JP2014194872A - 非水電解液用添加剤、非水電解液、及び、蓄電デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
また、特許文献10〜13には、ビニレンカーボネートやビニルエチレンカーボネートを含有する電解液が提案されており、特許文献14、15では1,3−プロパンスルトンやブタンスルトンを含有する電解液が提案されている。
例えば、特許文献10〜15に開示されているビニレンカーボネート系化合物や1,3−プロパンスルトン等のスルトン系化合物を添加剤として用いた電解液は、負極表面上に電気的還元分解を生じて生成したSEI被膜によって、不可逆的容量低下を抑制することが可能となっている。そのため、ビニレンカーボネート系化合物やスルトン系化合物は電解液用添加剤として多用されている。しかしながら、これらの化合物によるSEI被膜は電極保護作用として機能するものの、Liイオンのイオン伝導性が低いため、内部抵抗を低下させる性能は小さかった。更に、長期間の使用に耐えうるほどの強度がないため、使用中にSEI被膜が分解したり亀裂が生じたりすることによって負極表面が露出し、電解液溶媒の分解が生じて電池特性が低下するという問題があった。また、高温条件下でのSEIの劣化により亀裂が生じ、被膜の肥大に伴って内部抵抗が上昇するという問題があった。
このように、従来の非水電解液用添加剤は充分な性能が得られておらず改善の余地があった。即ち、安定性に優れ、サイクル特性、充放電効率、内部抵抗等を向上させるSEIを電極表面上に形成し、非水電解液二次電池の電池特性を向上させる新規な電解液用添加剤の開発が望まれていた。
以下に、本発明について詳述する。
また、R1、R2、R3、及び、R4で示されるアルキル基が置換されている場合、その置換数は、炭素数nに対し、置換基はn個〜(2n+1)個の任意の置換数とする。
前記o−フェニレン基がアルキル基で置換されている場合、o−フェニレン基上のアルキル基の炭素数が5以上であると、非水溶媒への溶解性が低下するおそれがある。o−フェニレン基上のアルキル基の炭素数の好ましい上限は2である。
前記o−フェニレン基がハロゲンで置換されている場合、フッ素で置換されていることが好ましい。
なお、式(2−2)、式(2−4)、及び、式(2−9)における「Me」はメチル基、式(2−3)における「Hex」はヘキシル基、式(2−4)における「Et」はエチル基を示す。
具体的には例えば、上記式(2−1)で表されるジスルホン酸スクシンイミド化合物を製造する場合は、まず、スクシンイミドに、メタンジスルホニルクロライドを滴下し、次いで、トリエチルアミンを滴下して撹拌し、反応終了後、有機層に抽出し、晶析操作により析出した結晶をろ過する方法を用いることができる。なお、該化合物を製造する場合、必要に応じて、1,2−ジメトキシエタン等の反応溶媒を用いることもできる。
また、上記式(2−2)、(2−3)、(2−4)、(2−5)、(2−6)、(2−7)、(2−8)、(2−9)、及び、(2−10)で表されるジスルホン酸スクシンイミド化合物を製造する場合は、上記式(2−1)で表されるジスルホン酸アミド化合物を製造する方法におけるピロリジン−2,5−ジオンに代えて、それぞれ3−メチルスクシンイミド、3−ヘキシルスクシンイミド、3−エチル−4−メチルスクシンイミド、3,4−ジ(2,2,2−トリフルオロエチル)スクシンイミド、3,3−ジトリフルオロメチルスクシンイミド、3−フルオロスクシンイミド、フタルイミド、5−メチルフタルイミド、4−フルオロフタルイミドをメタンジスルホニルクロライドと反応させる方法を用いることができる。
なお、前記「最低空分子軌道(LUMO)エネルギー」は、半経験的分子軌道計算法:PM3と密度汎関数法:B3LYP法とを組み合わせて算出される。具体的に本発明では、Gaussian03(Revision B.03、米ガウシアン社製ソフトウェア)を用いて算出された値を用いる。
本発明の非水電解液用添加剤、非水溶媒、及び、電解質を含有する非水電解液もまた、本発明の1つである。
図1において、蓄電デバイス1は、正極集電体2の一方面側に正極活物質層3が設けられてなる正極板4、及び、負極集電体5の一方面側に負極活物質層6が設けられてなる負極板7を有する。正極板4と負極板7とは、本発明の非水電解液8と非水電解液8中に設けたセパレータ9を介して対向配置されている。
また、負極活物質として、リチウム金属、及び、リチウムと合金を形成することができる金属材料を用いることもできる。前記リチウムと合金を形成することができる金属としては、例えば、Cu、Sn、Si、Co、Mn、Fe、Sb、Ag等が挙げられ、これらの金属とリチウムを含む2元又は3元からなる合金を用いることもできる。
これらの負極活物質は単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。
本発明の蓄電デバイスにおいて、セパレータ9としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、フッ素樹脂等からなる多孔質フィルムを用いることができる。
(メタンジスルホン酸ビス(スクシンイミド)(化合物1)の作製)
撹拌機、冷却管、温度計及び滴下ロートを備え付けた200mL容の4つ口フラスコに、スクシンイミド10.9g(0.11モル)、及び、1,2−ジメトキシエタン70.0gを仕込み、1,2−ジメトキシエタン20.0gに溶解させたメタンジスルホニルクロライド10.7g(0.05モル)を0℃に維持しながら20分間かけて滴下した。引き続き同温度に維持しながら、1,2−ジメトキシエタン20.0gに混合させたトリエチルアミン10.6g(0.10モル)を1時間かけて滴下し、同温度に維持しながら終夜撹拌した。
反応終了後、反応液をろ過し、ろ液にトルエン100.0g及び水50.0gを添加して分液した。得られた有機層より溶媒の一部を25℃で減圧留去し、析出した結晶をろ過し、得られた結晶を乾燥することにより、前記式(2−1)で表されるメタンジスルホン酸ビス(スクシンイミド)5.1g(0.015モル)を取得した。メタンジスルホン酸ビス(スクシンイミド)の収率は、メタンジスルホニルクロライドに対して30.4%であった。
なお、得られたメタンジスルホン酸ビス(スクシンイミド)は、下記の物性を有することから同定することができた。
1H−核磁気共鳴スペクトル(溶媒:CDCl3)δ(ppm):5.53(s、2H)、7.23(dd、8H)
(メタンジスルホン酸ビス(3−メチルスクシンイミド)(化合物2)の作製)
撹拌機、冷却管、温度計及び滴下ロートを備え付けた200mL容の4つ口フラスコに、3−メチルスクシンイミド12.4g(0.11モル)、及び、1,2−ジメトキシエタン70.0gを仕込み、1,2−ジメトキシエタン20.0gに溶解させたメタンジスルホニルクロライド10.7g(0.05モル)を、0℃に維持しながら20分間かけて滴下した。引き続き同温度に維持しながら、1,2−ジメトキシエタン20.0gに溶解させたトリエチルアミン10.6g(0.10モル)を、1時間かけて滴下し、同温度に維持しながら終夜撹拌した。
反応終了後、反応液をろ過し、ろ液にトルエン100.0g及び水50.0gを添加して分液した。得られた有機層より溶媒の一部を25℃で減圧留去し、析出した結晶をろ過し、得られた結晶を乾燥することにより、前記式(2−2)で表されるメタンジスルホン酸ビス(3−メチルスクシンイミド)11.4g(0.031モル)を取得した。メタンジスルホン酸ビス(3−メチルスクシンイミド)の収率は、メタンジスルホニルクロライドに対して62.5%であった。
なお、得られたメタンジスルホン酸ビス(3−メチルスクシンイミド)は、下記の物性を有することから同定することができた。
1H−核磁気共鳴スペクトル(溶媒:CDCl3)δ(ppm):5.53(s、2H)、2.90(m、2H)、2.69(d、4H)、1.24(d、6H)
(メタンジスルホン酸ビス(3−ヘキシルスクシンイミド)(化合物3)の作製)
撹拌機、冷却管、温度計及び滴下ロートを備え付けた200mL容の4つ口フラスコに、3−ヘキシルスクシンイミド20.1g(0.11モル)、及び、1,2−ジメトキシエタン70.0gを仕込み、1,2−ジメトキシエタン20.0gに溶解させたメタンジスルホニルクロライド10.7g(0.05モル)を、0℃に維持しながら20分間かけて滴下した。引き続き同温度に維持しながら、1,2−ジメトキシエタン20.0gに溶解させたトリエチルアミン10.6g(0.10モル)を、1時間かけて滴下し、同温度に維持しながら終夜撹拌した。
反応終了後、反応液をろ過し、ろ液にトルエン100.0g及び水50.0gを添加して分液し、得られた有機層より溶媒を25℃で減圧留去した。引き続きトルエン40.0gを添加した後、メタノール10.0gを滴下することにより、結晶を析出させた。析出した結晶をろ過し、得られた結晶を乾燥することにより、前記式(2−3)で表されるメタンジスルホン酸ビス(3−ヘキシルスクシンイミド)3.5g(0.007モル)を取得した。メタンジスルホン酸ビス(3−ヘキシルスクシンイミド)の収率は、メタンジスルホニルクロライドに対して13.1%であった。
なお、得られたメタンジスルホン酸ビス(3−ヘキシルスクシンイミド)は、下記の物性を有することから同定することができた。
1H−核磁気共鳴スペクトル(溶媒:CDCl3)δ(ppm):5.53(s、2H)、2.72(m、2H)、2.69(dd、4H)、1.53(m、4H)、1.29(m、12H)、1.33(m、4H)、0.96(t、6H)
(メタンジスルホン酸ビス(3−エチル−4−メチルスクシンイミド)(化合物4)の作製)
撹拌機、冷却管、温度計及び滴下ロートを備え付けた200mL容の4つ口フラスコに、3−エチル−4−メチルスクシンイミド15.5g(0.11モル)、及び、1,2−ジメトキシエタン70.0gを仕込み、1,2−ジメトキシエタン20.0gに溶解させたメタンジスルホニルクロライド10.7g(0.05モル)を、0℃に維持しながら50分間かけて滴下した。引き続き同温度に維持しながら、1,2−ジメトキシエタン20.0gに溶解させたトリエチルアミン10.6g(0.10モル)を、50分間かけて滴下し、同温度に維持しながら終夜撹拌した。
反応終了後、反応液をろ過し、ろ液にトルエン100.0g及び水50.0gを添加して分液し、得られた有機層より溶媒を25℃で減圧留去した。引き続き、メタノール35.0gを添加し、結晶を析出させた。析出した結晶をろ過し、得られた結晶を乾燥することにより、前記式(2−4)で表されるメタンジスルホン酸ビス(3−エチル−4−メチルスクシンイミド)2.7g(0.019モル)を取得した。メタンジスルホン酸ビス(3−エチル−4−メチルスクシンイミド)の収率は、メタンジスルホニルクロライドに対して38.2%であった。
なお、得られたメタンジスルホン酸ビス(3−エチル−4−メチルスクシンイミド)は、下記の物性を有することから同定することができた。
1H−核磁気共鳴スペクトル(溶媒:CDCl3)δ(ppm):5.53(s、2H)、2.89(m、2H)、2.71(m、2H)、1.57(m、4H)、1.24(d、6H)、1.96(t、6H)
(メタンジスルホン酸ビス(3,4−ビス(2,2,2−トリフルオロエチル)スクシンイミド)(化合物5)の作製)
撹拌機、冷却管、温度計及び滴下ロートを備え付けた200mL容の4つ口フラスコに、3,4−ジ(2,2,2−トリフルオロエチル)スクシンイミド28.9g(0.11モル)、及び、1,2−ジメトキシエタン70.0gを仕込み、1,2−ジメトキシエタン20.0gに溶解させたメタンジスルホニルクロライド10.7g(0.05モル)を、0℃に維持しながら20分間かけて滴下した。引き続き同温度に維持しながら、1,2−ジメトキシエタン20.0gに溶解させたトリエチルアミン10.6g(0.10モル)を11時間かけて滴下し、同温度に維持しながら終夜撹拌した。
反応終了後、反応液をろ過し、ろ液にトルエン100.0g及び水50.0gを添加して分液した。得られた有機層より溶媒の一部を25℃で減圧留去し、析出した結晶をろ過し、得られた結晶を乾燥することにより、前記式(2−5)で表されるメタンジスルホン酸ビス(3,4−ジ(2,2,2−トリフルオロエチル)スクシンイミド)18.0g(0.027モル)を得た。メタンジスルホン酸ビス(3,4−ジ(2,2,2−トリフルオロエチル)スクシンイミド)の収率は、メタンジスルホニルクロライドに対して53.0%であった。
なお、得られたメタンジスルホン酸ビス(3,4−ジ(2,2,2−トリフルオロエチル)スクシンイミド)は、下記の物性を有することから同定することができた。
1H−核磁気共鳴スペクトル(溶媒:CDCl3)δ(ppm):5.53(s、2H)、2.71(m、4H)2.05(m、8H)
(メタンジスルホン酸ビス(3,3−ジトリフルオロメチルスクシンイミド)(化合物6)の作製)
撹拌機、冷却管、温度計及び滴下ロートを備え付けた200mL容の4つ口フラスコに、3,3−ジトリフルオロメチルスクシンイミド25.9g(0.11モル)、及び、1,2−ジメトキシエタン70.0gを仕込み、1,2−ジメトキシエタン20.0gに溶解させたメタンジスルホニルクロライド10.7g(0.05モル)を、0℃に維持しながら20分間かけて滴下した。引き続き、同温度に維持しながら、1,2−ジメトキシエタン20.0gに溶解させたトリエチルアミン10.6g(0.10モル)を、1時間かけて滴下し、同温度に維持しながら終夜撹拌した。
反応終了後、反応液をろ過し、ろ液にトルエン100.0g及び水50.0gを添加して分液した。得られた有機層より溶媒の一部を25℃で減圧留去し、析出した結晶をろ過し、得られた結晶を乾燥することにより、前記式(2−6)で表されるメタンジスルホン酸ビス(3,3−ジトリフルオロメチルスクシンイミド)7.9g(0.013モル)を取得した。メタンジスルホン酸ビス(3,3−ジトリフルオロメチルスクシンイミド)の収率は、メタンジスルホニルクロライドに対して25.4%であった。
なお、得られたメタンジスルホン酸ビス(3,3−ジトリフルオロメチルスクシンイミド)は、下記の物性を有することから同定することができた。
1H−核磁気共鳴スペクトル(溶媒:CDCl3)δ(ppm):5.53(s、2H)、2.65(d、4H)
(メタンジスルホン酸ビス(3−フルオロスクシンイミド)(化合物7)の作製)
撹拌機、冷却管、温度計及び滴下ロートを備え付けた200mL容の4つ口フラスコに、N−(3−フルオロスクシンイミド)12.9g(0.11モル)、及び、1,2−ジメトキシエタン70.0gを仕込み、1,2−ジメトキシエタン20.0gに溶解させたメタンジスルホニルクロライド10.7g(0.05モル)を、0℃に維持しながら20分間かけて滴下した。引き続き同温度に維持しながら、1,2−ジメトキシエタン20.0gに溶解させたトリエチルアミン10.6g(0.10モル)を、1時間かけて滴下し、同温度に維持しながら終夜撹拌した。
反応終了後、反応液をろ過し、ろ液にトルエン150.0g、水80.0g及び1,2−ジメトキシエタン70.0gを添加して分液した。得られた有機層より溶媒の一部を25℃で減圧留去し、析出した結晶をろ過し、得られた結晶を乾燥することにより、前記式(2−7)で表されるメタンジスルホン酸ビス(3−フルオロスクシンイミド)5.2g(0.014モル)を取得した。メタンジスルホン酸ビス(3−フルオロスクシンイミド)の収率は、メタンジスルホニルクロライドに対して28.7%であった。
なお、得られたメタンジスルホン酸ビス(3−フルオロスクシンイミド)は、下記の物性を有することから同定することができた。
1H−核磁気共鳴スペクトル(溶媒:CDCl3)δ(ppm):5.53(s、2H)、4.56(m、2H)、2.89(d、4H)
(メタンジスルホン酸ビス(フタルイミド)(化合物8)の作製)
撹拌機、冷却管、温度計及び滴下ロートを備え付けた200mL容の4つ口フラスコに、フタルイミド16.2g(0.11モル)、及び、1,2−ジメトキシエタン70.0gを仕込み、1,2−ジメトキシエタン20.0gに溶解させたメタンジスルホニルクロライド10.7g(0.05モル)を、0℃に維持しながら20分間かけて滴下した。引き続き同温度に維持しながら、1,2−ジメトキシエタン20.0gに溶解させたトリエチルアミン10.6g(0.10モル)を、1時間かけて滴下し、同温度に維持しながら終夜撹拌した。
反応終了後、反応液をろ過し、ろ液にトルエン150.0g、水80.0g及び1,2−ジメトキシエタン70.0gを添加して分液した。得られた有機層より溶媒の一部を25℃で減圧留去し、析出した結晶をろ過し、得られた結晶を乾燥することにより、前記式(2−8)で表されるメタンジスルホン酸ビス(フタルイミド)6.1g(0.014モル)を取得した。メタンジスルホン酸ビス(フタルイミド)の収率は、メタンジスルホニルクロライドに対して28.7%であった。
なお、得られたメタンジスルホン酸ビス(フタルイミド)は、下記の物性を有することから同定することができた。
1H−核磁気共鳴スペクトル(溶媒:CDCl3)δ(ppm):8.20−8.11(m、4H)、7.71−7.66(m、4H)、5.53(s、2H)
(メタンジスルホン酸ビス(5−メチルフタルイミド)(化合物9)の作製)
撹拌機、冷却管、温度計及び滴下ロートを備え付けた200mL容の4つ口フラスコに、5−メチルフタルイミド17.7g(0.11モル)、及び、1,2−ジメトキシエタン70.0gを仕込み、1,2−ジメトキシエタン20.0gに溶解させたメタンジスルホニルクロライド10.7g(0.05モル)を、0℃に維持しながら20分間かけて滴下した。引き続き同温度に維持しながら、1,2−ジメトキシエタン20.0gに溶解させたトリエチルアミン10.6g(0.10モル)を11時間かけて滴下し、同温度に維持しながら終夜撹拌した。
反応終了後、反応液をろ過し、ろ液にトルエン100.0g及び水50.0gを添加して分液した。得られた有機層より溶媒の一部を25℃で減圧留去し、析出した結晶をろ過し、得られた結晶を乾燥することにより、前記式(2−9)で表されるメタンジスルホン酸ビス(5−メチルフタルイミド)12.5g(0.027モル)を得た。メタンジスルホン酸ビス(5−メチルフタルイミド)の収率は、メタンジスルホニルクロライドに対して53.0%であった。
なお、得られたメタンジスルホン酸ビス(5−メチルフタルイミド)は、下記の物性を有することから同定することができた。
1H−核磁気共鳴スペクトル(溶媒:CDCl3)δ(ppm):8.04−8.01(m、2H)、7.99−7.91(m、2H)7.51−7.48(m、2H)、5.53(s、2H)、2.35(s、6H)
(メタンジスルホン酸ビス(4−フルオロフタルイミド)(化合物10)の作製)
撹拌機、冷却管、温度計及び滴下ロートを備え付けた200mL容の4つ口フラスコに、4−フルオロフタルイミド18.2g(0.11モル)、及び、1,2−ジメトキシエタン70.0gを仕込み、1,2−ジメトキシエタン20.0gに溶解させたメタンジスルホニルクロライド10.7g(0.05モル)を、0℃に維持しながら20分間かけて滴下した。引き続き同温度に維持しながら、1,2−ジメトキシエタン20.0gに溶解させたトリエチルアミン10.6g(0.10モル)を11時間かけて滴下し、同温度に維持しながら終夜撹拌した。
反応終了後、反応液をろ過した後、ろ液にトルエン100.0g及び水50.0gを添加して分液した。得られた有機層より溶媒の一部を25℃で減圧留去し、析出した結晶をろ過し、得られた結晶を乾燥することにより、前記式(2−10)で表されるメタンジスルホン酸ビス(4−フルオロフタルイミド)12.7g(0.027モル)を得た。メタンジスルホン酸ビス(4−フルオロフタルイミド)の収率は、メタンジスルホニルクロライドに対して53.0%であった。
なお、得られたメタンジスルホン酸ビス(5−メチルフタルイミド)は、下記の物性を有することから同定することができた。
1H−核磁気共鳴スペクトル(溶媒:CDCl3)δ(ppm):7.99−7.92(m、2H)、7.70−7.62(m、2H)7.42−7.38(m、2H)、5.53(s、2H)、2.35(s、6H)
化合物1を用いなかったこと以外は、実施例1と同様にして非水電解液を調製した。
化合物1に代えて、1,3−プロパンスルトンを含有割合が1.0質量%となるように添加したこと以外は、実施例2と同様にして非水電解液を調製した。
化合物1に代えて、ビニレンカーボネート(VC)を含有割合が1.0質量%となるように添加したこと以外は、実施例2と同様にして非水電解液を調製した。
ビニレンカーボネート(VC)の含有割合を2.0質量%となるようにしたこと以外は、比較例3と同様にして非水電解液を調製した。
化合物1に代えて、フルオロエチレンカーボネート(FEC)を含有割合が1.0質量%となるように添加したこと以外は、実施例2と同様にして非水電解液を調製した。
フルオロエチレンカーボネート(FEC)の含有割合を2.0質量%となるようにしたこと以外は、比較例5と同様にして非水電解液を調製した。
(LUMOエネルギーの測定)
実施例で得られた化合物1〜10について、LUMO(最低空分子軌道)エネルギーを測定するため、Gaussian03ソフトウェアにより、半経験的分子軌道計算を行った。軌道計算により得られた化合物1〜10のLUMOエネルギーを表1に示した。
以上より、本発明にかかるジスルホン酸スクシンイミド化合物は充分に低いLUMOエネルギーを有しており、リチウムイオン電池等の非水電解液二次電池の電極上に安定なSEIを形成する新規の非水電解液用添加剤として有効であることを示している。
正極活物質としてLiMn2O4、及び、導電性付与剤としてカーボンブラックを乾式混合し、バインダーとしてポリフッ化ビニリデン(PVDF)を溶解させたN−メチル−2−ピロリドン(NMP)中に均一に分散させ、スラリーを作製した。得られたそのスラリーを正極集電体となるアルミ金属箔(角型、厚さ20μm)上に塗布後、NMPを蒸発させることにより正極シートを作製した。得られた正極シート中の固形分比率は、質量比で、正極活物質:導電性付与剤:PVDF=80:10:10とした。
一方、負極シートとして、市販の黒鉛塗布電極シート(宝泉社製)を用いた。
上記「LSVの測定」と同様にして得られた非水電解液中にて、負極シートと正極シートとを、ポリエチレンからなるセパレータを介して積層し、円筒型二次電池を作製した。
得られた各円筒型二次電池に対して、25℃において、充電レートを0.3C、放電レートを0.3C、充電終止電圧を4.2V、及び、放電終止電圧を2.5Vとして充放電サイクル試験を行った。200サイクル後の放電容量維持率(%)及び内部抵抗比を表2に示した。なお、200サイクル後の「放電容量維持率(%)」とは、200サイクル試験後の放電容量(mAh)を、10サイクル試験後の放電容量(mAh)で割った値に100をかけたものである。また、200サイクル後の「内部抵抗比」とは、サイクル試験前の抵抗を1としたときの、200サイクル試験後の抵抗を相対値で示したものである。
2 正極集電体
3 正極活物質層
4 正極板
5 負極集電体
6 負極活物質層
7 負極板
8 非水電解液
9 セパレータ
Claims (11)
- ジスルホン酸スクシンイミド化合物は、最低空分子軌道エネルギーが−2.8〜0.0eVであることを特徴とする請求項1又は2記載の非水電解液用添加剤。
- 請求項1、2又は3記載の非水電解液用添加剤、非水溶媒、及び、電解質を含有することを特徴とする非水電解液。
- 非水溶媒は、非プロトン性溶媒であることを特徴とする請求項4記載の非水電解液。
- 非プロトン性溶媒は、環状カーボネート、鎖状カーボネート、脂肪族カルボン酸エステル、ラクトン、ラクタム、環状エーテル、鎖状エーテル、及び、これらのハロゲン誘導体からなる群より選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項5記載の非水電解液。
- 電解質は、リチウム塩を含有することを特徴とする請求項4、5又は6記載の非水電解液。
- リチウム塩は、LiAlCl4、LiBF4、LiPF6、LiClO4、LiAsF6、及び、LiSbF6からなる群より選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項7記載の非水電解液。
- 請求項4、5、6、7又は8記載の非水電解液、正極、及び、負極を備えたことを特徴とする蓄電デバイス。
- 蓄電デバイスがリチウムイオン電池であることを特徴とする請求項9記載の蓄電デバイス。
- 蓄電デバイスがリチウムイオンキャパシタであることを特徴とする請求項9記載の蓄電デバイス。
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