JP2014209550A - セラミック電子部品及びガラスペースト - Google Patents
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Abstract
Description
がある。
層に接した部分は、Cuめっき膜またはNiめっき膜により構成されている。
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
形態に係るセラミック電子部品の略図的側面図である。図3は、図1の線III−IIIにおける略図的断面図である。図4は、図3の線IVで固まれた部分を拡大した略図的断面図である。図5は、本実施形態において作製したセラミック電子部品のガラスコート層と第1の端子電極の模式的断面図である。図7は、図3の線VII−VIIにおける略図的断面図である。
2のそれぞれの厚さも、特に限定されない。第1及び第2の内部電極11,12のそれぞれの厚さは、例えば、0.2μm〜2μmとすることができる。
形状」とは、長径と短径を有する形状である。第1の金属粉15a1は、ガラスコート層15の厚み方向Tに沿った断面において、扁平状、鱗片状、棒状及び針状の少なくとも1種であることが好ましい。
部分が少なくなり、ガラスコート層15における電気的接続性が低下する場合がある。また、第2の金属粉15a2の割合が多すぎる場合には、第1の金属粉15a1がガラスコート層15の表面に位置し難くなり、後述の第1及び第2の端子電極13,14を構成するめっき膜によるガラスコート層15の被覆率が小さくなる場合がある。
って、幅方向Wに向かってセラミック電子部品1の中央部(1/2W)まで断面研磨し、得られた断面における端子電極の端面中央部に位置するガラスコート層15の厚みを光学顕微鏡で観察することなどにより測定することができる。
ー積層体を作製する。
セラミック材料:BaTiO3
セラミック部の厚み(設計値):0.9μm
内部電極の材料:Ni
内部電極の厚み(設計値):0.6μm
内部電極の合計枚数:45
焼成条件:1200℃で2時間保持
セラミック電子部品の容量:0.47μF
セラミック電子部品の定格電圧:6.3V
ガラスコート層15の厚み(設計値):8μm
ガラスコート層15に含まれる第1及び第2の金属粉15a1,15a2:Cu粉
ガラスコート層中の第1の金属粉のアスペクト比:8
ガラスコート層中の第2の金属粉のアスペクト比:1.5
第1の金属粉(扁平粉)の平均粒子径(仕込み値):D50値で3.5μm
第2の金属粉(球形粉)の平均粒子径(仕込み値):D50値で0.5μm
ガラスペースト中のガラス粉の主成分:ホウケイ酸ガラス
ガラスペースト中のガラスの軟化点:600℃
ガラス粉の平均粒子径:1μm
ガラスコート層中の第1及び第2の金属粉の合計とガラスの比:52.5体積%/47.5体積%(サンプルから検出)
ガラスペースト中の固形分中のガラス粉末の割合:57.5体積%/42.5体積%(仕込み値)
熱処理の条件:680℃
めっき膜:ガラスコート層15の上に、Cu膜(厚み4μm)、Ni膜(厚み3μm)、Sn膜(厚み4μm)を形成した。
ガラスコート層15における第1及び第2の金属粉15a1,15a2の体積割合が、下記表1のとおりであるセラミック電子部品1のサンプルをそれぞれ20個ずつ作製した。各サンプルを製造するにあたり、Cuめっき膜の形成条件を、電流値3A、90分間とした場合のガラスコート層15上のCuめっき膜の被覆率(%)を測定した。結果を表1に示す。
LCRメーター(アジレント・テクノロジー社製)を用いて、各サンプルあのCapの初期値を測定した。次に、20Vの電圧印加(5秒×5回)と、放電とを繰り返した後、再度、Capを測定した。電圧印加・放電を繰り返した後のCapの値が、Capの初期値よりも5%以上低下していたものをNGとした。結果を表1に示す。
図11は、第2の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。
スコート層15を形成する。次に、ガラスコート層15の上にめっきを施すことにより、第1及び第2の端子電極13,14を形成する。このようにして、第2の実施形態に係るセラミック電子部品を製造することができる。
図13は、第3の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的断面図である。
図14は、第4の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。
10…セラミック素体
10a…セラミック素体の第1の主面
10b…セラミック素体の第2の主面
10c…セラミック素体の第1の側面
10d…セラミック素体の第2の側面
10e…セラミック素体の第1の端面
10f…セラミック素体の第2の端面
10g…セラミック部
11…第1の内部電極
11a…第1の内部電極の端部
12…第2の内部電極
12a…第2の内部電極の端部
13…第1の端子電極
13a…第1の端子電極の第1の部分
13b…第1の端子電極の第2の部分
13c…第1の端子電極の第3の部分
13d…第1の端子電極の第4の部分
13e…第1の端子電極の第5の部分
13p…第1層
13q…第2層
13r…第3層
14…第2の端子電極
14a…第2の端子電極の第1の部分
14b…第2の端子電極の第2の部分
14c…第2の端子電極の第3の部分
14d…第2の端子電極の第4の部分
14e…第2の端子電極の第5の部分
15…ガラスコート層
15a…金属粉
15a1…第1の金属粉
15a2…第2の金属粉
15b…ガラス媒質
20…セラミックグリーンシート
21…導電パターン
22…マザー積層体
23…導電パターン
Claims (13)
- 内部電極の端部が表面に露出しているセラミック素体と、
前記セラミック素体の前記内部電極が露出した部分の上を覆うガラスコート層と、
前記ガラスコート層の直上に設けられており、めっき膜により構成された端子電極と、を備え、
前記ガラスコート層は、ガラス媒質と、前記内部電極と前記端子電極とを電気的に接続している導通パスを形成しており、前記ガラス媒質中に分散されている金属粉とを含み、
前記金属粉は、扁平粉である第1の金属粉と、球形粉である第2の金属粉とを含む、セラミック電子部品。 - 内部電極の端部が表面に露出しているセラミック素体と、
前記セラミック素体の前記内部電極が露出した部分の上を覆うガラスコート層と、
前記ガラスコート層の直上に設けられており、めっき膜により構成された端子電極と、を備え、
前記ガラスコート層は、ガラス媒質と、前記内部電極と前記端子電極とを電気的に接続している導通パスを形成しており、前記ガラス媒質中に分散されている金属粉とを含み、
前記金属粉は、前記ガラスコート層の厚み方向に沿った断面において、細長形状である第1の金属粉と、前記ガラスコート層の厚み方向に沿った断面において、長径と短径との比(長径/短径)の平均値が、前記第1の金属粉よりも小さい第2の金属粉とを含む、セラミック電子部品。 - 前記ガラスコート層の厚み方向に沿った断面における、前記第1の金属粉のアスペクト比が3.6以上である、請求項1または2に記載のセラミック電子部品。
- 前記金属粉中における前記第2の金属粉の割合が、5体積%〜50体積%である、請求項1〜3のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 前記金属粉中における前記第2の金属粉の割合が、8体積%〜35体積%である、請求項1〜3のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 前記導通パスの少なくとも一つは、前記ガラスコート層の厚み方向に沿って配された複数の前記金属粉が互いに接触することで形成されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 前記金属粉は、前記内部電極に主成分として含まれる金属を主成分として含まない、請求項1〜6のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 前記金属粉の少なくともコア部はCuからなる、請求項1〜7のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 前記ガラスコート層の厚みが1μm〜10μmである、請求項1〜8のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 前記導通パスは、相対的に細い部分と、相対的に太い部分とを、それぞれ複数有する、請求項1〜9のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 前記めっき膜の前記ガラスコート層に接した部分がCuめっき膜またはNiめっき膜により構成されている、請求項1〜10のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- セラミック素体と端子電極とを有するセラミック電子部品の端子電極が設けられる領域を覆うガラスコート層を形成するためのガラスペーストであって、
ガラスと、金属粉とを含み、
前記金属粉が、扁平粉である第1の金属粉と、球形粉である第2の金属粉とを含む、ガラスペースト。 - セラミック素体と端子電極とを有するセラミック電子部品の端子電極が設けられる領域を覆うガラスコート層を形成するためのガラスペーストであって、
ガラスと、金属粉とを含み、
前記金属粉が、前記ガラスコート層を形成したときの厚み方向に沿った断面において、細長形状である第1の金属粉と、前記ガラスコート層を形成したときの厚み方向に沿った断面において、長径と短径との比(長径/短径)の平均値が前記第1の金属粉よりも小さい第2の金属粉とを含む、ガラスペースト。
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