JP6011472B2 - 基板、およびこれを用いた電子装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板、およびこれを用いた電子装置に関するものである。

従来、基板としては、例えば、特許文献１に記載の基板が提案されている。このものにおいて、ガラスクロスの両面を樹脂材料で封止してなる絶縁層と、絶縁層の表面側に配置されている第１導体と、絶縁層の裏面側に配置されている第２導体とを備える。

ここで、絶縁層は、ガラスクロスと、ガラスクロスのうち第１導体側を樹脂材料によって封止する第１の樹脂層と、ガラスクロスのうち第２導体側を樹脂材料によって封止する第２の樹脂層とを備える。

特開２００７−１７６１６９号公報

本発明者等は、上記特許文献１の基板において、第１の樹脂層の線膨張係数および第１導体の線膨張係数に着目して、クラックの発生を抑制することを検討した。

ガラスクロスの線膨張係数は、第１の樹脂層の線膨張係数に比べて、小さい。このため、絶縁層の強度を高めるために厚み寸法の大きなガラスクロスを用いると、絶縁層のうちガラスクロスが占める割合が大きくなる。これにより、絶縁層のうち第１導体側の線膨張係数がガラスクロスの線膨張係数の影響を受けて低下する。絶縁層のうち第１導体側の線膨張係数とは、絶縁層のうち第１導体側の部分においてその長さが温度上昇によって変化する割合を示すものである。このため、絶縁層のうちガラスクロスが占める割合が大きくなると、絶縁層のうち第１導体側の線膨張係数と第１導体の線膨張係数との間の差分が大きくなる。したがって、絶縁層および第１導体の間の界面において、温度変化に伴って大きな内部応力が発生する場合がある。このため、温度変化が繰り返し生じると、内部応力によるクラック（以下、このように絶縁層および第１導体の間の界面において生じるクラックを第１導体側起点クラックという）が絶縁層の第１樹脂層に発生する恐れがある。

一方で、ガラスクロスは、横方向に延びる複数本のガラス繊維から構成される複数本の横ヤーンと、縦方向に延びる複数本のガラス繊維から構成される複数本の縦ヤーンとを用いて織られたものである。ガラスクロスは、複数本の横ヤーンのうち隣り合う２本の横ヤーンと複数本の縦ヤーンのうち隣り合う２本の縦ヤーンとがバスケットホールを囲むように構成されている。

例えば、第１導体側起点クラックが発生した場合、このクラックがガラスクロスのバスケットホール（或いは、複数本のガラス繊維のうち隣り合う２本のガラス繊維の間）を通して第２樹脂層に進展する場合がある。

これに対して、ガラスクロスは、上述の如く、複数本の横ヤーンと複数本の縦ヤーンとを用いて織られたものである。このため、複数本の横ヤーン或いは複数本の縦ヤーンを構成する複数本のガラス繊維は、第２樹脂層における第１導体側起点クラックの進展速度を遅くするブリッジ効果を奏する。なお、進展速度とは、第２樹脂層においてクラックがガラスクロス側から第２導体側に進行する速度のことである。

このように、上述した絶縁層のうち第１導体側の線膨張係数と第１導体の線膨張係数との間の差分を小さくするには、第１の樹脂層の厚み寸法を大きくして絶縁層のうち第１導体側の線膨張係数に対するガラスクロスの線膨張係数の影響を小さくすることが考えられる。しかし、一方で、絶縁層の厚み寸法が一定の寸法で、第１の樹脂層の厚み寸法をむやみに大きくすると、第２の樹脂層の厚み寸法が小さくなる。このため、上記ブリッジ効果を奏する第２の樹脂層の厚み寸法が小さくなる。つまり、絶縁層において、上記ブリッジ効果によって第１導体側起点クラックの進展速度が遅くなる領域の厚さ寸法が小さくなる。したがって、第１導体側起点クラックが第２の樹脂層に進展してから、このクラックが第２の樹脂層の第２導体側の面に到達するのに要する時間が短くなる。つまり、基板全体として、第１導体側起点クラックに対する強度の低下が懸念される。

本発明は上記点に鑑みて、第１導体側起点クラックの発生の抑制と、当該第１導体側起点クラックに対する基板全体の強度向上とを両立した基板、およびこれを用いた電子装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、絶縁層（３０、４０）と、絶縁層の厚み方向の一方側に配置されている第１導体（６１〜６３、７１、７２）と、絶縁層の厚み方向の他方側に配置されている第２導体（５１１、５１２、５２１、５２２）とを備えており、絶縁層は、ガラスクロス（１ｂ、１ｃ）と、ガラスクロスの第１導体側とガラスクロスの第２導体側とをそれぞれ電気絶縁性の樹脂材料で封止する樹脂層（３１、４１、３２、４２）とを有して構成されており、樹脂層内には第２導体が埋まっており、ガラスクロスの線膨張係数は、第１導体の線膨張係数よりも低く、かつ樹脂層のうち第１導体側の線膨張係数よりも低くなっており、絶縁層の厚み方向において、第１導体とガラスクロスとの間の寸法をＡ、ガラスクロスのうち第１導体側および第２導体側の間の寸法をＢ、絶縁層のうち第２導体側の面（３０ｂ、４０ｂ）とガラスクロスとの間の寸法をＣとしたとき、Ａ、Ｂ、Ｃが、Ｃ＞Ａ＞Ｂの大小関係を満足しており、第２導体の厚み方向の寸法をＬｓとしたとき、Ｌｓ≧Ｂの大小関係を満足することを特徴とする。絶縁層の厚み方向とは、絶縁層の面方向に直交する方向のことである。

請求項１に記載の発明によれば、まず、Ａ＞Ｂの大小関係が満足している。このため、背景技術のようなＡ＜Ｂの大小関係が満足する場合に比べて、第１導体とガラスクロスとの間の距離を大きくすることができる。したがって、絶縁層のうち第１導体側の線膨張係数に対してガラスクロスの線膨張係数が与える影響を小さくすることができる。これにより、絶縁層のうち第１導体側の線膨張係数と第１導体の線膨張係数との間の差分を小さくすることができる。このため、絶縁層および第１導体の間の界面において、温度変化を起因として内部応力が発生することを抑制することができる。これに伴い、温度変化を起因として、樹脂層のうち第１導体側（以下、第１樹脂層という）に、上記第１導体側起点クラックがそもそも発生することを抑制することができる。

また、仮に、樹脂層のうち第１樹脂層に厚み方向にわたって第１導体側起点クラックが発生した場合には、上記第１導体側起点クラックが樹脂層のうち第２導体側（以下、第２樹脂層という）に進展する恐れがある。

ここで、ガラスクロスは、第１方向に延びるガラス繊維からそれぞれ構成される複数本の第１のヤーンと、第１方向に直交する第２方向に延びるガラス繊維からそれぞれ構成される複数本の第２のヤーンとを用いて織られたものである。このため、複数本の第１のヤーン或いは複数本の第２のヤーンを構成するガラス繊維は、第２樹脂層において上記第１導体側起点クラックが進展する進展速度を遅くするブリッジ効果を奏する。すなわち、ガラスクロスは、第２樹脂層において、上記第１導体側起点クラックが進展する進展速度を遅くするブリッジ効果を奏する。上記第１導体側起点クラックの進展速度とは、第２樹脂層において、ガラスクロス側から第２導体側の面に上記第１導体側起点クラックが進む速度のことである。

請求項１に記載の発明によれば、Ａ＞Ｂに加えて、Ｃ＞Ａの大小関係を満足している。このため、基板の厚さが一定の場合においてＡ＞Ｃの大小関係を満足している場合に比べて、上記ブリッジ効果によって上記第１導体側起点クラックの進展速度が遅くなる領域の厚さ寸法が大きくなる。これに伴い、上記第１導体側起点クラックが第２の樹脂層に生じてから、このクラックが第２樹脂層のうち第２導体側の面（３０ｂ、４０ｂ）に進展するのに要する時間を長くすることができる。したがって、第１導体側起点クラックに対する基板全体の強度向上を図ることができる。

以上により、第１導体側起点クラックの発生の抑制と、当該第１導体側起点クラックに対する基板全体の強度向上とを両立した基板を提供することができる。

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

本発明の一実施形態にかかる電子装置の断面図である。 図１中のコア層のＸ部の拡大図である。 （ａ）は図１中のＡ部およびＢ部の拡大図、（ｂ）は図１中のＣ部およびＤ部の拡大図である。 （ａ）は図３中のガラスクロスの拡大図、（ｂ）はガラスクロスの断面図である。 図１に示される多層基板の製造工程を示す断面図である。 図５に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。 図６に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。 上記実施形態の比較例における多層基板の部分拡大図である。

以下、本発明の一実施形態にかかる電子装置について、図１、図２を参照して説明する。本発明の一実施形態にかかる本実施形態の電子装置は、例えば、自動車等の車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するために適用されると好適である。なお、図２では、モールド樹脂部材１５０やソルダーレジスト１１０等を一部省略してある。

図１に示されるように、電子装置は、一面１０ａおよび他面１０ｂを有する多層基板１０と、多層基板１０の一面１０ａ上に搭載された電子部品１２１〜１２３と、を備えている。そして、多層基板１０の一面１０ａ側と電子部品１２１〜１２３とをモールド樹脂によって封止するモールド樹脂部材１５０を構成することにより、電子装置が構成されている。

多層基板１０は、コア層２０と、コア層２０の表面２０ａに配置された表面２０ａ側のビルドアップ層３０と、コア層２０の裏面２０ｂ側に配置された裏面２０ｂ側のビルドアップ層４０とを備える積層基板である。

コア層２０は、プリプレグよりなるプリプレグ層として構成されている。コア層２０は、図２に示すように、ガラスクロス１ａと、樹脂層２１、２２とから構成されている。樹脂層２１は、ガラスクロス１ａのうちビルドアップ層３０側の面を樹脂材料で封止してなるものである。樹脂層２２は、ガラスクロス１ａのうちビルドアップ層４０側の面を樹脂材料で封止してなるものである。樹脂層２１、２２を構成する樹脂材料としては、電気絶縁性を有する熱硬化性樹脂材料（例えば、エポキシ樹脂）が用いられる。樹脂層２１、２０ｂを構成する樹脂材料中には、アルミナやシリカ等の電気絶縁性かつ熱伝導性を有し、放熱性に優れたセラミックよりなるフィラ３が混ざっている。

ビルドアップ層３０、４０は、プリプレグよりなるプリプレグ層として構成されている。ビルドアップ層３０は、図３（ａ）に示されるように、ガラスクロス１ｂと、樹脂層３１、３２とから構成されている。樹脂層３１は、ガラスクロス１ｂのうち表面側表層配線６１〜６３（図３（ａ）中６１、６２だけを示す）側の面を樹脂材料で封止してなるものである。樹脂層３２は、ガラスクロス１ｂのうち表面側内層配線５１１、５１２側の面を樹脂材料で封止してなるものである。樹脂層３１、３２を構成する樹脂材料としては、電気絶縁性を有する熱硬化性樹脂材料（例えば、エポキシ樹脂）が用いられる。樹脂層３１、３２を構成する樹脂材料中には、アルミナやシリカ等の電気絶縁性かつ熱伝導性を有し、放熱性に優れたセラミックよりなるフィラ３が混ざっている。

ビルドアップ層４０は、図３（ｂ）に示されるように、ガラスクロス１ｃと、樹脂層４１、４２とから構成されている。樹脂層４１は、ガラスクロス１ｃのうち裏面側表層配線７１、７２（図３（ｂ）中７１だけを示す）側の面を樹脂材料で封止してなるものである。樹脂層４２は、ガラスクロス１ｃのうち裏面側内層配線５２１、５２２側の面を樹脂材料で封止してなるものである。

樹脂層４１、４２を構成する樹脂材料としては、電気絶縁性を有する熱硬化性樹脂材料（例えば、エポキシ樹脂）が用いられる。樹脂層４１、４２を構成する樹脂材料中には、アルミナやシリカ等の電気絶縁性かつ熱伝導性を有し、放熱性に優れたセラミックよりなるフィラ３が混ざっている。なお、本実施形態のガラスクロス１ａ、１ｂ、１ｃは、電気絶縁性を有している。

図１の複数の表面側内層配線５１１、５１２は、コア層２０とビルドアップ層３０との間においてコア層２０の表面２０ａに形成されている。同様に、複数の裏面側内層配線５２１、５２２は、コア層２０とビルドアップ層４０との間においてコア層２０の裏面２０ｂに形成されている。つまり、複数の表面側内層配線５１１、５１２は、ビルドアップ層３０に対して厚み方向のコア層２０側に配置されている。複数の裏面側内層配線５２１、５２２は、ビルドアップ層４０に対して厚み方向のコア層２０側に配置されている。厚み方向とは、ビルドアップ層３０（或いは、４０）の面方向に直交する方向のことである。

ビルドアップ層３０は、複数の表面側内層配線５１１、５１２と共にコア層２０の表面２０ａを覆うようにコア層２０に積層されている。ビルドアップ層４０は、複数の裏面側内層配線５２１、５２２と共にコア層２０の裏面２０ｂを覆うようにコア層２０に積層されている。

コア層２０の表面２０ａにおいて、ビルドアップ層３０の樹脂層３２（図３（ａ）参照）が、複数の表面側内層配線５１１、５１２のうち隣り合う２つの表面側内層配線の間に充填された状態で当該複数の内層配線を封止している。そして、コア層２０の裏面２０ｂにおいて、ビルドアップ層４０の樹脂層４２（図３（ｂ）参照）が、複数の裏面側内層配線５２１、５２２のうち隣り合う２つの裏面側内層配線の間に充填された状態で当該複数の内層配線を封止している。

複数の表面側表層配線６１〜６３は、ビルドアップ層３０の表面３０ａに形成されている。つまり、複数の表面側表層配線６１〜６３は、ビルドアップ層３０に対して厚み方向でコア層２０の反対側に配置されている。本実施形態では、複数の表面側表層配線６１〜６３は、電子部品１２１〜１２３が搭載される搭載用のランド６１、電子部品１２１、１２２とボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されるボンディング用のランド６２、外部回路と電気的に接続される表面パターン６３とされている。

同様に、複数の裏面側表層配線７１、７２は、ビルドアップ層４０の表面４０ａに形成されている。つまり、複数の裏面側表層配線７１、７２は、ビルドアップ層４０に対して厚み方向でコア層２０の反対側に配置されている。本実施形態では、複数の裏面側表層配線７１、７２は、後述するフィルドビアを介して裏面側内層配線５２１、５２２と接続される裏面パターン７１、放熱用のヒートシンクが備えられるヒートシンク用パターン７２とされている。

なお、表層配線６１〜６３、７１、７２は、第１導体を構成している。内層配線５１１、５１２、５２１、５２２は、第２導体を構成している。ビルドアップ層３０の表面３０ａは、ビルドアップ層３０のうち表面側表層配線６１〜６３側の一面であり、多層基板１０の一面１０ａとなる面のことである。また、ビルドアップ層４０の表面４０ａとは、ビルドアップ層４０のうち裏面側表層配線７１、７２側の一面のことであり、多層基板１０の他面１０ｂとなる一面である。

そして、内層配線５１１、５１２、５２１、５２２、表面側表層配線６１〜６３、裏面側表層配線７１、７２は、具体的には後述するが、銅等の金属箔や金属メッキが適宜積層された導体からなる。

また、表面側内層配線５１１、５１２と裏面側内層配線５２１、５２２とは、コア層２０を貫通して設けられた貫通ビア８１を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、貫通ビア８１は、コア層２０を厚さ方向に貫通する貫通孔８１ａの壁面に銅等の貫通電極８１ｂが形成され、貫通孔８１ａの内部に充填材８１ｃが充填されて構成されている。

表面側内層配線５１１、５１２と表面側表層配線６１〜６３、および裏面側内層配線５２１、５２２と裏面側表層配線７１、７２とは、適宜各ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通して設けられたフィルドビア９１、１０１を介して電気的および熱的に接続されている。

具体的には、フィルドビア９１、１０１は、各ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通する貫通孔９１ａ、１０１ａが銅等の貫通電極９１ｂ、１０１ｂによって充填された構成とされている。

なお、充填材８１ｃは、樹脂、セラミック、金属等が用いられるが、本実施形態では、エポキシ樹脂とされている。また、貫通電極８１ｂ、９１ｂ、１０１ｂは、銅等の金属メッキにて構成されている。

そして、各ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａには、表面パターン６３および裏面パターン７１を覆うソルダーレジスト１１０が形成されている。なお、表面パターン６３を覆うソルダーレジスト１１０には、図１とは別断面において、表面パターン６３のうち外部回路と接続される部分を露出させる開口部が形成されている。

電子部品１２１〜１２３は、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の発熱が大きいパワー素子１２１、マイコン等の制御素子１２２、チップコンデンサや抵抗等の受動素子１２３である。

そして、各電子部品１２１〜１２３は、はんだ１３０を介してランド６１上に搭載されてランド６１と電気的、機械的に接続されている。また、パワー素子１２１および制御素子１２２は、周囲に形成されているランド６２ともＡｌやＡｕ等のボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されている。

ここで、上記した第１の配線群５１１、５２１は、比較的大電流のパワー素子１２１に接続されている表裏の内層配線５１１、５２１であり、一方、上記した第２の配線群５１２、５２２は、比較的小電流の制御素子１２２、受動素子１２３に接続されている表裏の内層配線５１２、５２２である。

なお、ここでは、電子部品１２１〜１２３としてパワー素子１２１、制御素子１２２、受動素子１２３を例に挙げて説明したが、電子部品１２１〜１２３はこれらに限定されるものではない。

モールド樹脂部材１５０は、ランド６１、６２および電子部品１２１〜１２３を封止するものであり、エポキシ樹脂等の一般的なモールド材料が金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等により形成されたものである。

なお、本実施形態では、モールド樹脂部材１５０は、多層基板１０の一面１０ａのみに形成されている。つまり、本実施形態の電子装置は、いわゆるハーフモールド構造とされている。また、多層基板１０の他面１０ｂ側には、特に図示していないが、ヒートシンク用パターン７２に放熱グリス等を介してヒートシンクが備えられている。

次に、本実施形態のビルドアップ層３０、４０の構造の詳細について図３（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。

図３（ａ）のビルドアップ層３０の厚み方向において、表面側表層配線６１〜６３（すなわち、ビルドアップ層３０の表面３０ａ）とガラスクロス１ｂとの間の寸法をＡ１とする。本実施形態の寸法Ａ１としては、表面側表層配線６１〜６３およびガラスクロス１ｂの間の最短距離を示している。ガラスクロス１ｂの厚み寸法（すなわち、ガラスクロス１ｂのうち厚み方向にて表面側表層配線６１〜６３側と表面側内層配線５１１、５１２側の間の寸法）をＢ１とする。ビルドアップ層３０の厚み方向において、裏面３０ｂ（すなわち、ビルドアップ層３０の表面側内層配線５１１、５１２側の面）とガラスクロス１ｂとの間の寸法をＣ１とする。本実施形態の寸法Ｃ１としては、ビルドアップ層３０の裏面３０ｂとガラスクロス１ｂとの間の最短距離を示している。そして、Ａ１、Ｂ１、Ｃ１が、Ｃ１＞Ａ１＞Ｂ１の大小関係を満足している。

なお、本実施形形態では、寸法Ａ１を設定するためのガラスクロス１ｂの基準位置をガラスクロス１ｂの上端としている。寸法Ｃ１を設定するためのガラスクロス１ｂの基準位置をガラスクロス１ｂの下端としている。以下、ガラスクロス１ｂの上端、下端について説明する。図４（ａ）はガラスクロス１ｂを表面側表層配線６１〜６３側から視た部分拡大図である。

ガラスクロス１ｂは、図４（ａ）に示されるように、複数本の横ヤーン３３と複数本の縦ヤーン３４とを備え、複数の腹３５と複数のバスケットホール３６とを有するように構成されている。横ヤーン３３は、横方向に延びる複数本のガラス繊維を束にしたものである。縦ヤーン３４は、縦方向に延びる複数本のガラス繊維を束にしたものである。複数の腹３５は、それぞれ、横ヤーン３３と縦ヤーン３４とが重なる部分である。複数のバスケットホール３６は、複数本の横ヤーン３３のうち隣り合う２本の横ヤーン３３と複数本の縦ヤーン３４のうち隣り合う２本の縦ヤーン３４とによって囲まれる穴部である。図４（ａ）中９個の腹３５、１６個のバスケットホール３６を示す。

ヤーン３４は、幅方向において中央部の厚み寸法が最も大きくなっている（図４（ｂ）参照）。同様に、ヤーン３３は、幅方向において中央部の厚み寸法が最も大きくなっている。図４（ｂ）は、図４（ａ）中Ｂ−Ｂ断面図である。ガラスクロス１ｂのうち腹３５の面方向中央部３５ａが最も厚み寸法が大きくなっている。面方向中央部３５ａは、横ヤーン３３の幅方向中央部と縦ヤーン３４の幅方向中央部とが重なる部分である。

そこで、本実施形態では、ガラスクロス１ｂの複数の腹３５のうち表面側表層配線６１〜６３側の腹３５の面方向中央部３５ａをガラスクロス１ｂの上端とする。ガラスクロス１ｂの複数の腹３５のうち表面側内層配線５１１、５１２側の腹３５の面方向中央部３５ａをガラスクロス１ｂの下端とする。そして、ガラスクロス１ｂにおいて腹３５の面方向中央部３５ａ（図４参照）の厚み寸法を寸法Ｂ１としている。

また、図３（ｂ）のビルドアップ層４０の厚み方向において、裏面側表層配線７１、７２（すなわち、ビルドアップ層４０の表面４０ａ）とガラスクロス１ｃとの間の寸法をＡ２とする。本実施形態の寸法Ａ２としては、裏面側表層配線７１、７２とガラスクロス１ｃとの間の最短距離を示している。ガラスクロス１ｃの厚み寸法（すなわち、ガラスクロス１ｃのうち裏面側表層配線７１、７２側と裏面側内層配線５２１、５２２側の間の寸法）をＢ２とする。ビルドアップ層４０の厚み方向において、裏面４０ｂ（すなわち、ビルドアップ層４０の裏面側内層配線５２１、５２２側の面）とガラスクロス１ｃとの間の寸法をＣ２とする。本実施形態の寸法Ｃ２としては、ビルドアップ層４０の裏面４０ｂとガラスクロス１ｃとの間の最短距離を示している。そして、Ａ２、Ｂ２、Ｃ２が、Ｃ２＞Ａ２＞Ｂ２の大小関係を満足している。

ここで、寸法Ａ２は、ガラスクロス１ｃのうち下端と裏面側表層配線７１、７２との間の寸法である。ガラスクロス１ｃの下端とは、ガラスクロス１ｃの複数の腹のうち裏面側表層配線７１、７２側の腹の面方向中央部のことである。腹の面方向中央部は、上述の如く、腹のうち厚み寸法が最も大きい部位のことである。
寸法Ｃ２は、ガラスクロス１ｃのうち上端と裏面側内層配線５２１、５２２との間の寸法である。ガラスクロス１ｃの上端とは、ガラスクロス１ｃの複数の腹のうち裏面側内層配線５２１、５２２側の腹の面方向中央部のことである。そして、ガラスクロス１ｃにおいて腹３５の面方向中央部３５ａの厚み寸法を寸法Ｂ２としている。

本実施形態のビルドアップ層３０では、樹脂層３１にクラックが生じた場合、クラックがガラスクロス１ｂのバスケットホール３６（或いは、複数本の横ヤーン３３や複数本の縦ヤーン３４を構成する複数本のガラス繊維の間）を通して樹脂層３２に進展する場合がある。これに対して、ガラスクロス１ｂは、複数本の横ヤーン３３と複数本の縦ヤーン３４とを用いて織られているものである。このため、樹脂層３１に生じたクラックが樹脂層３２に進展した場合において、複数本の横ヤーン３３、或いは複数本の縦ヤーン３４を構成する複数本のガラス繊維は、樹脂層３２においてクラックが進展する進展速度を遅くするブリッジ効果を奏する。つまり、樹脂層３１に生じたクラックが樹脂層３２に進展した場合に、ガラスクロス１ｂは、樹脂層３２においてクラックが進展する進展速度を遅くするブリッジ効果を奏する。当該進展速度とは、ガラスクロス１ｂ側から裏面３０ｂ側にクラックが進む速度のことである。

ガラスクロス１ｃは、ガラスクロス１ｂと同様に、複数本の横ヤーン３３と複数本の縦ヤーン３４とを用いて織られているものである。このため、ガラスクロス１ｃは、樹脂層４１に生じたクラックが樹脂層４２に進展した場合に、クラックが樹脂層４２において進展する進展速度を遅くするブリッジ効果を奏する。当該進展速度とは、ガラスクロス１ｃ側から裏面４０ｂ側にクラックが進む速度のことである。

なお、ビルドアップ層３０の表面３０ａと表面側内層配線５１１、５１２のうちガラスクロス１ｂ側との間の寸法Ｌ１（図３（ａ）参照）は、２０μｍ〜１５０μｍになっている。ビルドアップ層４０の表面４０ａと裏面側内層配線５２１、５２２のうちガラスクロス１ｃ側との間の寸法Ｌ４（図３（ｂ）参照）は、２０μｍ〜１５０μｍになっている。表面側内層配線５１１、５１２（図３（ａ）参照）の厚み寸法Ｌ２は、３０μｍ〜１７０μｍになっている。裏面側内層配線５２１、５２２の厚み寸法Ｌ３（図３（ｂ）参照）は、３０μｍ〜１７０μｍになっている。

本実施形態の寸法Ａ１、Ａ２は、２０μｍ〜１００μｍであり、Ｂ１、Ｂ２は１０μｍ〜３０μｍであり、寸法Ｃ１、Ｃ２は、４５μｍ〜１６０μｍである。

本実施形態では、ビルドアップ層３０、４０の質量のうちのうち樹脂材料の質量が占める比率（ｗｔ％）は、コア層２０の質量のうち樹脂材料の質量が占める比率（ｗｔ％）よりも大きくなっている。具体的には、ビルドアップ層３０、４０の質量のうち樹脂材料の質量が占める比率（ｗｔ％）は、８０％以上になっている。

ビルドアップ層３０、４０のガラスクロス１ｂ、１ｃの厚み寸法（図３中寸法Ｂ１、Ｂ２）は、コア層２０のガラスクロス１ａの厚み寸法（図２中寸法Ｂ３）よりも小さくなっている。

本実施形態では、ガラスクロス１ａを構成する複数の腹のうちいずれか１つの腹において面方向中央部の厚み寸法を、ガラスクロス１ａの厚み寸法としている。ビルドアップ層３０、４０のガラスクロス１ｂ、１ｃの厚み寸法は、１０μｍ〜３０μｍになっている。ビルドアップ層３０、４０の質量のうちフィラ３の質量が占める比率（ｗｔ％）は、コア層２０の質量のうちフィラ３の質量が占める比率（ｗｔ％）よりも大きくなっている。ビルドアップ層３０、４０のうちフィラ３が占める比率は、ビルドアップ層３０、４０の十分な熱伝導率を確保するために設定されている。

ガラスクロス１ｂ、１ｃの厚み方向の寸法は、ガラスクロス１ｂ、１ｃの破断を防ぐ強度を確保しつつ、熱伝導率を一定以上にするために設定されている。ガラスクロス１ｂ、１ｃとして、その熱伝導率が０．５〜０．８（Ｗ／ｍ・ｋ）であるものが用いられている。

ビルドアップ層３０の樹脂層３１、３２の線膨張係数は、配線５１１、５１２、５２１、５２２、６１〜６３の線膨張係数よりも小さくなっている。ビルドアップ層４０の樹脂層４０ａ、４０ｂの線膨張係数は、配線５１１、５１２、５２１、５２２、７１、７２の線膨張係数よりも小さくなっている。線膨張係数は、温度の上昇によって物体の長さが膨張する割合を示したものである。

本実施形態の樹脂層３１、３２、４１、４２を構成する樹脂材料（例えば、エポキシ樹脂）の線膨張係数は、配線５１１、５１２、５２１、５２２、６１〜６３、７１、７２の線膨張係数よりも大きくなっている。樹脂層３１、３２、４１、４２を構成するフィラ３の線膨張係数は、樹脂材料の線膨張係数よりも小さい。そして、樹脂層３１、３２の線膨張係数は、樹脂層３１、３２に含まれるフィラ３の比率を調整することにより、設定されている。樹脂層４１、４２の線膨張係数は、樹脂層４１、４２に含まれるフィラ３の比率を調整することにより、設定されている。

以上が本実施形態における電子装置の構成である。次に、上記電子装置の製造方法について図５、図６、図７を参照しつつ説明する。なお、図５、図６、図７は、多層基板１０のうちパワー素子１２１が搭載される部分近傍の断面図である。

まず、図５（ａ）に示されるように、コア層２０の表面２０ａおよび裏面２０ｂに銅箔等の金属箔１６１、１６２が配置されたものを用意する。そして、図５（ｂ）に示されるように、ドリル等によって金属箔１６１、コア層２０、金属箔１６２を貫通する貫通孔８１ａを形成する。

その後、図５（ｃ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキを行い、貫通孔８１ａの壁面および金属箔１６１、１６２上に銅等の金属メッキ１６３を形成する。これにより、貫通孔８１ａの壁面に、金属メッキ１６３にて構成される貫通電極８１ｂが形成される。なお、無電解メッキおよび電気メッキを行う場合には、パラジウム等の触媒を用いて行うことが好ましい。

続いて、図５（ｄ）に示されるように、金属メッキ１６３で囲まれる空間に充填材８１ｃを配置する。これにより、貫通孔８１ａ、貫通電極８１ｂ、充填材８１ｃを有する上記貫通ビア８１が形成される。

その後、図６（ａ）に示されるように、無電解メッキおよび電気メッキ等でいわゆる蓋メッキを行い、金属メッキ１６３および充填材８１ｃ上に銅等の金属メッキ１６４、１６５を形成する。

こうして、図６（ａ）に示されるように、コア層２０の表面２０ａ側では、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４が順次積層された金属層Ｍ１が形成され、裏面２０ｂ側では、金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５が順次積層された金属層Ｍ２が形成される。

次に、図６（ｂ）に示されるように、金属メッキ１６４、１６５上に図示しないレジストを配置する。そして、当該レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行い、金属メッキ１６４、金属メッキ１６３、金属箔１６１を適宜パターニングして表面側内層配線５１１、５１２を形成すると共に、金属メッキ１６５、金属メッキ１６３、金属箔１６２を適宜パターニングして裏面側内層配線５２１、５２２を形成する。

つまり、本実施形態では、表面側内層配線５１１、５１２は、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４が積層された金属層Ｍ１によって構成され、裏面側内層配線５２１、５２２は、金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５が積層された金属層Ｍ２によって構成されている。図６（ｃ）以降では、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４、および金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５をまとめて１層として示してある。

その後は、図６（ｃ）に示されるように、コア層２０における表面２０ａ側において、表面側内層配線５１１、５１２上にビルドアップ層３０および銅等の金属板１６６を積層する。また、コア層２０における裏面２０ｂ側において、裏面側内層配線５２１、５２２上にビルドアップ層４０および銅等の金属板１６７を積層する。

このようにして、上から順に、金属板１６６、ビルドアップ層３０、表面側内層配線５１１、５１２、コア層２０、裏面側内層配線５２１、５２２、ビルドアップ層３０および金属板１６７が順に積層された積層体１６８を構成する。なお、ビルドアップ層３０、４０は、この状態では、仮硬化されたもので流動性を有している。

続いて、図６（ｄ）に示されるように、積層体１６８の積層方向から加圧しつつ加熱することにより積層体１６８を一体化する。具体的には、積層体１６８を加圧することにより、ビルドアップ層３０、４０を構成する樹脂材料を流動させる。そして、ビルドアップ層３０を構成する樹脂材料を複数の表面側内層配線５１１、５１２のうち隣接する２つ表面側内層配線の間に埋め込む。これと共に、ビルドアップ層４０を構成する樹脂材料を複数の裏面側内層配線５２１、５２１のうち隣接する２つ表面側内層配線の間に埋め込む。さらに、積層体１６８を加熱することにより、ビルドアップ層３０、４０を硬化して積層体１６８を一体化する。

次に、図７（ａ）に示されるように、レーザ等により、金属板１６６、ビルドアップ層３０を貫通して表面側内層配線５１１、５１２に達する貫通孔９１ａを形成する。同様に、図７（ａ）とは別断面において、金属板１６７、ビルドアップ層４０を貫通して裏面側内層配線５２１、５２２に達する貫通孔１０１ａを形成する。

そして、図７（ｂ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキ等でいわゆるフィルドメッキを行い、貫通孔９１ａ、１０１ａを金属メッキ１６９で埋め込む。これにより、ビルドアップ層３０に形成された貫通孔９１ａ、１０１ａに埋め込まれた金属メッキ１６９にて貫通電極９１ｂおよび図１に示した貫通電極１０１ｂが構成される。また、貫通孔９１ａ、１０１ａに貫通電極９１ｂ、１０１ｂが埋め込まれたフィルドビア９１、１０１が形成される。なお、次の図７（ｃ）以降では、金属板１６６および金属メッキ１６９をまとめて１層として示してある。

続いて、図７（ｃ）に示されるように、金属板１６６、１６７上に図示しないレジストを配置する。そして、レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行って金属板１６６、１６７をパターニングすると共に、適宜金属メッキを形成することにより、表面側表層配線６１〜６３および裏面側表層配線７１、７２を形成する。

つまり、本実施形態では、表面側表層配線６１〜６３は、金属板１６６および金属メッキ１６９を有する構成とされ、裏面側表層配線７１、７２は、金属板１６７および金属メッキ１６９を有する構成とされている。

次に、図７（ｄ）に示されるように、ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａにそれぞれソルダーレジスト１１０を配置して適宜パターニングすることにより、上記多層基板１０が製造される。なお、図７（ｄ）に示される範囲内において、表面３０ａ上のソルダーレジスト１１０がすべて除去されているが、図１に示すように他の領域においてソルダーレジスト１１０が残された状態になっている。

その後は、特に図示しないが、はんだ１３０を介して電子部品１２１〜１２３をランド６１に搭載する。そして、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６２との間でワイヤボンディングを行い、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６２とを電気的に接続する。続いて、ランド６１、６２および電子部品１２１〜１２３が封止されるように、金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等によってモールド樹脂部材１５０を形成する。

以上説明した本実施形態によれば、多層基板１０において、表面側表層配線６１〜６３は、ビルドアップ層３０の厚み方向の一方側（すなわち、表面３０ａ側）に配置されている。表面側内層配線５１１、５１２は、ビルドアップ層３０の厚み方向の他方側（すなわち、裏面３０ｂ側）に配置されている。裏面側表層配線７１、７２は、ビルドアップ層４０の厚み方向の一方側（すなわち、表面４０ａ側）に配置されている。裏面側内層配線５２１、５２２は、ビルドアップ層４０の厚み方向の他方側（すなわち、裏面４０ｂ側）に配置されている。ビルドアップ層３０、４０の樹脂層３１、４１の線膨張係数は、表層配線６１〜６３、７１、７２の線膨張係数よりも低く、かつガラスクロス１ｂ、１ｃの線膨張係数は、樹脂層３１、４１の線膨張係数よりも低くなっている。ビルドアップ層３０の厚み方向において表面側表層配線６１〜６３とガラスクロス１ｂとの間の寸法をＡ１、ガラスクロス１ｂのうち厚み寸法をＢ１、ビルドアップ層３０の裏面３０ｂ（すなわち、表面側内層配線５１１、５１２側の面）とガラスクロス１ｂとの間の寸法をＣ１とする。すると、Ａ１、Ｂ１、Ｃ１が、Ｃ１＞Ａ１＞Ｂ１の大小関係を満足している。

以上により、ビルドアップ層３０において、Ａ１＞Ｂ１の大小関係が満足している。したがって、ビルドアップ層３０、３０Ａの厚さ寸法が同一である場合において、ビルドアップ層３０は、厚み寸法の大きなガラスクロス１ｂを用いてＡ１＜Ｂ１の大小関係が満足するビルドアップ層３０Ａ（図８参照）に比べて、表面側表層配線６１〜６３とガラスクロス１ｂとの間の距離を大きくすることができる。このため、ビルドアップ層３０のうち表面側表層配線６１〜６３側の線膨張係数に対してガラスクロス１ｂの線膨張係数が与える影響を小さくすることができる。

ビルドアップ層３０のうち表面側表層配線６１〜６３側の線膨張係数は、ビルドアップ層３０のうち表面側表層配線６１〜６３側においてその長さが温度上昇によって変化する割合を示すものである。このため、表面側表層配線６１〜６３とガラスクロス１ｂとの間の距離を大きくすると、ビルドアップ層３０のうち表面側表層配線６１〜６３側の線膨張係数と表面側表層配線６１〜６３の線膨張係数との間の差分を小さくすることができる。このため、ビルドアップ層３０および表面側表層配線６１〜６３の間の界面において、温度変化を起因として内部応力が発生することを抑制することができる。これに伴い、当該温度変化を起因として発生する内部応力によって樹脂層３１にクラック（すなわち、第１導体側起点クラック）が発生することを抑制することができる。

また、ビルドアップ層４０において裏面側表層配線７１、７２とガラスクロス１ｃとの間の寸法をＡ２とし、ガラスクロス１ｃのうち厚み寸法をＢ２とする。ビルドアップ層４０の表面４０ｂ（すなわち、裏面側内層配線５２１、５２２側）とガラスクロス１ｃとの間の寸法をＣ２としたとき、Ａ２、Ｂ２、Ｃ２が、Ｃ２＞Ａ２＞Ｂ２の大小関係を満足している。

このようにビルドアップ層４０において、Ａ２＞Ｂ２の大小関係が満足している。このため、ビルドアップ層３０と同様に、ビルドアップ層４０の厚さ寸法が一定である場合においてＡ２＜Ｂ２の大小関係が満足する場合に比べて、ビルドアップ層４０のうち裏面側表層配線７１、７２側の線膨張係数に対してガラスクロス１ｃの線膨張係数が与える影響を小さくすることができる。

ビルドアップ層４０のうち裏面側表層配線７１、７２側の線膨張係数は、ビルドアップ層４０のうち裏面側表層配線７１、７２側においてその長さが温度上昇によって変化する割合を示すものである。

したがって、ビルドアップ層４０においてＡ２＞Ｂ２の大小関係が満足する場合には、ビルドアップ層４０および裏面側表層配線７１、７２の間の界面において、温度変化を起因として発生する内部応力によって樹脂層４１にクラック（すなわち、第１導体側起点クラック）が発生することを抑制することができる。

本実施形態では、Ｃ１＞Ａ１の大小関係を満足している。このため、ビルドアップ層３０の厚さが一定の場合においてＡ１＞Ｃ１の大小関係を満足している場合に比べて、ガラスクロス１ｂのブリッジ効果によってクラックの進展速度が遅くなる領域の厚さ寸法が大きくなる。このため、ビルドアップ層３０および表面側表層配線６１〜６３の間の界面において、上記内部応力によって発生したクラックが樹脂層３１から樹脂層３２に進行した場合、クラックが樹脂層３２においてその裏面３０ｂに進展するのに要する時間が長くなる。したがって、上記内部応力によって発生したクラック（すなわち、上記第１導体側起点クラック）に対するビルドアップ層３０全体の強度を向上することができる。

本実施形態では、Ｃ２＞Ａ２の大小関係を満足している。このため、ビルドアップ層４０の厚さが一定の場合においてＡ２＞Ｃ２の大小関係を満足している場合に比べて、ガラスクロス１ｃのブリッジ効果によってクラックの進展速度が遅くなる領域の厚さ寸法が大きくなる。このため、ビルドアップ層４０および裏面側表層配線７１、７２の間の界面において、上記内部応力によって発生したクラックが樹脂層４１から樹脂層４２に進行した場合、クラックが樹脂層４２においてその裏面４０ｂに進展するのに要する時間が長くなる。したがって、上記内部応力によって発生したクラック（すなわち、上記第１導体側起点クラック）に対するビルドアップ層４０全体の強度を向上することができる。

以上により、上記内部応力によって発生したクラック（すなわち、上記第１導体側起点クラック）の発生の抑制と、当該クラックに対するビルドアップ層３０（４０）全体の強度の向上とを両立した多層基板１０、および電子装置を提供することができる。

本実施形態では、仮に、ビルドアップ層３０の樹脂層３１にクラックが発生した場合には、樹脂層３１のクラックが原因で樹脂層３２に内部応力が発生して樹脂層３２にクラックが生じる恐れがある。これに対して、ビルドアップ層３０はＣ１＞Ａ１の大小関係を満足している。このため、Ａ１＞Ｃ１の大小関係を満足しているビルドアップ層３０（図８参照）に比べて、樹脂層３２の強度が大きくなる。これにより、樹脂層３１のクラックが原因で樹脂層３２にクラックが生じることを抑制することができる。

ビルドアップ層４０において、Ｃ２＞Ａ２の大小関係が満足している。このため、仮に、ビルドアップ層４０の樹脂層４１にクラックが発生した場合には、ビルドアップ層３０と同様に、樹脂層４１のクラックが原因で樹脂層４２にクラックが発生することを抑制することができる。以上により、多層基板１０にクラックが発生することを抑制することができる。

これに加えて、ビルドアップ層３０はＣ１＞Ａ１の大小関係を満足している。よって、樹脂層３１においてその厚み方向にわたってクラックが生じた場合において、本実施形態のビルドアップ層３０は、Ａ１＞Ｃ１の大小関係を満足しているビルドアップ層３０に比べて、樹脂層３１のクラックの厚み方向の寸法を小さくすることができる。よって、クラックを起因とするビルドアップ層３０の電気絶縁性の低下を抑制することができる。同様に、本実施形態のビルドアップ層４０はＣ２＞Ａ２の大小関係を満足している。クラックを起因とするビルドアップ層４０の電気絶縁性の低下を抑制することができる。以上により、クラックを起因とする多層基板１０の電気絶縁性の低下を抑制することができる。

（他の実施形態）
上記実施形態では、プリプレグ層からなるコア層２０を用いた例について説明したが、これに代えて、絶縁層としては、セラミック等からコア層２０を用いてもよい。

上記実施形態では、ビルドアップ層３０、４０の樹脂層３１、４１の線膨張係数を、表層配線６１〜６３、７１、７２の線膨張係数よりも低くした例について説明したが、これに代えて、ビルドアップ層３０、４０の樹脂層３１、４１の線膨張係数を、表層配線６１〜６３、７１、７２の線膨張係数よりも高くしてもよい。

上記実施形態では、寸法Ａ１、Ｂ１、Ｃ１が、Ｃ１＞Ａ１＞Ｂ１の大小関係を満足するようにした例について説明したが、これに代えて、Ｃ１≧Ａ１≧Ｂ１の大小関係を満足するようにしてもよい。これに代えて、寸法Ａ１、Ｂ１、Ｃ１が、Ｃ１＞Ａ１≧Ｂ１、或いはＣ１≧Ａ１＞Ｂ１の大小関係を満足するようにしてもよい。

上記実施形態では、寸法Ａ２、Ｂ２、Ｃ２が、Ｃ２＞Ａ２＞Ｂ２の大小関係を満足するようにした例について説明したが、これに代えて、Ｃ２＞Ａ２≧Ｂ２、Ｃ２≧Ａ２＞Ｂ２、Ｃ２≧Ａ２≧Ｂ２のうちいずれか１つの大小関係を寸法Ａ２、Ｂ２、Ｃ２が満足するようにしてもよい。

また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。

１ａ、１ｂ、１ｃ ガラスクロス
３ フィラ
１０ 多層基板
２０ コア層
２１、２２ 樹脂層
３０、４０ ビルドアップ層（絶縁層）
３１、４１ 樹脂層（第１樹脂層）
３２、４２ 樹脂層（第２樹脂層）
６１〜６３、７１、７２ 表層配線（第１導体）
５１１、５１２、５２１、５２２ 内層配線（第２導体）
１２１〜１２３ 電子部品
１５０ モールド樹脂部材

Claims (8)

1. 絶縁層（３０、４０）と、前記絶縁層の厚み方向の一方側に配置されている第１導体（６１〜６３、７１、７２）と、前記絶縁層の前記厚み方向の他方側に配置されている第２導体（５１１、５１２、５２１、５２２）とを備えており、
   前記絶縁層は、ガラスクロス（１ｂ、１ｃ）と、前記ガラスクロスの前記第１導体側と前記ガラスクロスの前記第２導体側とをそれぞれ電気絶縁性の樹脂材料で封止する樹脂層（３１、４１、３２、４２）とを有して構成されており、
   前記樹脂層内には前記第２導体が埋まっており、
   前記ガラスクロスの線膨張係数は、前記第１導体の線膨張係数よりも低く、かつ前記樹脂層のうち前記第１導体側の線膨張係数よりも低くなっており、
   前記絶縁層の前記厚み方向において、前記第１導体と前記ガラスクロスとの間の寸法をＡ、前記ガラスクロスのうち前記第１導体側および前記第２導体側の間の寸法をＢ、前記絶縁層のうち前記第２導体側の面（３０ｂ、４０ｂ）と前記ガラスクロスとの間の寸法をＣとしたとき、Ａ、Ｂ、Ｃが、Ｃ＞Ａ＞Ｂの大小関係を満足しており、
   前記第２導体の前記厚み方向の寸法をＬｓとしたとき、Ｌｓ≧Ｂの大小関係を満足することを特徴とする基板。
2. 前記ガラスクロスは、第１方向に延びるガラス繊維からそれぞれ構成される複数本の第１のヤーン（３３）と、前記第１方向に直交する第２方向に延びるガラス繊維からそれぞれ構成される複数本の第２のヤーン（３４）を備え、前記複数本の第１のヤーンのうちいずれか１つの第１のヤーンと前記複数本の第２のヤーンのうちいずれか１つの第２のヤーンとが重なる腹（３５）を複数、構成するように織られたものであり、
   前記Ｂは、前記複数の腹（３５）のうちいずれか１つの腹における前記厚み方向の寸法であることを特徴とする請求項１に記載の基板。
3. 前記樹脂層の線膨張係数は、前記第１導体の線膨張係数よりも低くなっていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板。
4. 前記絶縁層に対して前記第１導体の反対側に配置されて電気絶縁材料からなるコア層（２０）を備え、
   前記第２導体は、前記コア層の一面上に配置されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の基板。
5. 前記コア層は、ガラスクロス（１ａ）と、このガラスクロスの両面側をそれぞれ電気絶縁性の樹脂材料で封止する樹脂層（２１、２２）とから構成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の基板。
6. 前記絶縁層を構成する前記ガラスクロスの厚み寸法は、前記コア層を構成する前記ガラスクロスの厚み寸法よりも小さくなっていることを特徴とする請求項５に記載の基板。
   
7. 前記絶縁層の前記樹脂層を構成する前記樹脂材料には、第１フィラが混ざっており、
   前記コア層の前記樹脂層を構成する前記樹脂材料には、第２フィラが混ざっており、
   前記絶縁層の質量のうち前記第１フィラの質量が占める比率は、前記コア層の質量うち前記第２フィラの質量が占める比率に比べて大きくなっていることを特徴とする請求項６に記載の基板。
8. 請求項１ないし７のいずれか１つに記載の基板（１０）と、
   前記第１導体に対して前記絶縁層の反対側に配置されて前記第１導体に接合されている電子部品（１２１〜１２３）と、
   前記絶縁層のうち前記第１導体側と前記電子部品とを樹脂材料によって封止するモールド樹脂部材（１５０）とを備えることを特徴とする電子装置。

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