JP2014179605A - 半導体デバイスおよびそれを製造するための方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 146
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 18
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 4
- 238000013021 overheating Methods 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02378—Silicon carbide
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
- H01L21/7813—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate leaving a reusable substrate, e.g. epitaxial lift off
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
【解決手段】半導体基板を設けるステップ301と、この半導体基板と向き合わない裏面およびこの半導体基板に向き合う正面を有する、少なくとも1つの半導体デバイスを基板上に設けるステップ302と、半導体デバイスの裏面に接触層を設けるステップ303と、この接触層を補助キャリアに接合するステップ304と、この少なくとも1つの半導体デバイスを基板から分離するステップ305とを含む。
【選択図】図13
Description
12 多孔質SiC層
14 単結晶SiC層
15 正面
20 第1の半導体層
22 薄い残留層
25 裏面
30 Pドープ領域
40 第2の半導体層
50 金属接触領域
60 イオン
70 補助キャリア
75 半導体デバイス
100 レーザ光
110 ジェット水流
301〜305 ステップ
Claims (25)
- 半導体デバイスを製造する方法であって、
半導体基板を設けるステップと、
前記半導体基板と向き合わない裏面および前記半導体基板に向き合う正面を有する、少なくとも1つの半導体デバイスを前記半導体基板上に設けるステップと、
前記半導体デバイスの前記裏面に接触層を設けるステップと、
前記接触層を補助キャリアに接合するステップと、
前記半導体基板から前記少なくとも1つの半導体デバイスを分離するステップと
を含む、方法。 - 前記半導体基板がSiCを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体デバイスが、SiCを含む少なくとも1つの層を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体デバイスの前記正面が、前記半導体基板から分離された後にさらに処理され、前記さらなる処理が、メタライゼーションを形成するステップと、パッシベーションとのうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体基板が、前記半導体デバイスから分離された後に、さらなる半導体デバイスを製造するために再使用される、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体基板が、前記再使用の前に表面処理される、請求項5に記載の方法。
- 前記補助キャリアから前記半導体デバイスを分離するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの半導体デバイスが、ゲート酸化膜を含まない、請求項1に記載の方法。
- 前記補助キャリアが、シリコン、金属、カーボン、セラミック、およびガラスからなる群から選択される要素のうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体デバイスが、ダイオード、ショットキー・ダイオード、マージドPINショットキー・ダイオード、JFET、およびMOSFETのうちの少なくとも1つである、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体基板から前記少なくとも1つの半導体デバイスを分離するステップが、前記半導体基板から前記半導体デバイスを分割するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの半導体デバイスと前記半導体基板との間に境界領域が存在し、分離を引き起こすガスの微小気泡を生成するために、前記境界領域にイオンを注入することと、それに続いて前記境界領域を加熱することとによって前記分離するステップが実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記イオンが陽子を含む、請求項12に記載の方法。
- 前記イオンが陽子を含み、前記陽子の注入エネルギーは、前記少なくとも1つの半導体デバイスと前記半導体基板との間の前記境界領域に前記陽子が堆積するように適合される、請求項12に記載の方法。
- 前記イオンが、300keV〜1.5MeVのエネルギーを有する陽子を含む、請求項12に記載の方法。
- 前記半導体基板から前記少なくとも1つの半導体デバイスを分離するステップが、分離を引き起こす局所的な過熱を実現するために、前記基板を介して、前記少なくとも1つの半導体デバイスと前記半導体基板との間の前記境界領域にレーザ光を加えるステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体基板から前記少なくとも1つの半導体デバイスを分離するステップが、
前記半導体基板と前記少なくとも1つの半導体デバイスとの間に中間層を設けるステップと、
それに続いて前記中間層を機械的に操作するステップと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記中間層が、多孔質SiCおよび単結晶層のうちの少なくとも1つを含み、流体ジェットを用いて前記中間層を操作することによって、前記半導体基板が前記半導体デバイスから分離される、請求項17に記載の方法。
- 前記半導体基板の厚さが0.2〜1.0mmである、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも1つの半導体デバイスを設けるステップが、
第1のエピタキシャル層を前記半導体基板上に堆積させるステップと、
前記第1のエピタキシャル層にドーパントを注入するステップと、
第2のエピタキシャル層を前記第1のエピタキシャル層上に堆積させるステップと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 半導体デバイスを製造するための中間生成物であって、
半導体基板と、
前記半導体基板と向き合わない裏面および前記半導体基板に向き合う正面を有する、前記半導体基板上の半導体デバイスと、
前記半導体デバイスの前記裏面の接触層と、
前記接触層に接合された補助キャリアと
を含む、中間生成物。 - 前記半導体基板がSiCを含む、請求項21に記載の中間生成物。
- 前記半導体デバイスが、SiCを含む少なくとも1つの層を含む、請求項21に記載の中間生成物。
- イオン注入によって高い不純物原子濃度を示す、前記半導体デバイスと前記半導体基板との間の中間領域をさらに含む、請求項21に記載の中間生成物。
- 前記イオンが陽子を含む、請求項24に記載の中間生成物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/791,071 US9875935B2 (en) | 2013-03-08 | 2013-03-08 | Semiconductor device and method for producing the same |
US13/791,071 | 2013-03-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014179605A true JP2014179605A (ja) | 2014-09-25 |
JP5972922B2 JP5972922B2 (ja) | 2016-08-17 |
Family
ID=51409676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014044272A Active JP5972922B2 (ja) | 2013-03-08 | 2014-03-06 | 半導体デバイスおよびそれを製造するための方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9875935B2 (ja) |
JP (1) | JP5972922B2 (ja) |
CN (1) | CN104037070B (ja) |
FR (1) | FR3003086B1 (ja) |
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- 2014-02-26 FR FR1400487A patent/FR3003086B1/fr active Active
- 2014-03-06 JP JP2014044272A patent/JP5972922B2/ja active Active
- 2014-03-07 CN CN201410083341.XA patent/CN104037070B/zh active Active
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JP7229852B2 (ja) | 2018-05-28 | 2023-02-28 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲー | 炭化ケイ素ウェハを処理するための方法および炭化ケイ素半導体デバイス |
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JP7402929B2 (ja) | 2021-07-06 | 2023-12-21 | ファーウェイ デジタル パワー テクノロジーズ カンパニー リミテッド | ウェハを薄化する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140252373A1 (en) | 2014-09-11 |
JP5972922B2 (ja) | 2016-08-17 |
US9875935B2 (en) | 2018-01-23 |
CN104037070A (zh) | 2014-09-10 |
FR3003086B1 (fr) | 2018-03-16 |
FR3003086A1 (fr) | 2014-09-12 |
CN104037070B (zh) | 2018-05-04 |
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