
   前記積層体を一体化する工程と、
   前記金属板をパターニングして前記ランドを形成する工程と、を行い、
   前記ビルドアップ層を用意する工程では、前記フィラーおよび前記添加剤が混入された液状樹脂（１７０）をフィルム（１７１）の一面に塗布する工程と、前記液状樹脂を塗布した前記フィルムを上方に引き上げ、重力によって前記液状樹脂を流動させることにより、前記液状樹脂と前記添加剤との摩擦力によって前記添加剤の長手方向を前記引き上げ方向に近づける工程と、を行い、
   前記積層体を構成する工程の前に、前記ビルドアップ層から前記フィルムを除去し、
   前記積層体を構成する工程では、引き上げ方向と前記積層方向とが直交するように前記ビルドアップ層を配置することを特徴とする多層基板の製造方法。

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