JP2014220059A - 高周波電源 - Google Patents
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- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims abstract description 31
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 8
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
【解決手段】高周波電源1は高周波信号発生回路31a,32aで互いにレベルの反転した高周波信号v1,v2を発生し、乗算回路31b,32bで高周波信号v1,v2とパルス信号SCとを乗算して高周波信号v1,v2がパルス信号SCの周期でパルス出力される高周波信号vP1,vP2を生成する。そして、高周波信号vP1,vP2に基づきドライブ信号vP1,vP2を生成してパワーアンプ2を駆動することにより、パワーアンプ2から高周波信号v1を増幅した高周波信号voutをプラズマ処理装置7にパルス出力する。パルス信号SCの各パルスの波形を台形にすることにより、プラズマ処理装置7に出力される高周波信号voutの出力開始時の包絡線レベルを漸増させ、出力停止時の包絡線レベルを漸減させる。
【選択図】図1
Description
2 パワーアンプ(増幅手段)
21 スイッチング回路
21a,21b 半導体スイッチ素子(FET)
3 制御部(信号レベル制御手段,出力制御手段)
31,32 ドライブ信号生成部
31a,32a 高周波信号発生回路(高周波信号発生手段)
31b,32b 乗算回路(信号乗算手段)
31c,32c ドライブ回路
33 パルス信号生成部(パルス信号生成手段)
34 電源電圧制御部
34a パルスレベル制御部
34b DC電圧制御部
4 可変直流電源
5 フィルタ回路
6 電力検出部
7 負荷(プラズマ処理装置)
8 電力合成器
Claims (4)
- 所定のレベルの高周波信号を発生する高周波信号発生手段と、
前記高周波信号発生手段が発生した高周波信号を当該高周波信号よりも低周波のパルス信号に基づいて当該パルス信号のハイレベル期間にだけ繰り返しパルス出力する出力制御手段と、
前記出力制御手段からパルス出力される高周波信号を増幅して負荷に出力する増幅手段と、
を備えた高周波電源において、
前記出力制御手段から前記増幅手段にパルス出力される前記高周波信号の包絡線レベルの波形を、前記パルス信号のレベルがローレベルからハイレベルに立ち上がる時から第1の時間が経過するまでの間に前記包絡線レベルがゼロレベルから前記所定のレベルまで漸増する波形に制御する信号レベル制御手段を備えた
ことを特徴とする、高周波電源。 - 前記信号レベル制御手段は、更に、前記高周波信号の包絡線レベルの波形を前記パルス信号のレベルがハイレベルからローレベルに立ち下がる時から第2の時間が経過するまでの間に前記包絡線レベルが前記所定のレベルからゼロレベルに漸減する波形に制御する、請求項1に記載の高周波電源。
- 前記信号レベル制御手段は、
レベルの立ち上がり時から前記第1の時間が経過するまでの間にゼロレベルから前記所定のレベルまで直線的に上昇し、レベルの立ち下がり時から前記第2の時間が経過するまでの間に前記所定のレベルからゼロレベルまで直線的にレベルが下降する台形状の波形を有するパルス信号を生成するパルス信号生成手段と、
前記高周波信号発生手段で発生された前記高周波信号と前記パルス信号生成手段で生成された前記パルス信号との乗算処理をして前記高周波信号の包絡線レベルの波形を台形状の波形にする信号乗算手段と、
を含む、請求項2に記載の高周波電源。 - 前記増幅手段は、前記信号レベル制御手段で包絡線レベルの波形が台形状の波形にされた前記高周波信号に基づいてスイッチング回路のオン・オフ駆動が制御されるD級アンプで構成される、請求項3に記載の高周波電源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013097368A JP2014220059A (ja) | 2013-05-07 | 2013-05-07 | 高周波電源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013097368A JP2014220059A (ja) | 2013-05-07 | 2013-05-07 | 高周波電源 |
Publications (1)
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JP2014220059A true JP2014220059A (ja) | 2014-11-20 |
Family
ID=51938350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2013097368A Pending JP2014220059A (ja) | 2013-05-07 | 2013-05-07 | 高周波電源 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2014220059A (ja) |
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