JP2014216559A - 多層基板およびこれを用いた電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ビルドアップ層にクラックが発生することを抑制する。
【解決手段】ランド６１を板状とし、ビルドアップ層３０側と反対側の一面６１ａの少なくとも一部のはんだ濡れ性を側面６１ｃのはんだ濡れ性より高くする。これによれば、ランド６１の一面６１ａにはんだ１３０を介して電子部品１２１〜１２３を搭載し、ランド６１および電子部品１２１〜１２３をモールド樹脂１５０で封止した電子装置を構成した場合、ランド６１の側面６１ｃにはんだ１３０が濡れ広がることを抑制できる。そして、モールド樹脂１５０は、ランド６１の側面６１ｃに密着した状態で配置される。したがって、ビルドアップ層３０にクラックが発生することを抑制できる。
【選択図】図２

Description

本発明は、電子部品がはんだを介して搭載されるランドを有する多層基板およびこれを用いた電子装置に関するものである。

従来より、この種の電子装置として、次のものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

具体的には、この電子装置は、樹脂等で構成されるコア層とビルドアップ層とが積層され、コア層とビルドアップ層との間に内層配線が形成されていると共にビルドアップ層のうちコア層と反対側の一面にランドが形成された多層基板を備えている。ランドは、板状とされた金属膜と、金属膜よりはんだ濡れ性が高く、金属膜のうちビルドアップ層と反対側の一面および側面に形成された金属メッキとを有する構成とされている。そして、このランド上に、はんだを介してパワー素子や制御素子等の電子部品が搭載されて電子装置が構成されている。

また、使用環境によっては、耐環境（耐腐食）性を向上させるためのモールド樹脂によって電子部品を含む多層基板の一面側が覆われることによって電子装置が構成されている。

特開平７−２８３５１５号公報

しかしながら、図１１に示されるように、モールド樹脂Ｊ１によって電子部品Ｊ２が覆われる上記電子装置では、金属膜Ｊ３の一面Ｊ３ａおよび側面Ｊ３ｂに金属メッキＪ４が形成されており、はんだＪ６がランドＪ５の側面まで濡れ広がる。また、モールド樹脂Ｊ１とはんだＪ６との密着力は、通常モールド樹脂Ｊ１とランドＪ５（金属）との密着力より弱い。このため、上記電子装置では、モールド樹脂Ｊ１がはんだＪ６との界面から剥離し易く、モールド樹脂Ｊ１がはんだＪ６から剥離するとビルドアップ層Ｊ７にクラックＪ８が発生するという問題がある。

すなわち、モールド樹脂Ｊ１がはんだＪ６から剥離することによって生じる応力がビルドアップ層Ｊ７に伝播してビルドアップ層Ｊ７にクラックＪ８が発生する。

また、モールド樹脂Ｊ１が剥離することにより、モールド樹脂Ｊ１にてランドＪ５の変位を抑制できなくなるため、使用環境に応じてランドＪ５の膨張および収縮が可能となる。そして、ランドＪ５とビルドアップ層Ｊ７とは熱膨張係数が異なるため、ビルドアップ層Ｊ７に応力が印加される。特に、低温使用環境では、ランドＪ５が収縮することにより、ビルドアップ層Ｊ７のうちランドＪ５との界面の端部に多大な引張応力が印加され、ビルドアップ層Ｊ７にクラックＪ８が発生する。

そして、ビルドアップ層Ｊ７に発生したクラックＪ８が内層配線に到達すると、当該クラックＪ８に水等の異物が浸入した場合、ランドＪ５と内層配線とがショートするという新たな問題が発生する。

本発明は上記点に鑑みて、ビルドアップ層にクラックが発生することを抑制できる多層基板およびこれを用いた電子装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、表面（２０ａ）を有するコア層（２０）と、コア層の表面に形成された内層配線（５１）と、コア層の表面に内層配線を覆う状態で配置されたビルドアップ層（３０）と、ビルドアップ層のうちコア層と反対側の一面（３０ａ）に形成され、はんだ（１３０）を介して電子部品（１２１〜１２３）が搭載されるランド（６１）とを備え、ランドは、板状とされており、ビルドアップ層側と反対側の一面（６１ａ）の少なくとも一部のはんだ濡れ性が側面（６１ｃ）のはんだ濡れ性より高くされていることを特徴としている。

これによれば、ランドの一面にはんだを介して電子部品を搭載し、ランドおよび電子部品をモールド樹脂で封止した電子装置を構成した場合、ランドの側面のはんだ濡れ性が一面のはんだ濡れ性より低くされているため、ランドの側面にはんだが濡れ広がることを抑制できる。そして、モールド樹脂は、ランドの側面に密着した状態で配置される。

このため、モールド樹脂とはんだとの界面から剥離が発生したとしても、モールド樹脂はランドの側面と密着しているため、剥離による応力がビルドアップ層に伝播されることを抑制できる。また、モールド樹脂はランドの側面と密着しているため、ランドの変位をモールド樹脂にて抑制でき、使用環境によってランドが膨張および収縮することを抑制できる。したがって、ビルドアップ層にクラックが発生することを抑制できる。

例えば、請求項２に記載の発明のように、ランドは、板状とされた金属膜（６４）と、金属膜のうちビルドアップ層側と反対側の一面（６４ａ）に形成され、金属膜よりはんだ濡れ性が高い金属で構成された第１金属メッキ（６５）とを有しているものとすることができる。

この場合、請求項３に記載の発明のように、ランドは、側面に凹凸が形成されて粗化領域（６１ｄ）とされているものとすることができる。

これによれば、アンカー効果により、ランドの側面とモールド樹脂との接着力を高くすることができ、ランドからモールド樹脂が剥離することを抑制できる。つまり、さらにビルドアップ層にクラックが発生することを抑制できる。

また、請求項６に記載の発明では、請求項１ないし５のいずれか１つに記載の多層基板と、ランドのうち側面のはんだ濡れ性よりはんだ濡れ性が高くされた領域にのみ配置されたはんだと、はんだを介してランドに搭載された電子部品と、電子部品およびランドを封止し、ランドの側面と密着するモールド樹脂（１５０）とを備える電子装置であることを特徴としている。

これによれば、モールド樹脂とランドの側面とが密着しているため、剥離による応力がビルドアップ層に伝播されることを抑制でき、ランドの変位をモールド樹脂にて抑制できる。このため、ビルドアップ層にクラックが発生することを抑制できる。

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

本発明の第１実施形態における電子装置の断面図である。 図１中の領域Ａの拡大図である。 図１に示す多層基板の製造工程を示す断面図である。 図３に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。 図４に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。 本発明の第２実施形態における電子装置の拡大図である。 本発明の第３実施形態における電子装置の拡大図である。 本発明の第４実施形態における電子装置の拡大図である。 本発明の他の実施形態における電子装置の拡大図である。 本発明の他の実施形態における電子装置の拡大図である。 多層基板にクラックが発生した様子を示す電子装置の拡大図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。なお、本実施形態の電子装置は、例えば、自動車等の車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するために適用されると好適である。

図１に示されるように、電子装置は、一面１０ａおよび他面１０ｂを有する多層基板１０と、多層基板１０の一面１０ａ上に搭載された電子部品１２１〜１２３と、を備えている。そして、多層基板１０の一面１０ａ側を電子部品１２１〜１２３と共にモールド樹脂１５０で封止することにより、電子装置が構成されている。

多層基板１０は、絶縁樹脂層としてのコア層２０と、コア層２０の表面２０ａに配置された表面２０ａ側のビルドアップ層３０と、コア層２０の裏面２０ｂ側に配置された裏面２０ｂ側のビルドアップ層４０とを備える積層基板である。

なお、コア層２０およびビルドアップ層３０、４０は、ガラスクロスの両面を樹脂で封止してなるプリプレグ等で構成され、プリプレグの樹脂としては、エポキシ樹脂等が挙げられる。また、プレプレグの樹脂には、必要に応じて、アルミナやシリカ等の電気絶縁性かつ放熱性に優れたフィラーが含有されていてもよい。

そして、コア層２０とビルドアップ層３０との界面には、パターニングされた表面側内層配線５１（以下では、単に内層配線５１という）が形成されている。同様に、コア層２０とビルドアップ層４０との界面には、パターニングされた裏面側内層配線５２（以下では、単に内層配線５２という）が形成されている。

また、ビルドアップ層３０の表面３０ａには、パターニングされた表面側表層配線６１〜６３（以下では、単に表層配線６１〜６３という）が形成されている。本実施形態では、表層配線６１〜６３は、電子部品１２１〜１２３が搭載される搭載用のランド６１、電子部品１２１、１２２とボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されるボンディング用のランド６２、外部回路と電気的に接続される表面パターン６３とされている。

同様に、ビルドアップ層４０の表面４０ａには、パターニングされた裏面側表層配線７１、７２（以下では、単に表層配線７１、７２という）が形成されている。本実施形態では、表層配線７１、７２は、後述するフィルドビアを介して内層配線５２と接続される裏面パターン７１、放熱用のヒートシンクが備えられるヒートシンク用パターン７２（以下では、単にＨＳ用パターン７２という）とされている。

なお、ビルドアップ層３０の表面３０ａとは、ビルドアップ層３０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の一面１０ａとなる面のことである。また、ビルドアップ層４０の表面４０ａとは、ビルドアップ層４０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の他面１０ｂとなる面のことである。そして、内層配線５１、５２、表層配線６１〜６３、表層配線７１、７２は、具体的には後述するが、銅等の金属箔や金属メッキが適宜積層されて構成されている。

内層配線５１と内層配線５２とは、コア層２０を貫通して設けられた貫通ビア８１を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、貫通ビア８１は、コア層２０を厚さ方向に貫通する貫通孔８１ａの壁面に銅等の貫通電極８１ｂが形成され、貫通孔８１ａの内部に充填材８１ｃが充填されて構成されている。

また、内層配線５１と表層配線６１〜６３、および内層配線５２と表層配線７１、７２とは、適宜各ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通して設けられたフィルドビア９１、１０１を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、フィルドビア９１、１０１は、各ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通する貫通孔９１ａ、１０１ａが銅等の貫通電極９１ｂ、１０１ｂにて充填された構成とされている。

なお、充填材８１ｃは、樹脂、セラミック、金属等が用いられるが、本実施形態では、エポキシ樹脂とされている。また、貫通電極８１ｂ、９１ｂ、１０１ｂは、銅等の金属メッキにて構成されている。

そして、各ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａには、表面パターン６３および裏面パターン７１を覆うソルダーレジスト１１０が形成されている。なお、表面パターン６３を覆うソルダーレジスト１１０には、図１とは別断面において、表面パターン６３のうち外部回路と接続される部分を露出させる開口部が形成されている。

電子部品１２１〜１２３は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等の発熱が大きいパワー素子１２１、マイコン等の制御素子１２２、チップコンデンサや抵抗等の受動素子１２３である。そして、各電子部品１２１〜１２３は、はんだ１３０を介してランド６１上に搭載されてランド６１と電気的、機械的に接続されている。また、パワー素子１２１および制御素子１２２は、周囲に形成されているランド６２ともアルミニウムや金等のボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されている。

なお、ここでは、電子部品１２１〜１２３としてパワー素子１２１、制御素子１２２、受動素子１２３を例に挙げて説明したが、電子部品１２１〜１２３はこれらに限定されるものではない。

モールド樹脂１５０は、ランド６１、６２および電子部品１２１〜１２３を封止するものであり、エポキシ樹脂等の一般的なモールド材料が金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等により形成されたものである。

なお、本実施形態では、モールド樹脂１５０は、多層基板１０の一面１０ａのみに形成されている。つまり、本実施形態の電子装置は、いわゆるハーフモールド構造とされている。また、多層基板１０の他面１０ｂ側には、特に図示していないが、ＨＳ用パターン７２に放熱グリス等を介してヒートシンクが備えられている。

以上が本実施形態における電子装置の基本的な構成である。次に、本実施形態の特徴点であるランド６１の構造について説明する。

ランド６１は、図１および図２に示されるように、ビルドアップ層３０側と反対側の一面６１ａ、ビルドアップ層３０側の他面６１ｂ、これら一面６１ａと他面６１ｂとを繋ぐ側面６１ｃを有する板状とされ、金属膜６４および金属メッキ６５にて構成されている。具体的には、金属膜６４は、銅等で構成され、ビルドアップ層３０側と反対側の一面６４ａ、ビルドアップ層３０側の他面６４ｂ、これら一面６４ａと他面６４ｂとを繋ぐ側面６４ｃを有する板状とされている。そして、金属メッキ６５は、金属膜６４よりはんだ濡れ性が高い金等で構成され、金属膜６４の一面６４ａの全面のみに形成されている。

つまり、本実施形態の場合、ランド６１は、一面６１ａが金属メッキ６５の表面で構成されると共に側面６１ｃが金属膜６４の側面６４ｃで構成され、他面６１ｂが金属膜６４の他面６４ｂにて構成されている。そして、金属メッキ６５で構成された一面６１ａのはんだ濡れ性が側面６１ｃのはんだ濡れ性より高くされている。

また、モールド樹脂１５０は、ランド６１の側面６１ｃと密着した状態で形成されている。

なお、本実施形態では、金属メッキ６５が本発明の第１金属メッキに相当している。また、ランド６２は、特に詳細な図を示していないが、銅等の金属膜の全面に金属メッキが形成されて構成されている。

以上が本実施形態における電子装置の構成である。次に、上記電子装置の製造方法について図３〜図５を参照しつつ説明する。なお、図３〜図５は、多層基板１０のうちパワー素子１２１が搭載される部分近傍の断面図である。

まず、図３（ａ）に示されるように、コア層２０の表面２０ａおよび裏面２０ｂに銅箔等の金属箔１６１、１６２が配置されたものを用意する。そして、図３（ｂ）に示されるように、ドリル等によって金属箔１６１、コア層２０、金属箔１６２を貫通する貫通孔８１ａを形成する。

その後、図３（ｃ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキを行い、貫通孔８１ａの壁面および金属箔１６１、１６２上に銅等の金属メッキ１６３を形成する。これにより、貫通孔８１ａの壁面に、金属メッキ１６３にて構成される貫通電極８１ｂが形成される。なお、無電解メッキおよび電気メッキを行う場合には、パラジウム等の触媒を用いて行うことが好ましい。

続いて、図３（ｄ）に示されるように、金属メッキ１６３で囲まれる空間に充填材８１ｃを配置する。これにより、貫通孔８１ａ、貫通電極８１ｂ、充填材８１ｃを有する上記貫通ビア８１が形成される。

その後、図４（ａ）に示されるように、無電解メッキおよび電気メッキ等でいわゆる蓋メッキを行い、金属メッキ１６３および充填材８１ｃ上に銅等の金属メッキ１６４、１６５を形成する。

次に、図４（ｂ）に示されるように、金属メッキ１６４、１６５上に図示しないレジストを配置する。そして、当該レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行い、金属メッキ１６４、金属メッキ１６３、金属箔１６１を適宜パターニングして内層配線５１を形成すると共に、金属メッキ１６５、金属メッキ１６３、金属箔１６２を適宜パターニングして内層配線５２を形成する。つまり、本実施形態では、内層配線５１は、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４が積層されて構成され、内層配線５２は、金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５が積層されて構成されている。

なお、次の図４（ｃ）以降では、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４、および金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５をまとめて１層として示してある。

その後、図４（ｃ）に示されるように、コア層２０における表面２０ａ側において、内層配線５１上にビルドアップ層３０および銅等の金属板１６６を積層する。また、コア層２０における裏面２０ｂ側において、内層配線５２上にビルドアップ層４０および銅等の金属板１６７を積層する。このようにして、上から順に、金属板１６６、ビルドアップ層３０、内層配線５１、コア層２０、内層配線５２、ビルドアップ層３０および金属板１６７が順に積層された積層体１６８を構成する。

続いて、図４（ｄ）に示されるように、積層体１６８の積層方向から加圧しつつ加熱することにより積層体１６８を一体化する。具体的には、積層体１６８を加圧することにより、ビルドアップ層３０を構成する樹脂を流動させて内層配線５１の間を埋め込むと共に、ビルドアップ層４０を構成する樹脂を流動させて内層配線５２の間を埋め込む。そして、積層体１６８を加熱することにより、ビルドアップ層３０、４０を硬化して積層体１６８を一体化する。

次に、図５（ａ）に示されるように、レーザ等により、金属板１６６、ビルドアップ層３０を貫通して内層配線５１に達する貫通孔９１ａを形成する。同様に、図５（ａ）とは別断面において、図１に示されるように、金属板１６７、ビルドアップ層４０を貫通して内層配線５２に達する貫通孔１０１ａを形成する。

そして、図５（ｂ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキ等でいわゆるフィルドメッキを行い、貫通孔９１ａ、１０１ａを金属メッキ１６９で埋め込む。これにより、ビルドアップ層３０、４０に形成された貫通孔９１ａ、１０１ａに埋め込まれた金属メッキ１６９にて貫通電極９１ｂおよび図１に示した貫通電極１０１ｂが構成される。また、貫通孔９１ａ、１０１ａに貫通電極９１ｂ、１０１ｂが埋め込まれたフィルドビア９１、１０１が形成される。なお、次の図５（ｃ）以降では、金属板１６６および金属メッキ１６９をまとめて１層として示してある。

続いて、図５（ｃ）に示されるように、金属板１６６、１６７上に図示しないレジストを配置する。そして、レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行って金属板１６６、１６７をパターニングすると共に、適宜金属メッキを形成することにより、表層配線６１〜６３および表層配線７１、７２を形成する。つまり、本実施形態では、表層配線６１〜６３は、金属板１６６および金属メッキ１６９を有する構成とされ、表層配線７１、７２は、金属板１６７および金属メッキ１６９を有する構成とされている。

なお、表層配線６１〜６３のうちのランド６１を形成する場合には、例えば、金属膜６４となる金属板１６６の側面６４ｃをマスクで覆った状態で無電解メッキや電気メッキを行うことにより、金属膜６４の一面６４ａのみに金属メッキ６５を形成する。

次に、図５（ｄ）に示されるように、ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａにそれぞれソルダーレジスト１１０を配置して適宜パターニングすることにより、上記多層基板１０が製造される。なお、図５（ｄ）に示される範囲内において、表面３０ａ上のソルダーレジスト１１０がすべて除去されているが、図１に示すように他の領域においてソルダーレジスト１１０が残された状態になっている。

その後は、特に図示しないが、はんだ１３０を介して電子部品１２１〜１２３をランド６１に搭載する。このとき、本実施形態では、ランド６１は、側面６１ｃのはんだ濡れ性が一面６１ａのはんだ濡れ性より低くされているため、はんだ１３０が側面まで濡れ広がることを抑制できる。

そして、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６２との間でワイヤボンディングを行い、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６２とを電気的に接続する。続いて、ランド６１、６２および電子部品１２１〜１２３が封止されるように、金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等によってモールド樹脂１５０を形成する。これにより、モールド樹脂１５０がランド６１の側面６１ｃに密着した上記電子装置が製造される。

以上説明したように、本実施形態では、ランド６１は、側面６１ｃのはんだ濡れ性が一面６１ａのはんだ濡れ性より低くされている。このため、はんだ１３０がランド６１の側面６１ｃまで濡れ広がることを抑制できる。そして、モールド樹脂１５０は、ランド６１の側面６１ｃと密着して配置されている。

したがって、モールド樹脂１５０とはんだ１３０との界面から剥離が発生したとしても、モールド樹脂１５０はランド６１の側面６１ｃと密着しているため、剥離による応力がビルドアップ層３０に伝播されることを抑制できる。

また、モールド樹脂１５０はランド６１の側面６１ｃと密着しているため、ランド６１の変位をモールド樹脂１５０にて抑制でき、使用環境によってランド６１が膨張および収縮することを抑制できる。このため、ビルドアップ層３０にクラックが発生することを抑制できる。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してランド６１の側面６１ｃに粗化領域を形成したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

図６に示されるように、本実施形態では、ランド６１の側面６１ｃは、微細な凹凸が形成された粗化領域６１ｄとされている。なお、このような粗化領域６１ｄは、例えば、金属膜６４の側面６４ｃをスクラブ研磨したり薬液処理したりすることで形成される。また、図６は、図１中の領域Ａの拡大図に相当している。

これによれば、アンカー効果により、ランド６１とモールド樹脂１５０との接着力を高くすることができ、ランド６１からモールド樹脂１５０が剥離することを抑制できる。つまり、さらにビルドアップ層３０にクラックが発生することを抑制できる。

なお、特に図示しないが、ランド６２も同様に、ワイヤ１４１、１４２と接続される部分と異なる部分に粗化領域が形成されていてもよい。

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対して粗化領域６１ｄの構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

図７に示されるように、本実施形態では、金属膜６４の側面６４ｃに、金属メッキ６５よりはんだ濡れ性が低いニッケル等の金属で構成された金属メッキ６６が形成されている。そして、粗化領域６１ｄは、金属メッキ６６に微細な凹凸が形成されることによって構成されている。

なお、本実施形態では、金属メッキ６６が本発明の第２金属メッキに相当している。また、粗化領域６１ｄは、例えば、電気メッキによる粗化ニッケルメッキを行い、金属メッキ６６を不均一に形成することで構成される。そして、図７は、図１中の領域Ａの拡大図に相当している。

このような多層基板１０を用いた電子装置としても、ランド６１の側面６１ｃに粗化領域６１ｄが形成されているため、上記第２実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して金属メッキ６５の形状を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

図８に示されるように、本実施形態では、金属メッキ６５は、金属膜６４の一面６４ａのうち内縁側に形成されている。言い換えると、金属膜６４の一面６４ａのうち外縁側はメッキ６５から露出している。なお、図８は、図１中の領域Ａの拡大図に相当している。

このような多層基板１０を用いた電子装置としても、ランド６１の側面６１ｃにはんだ１３０が濡れ広がり難く、モールド樹脂１５０はランド６１の側面６１と密着して形成されるため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。

例えば、上記第１実施形態において、金属膜６４の側面６４ｃに金属膜６４よりはんだ濡れ性の低い酸化膜や金属膜を形成してもよい。

また、上記各実施形態において、コア層２０およびビルドアップ層３０、４０として、プリプレグの単層から構成されるものを図示しているが、コア層２０およびビルドアップ層３０、４０をプリプレグの多層から構成されるものとしてもよい。

さらに、上記各実施形態を適宜組み合わせることもできる。例えば、図９に示されるように、上記第２、第４実施形態を組み合わせ、金属膜６４の一面６４ａのうち外縁側を金属メッキ６５から露出させつつ、金属膜６４の側面６４ｃに粗化領域６１ｄを形成してもよい。また、図１０に示されるように、上記第３、第４実施形態を組み合わせ、金属膜６４の一面６４ａのうち外縁側を金属メッキ６５から露出させつつ、金属膜６４の側面６４ｃおよび金属膜６４の一面６４ａのうち金属メッキ６５から露出する部分に粗化領域６１ｄを構成する金属メッキ６６を形成してもよい。

１０ 多層基板
２０ コア層
２０ａ 表面
３０ ビルドアップ層
３０ａ 一面
５１ 内層配線
６１ ランド
６１ａ 一面
６１ｃ 側面
１２１〜１２３ 電子部品
１３０ はんだ

Claims (6)

1. 表面（２０ａ）を有するコア層（２０）と、
   前記コア層の表面に形成された内層配線（５１）と、
   前記コア層の表面に前記内層配線を覆う状態で配置されたビルドアップ層（３０）と、
   前記ビルドアップ層のうち前記コア層と反対側の一面（３０ａ）に形成され、はんだ（１３０）を介して電子部品（１２１〜１２３）が搭載されるランド（６１）と、を備え、
   前記ランドは、板状とされており、前記ビルドアップ層側と反対側の一面（６１ａ）の少なくとも一部のはんだ濡れ性が側面（６１ｃ）のはんだ濡れ性より高くされていることを特徴とする多層基板。
2. 前記ランドは、板状とされた金属膜（６４）と、前記金属膜のうち前記ビルドアップ層側と反対側の一面（６４ａ）に形成され、前記金属膜よりはんだ濡れ性が高い金属で構成された第１金属メッキ（６５）とを有していることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
3. 前記ランドは、前記側面に凹凸が形成されて粗化領域（６１ｄ）とされていることを特徴とする請求項２に記載の多層基板。
4. 前記粗化領域は、前記第１金属メッキよりはんだ濡れ性が低く、凹凸を有する第２金属メッキ（６６）にて構成されていることを特徴とする請求項３に記載の多層基板。
5. 前記金属膜は、前記一面のうち内縁側の部分上に前記第１金属メッキが形成され、前記一面のうち外縁側の部分が前記第１金属メッキから露出していることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１つに記載の多層基板。
6. 請求項１ないし５のいずれか１つに記載の多層基板と、
   前記ランドのうち側面のはんだ濡れ性よりはんだ濡れ性が高くされた領域にのみ配置された前記はんだと、
   前記はんだを介して前記ランドに搭載された前記電子部品と、
   前記電子部品および前記ランドを封止し、前記ランドの側面と密着するモールド樹脂（１５０）と、を備えることを特徴とする電子装置。
   

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